CN107845601A - 利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法 - Google Patents

利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107845601A
CN107845601A CN201710992023.9A CN201710992023A CN107845601A CN 107845601 A CN107845601 A CN 107845601A CN 201710992023 A CN201710992023 A CN 201710992023A CN 107845601 A CN107845601 A CN 107845601A
Authority
CN
China
Prior art keywords
flat
laser
bonding
violet laser
open
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710992023.9A
Other languages
English (en)
Inventor
王承伟
徐海宾
王伟
赵裕兴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIANGYIN DELI LASER EQUIPMENT CO Ltd
Suzhou Delphi Laser Co Ltd
Original Assignee
JIANGYIN DELI LASER EQUIPMENT CO Ltd
Suzhou Delphi Laser Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGYIN DELI LASER EQUIPMENT CO Ltd, Suzhou Delphi Laser Co Ltd filed Critical JIANGYIN DELI LASER EQUIPMENT CO Ltd
Priority to CN201710992023.9A priority Critical patent/CN107845601A/zh
Publication of CN107845601A publication Critical patent/CN107845601A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/799—Apparatus for disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/7999—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto for disconnecting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本发明公开了利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，激光以呈平顶分布的光斑辐照于键合片，键合片由载体、涂覆至载体的释放层、涂覆至释放层的粘合层、涂覆至晶圆的保护层以及晶圆键合形成。纳秒紫外激光辐照键合片，打断键合胶的化学键，使其失去黏性，从而分开键合的载体与晶圆。该方法不仅避免了键合胶的损伤，改善了拆键合质量，而且提高了激光拆键合的加工效率。平顶分布的紫外激光辐照键合片，其加工效率比高斯分布的激光高数倍。

Description

利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法
技术领域
本发明涉及一种利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，纳秒紫外激光辐照键合片，分开键合的载体与晶圆。
背景技术
IBM(international business machine，国际商用仪器)公司，提出了减薄半导体衬底的方法(专利号CN 101764047 B)。该专利采用双层键合胶结构，在半导体晶圆衬底上施加粘合层，在载体上施加激光烧蚀粘合层，即释放层，然后将粘合层结合到释放层。虽然释放层吸光度高，但是释放层成本高、黏性差，厚度不到1μm，吸收的激光有限。而粘合层对激光的透过率高，激光可能透过双层键合胶，损伤晶圆。为了避免晶圆损伤，本专利增加了保护层，采用释放层、粘合层和保护层的三层键合胶结构。由于释放层厚度远小于保护层的厚度，因此涂覆到释放层的粘合层，均匀性优于涂覆到保护层的粘合层。
IBM(international business machine，国际商用仪器)公司，提出了激光拆键合方法(专利号CN 104718605 B)。但该专利用到的355nm的二极管泵浦的三倍频YAG激光器，属于固体激光器，激光器产生的光束呈高斯型。激光在谐振腔中振荡，光束自再现，光束形状必须满足亥姆霍兹方程，而厄米高斯函数是赫姆霍兹方程的解。因此激光器出射的光斑，可以用厄米高斯函数表示，激光器出射的光斑通常为基模高斯光束。基模高斯光束经过IBM专利中的反射镜、振镜等元件，光束仍然为高斯分布，这是博伊德和戈登的理论证明过的。由于此性质，高斯光束适合几米以及更远距离的传输。然而，高斯光束具有易损伤键合胶、能量利用率低的缺点。坐标(x,y)和时刻t下，高斯光束的光强I(x,y,t)表示如下，
式中wxG和wyG分别表示高斯光束在x和y方向的腰斑半径，τp表示脉宽，I0G表示峰值光强。光强I(x,y,t)在时间和空间上积分，等于单脉
冲能量Ep，I0G表示如下，
式中πwxGwyG表示高斯光束的腰斑面积。腰斑面积内，集中了高斯光束86.5％的能量，因此单脉冲的加工面积近似等于腰斑面积，加工面积SG表示如下，
如果对高斯光束进行空间整形，使其变为平顶光束，激光单脉冲能量和脉宽不变。平顶光束的光强I0T表示如下，
式中4wxTwyT表示高斯光束的腰斑面积。平顶光束的单脉冲的加工面积表示如下，
若平顶光束的峰值光强等于高斯光束腰斑半径处的光强，即I0T＝I0G/e2，则平顶光束和高斯光束的加工面积之比R表示如下，
由上式可知，平顶光束的光斑面积，是高斯光束的369.5％。相同加工面积、单脉冲能量和脉宽下，加工时间与光斑面积成反比，因此加工效率与光斑面积成正比，平顶光束的加工效率比高斯光束高269.5％。
平顶光束除了提高加工效率，还能提高加工的均匀性。高斯光束和平顶光束的分布如图3所示，横轴为归一化的径向位置，即径向位置除以腰斑半径；纵轴是归一化的光强，即光强除以I0G。
归一化的径向位置在-1到1之间，高斯光束出现一个峰，峰值光强是腰斑半径处的7.4倍。高斯光束中的峰，很可能导致加工区域的过度损伤。归一化的径向位置属于(-∞,-1)U(1,+∞),高斯光束的光强弱，难以用于拆键合，该区域内的能量占高斯脉冲的13.5％，这部分能量不仅被浪费掉，而且被键合胶吸收后产生热。平顶光束有效地避免了这两个问题，平顶光束分布均匀，腰斑半径是高斯光束腰斑半径的1.92倍；平顶分布所有的能量都能被充分利用，因此提高了激光能量的利用效率，降低了热影响。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，旨在避免键合胶的损伤，改善拆键合质量。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，特点是：激光以呈平顶分布的光斑辐照于键合片，所述键合片由载体、涂覆至载体的释放层、涂覆至释放层的粘合层、涂覆至晶圆的保护层以及晶圆键合形成。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述保护层涂覆至晶圆上，不同于保护层的释放层涂覆至载体上，保护层及释放层固化后，将不同于保护层及释放层的粘合层涂覆到释放层上，再将粘合层与保护层相粘结。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述光斑通过振镜快速移动。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述辐照于键合片上的光斑面积为0.000824～0.419mm2。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述平顶分布的光斑的尺寸形状为29.0～647μm的正方形。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述载体的厚度大于300μm。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述保护层的厚度为5～50μm。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述释放层的厚度为0.1～1μm。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述粘合层的厚度为10～50μm。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，提供平顶分布光斑的激光设备包含沿光路依次布置的激光器、用以改变光束各点相位的衍射光学元件、振镜以及场镜。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，还包含用于检测光斑的光束分析仪。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述激光器是功率为1.64～4.99W的激光器。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述激光器的重复频率为7.8～873kHz。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述激光器的波长范围是343～355nm。
进一步地，上述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其中，所述激光器的激光光束质量因子M2小于等于1.5。
本发明与现有技术相比具有显著的优点和有益效果，具体体现在以下方面：
①本发明利用纳秒紫外激光辐照键合片，打断键合胶的化学键，使其失去黏性，从而分开键合的载体与晶圆；不仅避免了键合胶的损伤，改善了拆键合质量，而且提高了激光拆键合的加工效率；
②由于紫外激光的光子能量高，当紫外纳秒激光辐照键合胶时，激光打断键合胶的化学键，平顶分布的激光光强均匀，键合胶被辐照的区域内各点断裂的化学键的数目接近；平顶分布的紫外激光辐照键合片后，键合胶失去黏性，键合的载体和晶圆分开；解决激光拆键合中，高斯光束带来的速度慢和过度损伤等问题；
③相同加工面积、单脉冲能量和脉宽下，加工时间与光斑面积成反比，因此加工效率与光斑面积成正比，平顶光束的加工效率比高斯光束高2.7倍；相同的加工效率要求下，平顶光束所需的激光功率低，因此平顶光束拆键合所需的激光器功率比高斯光束所需的功率低，拆键合系统成本低；
④功率为1.64的拆键合系统，用来拆8英寸的玻璃和硅晶圆的键合片，使用高吸收率的激光型键合胶，效率能达到60片/小时，此效率能够较好满足晶圆的封装要求。
附图说明
图1：键合片的结构示意图；
图2：激光设备的光路传输示意图；
图3：相同单脉冲能量的高斯光束与平顶光束的分布示意图；
图4：光束分析仪检测的平顶分布光斑的照片；
图5a：激光的轨迹组成的圆形轮廓图；
图5b：激光的轨迹局部放大图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现详细说明具体实施方案。
利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，激光以呈平顶分布的光斑辐照于键合片，如图1所示，键合片由载体51、涂覆至载体的释放层52、涂覆至释放层的粘合层53、涂覆至晶圆的保护层54以及晶圆55键合形成。利用纳秒紫外激光A辐照键合片，打断键合胶的化学键，使其失去黏性，从而分开键合的载体51与晶圆55。
键合片的键合过程为：首先将保护层54涂覆至晶圆55上，不同于保护层的释放层52涂覆至载体51上，保护层54及释放层52固化后，将不同于保护层及释放层的粘合层53涂覆到释放层52上，再将粘合层53与保护层54相粘结。
光斑通过振镜进行快速移动。辐照于键合片上的光斑面积为0.000824～0.419mm2。平顶分布的光斑的尺寸形状为29.0～647μm的正方形。
载体51的厚度大于300μm，厚度越大，载体强度越高；保护层54的厚度为5～50μm；释放层52的厚度为0.1～1μm；粘合层53的厚度为10～50μm。
如图2所示，提供平顶分布光斑的激光设备包含沿光路依次布置的激光器1、用以改变光束各点相位的衍射光学元件2、振镜3以及场镜4，还设有用于检测光斑的光束分析仪6。激光器1出射激光，依次经过衍射光学元件2和振镜3，由场镜4汇聚到平台7上的键合片5上。光束分析仪6通过平台7移动到聚焦后的光斑处，监测光斑尺寸。光束分析仪6检测的光斑的形状如图4。
光束分析仪6中的相机，与键合片样品表面具有固定的高度差。移动Z轴，使光斑尺寸调节到设计值，然后将键合片样品移动到场镜下。
激光器1是功率为1.64～4.99W的激光器。激光器1的重复频率为7.8～873kHz。激光器1的激光光束质量因子M2小于等于1.5，保证实际获得的平顶的光斑，与设计值接近。由于衍射光学元件，按理想高斯光束，即M2＝1.0的光束设计，因此M2越大，实际的光斑与设计值偏差越大。
激光器1的波长范围是343～355nm。激光器采用掺Yb和Nd离子的增益介质，输出的常见波长分别是1030nm和1064nm的基频光，基频光经过倍频及和频后，分别变成波长为343nm和355nm的紫外激光。紫外激光的波长包括343～355nm、308nm、266nm和248nm、193nm等。玻璃的透过率随波长减小而降低，载体玻璃在343～355nm的透过率，高于玻璃在308nm、266nm、248nm和193nm处的透过率。相同入射功率下，经过玻璃后的343～355nm激光的功率，高于308nm、266nm、248nm和193nm激光的功率，因此343～355nm的激光更适合用来拆键合。
激光脉宽为纳秒，对于纳秒甚至更长的长脉冲激光，加工阈值与脉宽的根号成正比，因此纳秒激光的加工阈值低于微秒激光。纳秒激光采用调Q技术，相比于需要锁模的皮秒、飞秒激光，结构简单性能稳定，元件少成本低。此外，纳秒激光重复频率高。因此，纳秒激光适用于拆键合。
衍射光学元件2改变光斑各点处的相位，使激光经过场镜4后，变成平顶分布而非高斯分布。相同单脉冲能量的高斯光束与平顶光束的分布对比如图3所示。
平台7在XY平面上移动，如果振镜3的单次扫描区域，小于键合片5的尺寸，那么平台要与振镜配合，实现拼接。平台7的最小尺寸和移动范围，由键合片尺寸决定。
激光的轨迹必须覆盖整个晶圆，可以按“Z”字形移动。“Z”字形图案如图5a，图案尺寸比晶圆尺寸长5％，保证激光焦点的移动区域，覆盖整个晶圆。比如直径为200mm的8寸晶圆，图案的直径为210mm。8寸的晶圆，若线段间距为277μm，即0.2770mm，则“Z”字形需要758条线段，线段如图5b所示，图5b是图5a放大后的效果。值得注意的是，“Z”字形图案中，各线段的顶点组成圆形轮廓。圆的面积比边长等于圆直径的正方形减小1-π/4＝21.5％，此方法可以缩短加工时间21.5％。。
具体应用时，激光透过载体51辐照释放52层，打断释放层52的化学键，使释放层52失去黏性，从而拆开载体和晶圆。由于释放层厚度不到1μm，吸收的激光有限，而粘合层53对激光的透过率高，激光可能透过双层键合胶，损伤晶圆。为了避免晶圆损伤，设有保护层54，采用释放层52、粘合层53和保护层54的三层键合胶结构。确保激光透过载体51辐照到释放层52上，不损伤粘合层53和保护层54后的晶圆55。
实施例超低功率激光拆8英寸的玻璃和硅片的键合
首先将10μm厚的保护层涂覆到400μm厚的硅晶圆上，将释放层材料旋涂到700μm厚的肖特AF 32玻璃上，释放层厚度0.3μm。待保护层及释放层固化后，将粘合层涂覆到释放层上，粘合层厚度10μm。最后将粘合层与保护层粘结。释放层和粘合层都采用JSR(捷时雅上海商贸有限公司)的TA系列临时键合材料。
采用波长355nm的LP102激光器，激光器脉宽为20纳秒。调节激光器功率因子，使激光输出功率为1.64W。用衍射光学元件将高斯光束整形成正方形平顶光束，扫描间距277μm，加工图案轮廓为直径为210mm的圆。激光重复频率为10kHz，振镜的扫描速度2.17m/s。利用CAD软件，求出图案总长度为125m，因此振镜加工的理论时间为57.6s，实际加工时间为58s加工效率达到60片/小时。辐照后，用真空装置吸附硅晶圆，然后用另一个真空吸附装置取下玻璃，实现晶圆和载体玻璃的分离。
由于紫外激光的光子能量高，当紫外纳秒激光辐照键合胶时，激光打断键合胶的化学键，平顶分布的激光光强均匀，键合胶被辐照的区域内各点断裂的化学键的数目接近；平顶分布的紫外激光辐照键合片后，键合胶失去黏性，键合的载体和晶圆分开。解决激光拆键合中，高斯光束带来的速度慢和过度损伤等问题。
本发明不仅避免了键合胶的损伤，改善了拆键合质量，而且提高了激光拆键合的加工效率。相同加工面积、单脉冲能量和脉宽下，加工时间与光斑面积成反比，因此加工效率与光斑面积成正比，平顶光束的加工效率比高斯光束高2.7倍。相同的加工效率要求下，平顶光束所需的激光功率低，因此平顶光束拆键合所需的激光器功率比高斯光束所需的功率低，拆键合系统成本低。功率为1.64W的拆键合系统，用来拆8英寸的玻璃和硅晶圆的键合片，使用高吸收率的激光型键合胶，效率能达到60片/小时，此效率能够较好满足封装要求。
需要说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施方式，并非用以限定本发明的权利范围；同时以上的描述，对于相关技术领域的专门人士应可明了及实施，因此其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在申请专利范围中。

Claims (15)

1.利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：激光以呈平顶分布的光斑辐照于键合片，所述键合片由载体、涂覆至载体的释放层、涂覆至释放层的粘合层、涂覆至晶圆的保护层以及晶圆键合形成。
2.根据权利要求1所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述保护层涂覆至晶圆上，不同于保护层的释放层涂覆至载体上，保护层及释放层固化后，将不同于保护层及释放层的粘合层涂覆到释放层上，再将粘合层与保护层相粘结。
3.根据权利要求1所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述光斑通过振镜快速移动。
4.根据权利要求1所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述辐照于键合片上的光斑面积为0.000824～0.419mm2。
5.根据权利要求1所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述平顶分布的光斑的尺寸形状为29.0～647μm的正方形。
6.根据权利要求1或2所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述载体的厚度大于300μm。
7.根据权利要求1或2所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述保护层的厚度为5～50μm。
8.根据权利要求1或2所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述释放层的厚度为0.1～1μm。
9.根据权利要求1或2所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述粘合层的厚度为10～50μm。
10.根据权利要求1所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：提供平顶分布光斑的激光设备包含沿光路依次布置的激光器、用以改变光束各点相位的衍射光学元件、振镜以及场镜。
11.根据权利要求10所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：还包含用于检测光斑的光束分析仪。
12.根据权利要求10所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述激光器是功率为1.64～4.99W的激光器。
13.根据权利要求10所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述激光器的重复频率为7.8～873kHz。
14.根据权利要求10所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述激光器的波长范围是343～355nm。
15.根据权利要求10所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述激光器的光束质量因子M2小于等于1.5。
CN201710992023.9A 2017-10-23 2017-10-23 利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法 Pending CN107845601A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710992023.9A CN107845601A (zh) 2017-10-23 2017-10-23 利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710992023.9A CN107845601A (zh) 2017-10-23 2017-10-23 利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107845601A true CN107845601A (zh) 2018-03-27

Family

ID=61661572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710992023.9A Pending CN107845601A (zh) 2017-10-23 2017-10-23 利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107845601A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146097A (zh) * 2019-12-03 2020-05-12 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种半导体晶圆激光解键合光学装置
CN113838777A (zh) * 2021-09-03 2021-12-24 北京中科镭特电子有限公司 一种激光解键合的检测控制系统
CN114335251A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 成都中建材光电材料有限公司 激光刻划设备、薄膜光伏芯片的刻划方法和发电建筑板材

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040234717A1 (en) * 2003-05-23 2004-11-25 James Sheats Lamination and delamination technique for thin film processing
CN102825390A (zh) * 2011-06-15 2012-12-19 先进科技新加坡有限公司 用于分离的激光装置和分离方法
CN103839777A (zh) * 2014-03-11 2014-06-04 中国科学院半导体研究所 一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法
CN105659356A (zh) * 2013-08-01 2016-06-08 国际商业机器公司 使用中波长红外辐射烧蚀的晶片去接合
CN105977194A (zh) * 2016-06-30 2016-09-28 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 纳秒固态激光调制系统及键合晶圆分离的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040234717A1 (en) * 2003-05-23 2004-11-25 James Sheats Lamination and delamination technique for thin film processing
CN102825390A (zh) * 2011-06-15 2012-12-19 先进科技新加坡有限公司 用于分离的激光装置和分离方法
CN105659356A (zh) * 2013-08-01 2016-06-08 国际商业机器公司 使用中波长红外辐射烧蚀的晶片去接合
CN103839777A (zh) * 2014-03-11 2014-06-04 中国科学院半导体研究所 一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法
CN105977194A (zh) * 2016-06-30 2016-09-28 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 纳秒固态激光调制系统及键合晶圆分离的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈全胜: "《晶圆级3D IC工艺技术》", 31 October 2016 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146097A (zh) * 2019-12-03 2020-05-12 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种半导体晶圆激光解键合光学装置
CN111146097B (zh) * 2019-12-03 2022-05-13 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种半导体晶圆激光解键合光学装置
CN113838777A (zh) * 2021-09-03 2021-12-24 北京中科镭特电子有限公司 一种激光解键合的检测控制系统
CN113838777B (zh) * 2021-09-03 2023-08-25 北京中科镭特电子有限公司 一种激光解键合的检测控制系统
CN114335251A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 成都中建材光电材料有限公司 激光刻划设备、薄膜光伏芯片的刻划方法和发电建筑板材

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104339081B (zh) 用于在透明材料内执行激光成丝的方法和设备
US11345625B2 (en) Method and device for the laser-based machining of sheet-like substrates
US20170326688A1 (en) Laser-based modification of transparent materials
CN106457476B (zh) 使用超快激光束光学器件、中断层和其他层的堆叠透明材料切割
RU2401185C2 (ru) Способ лазерной обработки и устройство обработки, основанные на обычных вызванных лазером изменениях материала
JP4490883B2 (ja) レーザ加工装置およびレーザ加工方法
DE112016004442B4 (de) Verfahren zum Bonden und Debonden von Handhabungsvorrichtungen für Halbleiter-Dies und gebondetes Halbleitergehäuse
Schoonderbeek et al. Laser Processing of Thin Films for Photovoltaic Applications.
DE102004055443B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
CN103567630B (zh) 贴合基板的加工方法及加工装置
CN107845601A (zh) 利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法
US20180118602A1 (en) Glass sheet transfer apparatuses for laser-based machining of sheet-like glass substrates
Finger et al. High power ultra-short pulse laser ablation of IN718 using high repetition rates
CN103962728A (zh) 激光加工方法
CN102918642A (zh) 用于改善晶圆单一化的方法及装置
CN107068581A (zh) 保护膜检测方法
DE102014106472A1 (de) Verfahren zum Strahlungsritzen eines Halbleitersubstrats
TW201630116A (zh) 可調吸收之多層雷射剝離結構
JP2019533631A (ja) シート状ガラス基体のレーザに基づく加工のための基体処理ステーション
CN107437532A (zh) 一种led晶圆的紫外激光表面切割方法
CN105458517B (zh) 晶圆激光划片与裂片方法及系统
KR20220158620A (ko) 레이저 가공용 보호막제 및 피가공물의 가공 방법
Kim et al. Large-scale laser patterning of silver nanowire network by using patterned optical mirror mask
CN219665433U (zh) 一种锗材料的激光加工装置
CN206335247U (zh) 光加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180327