CN107808933B - 一种制作盖板的方法、盖板以及显示装置 - Google Patents

一种制作盖板的方法、盖板以及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种制作盖板的方法、盖板以及显示装置,用以解决现有技术中存在的在大尺寸OLED顶发射器件CF盖板制作中无法快速准确的识别MARK并精准对位的问题。本发明实施例中,在制作盖板时,先在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层,其中所述特殊物质受激发后能够发射出穿过BM层的光;对MARK层进行刻蚀形成MARK图形;在MARK图形上涂布BM光刻胶层;激发MARK图形发出发射出穿过BM层的光,使曝光机与MARK图形进行对位;通过曝光机对BM光刻胶层进行曝光显影形成BM图形。本发明实施例中,由于MARK图形的形成材料掺杂的物质在光的照射下会发出BM层无法吸收的红外线,根据MARK图形发出的红外线,曝光机可以准确的完成MARK对位,以保证后续BM图形刻蚀能够精准完成。

Description

一种制作盖板的方法、盖板以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示设备领域,特别涉及一种制作盖板的方法、盖板以及显示装置。
背景技术
OLED(organic light-emitting diode,有机发光二极管)是由美籍华裔教授邓青云于1979年在实验室中发现。OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,但是,作为高端显示屏,价格上也会比液晶电视要贵。
有机发光二极管依色彩可分为单色、多彩及全彩等种类,其中全彩有机发光二极管的制备最为困难;依驱动方式可分为被动式与主动式。
OLED是一种由柯达公司开发并拥有专利的显示技术,这项技术使用有机聚合材料作为发光二极管中的半导体材料。聚合材料可以是天然的,也可能是人工合成的,可能尺寸很大,也可能尺寸很小。OLED显示技术广泛的运用于手机、数码摄像机、DVD(Digital VideoDisc,高密度数字视频光盘)机、个人数字助理、笔记本电脑、汽车音响和电视等电器设备。
在现有的大尺寸OLED顶发射器件CF(color filter,彩色滤光膜)盖板制作中,为了防止各像素混色和漏光的问题,通常会制作BM(Black Matrix,黑色矩阵)层。但由于BM层遮光度较高,材料透光度低,目前所有曝光装置均无法识别到BM层下的MARK(标记)图形。目前,广泛采取的措施是在BM层涂布好后,人工处理显露出MARK图形,以保证后期的对位能够准确进行。然而,人工处理对于工厂化生产是一个极大地制约因素,因而怎样快速准确对位MARK尤为重要。
综上所述,目前在现有的大尺寸OLED顶发射器件CF盖板制作中存在无法快速准确的识别MARK并精准对位的问题。
发明内容
本发明提供一种制作盖板的方法、盖板以及显示装置,用以解决现有技术中存在的在大尺寸OLED顶发射器件CF盖板制作中无法快速准确的识别MARK并精准对位的问题。
本发明提供一种制作盖板的方法,该方法包括:
在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层,其中所述特殊物质受激发后能够发射出穿过BM层的光;
对MARK层进行刻蚀形成MARK图形;
在MARK图形上涂布BM光刻胶层;
激发MARK图形发出发射出穿过BM层的光,使曝光机与MARK图形进行对位;
通过曝光机对BM光刻胶层进行曝光显影形成BM图形。
本发明提供一种盖板,所述盖板由上述方法制成。
本发明提供一种显示装置,包含上述盖板。
本发明实施例中,在制作盖板时,先在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层,其中所述特殊物质受激发后能够发射出穿过BM层的光;对MARK层进行刻蚀形成MARK图形;在MARK图形上涂布BM光刻胶层;激发MARK图形发出发射出穿过BM层的光,使曝光机与MARK图形进行对位;通过曝光机对BM光刻胶层进行曝光显影形成BM图形。本发明实施例中,由于MARK图形的形成材料掺杂的物质在光的照射下会发出BM层无法吸收的红外线,根据MARK图形发出的红外线,曝光机可以准确的完成MARK对位,以保证后续BM图形刻蚀能够精准完成。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一种制作盖板的方法的流程示意图;
图2为本发明实施例入射黄光激发MARK发出红外线的示意图;
图3为本发明实施例一种制作盖板的方法方式一的流程示意图;
图4为本发明实施例一种制作盖板的方法方式二的流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,本发明提供一种制作盖板的方法,该方法包括:
步骤100,在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层,其中所述特殊物质受激发后能够发射出穿过BM层的光;
步骤101,对MARK层进行刻蚀形成MARK图形;
步骤102,在MARK图形上涂布BM光刻胶层;
步骤103,激发MARK图形发出发射出穿过BM层的光,使曝光机与MARK图形进行对位;
步骤104,通过曝光机对BM光刻胶层进行曝光显影形成BM图形。
本发明实施例中,在制作盖板时,先在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层,其中所述特殊物质受激发后能够发射出穿过BM层的光;对MARK层进行刻蚀形成MARK图形;在MARK图形上涂布BM光刻胶层;激发MARK图形发出发射出穿过BM层的光,使曝光机与MARK图形进行对位;通过曝光机对BM光刻胶层进行曝光显影形成BM图形。本发明实施例中,由于MARK图形的形成材料掺杂的物质在光的照射下会发出BM层无法吸收的红外线,根据MARK图形发出的红外线,曝光机可以准确的完成MARK对位,以保证后续BM图形刻蚀能够精准完成。
其中,在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层时,所述在受激发后能够发射出穿过BM层的光特殊物质可以是稀土金属离子铒、量子点纳米粒子等。
其中,根据BM层的材质不同,BM层无法吸收的光的颜色也不同。
比如BM如果是以亚克力树脂为基材,添加炭黑或钛黑等物质形成的,则这种材料可见光透过率小于1%,对于长在800-1600nm范围内的红外光能够透过这种材料。
方式一:形成的MARK图形掺杂有稀土金属离子铒。
可选的,在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层,通过等离子体增强化学气相沉积法,由掺杂有稀土金属离子铒的反应物反应在玻璃盖板上生成MARK层。
本发明实施例中,先通过等离子体增强化学气相沉积法,将化学气象沉积的反应物中掺杂稀土金属离子铒,从而使得沉积生成的薄膜中掺杂着稀土金属离子铒,这样,MARK层就可以在收到激发后发出BM层无法吸收的光。
等离子体增强化学气相沉积法是借助微波或射频等方法使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部区域内形成等离子体,由于等离子体化学活性很强,很容易发生反应,从而在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种化学气相沉积法称为等离子体增强化学气相沉积。
掺杂的稀土离子铒属于稀土金属元素。稀土元素具有独特的电子层结构、丰富的能级以及4f电子跃迁性,这些使得稀土元素称为巨大的光致发光的宝库。而稀土金属元素离子铒在受到光的激发后会发出波长为1.53μm的红外光。
可选的,反应物生成物为SiOx,SiOx与稀土金属离子铒的比例为19:1。
本发明实施例中,通过等离子体增强化学气相沉积形成MARK层时,通入化学反应室的反应物反应生成的是SiOx,由于生成SiOx的反应物掺杂着稀土金属离子铒,故在SiOx薄膜生成后,薄膜内也掺杂着稀土金属离子铒。其中,SiOx与稀土金属离子铒的比例为19:1。
其中,生成SiOx的所用的反应物为一般为SiHX和N2O。
可选的,在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层后,对MARK层进行刻蚀形成MARK图形之前,还需要在MARK层上形成MARK保护光刻胶层。
本发明实施例中,在MARK层通过等离子体增强化学气相沉积法形成之后,需要在MARK层上形成一种光刻胶薄膜层,然后通过曝光显影,在光刻胶薄膜层上形成工艺所需要的MARK图形,然后再光刻胶薄膜的保护下刻蚀掉MARK层上不需要的部分,随后在去掉起保护作用的光刻胶,如此得到的就是工艺所需的MARK图形。
如图2所示,可选的,所述激发MARK图形发出发射出穿过BM层的光,通过黄光激发MARK图形发射出穿过BM层的红外线。
可选的,所述黄光由曝光机发出并透射过盖板照射到MARK图形上。
本发明实施例中,曝光机在盖板的北侧发出黄光,投射过盖板,照射到MARK图形上,激发MARK图形发出红外光,由于BM层不吸收红外光,所以受到激发后MARK图形发出的红外光可以穿过BM层,显示出MARK图形得位置,如此曝光机可以根据穿过BM层的红外光识别出MARK,完成对位。
方式二:形成的MARK图形中掺杂由量子点纳米粒子。
可选的,在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层时,是通过在玻璃盖板涂布掺杂有量子点纳米粒子的光刻胶,形成作为MARK层的光刻胶层。
本发明实施例中,事先将量子点纳米粒子与光刻胶原料混合掺杂,然后再将光刻胶涂布到玻璃盖板上,如此形成的光刻胶层上就会掺杂由量子点纳米粒子,形成能够光致发光的MARK层。
其中,量子点是一种新型的发光材料,与传统的有机染料分子不同的是,它能够根据其尺寸的变化发出不同颜色的单色光,甚至白光。与此同时,量子点的发色光谱单色性好,稳定性强。
其中,PbS量子点是制成MARK图形优选的材料。因为PbS量子点的波尔半径较大,容易制出具有显著量子效应的纳米颗粒,且PbS量子点具有良好的非线性光学特性,以及合适的禁带宽度,在受到光照的激发后能够发出900~1600nm的红外光。由于BM层无法吸收红外光,所以掺杂有PbS量子点纳米粒子的光刻胶材料可以成为良好的MARK图形制作材料。
此外用于制作MARK的光刻胶可以是正性光刻胶,也可以是负性光刻胶,优选的是正性透明的光刻胶。
可选的,所述量子点纳米粒子与所述掺杂有量子点纳米粒子的光刻胶的比例为1:2~1:3。
本发明实施例中,在配置掺杂有量子点纳米粒子的光刻胶时,量子点纳米粒子与所述掺杂有量子点纳米粒子的光刻胶的比例应控制在1:2~1:3之间。如此可以得到更优质的MARK图形。
如图2所示,可选的,所述激发MARK图形发出发射出穿过BM层的光是通过黄光激发MARK图形发射出穿过BM层的红外线。
可选的,所述黄光由曝光机发出并透射过盖板照射到MARK图形上。
本发明实施例中,曝光机在盖板的北侧发出黄光,投射过盖板,照射到MARK图形上,激发MARK图形发出红外光,由于BM层不吸收红外光,所以受到激发后MARK图形发出的红外光可以穿过BM层,显示出MARK图形得位置,如此曝光机可以根据穿过BM层的红外光识别出MARK,完成对位。
如图3所示,本发明实施例提供的一种制作盖板的方法的方式一的详细流程示意图。
步骤300,清洁玻璃盖板;
步骤301,通过PECVD工艺形成MARK层;
步骤302,清洗,在MARK层上形成光刻胶层;
步骤303,对光刻胶层进行曝光显影形成与MARK图形相同的图形;
步骤304,刻蚀MARK层;
步骤305,去除剩余的光刻胶,显露出MARK图形;
步骤306,清洗,在MARK图形基础上涂布BM光刻胶层;
步骤307,曝光机发黄光激发MARK发出红外线完成对位;
步骤308,对BM光刻胶层进行曝光显影形成BM图形。
如图4所示,本发明实施例提供的一种制作盖板的方法的方式二的详细流程示意图。
步骤400,清洁玻璃盖板;
步骤401,涂布掺杂有量子点纳米粒子的光刻胶;
步骤402,对Mark光刻胶层进行曝光显影形成Mark图形;
步骤403,清洗,在mark图形基础上涂布BM光刻胶层;
步骤404,曝光机发黄光激发mark发出红外线完成对位;
步骤405,对BM光刻胶层进行曝光显影形成BM图形。
本发明还提供了一种盖板,由上述实施例提供的方法制成。
本发明实施例中,所述盖板的MARK图形内掺杂由能够受激后发出BM层不能吸收的红外光,如此,曝光机在对BM层覆盖下的MARK进行对位时,能够由MARK图形发出的红外光准确对位,而不需要人工处理显露出MARK图形来。
其中,所述盖板可以是色彩转换盖板。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上实施例提供的盖板。
本发明实施例中,所属显示器包含所述盖板,因而在制作显示器时,可以由盖板的MARK图形内掺杂由能够受激后发出BM层不能吸收的红外光的特性,在曝光机对BM层覆盖下的MARK进行对位时,准确的根据由MARK图形发出的红外光进行对位。
本发明实施例中,所述显示装置可以是OLED、LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)等。
以上参照示出根据本申请实施例的方法、装置(系统)和/或计算机程序产品的框图和/或流程图描述本申请。应理解,可以通过计算机程序指令来实现框图和/或流程图示图的一个块以及框图和/或流程图示图的块的组合。可以将这些计算机程序指令提供给通用计算机、专用计算机的处理器和/或其它可编程数据处理装置,以产生机器,使得经由计算机处理器和/或其它可编程数据处理装置执行的指令创建用于实现框图和/或流程图块中所指定的功能/动作的方法。
相应地,还可以用硬件和/或软件(包括固件、驻留软件、微码等)来实施本申请。更进一步地,本申请可以采取计算机可使用或计算机可读存储介质上的计算机程序产品的形式,其具有在介质中实现的计算机可使用或计算机可读程序代码,以由指令执行系统来使用或结合指令执行系统而使用。在本申请上下文中,计算机可使用或计算机可读介质可以是任意介质,其可以包含、存储、通信、传输、或传送程序,以由指令执行系统、装置或设备使用,或结合指令执行系统、装置或设备使用。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (4)

1.一种制作盖板的方法,其特征在于,该方法包括:
在玻璃盖板上形成含有特殊物质的标记MARK层,其中所述特殊物质受激发后能够发射出穿过黑色矩阵BM层的光;
对MARK层进行刻蚀形成MARK图形;
在MARK图形上涂布BM光刻胶层;
激发MARK图形发出发射出穿过BM层的光,使曝光机与MARK图形进行对位;
通过曝光机对BM光刻胶层进行曝光显影形成BM图形;
其中,所述在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层,包括:
通过等离子体增强化学气相沉积法,通过掺杂有稀土金属离子铒的反应物发生反应,以在玻璃盖板上生成MARK层;或者,
在玻璃盖板涂布掺杂有量子点纳米粒子的光刻胶,形成作为MARK层的光刻胶层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在玻璃盖板上形成含有特殊物质的MARK层后,对MARK层进行刻蚀形成MARK图形之前,还包括:
在MARK层上形成MARK保护光刻胶层。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述激发MARK图形发出发射出穿过BM层的光,包括:
通过黄光激发MARK图形发射出穿过BM层的红外线。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述黄光由曝光机发出并透射过盖板照射到MARK图形上。
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