CN107845857A - 天线结构及天线系统 - Google Patents

Abstract

一种天线结构及天线系统。该天线结构包括一基板、一辐射件、一耦合件、一接地件、一馈入件以及一导电件；该辐射件设置在该基板上，该辐射件包括一用于提供一第一操作频带的第一辐射部、一用于提供一第二操作频带的第二辐射部以及一连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间的耦合部；该耦合件设置在该基板上，该耦合件与该耦合部彼此分离且相互耦合；该接地件与该耦合件彼此分离；该馈入件连接于该耦合件与该接地件之间，该馈入件用来馈入一信号；该导电件用来将该信号传导至该接地件。藉此，本发明所公开的天线系统及其天线结构不仅能够提升天线性能，而且还能同时避免使用者接近时SAR值过高的问题。

Description

天线结构及天线系统

技术领域

本发明涉及一种无线通信技术，特别涉及一种天线结构及天线系统。

背景技术

首先，随着便携式电子装置(例如智能型手机、平板计算机、笔记本型计算机)的使用率日益提高，使得近年来便携式电子装置的无线通信技术更加被重视，而无线通信质量需视便携式电子装置中的天线效率而定。因此，如何提升天线的辐射效率及易于调整整体频率，已变得相当重要。

另外，由于天线所发出的电磁波会对人体造成影响，因此，目前国际非游离辐射防护委员会(International Commission on Non-Ionizing Radiation Protection，ICNIRP)建议生物体单位质量对电磁波能量比吸收率(Specific Absorption Rate，SAR)的值不应超过2.0W/Kg，而美国联邦通信委员会(Federal Communications Commission，FCC)则建议SAR值不超过1.6W/Kg。然而，目前现有技术为提升天线效率多会导致SAR值提高。

随着近年来陆续开发出笔记本型计算与平板计算机相互结合的产品，例如二合一式的笔记本型计算机(Hybrid laptops或2-in-1laptops)，也就是说，笔记本型计算机具有一般操作模式及平板模式，但现有的天线架构在平板计算机模式时，SAR值并无法达到法规的规范。虽然目前如美国专利公告第8,577,289号专利案，公开了一种“具有用于基于近接射频功率控制的整合近接传感器的天线”，其能通过判断人体信号，以调整天线的发射功率。然而，由于上述专利案中主要利用设置在馈入端与收发器之间的两颗接地电容而使得天线具有感测功能，但是，这两颗接地电容将会导致天线特性及感测距离较差的情形产生。

因此，需要提供一种天线结构及天线系统来解决上述问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种天线系统及其天线结构，不仅能够提升天线性能还能同时避免SAR值过高的问题产生。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一种技术方案是提供一种天线结构，该天线结构包括一基板、一辐射件、一耦合件、一接地件、一馈入件以及一导电件；该辐射件设置在该基板上，该辐射件包括一用于提供一第一操作频带的第一辐射部、一用于提供一第二操作频带的第二辐射部以及一连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间的耦合部；该耦合件设置在该基板上，该耦合件与该耦合部彼此分离且相互耦合；该接地件与该耦合件彼此分离；该馈入件连接于该耦合件与该接地件之间，该馈入件用来馈入一信号；该导电件用来将该信号传导至该接地件。

本发明所采用的另外一种技术方案是提供一种天线结构，该天线结构包括一基板、一辐射件、一耦合件、一接地件、一馈入件以及一导电件；该辐射件设置在该基板上，该辐射件包括一用于提供一第一操作频带的第一辐射部、一用于提供一第二操作频带的第二辐射部以及一连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间的耦合部；该耦合件设置在该基板上，该耦合件与该耦合部彼此分离且相互耦合；该接地件与该耦合件彼此分离；该馈入件连接于该耦合部与该接地件之间，该馈入件用来馈入一信号；该导电件用来将该信号传导至该接地件。

本发明所采用的另外一种技术方案是提供一种天线系统，该天线系统包括一天线结构、一近接感测模块以及一电感器；该天线结构包括一基板、一辐射件、一耦合件、一接地件、一馈入件以及一导电件；该辐射件设置在该基板上，该辐射件包括一用于提供一第一操作频带的第一辐射部、一用于提供一第二操作频带的第二辐射部以及一连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间的耦合部；该耦合件设置在该基板上，该耦合件与该耦合部彼此分离且相互耦合；该接地件与该耦合件彼此分离；该馈入件连接于该耦合件与该接地件之间，该馈入件用来馈入一信号；该导电件用来将该信号传导至该接地件；该电感器连接于该辐射件与该近接感测模块之间；其中，该辐射件作为一感测电极以供该近接感测模块测量电容值。

本发明所采用的再一种技术方案是提供一种天线系统，该天线系统包括一天线结构、一近接感测模块以及一电感器；该天线结构包括一基板、一辐射件、一耦合件、一接地件、一馈入件以及一导电件；该辐射件设置在该基板上，该辐射件包括一用于提供一第一操作频带的第一辐射部、一用于提供一第二操作频带的第二辐射部以及一连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间的耦合部；该耦合件设置在该基板上，该耦合件与该耦合部彼此分离且相互耦合；该接地件与该耦合件彼此分离；该馈入件连接于该耦合部与该接地件之间，该馈入件用来馈入一信号；该导电件用来将该信号传导至该接地件；该电感器连接于该辐射件与该近接感测模块之间；其中，该辐射件作为一感测电极以供该近接感测模块测量电容值。

本发明的有益效果在于，本发明实施例所提供的天线系统及其天线结构不仅能够提升天线性能，而且还能同时避免使用者接近时SAR值过高的问题。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明第一实施例天线结构的俯视透视示意图。

图2为本发明第一实施例天线结构的仰视透视示意图。

图3为本发明第一实施例的电压驻波比示意图。

图4为本发明第二实施例天线结构的俯视透视示意图。

图5为本发明第三实施例天线结构的俯视透视示意图。

图6为本发明第四实施例天线结构的俯视透视示意图。

图7为本发明第五实施例天线结构的俯视透视示意图。

图8为本发明第六实施例天线结构的俯视透视示意图。

图9为图8的A部分的局部放大示意图。

图10为本发明第七实施例天线结构的俯视透视示意图。

图11为本发明第八实施例天线结构的俯视透视示意图。

图12为本发明第八实施例天线结构的仰视透视示意图。

图13为本发明第九实施例天线结构的俯视透视示意图。

图14为本发明第九实施例天线结构的仰视透视示意图。

图15为本发明第十实施例天线结构的俯视透视示意图。

图16为本发明第十实施例天线结构的仰视透视示意图。

图17为本发明第十一实施例天线结构的俯视透视示意图。

图18为本发明第十一实施例天线结构的仰视透视示意图。

图19为本发明第十三实施例天线结构的俯视透视示意图。

图20为本发明第十二实施例天线系统的俯视透视示意图。

图21为本发明第十三实施例天线系统的模块方框示意图。

图22为本发明第十四实施例天线系统的内部结构的示意图。

图23为本发明第十五实施例天线系统的内部结构的示意图。

主要组件符号说明：

T、T’、T” 天线系统

Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、 天线结构

Q9、Q10、Q11、Q12

1 基板

11 第一表面

12 第二表面

2、2’ 辐射件

21 第一辐射部

22 第二辐射部

23、23’ 耦合部

231 第一耦合段

232 第二耦合段

3、3’ 耦合件

31 第一耦合臂

32 第二耦合臂

3a 第一耦合区块

3b 第二耦合区块

4 接地件

5、5’、5” 导电件

51、51’、51” 第一端部

52、52’、52” 第二端部

53 延伸部

54 弯折部

6 馈入件

61 馈入端

62 接地端

7、7’ 桥接件

71、71’ 第一侧端

72、72’ 第二侧端

73、73’ 本体

8 寄生件

81 第一寄生部

82 第二寄生部

9 接地耦合件

E 金属导体

H 电感单元

G 耦合间隙

W 预定狭缝

V 贯穿孔洞

P1 近接感测模块

P2 电感器

F 控制模块

C 背盖结构

N 显示面板

Z1 第一耦合区域

Z2 第二耦合区域

L1、L1’ 第一长度

L2、L2’ 第二长度

D1 第一距离

D2 第二距离

M1～M10 节点

具体实施方式

以下是通过特定的具体实例来说明本发明所公开有关“天线结构及天线系统”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，予以声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的技术范围。

应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种组件或信号等，但这些组件或信号不应受这些术语限制。这些术语乃用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，如本文中所使用，术语“或”视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的所有组合。

第一实施例

首先，请参阅图1及图2所示，图1及图2分别为第一实施例天线结构的俯视透视示意图及仰视透视示意图。本发明第一实施例提供一种天线结构Q1，其包括一基板1、一辐射件2、一耦合件3、一接地件4、一导电件5以及一馈入件6。辐射件2及耦合件3可设置在基板1上，馈入件6可电性连接于耦合件3与接地件4以用来馈入一信号，且馈入件6可以为一同轴电缆线，其具有一馈入端61与一接地端62，馈入端61可电性连接于耦合件3，接地端62可电性连接于接地件4。藉此，馈入件6可以用来馈入一信号，而导电件5可用来将馈入件6所馈入的信号传导至接地件4。

承上述，请再参阅图1及图2所示，以第一实施例而言，基板1可包括一第一表面11(上表面)以及一相对于第一表面11的第二表面12(下表面)，耦合件3可设置于基板1的第一表面11上，辐射件2可设置于基板1的第二表面12上，藉此，耦合件3可以与辐射件2的一耦合部23彼此分离且相互耦合。然而，在其他实施方式(请参阅第六实施例)中辐射件2及耦合件3也可以设置在同一个表面上。须注意的是，以本发明实施例而言，耦合件3与辐射件2的一耦合部23相互耦合，而馈入件6与辐射件2彼此分离。另外，基板1、辐射件2、耦合件3、接地件4、导电件5以及馈入件6的材质为所属技术领域普通技术人员容易了解的公知技术，在此容不再赘述。举例来说，辐射件2、耦合件3、接地件4、导电件5可以为一金属片、一金属导线或者是其他具有导电效果的导电体。须要特别注意的是，耦合件3与辐射件2的耦合部23相互耦合所代表的是耦合件3与耦合部23是彼此分离的耦接方式并不相同。

接着，请再参阅图1所示，导电件5可设置在第一表面11上，且导电件5可连接于耦合件3与接地件4之间，且导电件5可以与耦合件3一体成型，以使得导电件5从耦合件3延伸至接地件4。接地件4电性连接于一金属导体E，而金属导体E可与基板1彼此相互分离。此外，导电件5可具有一连接于耦合件3的第一端部51及一连接于接地件4的第二端部52。以第一实施例而言，导电件5可具有一朝远离耦合件3的方向延伸的延伸部53以及一从延伸部53弯折且延伸至接地件4的弯折部54。另外，第一端部51可位于延伸部53上，第二端部52可位于弯折部54上。藉此，导电件5可通过延伸部53(第一端部51)与耦合件3连接，并通过弯折部54(第二端部52)与接地件4电性连接。换句话说，由图1可看出天线结构Q1在X-Y平面上时，延伸部53可以朝向一第一方向(负X方向)延伸，而弯折部54则可以朝向一第三方向(负Y方向)延伸，且延伸部53与弯折部54大致呈相互垂直设置。

接着，请再参阅图2所示，辐射件2可设置在基板1上，辐射件2可包括一用于提供一第一操作频带的第一辐射部21、一用于提供一第二操作频带的第二辐射部22以及一连接于第一辐射部21与第二辐射部22之间的耦合部23。进一步来说，第一辐射部21可由第一辐射部21与第二辐射部22相接的耦合部23朝向一第一方向(负X方向)延伸，第二辐射部22可由耦合部23朝向一第二方向(正X方向)延伸，其中第一方向与第二方向相异且可以大致平行。换句话说，第一辐射部21与第二辐射部22分别从耦合部23的两相反侧端向外延伸而出。藉此，第一辐射部21与第二辐射部22彼此相平行，而耦合部的延伸方向与第一辐射部21及第二辐射部22的延伸方向大致呈相互垂直设置。

承上述，值得说明的是，以本发明实施例而言，第一辐射部21的长度大于第二辐射部22的长度，第一辐射部21所提供的第一操作频带的频率范围(带宽，bandwidth)介于698MHz至960MHz之间，且第二辐射部22所提供的第二操作频带的频率范围介于1425MHz至2690MHz之间，以适用于不同的LTE(Long Term Evolution)频带(Band)，然而本发明不以此为限。附带一提，为便于说明，下述实施例将以第一操作频带的频率范围介于698MHz至960MHz之间，第二操作频带的频率范围介于1425MHz至2690MHz之间的例子进行说明。

接着，请再参阅图1及图2所示，耦合件3与耦合部23之间彼此相互重叠的区域可定义为一第一耦合区域Z1(耦合件3在X-Y平面上的正投影与耦合部23在X-Y平面上的正投影所相互重叠的区域)，且第一耦合区域Z1的面积大小(耦合件3与耦合部23之间的耦合程度大小)与天线结构Q1所产生的操作频带的频率范围(带宽，bandwidth)的大小呈正比关系，再者，第一耦合区域Z1的面积大小与天线结构Q1所产生的操作频带的中心频率呈反比关系。换句话说，当第一耦合区域Z1愈小时，天线结构Q1所产生的操作频带的频率范围将会降低，而天线结构Q1所产生的操作频带的中心频率将会提高。另外，第一耦合区域Z1的面积大小与天线结构Q1的中心频率所对应的阻抗值接近一预设阻抗值的程度呈正比关系，也就是说，第一耦合区域Z1的面积愈大(耦合件3与耦合部23之间的耦合程度愈大，或耦合件3与耦合部23之间的耦合量愈大)时，天线结构Q1的中心频率所对应的阻抗值会愈接近预设阻抗值。反之，第一耦合区域Z1的面积愈小(耦合件3与耦合部23之间的耦合程度愈小，或耦合件3与耦合部23之间的耦合量愈小)时，天线结构Q1的中心频率所对应的阻抗值会变大。

值得说明的是，当第一耦合区域Z1改变时，第一操作频带的频率范围及操作频带的中心频率的变化程度将会大于第二操作频带的频率范围及操作频带的中心频率的变化程度，其中第二操作频带高于第一操作频带。另外，须注意的是，为便于了解附图上的内容，附图中以耦合部23的区域小于耦合件3的区域表示，然而，在其他实施方式中，耦合部23的区域也可以是大于或者是等于耦合件3的区域。再者，也可以通过调整耦合部23与耦合件3之间的相对位置或者是调整耦合部23与耦合件3的大小而调整第一耦合区域Z1的面积大小。

承上述，导电件5从耦合件3延伸至接地件4的距离定义为一延伸长度(第一长度L1及第二长度L2的总和)，导电件5的延伸长度可与天线结构Q1所产生的操作频带的频率范围的大小呈正比关系，且导电件5的延伸长度与天线结构Q1所产生的操作频带的中心频率所对应的阻抗值的大小呈反比关系。也就是说，导电件5的延伸长度愈小时，天线结构Q1所产生的操作频带的频率范围愈小，且天线结构Q1所产生的操作频带的中心频率所对应的阻抗值愈大。反之，导电件5的延伸长度愈大时，天线结构Q1所产生的操作频带的中心频率所对应的阻抗值愈小。值得说明的是，当阻抗值愈接近预设阻抗值时，操作频带的中心频率所对应的电压驻波比(Voltage standing wave ratio，VSWR)的值愈接近1。例如，当阻抗值愈接近预设阻抗值50欧姆，即操作频带的中心频率所对应的电压驻波比的值愈接近1。换句话说，可依据需求调整导电件5的延伸长度，以调整至所需的操作频带的频率范围及电压驻波比。

另外，以第一实施例而言，导电件5具有一延伸部53及一连接于延伸部53的弯折部54，因此，导电件5的延伸长度可为延伸部53的一第一长度L1与弯折部54的一第二长度L2两者的加总长度。其中，第一长度L1可以由耦合件3与耦合部23两者相对所形成的第一耦合区域Z1的边缘起算至弯折部54的边缘，第二长度L2可以由延伸部53的边缘起算至弯折部54与接地件4之间的交接处。

接着，请同时参阅图3及下表一所示，图3为电压驻波比(Voltage standing waveratio，VSWR)示意图。

表一

节点	频率(MHz)	电压驻波比
			M1	698	5.45
M2	704	5.02
			M3	734	3.48
M4	824	1.76
			M5	960	5.45
M6	1425	4.21
			M7	1575	2.34
M8	1710	1.86
			M9	2170	2.01
M10	2690	1.78

第二实施例

请参阅图4所示，图4为第二实施例天线结构的俯视透视示意图。由图4与图1的比较可以了解，第二实施例与第一实施例最大的差别在于：第二实施例中所提供的天线结构Q2进一步包括了一桥接件7。详细来说，桥接件7可设置于基板1的第一表面11上且连接于导电件5及接地件4之间。桥接件7具有一第一侧端71、一相对于第一侧端71的第二侧端72以及一连接于第一侧端71与第二侧端72之间的本体73。以第二实施例而言，第一侧端71可连接于弯折部54，本体73可电性连接于接地件4，换句话说，桥接件7的第一侧端71可连接于第二端部52。

承上述，值得说明的是，以第二实施例而言，耦合件3、导电件5及桥接件7三者可以一体成型。另外，基板1、辐射件2、耦合件3、接地件4、导电件5以及馈入件6的结构特征与前述实施例相仿，在此容不再赘述。须特别说明的是，桥接件7设置的目的为使得接地件4能易于贴附于基板1上，虽然第二实施例中有说明可进一步设置桥接件7，然而，在其他实施方式中，也可以不用设置桥接件7。换句话说，设置有桥接件7的天线结构Q2，馈入件6的接地端62也可以电性连接于桥接件7或是接地件4，而使得接地端62间接连接与接地件4，然而本发明不以此为限。另外，值得一提的是，举例来说，桥接件7的材质可以为锡，接地件4的材质可以为铜，然而本发明不以此为限。

第三实施例

请参阅图5所示，图5为第三实施例天线结构的俯视透视示意图。由图5与图1的比较可以了解，第三实施例与第一实施例最大的差别在于：第三实施例中的天线结构Q3的导电件5’相异于第一实施例所提供的导电件5。举例来说，导电件5’可为一设置(跨接)在耦合件3与接地件4之间的电感组件，电感组件可具有一第一端部51’及一相对应于第一端部51’的第二端部52’。电感组件可通过第一端部51’与耦合件3电性连接，并通过第二端部52’与接地件4电性连接。

另外，可通过更换不同的电感组件(导电件5’)，以调整电感值大小而间接改变天线结构Q3的操作频带的频率范围及操作频带的中心频率。以第三实施例而言，电感组件所提供的电感值大小与天线结构Q3所产生的操作频带的频率范围的大小呈正比关系，且电感组件所提供的电感值降低(减小)的程度与天线结构Q3所产生的操作频带的中心频率所对应的阻抗值的大小呈反比关系。也就是说，电感组件所提供的电感值愈小时，天线结构Q3所产生的操作频带的频率范围愈小，且天线结构Q3所产生的操作频带的中心频率所对应的阻抗值愈大。反之，电感组件所提供的电感值愈大时，天线结构Q3所产生的操作频带的频率范围愈大，且天线结构Q3所产生的操作频带的中心频率所对应的阻抗值愈小。举例来说，假设电感组件的电感值为6.8nH为参考值，当电感值愈大时，天线结构Q3所产生的操作频带的频率范围也会随着增加，反之操作频带的频率范围则会随之减少。换句话说，当电感值愈小时，中心频率的阻抗值愈大，且低频频宽变窄，反之，当电感值愈大时，中心频率的阻抗值愈小，低频频宽变宽。

值得一提的是，相较于第一实施例中以具有延伸部53及弯折部54作为导电件5的天线结构Q1，第三实施例中利用电感组件作为导电件5’时，能够大幅缩小天线结构Q3的体积。另外，须注意的是，第三实施例中的基板1、辐射件2、耦合件3、接地件4以及馈入件6的结构特征与前述实施例相仿，在此容不再赘述。另外，当利用电感组件作为导电件5’时，不仅可用于调整低频与高频的阻抗匹配，优选地，主要也能够达到调整低频频率范围(带宽，bandwidth)的效果。

第四实施例

请参阅图6所示，图6为第四实施例天线结构的俯视透视示意图。由图6与图5的比较可知，第四实施例与第三实施例最大的差别在于：第四实施例中的天线结构Q4还进一步包括了一桥接件7’，桥接件7’可具有第一侧端71’、第二侧端72’及本体73’。桥接件7’可设置于电感组件5’及接地件4之间。藉此，桥接件7’的第一侧端71’可电性连接于电感组件5’的第二端部52’，本体73’可电性连接于接地件4。须注意的是，第四实施例中的其他组件的结构特征与前述实施例相仿，在此容不再赘述。

第五实施例

首先，请参阅图7所示，图7为第五实施例天线结构的俯视透视示意图。由图7与图4的比较可以了解，第五实施例与第二实施例最大的差别在于：第五实施例中的天线结构Q5还进一步包括了一邻近地设置在第二辐射部22附近的寄生件8。寄生件8可设置在基板1上并连接于桥接件7，同时，寄生件8可连接于接地件4且与第二辐射部22互不重叠。藉此，寄生件8可用以调整第二操作频带的中心频率所对应的阻抗值以及第二操作频带的频率范围。

接着，详细来说，寄生件8可包括一连接于桥接件7的第二侧端72的第一寄生部81以及一连接于第一寄生部81的第二寄生部82。举例而言，第一寄生部81可朝一靠近第二辐射部22的第四方向(正Y方向)延伸，且第二寄生部82可朝一远离耦合件3的第二方向(正X方向)延伸，且第二寄生部82的延伸方向大致平行于第二辐射部22的延伸方向。此外，由俯视图观之，寄生件8的第二寄生部82与第二辐射部22之间具有一预定狭缝W，当寄生件8的第二寄生部82相对于第二辐射部22的水平偏移距离(或称预定狭缝W，即寄生件8的第二寄生部82与第二辐射部22之间彼此相距的距离)愈小时，第二操作频带的中心频率所对应的阻抗值愈接近一预设阻抗值。当阻抗值愈接近预设阻抗值时，操作频带的中心频率所对应的电压驻波比的值愈接近1。

再者，寄生件8的延伸长度与天线结构Q5所产生的第二操作频带的频率范围的大小呈反比关系。也就是说，寄生件8的延伸长度愈小，天线结构Q5所产生的操作频带的频率范围将会上升。举例来说，寄生件8的延伸长度可以为第一寄生部81的一第一长度L1’与第二寄生部82的一第二长度L2’两者的加总长度。其中，第一长度L1’可以由寄生件8与桥接件7两者之间的连接处起算至第二寄生部82的边缘，第二长度L2’可以由第一寄生部81的边缘起算至第二寄生部82的端部。

值得说明的是，虽然第五实施例中所说明的是寄生件8连接于桥接件7，但是，在其他的实施方式中，也可以不设置有桥接件7(图中未示出)，而是直接将接地件4电性连接于寄生件8，且让寄生件8邻近地设置在第二辐射部22附近而与第二辐射部22互不重叠，即寄生件8在X-Y平面上的正投影与第二辐射部22在X-Y平面上的正投影互不重叠。也就是说，寄生件8可具有一连接于接地件4的第一寄生部81以及一从第一寄生部81弯折且朝远离耦合件3的方向延伸的第二寄生部82。藉此，以调整第二操作频带的阻抗值以及第二操作频带的频率范围。

附带一提，通过在天线结构Q5的第二辐射部22附近设置寄生件8，可以用于强化第二操作频带的特性，优选地，可以强化2000MHz至3000MHz的特性，更优选地，可以为强化2600MHz的特性。换句话说，介于2000MHz至3000MHz之间的频率的电压驻波比可以通过寄生件8的设置而更趋近于1。须注意的是，第五实施例中的其他组件的结构特征与前述实施例相仿，在此容不再赘述。

第六实施例

首先，请参阅图8所示，图8为本发明第六实施例天线结构的俯视透视示意图。由图8与图1的比较可知，第六实施例与第一实施例最大的差别在于：耦合件3’以及辐射件2’都设置在基板1的第一表面11上且彼此邻近。详细来说，第六实施例所提供的天线结构Q6同样地是利用耦合件3’与辐射件2’的耦合部23’相互耦合的特性，而让天线结构Q6产生相对应的信号收发效果。

接着，请一并参阅图9所示，图9为图8的A部分的局部放大示意图。举例来说，耦合部23’具有一耦合段(第一耦合段231和/或第二耦合段232)，耦合件3’具有一耦合臂(第一耦合臂31和/或第二耦合臂32)，耦合段与耦合臂之间具有至少一个或多个耦合间隙G，特别说明的是，耦合段与耦合臂之间的耦合程度(即耦合量，也就是，耦合段与耦合臂彼此耦合的长度)与天线结构Q6所产生的操作频带的频率范围呈正比关系，再者，耦合段与耦合臂之间的耦合程度(耦合量)与天线结构Q6所产生的操作频带的中心频率呈反比关系。另一方面，至少一耦合间隙G的距离愈小，其耦合量愈大，因此耦合间隙G的距离与天线结构Q6所产生的操作频带的频率范围呈反比关系且耦合间隙G的距离与天线结构Q6所产生的操作频带的中心频率呈正比关系。换句话说，当耦合程度愈小或耦合间隙G的距离愈大时，天线结构Q6所产生的操作频带的频率范围将会降低，而天线结构Q6所产生的操作频带的中心频率将会提高。

进一步来说，以图9的实施方式而言，耦合部23’具有一第一耦合段231及一连接于第一耦合段231的第二耦合段232。第一耦合段231可朝向一第一方向(负X方向)延伸，而第二耦合段232可朝向一第三方向(负Y方向)延伸。另外，耦合臂可具有一第一耦合臂31及一连接于第一耦合臂31的第二耦合臂32。第一耦合臂31可朝向一第二方向(正X方向)延伸，而第二耦合臂32可朝向一第三方向(负Y方向)延伸。藉此，耦合段与耦合臂可以相互耦合。

值得说明的是，在其他实施方式中，可以设置有多个第一耦合段231及多个第一耦合臂31，以增加耦合部23’与耦合件3’之间的第一耦合区域Z1。藉此，多个第一耦合段231及多个第一耦合臂31之间可具有多个耦合间隙G，且多个第一耦合段231及多个第一耦合臂31彼此交错设置。须注意的是，第六实施例中的其他组件的结构特征与前述实施例相仿，在此容不再赘述。

第七实施例

首先，请参阅图10所示，图10为本发明第七实施例天线结构的俯视透视示意图。由图10与图7的比较可知，第七实施例与第一实施例最大的差别在于：第七实施例所提供的天线结构Q7的导电件5’的其中一端(第二端部52’)是连接于寄生件8，导电件5’的另外一端(第一端部51’)是连接于耦合件3，也就是说，导电件5’是连接于耦合件3与寄生件8之间，且寄生件8可通过一桥接件7’而连接于接地件4，即，桥接件7’可连接于导电件5’与接地件4之间。须说明的是，在其他实施方式中，可以不设置有桥接件7’，而是使得寄生件8直接连接于接地件4。另外，设置有桥接件7’的天线结构Q7中，馈入件6的馈入端61可电性连接于耦合件3，馈入件6的接地端62可电性连接于桥接件7’，而使得接地端62间接电性连接于接地件4。须注意的是，第七实施例中的其他组件的结构特征与前述实施例相仿，在此容不再赘述。

请再参阅图10所示，寄生件8具有一连接于接地件4的第一寄生部81以及一从第一寄生部81弯折且朝远离耦合件3的方向延伸的第二寄生部82，藉此，导电件5’可连接于耦合件3与第一寄生部81之间，以使得导电件5’间接连接于接地件4。举例来说，导电件5’可以为一设置在耦合件3与第一寄生部81之间的电感组件、金属片、金属导线或是其他具有导电效果的导电体。藉此，当导电件5’为电感组件时，电感组件(导电件5’)所提供的一电感值可以调整天线结构所产生的操作频带的频率范围，以及操作频带的中心频率所对应的阻抗值的大小。也就是说，如同前述实施例所述，电感组件所提供的电感值愈小时，天线结构Q7所产生的操作频带的频率范围愈小，且天线结构Q7所产生的操作频带的中心频率所对应的阻抗值愈大。反之，电感组件所提供的电感值愈大时，天线结构Q7所产生的操作频带的频率范围愈大，且天线结构Q7所产生的操作频带的中心频率所对应的阻抗值愈小。值得说明的是，如同前述图7的实施例所述，寄生件8的第二寄生部82相对于第二辐射部22的水平偏移距离愈小，第二操作频带的中心频率所对应的阻抗值愈接近一预设阻抗值。

第八实施例

首先，请参阅图11及图12所示，图11及图12分别为第八实施例天线结构的俯视透视示意图及仰视透视示意图，由图11与图10的比较可知，第八实施例与第七实施例最大的差别在于：第八实施例所提供的天线结构Q8还进一步包括一接地耦合件9，接地耦合件9与耦合件3彼此分离，且寄生件8、导电件5’可与辐射件2设置在同一个表面上。须注意的是，第八实施例中的其他组件的结构特征与前述实施例相仿，在此容不再赘述。

请再参阅图11及图12所示，接地耦合件9、桥接件7’以及寄生件8可设置在基板1上，接地耦合件9与桥接件7’彼此分离且相互耦合，接地耦合件9连接于接地件4，桥接件7’可连接于寄生件8。藉此，接地耦合件9与桥接件7’相互重叠的区域可定义为一第二耦合区域Z2，且第二耦合区域Z2的面积大小与天线结构Q8所产生的操作频带的频率范围(带宽，bandwidth)的大小呈正比关系，再者，第二耦合区域Z2的面积大小与天线结构Q8所产生的操作频带的中心频率呈反比关系。

进一步来说，如图11及图12所示，耦合件3以及接地耦合件9可设置于第一表面11上，且接地耦合件9可连接于接地件4。另外，辐射件2、寄生件8、导电件5’以及桥接件7’可设置于第二表面12上，且导电件5’的其中一端(第二端部52’)可连接于寄生件8，导电件5’的另外一端(第一端部51’)可连接于辐射件2的耦合部23。藉此，馈入件6所馈入的信号可以依序经由第一耦合区域Z1、导电件5’、寄生件8、桥接件7’与接地耦合件9之间的第二耦合区域Z2以及接地件4，进而形成一回路。值得说明的是，本实施例中，导电件5’可以为一设置在耦合部23与第一寄生部81之间的电感组件、金属导线或者是其他具有导电效果的导电体等，本发明不以此为限。

第九实施例

首先，请参阅图13及图14所示，图13及图14分别为第九实施例天线结构的俯视透视示意图及仰视透视示意图，由图13与图1的比较可知，第九实施例与第一实施例最大的差别在于：第九实施例所提供的天线结构Q9中的导电件5”是与辐射件2的耦合部23彼此分离且相互耦合。馈入件6的信号可通过耦合部23与导电件5”之间的耦合关系，而使得信号能传导至接地件4。须注意的是，第九实施例中的其他组件的结构特征与前述实施例相仿，在此容不再赘述。

请再参阅图13及图14所示，详细来说，以第九实施例而言，耦合件3可设置于第一表面11上，辐射件2、导电件5”可设置于第二表面12上。导电件5”可具有一与耦合部23彼此分离且相互耦合的第一端部51”以及一连接于接地件4的第二端部52”。值得说明的是，由于导电件5”是设置于第二表面12上，因此，可通过在金属导体E或是基板1上形成一贯穿第一表面11及第二表面12的贯穿孔洞V(via，图13及图14中未示出，请参阅图17及图18)，而使得导电件5”通过贯穿孔洞V中的导电体(图中未示出)而电性连接于接地件4。另外，也可以通过弯折导电件5”而使得导电件5”电性连接于接地件4。须注意的是，在贯穿孔洞V中设置导电体，以使得分别设置在两相反表面上的组件电性连接，为所属技术领域人员所熟知的技术，在此容不再赘述。

优选地，如图13及14所示，在本实施例中，还可进一步包括一电感单元H，电感单元H可设置于导电件5”的传导路径上，且位于第一表面11或第二表面12上。以本发明实施例而言，电感单元H位于耦合部23与接地件4之间，例如，如图13及图14所示的电感单元H可设置于导电件5”与接地件4之间，然而本发明不以此为限。即，在其他实施方式中，电感单元H只要是位于导电件5”与接地件4之间的路径即可。值得一提的是，当导电件5”的路径愈长时，可选择具有较小电感值的电感单元H。

承上述，请再参阅图13及图14所示，辐射件2的耦合部23与导电件5”的第一端部51”之间的耦合程度(即耦合量，也就是，第一端部51”与耦合部23彼此之间的耦合面积区域或是间距大小)与天线结构Q9所产生的操作频带的中心频率所对应的阻抗值接近一预设阻抗值的程度呈正比关系。也就是说，辐射件2的耦合部23与导电件5”的第一端部51”之间的耦合区域(耦合面积)愈大或者是辐射件2的耦合部23与导电件5”的第一端部51”之间的间距愈小，代表着辐射件2的耦合部23与导电件5”的第一端部51”之间的耦合程度愈大(耦合量愈大)，此时，天线结构Q9的中心频率所对应的阻抗值会愈接近预设阻抗值。反之，辐射件2的耦合部23与导电件5”的第一端部51”之间的耦合程度愈小，天线结构Q9的中心频率所对应的阻抗值会变大。

第十实施例

首先，请参阅图15及图16所示，图15及图16分别为第十实施例天线结构的俯视透视示意图及仰视透视示意图，由图15与图1的比较可知，第十实施例与第一实施例最大的差别在于：第十实施例所提供的天线结构Q10中的耦合件3具有一第一耦合区块3a及一第二耦合区块3b，第一耦合区块3a及第二耦合区块3b彼此分离且相互耦合，辐射件2的耦合部23至少与第一耦合区块3a彼此分离且相互耦合，且馈入件6连接于第一耦合区块3a与接地件4之间。此外，导电件5的其中一端(第一端部51)可连接于第二耦合区块3b，导电件5的另外一端(第二端部52)可连接于接地件4。也就是说，第一耦合区块3a与第二耦合区块3b可通过耦合方式而将信号传递至导电件5上。须注意的是，第十实施例中的其他组件的结构特征与前述实施例相仿，在此容不再赘述。另外，值得说明的是，在其他实施方式中，辐射件2的耦合部23能同时耦合于第一耦合区块3a及第二耦合区块3b，或者是辐射件2的耦合部23仅耦合于第一耦合区块3a或第一耦合区块3b，本发明不以此为限。

请再参阅图15及图16所示，举例来说，第十实施例中所提供的导电件5可为一电感组件，另外，当导电件5为金属导线或者是其他具有导电效果的导电体时，天线结构Q10还可进一步包括一设置于导电件5的传导路径上的电感单元H。藉此，导电件5的其中一端(第一端部51)可连接于第二耦合区块3b，导电件5的另外一端(第二端部52)可连接于电感单元H，且电感单元H连接于接地件4。须说明的是，电感单元H的设置位置及其效果如同前述实施例所述，在此容不再赘述。

另外，值得说明的是，如图15及图16所示，第一耦合区块3a与第二耦合区块3b之间的耦合程度(即耦合量，也就是，第一耦合区块3a与第二耦合区块3b彼此之间的耦合面积区域或是间距大小)与天线结构Q10所产生的操作频带的中心频率所对应的阻抗值接近一预设阻抗值的程度呈正比关系。也就是说，第一耦合区块3a与第二耦合区块3b之间的耦合区域(耦合面积)愈大或者是第一耦合区块3a与第二耦合区块3b之间的间距愈小，代表着第一耦合区块3a与第二耦合区块3b之间的耦合程度愈大(耦合量愈大)，此时，天线结构Q10的中心频率所对应的阻抗值会愈接近预设阻抗值。反之，第一耦合区块3a与第二耦合区块3b之间的耦合程度愈小，天线结构Q10的中心频率所对应的阻抗值会变大。

第十一实施例

首先，请参阅图17及图18所示，图17及图18分别为第十一实施例天线结构的俯视透视示意图及仰视透视示意图，由图17与图1的比较可知，第十一实施例与第一实施例最大的差别在于：馈入件6是连接于耦合部23与接地件4之间。进一步来说，如图17及图18所示，信号可通过馈入件6而馈入耦合部23，接着，导电件5可通过一设置在基板1上的贯穿孔洞V而将信号传导至接地件4，藉此，以改变信号馈入的方式。

接着，详细来说，以第十一实施例而言，辐射件2可设置于基板1的第一表面11，导电件5及耦合件3可设置于基板1的第二表面12，以使得辐射件2与接地件4位于同一个平面以上。另外，馈入件6的馈入端61可电性连接于耦合部23，馈入件6的接地端62可电性连接于接地件4。因此，可通过在金属导体E或是基板1上形成一贯穿第一表面11及第二表面12的贯穿孔洞V，而使得导电件5通过贯穿孔洞V中的导电体而电性连接于接地件4。另外，在其他实施方式中也可以通过弯折导电件5而使得导电件5电性连接于接地件4。须注意的是，第十一实施例中的其他组件的结构特征与前述实施例相仿，且其他组件的特性或应用方式也与前述实施例相仿，在此容不再赘述。

进一步来说，第十一实施例中所说明地将馈入件6连接于耦合部23与接地件4之间，以及导电件5可通过一设置在基板1上的贯穿孔洞V而将信号传导至接地件4的实施方式，优选地也可以应用于前述第一实施例至第七实施例、第九实施例及第十实施例，然而本发明不以此为限。也就是说，当辐射件2与接地件4设置在同一个平面时，且馈入件6是连接于耦合部23与接地件4之间时，可利用贯穿孔洞V将信号传递至接地件4。值得说明的是，当前述第六实施例应用第十一实施例所提供的实施方式时，所产生的结构将如下述第十二实施例所述。

第十二实施例

请参阅图19所示，图17及图18分别为第十一实施例天线结构的俯视透视示意图及仰视透视示意图，由图19与图8的比较可知，第十二实施例与第六实施例最大的差别在于：馈入件6是连接于耦合部23与接地件4之间。进一步来说，如图19所示，馈入件6的馈入端61可电性连接于耦合部23’，馈入件6的接地端62可电性连接于接地件4，藉此，以改变信号馈入的方式。须注意的是，第十二实施例中的其他组件的结构特征与前述实施例相仿，且其他组件的特性或应用方式也与前述实施例相仿，在此容不再赘述。也就是说，桥接件7、寄生件8、电感单元H等可依据需求而选择性的设置。

第十三实施例

首先，请参阅图20及图21所示，图20为本发明第十三实施例天线系统的俯视透视示意图。图21本发明第十三实施例天线系统的模块方框示意图。由图20与图1的比较可知，第十三实施例与第一实施最大的差别在于：第十三实施例所提供的天线系统T可以使用前述实施例中所提供的天线结构(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12)并与一近接感测模块P1及一电感器P2配合使用。须说明的是，为便于说明，天线系统T中的天线结构以第一实施例所提供的天线结构Q1进行说明。藉此，通过近接感测模块P1及电感器P2的设置，天线结构Q1可具有一感测人体是否接近该天线系统T的功能，进而调整天线结构Q1的发射功率。另外，举例来说，天线系统T可以应用于二合一式的笔记本型计算机(Hybrid laptops或2-in-1 laptops)，然而本发明不以此为限。

详细来说，电感器P2可电性连接于辐射件2与近接感测模块P1之间，近接感测模块P1可电性连接于电感器P2与接地件4之间。也就是说，近接感测模块P1及电感器P2可设置于基板1上且电性连接于辐射件2与金属导体E之间，或者是辐射件2与接地件4之间，以形成一导电回路。举例来说，电感器P2可为一低通滤波器(Low-pass filter)，近接感测模块P1可为一电容值传感器，且通过电容值传感器及低通滤波器的设置后，天线结构Q1的辐射件2可作为一感测电极以供该近接感测模块P1测量电容值。另外，举例来说，当天线系统T应用于二合一式的笔记本型计算机时，金属导体E可以为笔记本型计算机的背盖结构，然而本发明不以此为限。须说明的是，虽然附图中近接感测模块P1是通过金属导体E而间接电性连接于接地件4，但是，在其他实施方式中，近接感测模块P1也可以是直接电性连接于接地件4或者是其他的接地回路，本发明不以此为限制。

接着，举例来说，近接感测模块P1及电感器P2，可电性连接于天线结构Q1及一控制模块F之间，且控制模块F电性连接于天线结构Q1。因此，控制模块F能够依据近接感测模块P1所感测到的一信号而调整天线结构Q1的发射功率。换句话说，近接感测模块P1可用于感测辐射件2与金属导体E之间的寄生电容值，进而能够依据寄生电容值来判断物体(例如使用者的腿部或是其他部位)与近接感测模块P1之间的距离。值得说明的是，控制模块F的电路也可以整合在近接感测模块P1中，然而本发明不以此为限。

藉此，天线结构Q1的辐射件2可视为一感测电极(sensor electrode或sensorpad)，控制模块F可以通过近接感测模块P1所感测到的电容值变化而判断使用者的腿部或是其他部位是否位于一邻近天线结构Q1的预定检测范围内。当使用者的腿部或其他部位位于预定检测范围内时，控制模块F可以调降天线结构Q1的发射功率，以避免SAR值过高。当使用者的腿部或其他部位位于预定检测范围外时，控制模块F可以调升天线结构Q1的发射功率，以维持天线结构Q1的整体效率。须注意的是，本发明实施例中所提及的电感器P2非属近接感测模块P1(Proximity Sensor，P-Sensor)。

第十四实施例

首先，请参阅图22所示，图22为本发明第十四实施例天线系统的内部结构的示意图。以下将进一步说明前述实施例所提供的天线结构(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12)或天线系统T设置在电子装置中的实施方式。详细来说，电子装置(未标号)可包括一显示面板N、一背盖结构C以及前述实施例中所提供的天线系统T’(或天线结构(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12))。

请再参阅图22所示，显示面板N及天线结构Q1可设置于背盖结构C上，而天线结构Q1可以设置于显示面板N的侧边，且辐射件2、基板1以及耦合件3依序堆叠而设置于背盖结构C上，以使得辐射件2比耦合件3更接近背盖结构C。藉此，由于辐射件2设置于电子装置的较外层位置，且辐射件2作为近接感测模块P1的感测电极，因此，天线结构Q1的感测距离能够较远。然而，由于显示面板N的上表面至辐射件2的上表面之间的一第一距离D1较远，因此，辐射件2将会受到显示面板N的阻隔而导致天线效率下降。

第十五实施例

首先，请参阅图23所示，图23为本发明第十五实施例天线系统的内部结构的示意图。由图23与图22的比较可知，第十五实施例与第十四实施例最大的差别在于：第十五实施例的天线系统T”(或天线结构(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12))的耦合件3、基板1以及辐射件2的排列方式相异于第十四实施例。以第十五实施例而言，是以耦合件3、基板1以及辐射件2依序堆叠而设置于背盖结构C上的方式进行排列，以使得耦合件3比辐射件2更接近背盖结构C。藉此，相较于第十四实施例，由于第十五实施例中辐射件2设置于电子结构的较内层位置，因此，天线结构的感测距离较近。但是，由于显示面板N的上表面至辐射件2的上表面之间的一第二距离D2较近，因此，辐射件2将较不易受到显示面板N的阻隔而能够提升天线效率。换句话说，通过将第一实施例至第十五实施例的天线结构的辐射件2设置于电子结构的较内层位置，可提升天线效率。

实施例的有益效果

综上所述，本发明的有益效果在于，本发明实施例所提供的天线系统(T、T’、T”)及其天线结构(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12)不仅能够提升天线性能，而且还能同时避免使用者接近时SAR值过高的问题。另外，须说明的是，前面实施例中所说明的天线结构(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12)，其导电件(5、5’)、桥接件(7、7’)以及寄生件8可以应用于不同的实施例中，再者，耦合部(23、23’)与耦合件(3、3’)的耦合方式(设置于相同表面或相异表面)也可以交互应用于不同的实施例。藉此，本发明能够任意搭配上述不同的组件，以调整所需要的天线特性。

以上所述仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的专利范围，所以全部运用本发明说明书及附图内容所做的等同技术变化，均包含于本发明的保护范围内。

Claims (28)

1.一种天线结构，该天线结构包括：

一基板；

一辐射件，该辐射件设置在该基板上，该辐射件包括一用于提供一第一操作频带的第一辐射部、一用于提供一第二操作频带的第二辐射部以及一连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间的耦合部；

一耦合件，该耦合件设置在该基板上，该耦合件与该耦合部彼此分离且相互耦合；

一接地件，该接地件与该耦合件彼此分离；

一馈入件，该馈入件连接于该耦合件与该接地件之间，该馈入件用来馈入一信号；以及

一导电件，该导电件用来将该信号传导至该接地件。

2.如权利要求1所述的天线结构，其中，该耦合件与该耦合部相互重叠的区域定义为一第一耦合区域，且该第一耦合区域的面积与该天线结构所产生的操作频带的频率范围呈正比关系。

3.如权利要求1所述的天线结构，其中，该导电件连接于该耦合件与该接地件之间，该导电件从该耦合件延伸至该接地件的距离定义为一延伸长度，该导电件的该延伸长度与该天线结构所产生的操作频带的频率范围呈正比关系。

4.如权利要求1所述的天线结构，其中，该导电件连接于该耦合件与该接地件之间，该导电件具有一朝远离该耦合件的方向延伸的延伸部以及一从该延伸部弯折且延伸至该接地件的弯折部。

5.如权利要求1所述的天线结构，其中，该导电件为一设置在该耦合件与该接地件之间的电感组件，该电感组件所提供的一电感值可以调整该天线结构所产生的操作频带的频率范围。

6.如权利要求5所述的天线结构，其中，该电感值与该天线结构所产生的操作频带的频率范围呈正比关系。

7.如权利要求1所述的天线结构，还进一步包括：一寄生件，该寄生件设置在该基板上，且该寄生件连接于该接地件且与该第二辐射部互不重叠。

8.如权利要求7所述的天线结构，其中，该寄生件具有一连接于该接地件的第一寄生部以及一从该第一寄生部弯折且朝远离该耦合件的方向延伸的第二寄生部。

9.如权利要求8所述的天线结构，其中，该寄生件的该第二寄生部与该第二辐射部之间具有一预定狭缝。

10.如权利要求1所述的天线结构，其中，该基板包括一第一表面以及一相对于该第一表面的第二表面，该耦合件设置在该第一表面上，且该辐射件设置在该第二表面上。

11.如权利要求1所述的天线结构，其中，该基板包括一第一表面以及一相对于该第一表面的第二表面，且该耦合件与该辐射件都设置在该第一表面上且彼此邻近。

12.如权利要求11所述的天线结构，其中，该耦合件与该耦合部之间具有一耦合间隙，该耦合间隙及该耦合件与该耦合部之间的一耦合量可用来调整该天线结构所产生的操作频带的频率范围及操作频带的中心频率。

13.如权利要求1所述的天线结构，还进一步包括：一寄生件，该寄生件设置在该基板上，其中，该导电件的其中一端连接于该寄生件，该导电件的另外一端连接于该耦合件，且该寄生件连接于该接地件。

14.如权利要求13所述的天线结构，其中，该寄生件具有一连接于该接地件的第一寄生部以及一从该第一寄生部弯折且朝远离该耦合件的方向延伸的第二寄生部，其中，该寄生件的该第二寄生部与该第二辐射部之间具有一预定狭缝。

15.如权利要求14所述的天线结构，其中，该导电件为一设置在该耦合件与该第一寄生部之间的电感组件。

16.如权利要求1所述的天线结构，还进一步包括：一接地耦合件、一桥接件以及一寄生件，该接地耦合件、该桥接件以及该寄生件设置在该基板上，其中，该接地耦合件与该桥接件彼此分离且相互耦合，该接地耦合件连接于该接地件，且该桥接件连接于该寄生件。

17.如权利要求16所述的天线结构，其中，该导电件的其中一端连接于该寄生件，该导电件的另外一端连接于该耦合部。

18.如权利要求16所述的天线结构，其中，该寄生件具有一连接于该桥接件的第一寄生部以及一从该第一寄生部弯折且朝远离该耦合件的方向延伸的第二寄生部，其中，该寄生件的该第二寄生部与该第二辐射部之间具有一预定狭缝。

19.如权利要求1所述的天线结构，其中，该导电件具有一与该耦合部彼此分离且相互耦合的第一端部以及一连接于该接地件的第二端部。

20.如权利要求19所述的天线结构，还进一步包括：一电感单元，该电感单元设置于该导电件的传导路径上。

21.如权利要求1所述的天线结构，其中，该耦合件具有一第一耦合区块及一第二耦合区块，该馈入件连接于该第一耦合区块与该接地件之间，且该第一耦合区块及该第二耦合区块彼此分离且相互耦合。

22.如权利要求21所述的天线结构，其中，该导电件的其中一端连接于该第二耦合区块，该导电件的另外一端连接于该接地件。

23.如权利要求21所述的天线结构，还进一步包括：一电感单元，该电感单元设置于该导电件的传导路径上。

24.一种天线结构，该天线结构包括：

一基板；

一辐射件，该辐射件设置在该基板上，该辐射件包括一用于提供一第一操作频带的第一辐射部、一用于提供一第二操作频带的第二辐射部以及一连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间的耦合部；

一耦合件，该耦合件设置在该基板上，该耦合件与该耦合部彼此分离且相互耦合；

一接地件，该接地件与该耦合件彼此分离；

一馈入件，该馈入件连接于该耦合部与该接地件之间，该馈入件用来馈入一信号；以及

一导电件，该导电件用来将该信号传导至该接地件。

25.一种天线系统，该天线结构包括：

一天线结构，该天线结构包括：

一基板；

一辐射件，该辐射件设置在该基板上，该辐射件包括一用于提供一第一操作频带的第一辐射部、一用于提供一第二操作频带的第二辐射部以及一设置在该第一辐射部与该第二辐射部之间的耦合部；

一耦合件，该耦合件设置在该基板上，该耦合件与该耦合部彼此分离且相互耦合；

一接地件，该接地件与该耦合件彼此分离；

一馈入件，该馈入件连接于该耦合件与该接地件之间，该馈入件用来馈入一信号；以及

一导电件，该导电件用来将该信号传导至该接地件；

一近接感测模块；以及

一电感器，该电感器连接于该辐射件与该近接感测模块之间；

其中，该辐射件作为一感测电极以供该近接感测模块测量电容值。

26.如权利要求25所述的天线系统，其中，该辐射件、该基板以及该耦合件依序堆叠而设置于一背盖结构上，以使得该辐射件比该耦合件更接近该背盖结构。

27.如权利要求25所述的天线系统，其中，该耦合件、该基板以及该辐射件依序堆叠而设置于一背盖结构上，以使得该耦合件比该辐射件更接近该背盖结构。

28.一种天线系统，该天线系统包括：

一天线结构，该天线结构包括：

一基板；

一辐射件，该辐射件设置在该基板上，该辐射件包括一用于提供一第一操作频带的第一辐射部、一用于提供一第二操作频带的第二辐射部以及一连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间的耦合部；

一耦合件，该耦合件设置在该基板上，该耦合件与该耦合部彼此分离且相互耦合；

一接地件，该接地件与该耦合件彼此分离；

一馈入件，该馈入件连接于该耦合部与该接地件之间，该馈入件用来馈入一信号；以及

一导电件，该导电件用来将该信号传导至该接地件；

一近接感测模块；以及

一电感器，该电感器连接于该辐射件与该近接感测模块之间；

其中，该辐射件作为一感测电极以供该近接感测模块测量电容值。