CN107807319A - 一种绝缘栅双极型晶体管igbt测试电路及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路及方法，其中，该电路包括：第一开关与第一电源串联组成第一串联电路；电容与第一串联电路并联组成并联电路；待测IGBT、电流采集器和保护元件串联组成第二串联电路；第二串联电路通过第二开关与并联电路和电感组成的串联电路并联；第一、二电流源分别与第二串联电路并联，电压检测单元并联于待测IGBT的集射极；控制单元与栅极连接。通过第一电源、第一开关、第二开关、电感和电容组成的电路模拟故障时的短路电流，待电流采集器采集的集射极电流达到短路电流预设值时断开待测IGBT，之后进行Rce和Vce测试，这样能够更加准确地模拟直流断路器IGBT的工况，使得测试结果更接近实际故障情况，提高测试准确度。

Description

一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路及方法

技术领域

本发明涉及功率器件可靠性领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路及方法。

背景技术

近年来随着电力电子技术的蓬勃发展，风能、太阳能等可再生能源利用效率和规模不断扩大，可再生能源并网、分布式发电并网、异步交流电网互联等领域的需求持续上升，这使得多端电压源换流器型高压直流输电(Multi Termimal Voltage SourceConverter High Voltage Direct Current，简称为MTVSC-HVDC)的优势更加突出。然而，对于多端高压直流输电系统(Multi Termimal High Voltage Direct Current，简称为MT-HVDC)最大的问题是在线路发生故障时，需要在直流侧非常快速地切断短路电流，这就需要使用直流断路器进行切断。

直流断路器通常由电子元件和避雷器构成，其中的电子元件为IGBT，在线路故障时，短路电流上升,在IGBT切断短路电流后,线路电压升高,当线路电压超过避雷器动作电压后,避雷器的阻抗变得很小，线路上残留的短路电流会从避雷器上流过，进而保护线路。由于断路器的反应时间在3-5ms左右，而在这段时间内线路上的短路电流线性增加，大概能达到线路额定值的4-6倍，需要IGBT器件关断短路电流；在短路电流上升过程中的功率损耗会使IGBT器件的结温升高，也会对IGBT器件的关断能力造成影响。因此，直流断路器IGBT器件在故障时的可靠关断对于电力系统的可靠运行起到至关重要的作用。

在正常情况下直流断路器并不工作，只有在发生故障或设备检修时才会动作，因此，现有技术中通常不针对故障情况下的直流断路器IGBT器件进行可靠性测试，并且常规的IGBT器件可靠性测试的测试条件与直流断路器故障时IGBT器件的实际工作情况存在较大的差异，若以此判断直流断路器故障时IGBT器件的可靠性，则存在准确度低的缺陷。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的线路故障时直流断路器IGBT的可靠性验证方法精确度低的缺陷。

为此，本发明提供如下技术方案：

本发明第一方面，提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，包括：第一电源；第一开关，与所述第一电源串联连接，组成第一串联电路；电容，与所述第一串联电路并联连接，组成并联电路，所述电容的第一端与地线连接，所述电容的第一端为与所述第一电源负极相连接的一端；待测IGBT、电流采集器和保护元件串联连接，组成第二串联电路；所述第二串联电路通过第二开关并联在所述并联电路与电感组成的串联电路的两端；第一电流源、第二电流源分别与所述第二串联电路并联，电压检测单元并联于所述待测IGBT的集电极和发射极；其中，所述第一电流源用于提供所述待测IGBT的集电极和发射极之间的电阻Rce测试所需的第一测试电流，所述第二电流源用于提供所述待测IGBT的集电极和发射极之间的电压Vce测试所需的第二测试电流；控制单元，与所述待测IGBT的栅极连接，用于提供所述待测IGBT的栅极驱动信号。

可选地，所述测试电路还包括：加热板，与所述待测IGBT连接，用于加热所述待测IGBT至预设温度。

可选地，所述测试电路还包括：电阻，与所述第一串联电路串联连接。

可选地，所述保护元件为保护IGBT，所述保护IGBT的栅极与所述控制单元连接。

可选地，所述第一电流源为恒定电流源，所述第二电流源为脉冲电流源。

可选地，所述预设温度为40-60摄氏度。

本发明第二方面，提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法，应用于本发明第一方面任一所述的测试电路，包括以下步骤：获取模拟IGBT工作电流；根据所述模拟IGBT工作电流获取待测IGBT的测试数据；将所述测试数据与测试初始值进行比较，得到误差值；当所述误差值在预设误差范围内时，确定所述待测IGBT的工作状态正常。

可选地，还包括：当所述误差值未在所述预设误差范围内时，确认待测IGBT故障，并控制报警设备发出报警信号。

可选地，还包括：当测试次数达到预设次数时，结束测试。

可选地，将所述测试数据与测试初始值进行比较，得到误差值之前，还包括：获取测试初始值，所述测试初始值包括当所述待测IGBT栅极电压为第一电压时所述待测IGBT集电极和发射极之间的电阻值Rce和当所述待测IGBT栅极电压为第二电压时所述待测IGBT集电极和发射极之间的电压值Vce。

可选地，还包括：获取所述待测IGBT的线路故障率和/或线路检修时间；根据所述线路故障率和/或线路检修时间确定所述预设次数。

可选地，在相邻的两次测试之间设置一预设时间间隔，所述预设时间间隔大于所述待测IGBT(4)的恢复时间。

本发明技术方案，具有如下优点：

1.本发明提供的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，包括：第一电源；第一开关，与所述第一电源串联连接，组成第一串联电路；电容，与所述第一串联电路并联连接，组成并联电路，所述电容的第一端与地线连接，所述电容的第一端为与所述第一电源负极相连接的一端；待测IGBT、电流采集器和保护元件串联连接，组成第二串联电路；所述第二串联电路通过第二开关并联在所述并联电路与电感组成的串联电路的两端；第一电流源、第二电流源分别与所述第二串联电路并联，电压检测单元并联于所述待测IGBT的集电极和发射极；其中，所述第一电流源用于提供所述待测IGBT的集电极和发射极之间的电阻Rce测试所需的第一测试电流，所述第二电流源用于提供所述待测IGBT的集电极和发射极之间的电压Vce测试所需的第二测试电流；控制单元，与所述待测IGBT的栅极连接，用于提供所述待测IGBT的栅极驱动信号。上述测试电路通过第一电源、第一开关、第二开关、电感和电容组成的电路模拟直流断路器故障时的短路电流，待电流采集器采集的流过待测IGBT集射极电流达到短路电流预设值时断开待测IGBT，之后进行电阻Rce测试和电压Vce测试，这样能够更加准确地模拟直流断路器IGBT的工况，使得测试结果更接近实际故障情况，提高测试准确度，并且将高压回路和测试回路隔离，安全可靠性高。

2.在上述测试电路的基础上，该测试电路还包括加热板，与所述待测IGBT连接，用于加热所述待测IGBT至预设温度。由于线路故障时流过IGBT的短路电流为额定电流的4-6倍，大的短路电流会产生较大的损耗，损耗会使IGBT的结温升高，较高的结温对器件的可靠性影响较大，为了保证测试环境与实际应用情况更加吻合，增加加热板使待测IGBT的温度升到预设温度，使得测试结果更加准确。

3.本发明提供的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法，应用于本发明第一方面任一所述的测试电路，包括以下步骤：获取模拟IGBT工作电流；根据所述模拟IGBT工作电流获取待测IGBT的测试数据；将所述测试数据与测试初始值进行比较，得到误差值；当所述误差值在预设误差范围内时，确定所述待测IGBT的工作状态正常。通过模拟直流断路器IGBT的工况，使得测试结果更接近实际故障情况，测试准确度高。

4.在上述测试方法的基础上，还包括获取所述待测IGBT的线路故障率和/或线路检修时间；根据所述线路故障率和/或线路检修时间确定预设次数；当测试次数达到预设次数时，结束测试。通过实际应用情况确定预设测试次数，对待测IGBT进行多次循环测试，每次测试均模拟直流断路器IGBT的工况，进而保证待测IGBT在实际应用中的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例1中绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路的一个具体示例的电路图；

图2为本发明实施例1中绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路的另一个具体示例的电路图；

图3为本发明实施例1中绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路的另一个具体示例的电路图；

图4为本发明实施例1中绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路的另一个具体示例的电路图；

图5为本发明实施例1中绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路的另一个具体示例的电路图；

图6为本发明实施例1中绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路的另一个具体示例的电路图；

图7为本发明实施例1中绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路的另一个具体示例的电路图；

图8为本发明实施例1中绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路的另一个具体示例的电路图；

图9为本发明实施例2中绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法的一个具体示例的流程图；

图10为本发明实施例2中以一个具体测试电路为例进行说明的一个具体示例的具体流程图；

图11为本发明实施例2中一个具体示例的待测IGBT测试的电流电压波形图。

附图标记：

1-第一电源；2-第一开关；3-电容；4-待测IGBT；5-电流采集器；6-保护元件；7-第二开关；8-电感；9-第一电流源；10-第二电流源；11-电压检测单元；12-控制单元；121-测试控制上位机；122-驱动单元；13-加热板；14-电阻。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

实施例1

本实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，如图1所示，包括：

第一电源1，在本实施例中，第一电源1为可控电压源，将电容3两端的电压升高到预定电压值，预定电压值根据待测IGBT的耐压等级确定，预定电压值需要保证在电容放电过程中几ms的时间内产生一定增长速率的电流波形模拟直流断路器的工作波形，即在这段时间内能够产生4-6倍的额定电流，可控电压源具有电压上升速率可控、操作简单的优点；当然，在其它实施例中，第一电源1为可控电流源，根据需要合理设置即可。

第一开关2，第一电源1和第一开关2串联连接，组成第一串联电路。在本实施例中，如图1所示，第一开关2与第一电源1的正极连接；当然，在其它实施例中，如图2所示，第一开关2也可以与第一电源1的负极连接，根据需要合理设置即可。为保证电容3充电过程平稳可靠,在第一串联电路中串联连接电阻14，在本实施例中，如图3所示，电阻14与第一电源1的负极连接，当然，在其它实施例中，第一电源1、第一开关2和电阻14可以有多种串联方式，如电阻14与第一电源的正极连接等，根据需要合理设置即可。

电容3，与第一串联电路并联连接，组成并联电路，电容3的第一端与地线连接，电容3的第一端为与第一电源1负极相连接的一端。

待测IGBT4、电流采集器5和保护元件6串联连接，组成第二串联电路。在本实施例中，如图1所示，待测IGBT4的发射极依次串联电流采集器5和保护元件6；当然，在其它实施例中，第二串联电路可以为待测IGBT4的集电极依次串联电流采集器5和保护元件6，如图4所示；第二串联电路还可以为待测IGBT4的集电极串联电流采集器5，发射极串联保护元件6，如图5所示；待测IGBT4、电流采集器5和保护元件6的串联形式有多种，在此不再列举，根据需要合理设置即可。在本实施例中，如图6所示，保护元件6为保护IGBT，保护IGBT的栅极与控制单元12连接，当测试电路故障时切断测试回路，保证测试器件的安全性，当然，在其它实施例中，保护元件6还可以为其它类型的保护开关，如双极结型晶体管(BipolarJunction Transistor，缩写为BJT)或者金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal OxideSemiconductor，缩写为MOS)等，根据需要合理设置即可。

第二串联电路通过第二开关7并联在并联电路与电感8组成的串联电路的两端。在本实施例中，如图1所示，电感8与电容3的第二端连接，第二开关7与待测IGBT4的集电极连接，这种连接方式可以有效地将短路电流模拟回路与测试回路隔离，减小短路电流对测试回路的影响，保证测试的可靠性，提高测试结果的精确度。

第一电流源9、第二电流源10分别与第二串联电路并联，电压检测单元11并联于待测IGBT4的集电极和发射极；其中，第一电流源9用于提供待测IGBT4的集电极和发射极之间的电阻Rce测试所需的第一测试电流，第二电流源10用于提供待测IGBT4的集电极和发射极之间的电压Vce测试所需的第二测试电流，电压检测单元11用于在测试过程中采集集电极和发射极之间的电压。在本实施例中，如图1所示，第一电流源9为恒定电流源，第二电流源10为脉冲电流源，电压检测单元11为电压表，当然，在其它实施例中，电压检测单元11还可以为示波器或者其它电压检测装置，根据需要合理设置即可。在本实施例中，测试项为待测IGBT4在栅极电压为0V时恒定电流下的集电极和发射极之间的电阻值Rce和栅极电压为15V时脉冲电流下的电压值Vce，具体测试过程为：栅极电压设置为0V，恒定电流源提供一直流电流，该直流电流为额定电流，电压表检测集射极电压，通过电压与电流的比值得出电阻值Rce；栅极电压设置为15V，脉冲电流源提供一脉冲电流，电压表检测集射极电压，得出电压值Vce；当然，在其它实施例中，电阻值Rce测试时的栅极电压还可以为其它电压值，只要能保证待测IGBT4处于关断状态均可，优选范围为-20～0V，电压值Vce测试时的栅极电压优选范围为10-20V，根据需要合理设置即可。

控制单元12，与待测IGBT4的栅极连接，用于提供待测IGBT4的栅极驱动信号。在本实施例中，如图7所示，控制单元12包括测试控制上位机121和驱动单元122，其中，测试上位机根据采集到的相关测试数据输出控制信号，控制信号输入驱动单元122,控制驱动单元122输出栅极控制信号。

由于线路故障时流过IGBT的短路电流为额定电流的4-6倍，大的短路电流会产生较大的损耗，损耗会使IGBT的结温升高，较高的结温对器件的可靠性影响较大，为了能够更加准确地模拟直流断路器IGBT的工况，使得测试结果更接近实际故障情况，提高测试准确度，如图8所示，在上述测试电路的基础上，该电路还包括加热板13，与待测IGBT4连接，用于加热待测IGBT4至预设温度。预设温度为40-60摄氏度，优选值为50摄氏度。在本实施例中，具体过程为：在测试开始前，先开启加热板，使加热板达到预设温度，增加IGBT的结温，之后进行测试，待测试结束后关闭加热板。

上述绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，通过第一电源、第一开关、第二开关、电感、电容及加热板组成的电路模拟直流断路器故障时的工况，待电流采集器采集的流过待测IGBT集射级电流达到短路电流预设值时断开待测IGBT，之后进行电阻Rce测试和电压Vce测试，这样能够更加准确地模拟直流断路器IGBT的工况，使得测试结果更接近实际故障情况，提高测试准确度，并且将高压回路和测试回路隔离，安全可靠性高。

实施例2

本施例提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法，应用实施例1中的测试电路，如图9所示，包括以下步骤：

S1：获取待测IGBT4的线路故障率和线路检修时间。

S2：根据线路故障率和线路检修时间确定预设次数。在本实施例中，预设次数设置为1000次，当然，在其它实施例中，也可以设置为500或者2000，预设次数越多，测试结果越准确，根据需要合理设置即可。

S3：获取测试初始值。测试初始值包括当待测IGBT4栅极电压为第一电压时待测IGBT4集电极和发射极之间的电阻值Rce和当待测IGBT4栅极电压为第二电压时待测IGBT4集电极和发射极之间的电压值Vce。在本实施例中，第一电压为0V，第二电压为15V，当然，在其它实施例中，电阻值Rce测试时的栅极电压还可以为其它电压值，只要能保证待测IGBT4处于关断状态均可，优选范围为-20～0V，电压值Vce测试时的栅极电压优选范围为10-20V，根据需要合理设置即可。

S4：获取模拟IGBT工作电流。模拟IGBT工作电流由第一电源1、第一开关2、第二开关7、电容3和电感8组成的电路提供，具体为：导通第一开关2且断开第二开关7，电容3处于充电状态，待电容3两端的电压升高到预定电压值，预定电压值根据待测IGBT的耐压等级确定，预定电压值需要保证在电容3放电过程中几ms的时间内产生一定增长速率的电流波形模拟直流断路器的工作波形，即在这段时间内能够产生4-6倍的额定电流；之后断开第一开关2、导通第二开关7并且导通待测IGBT4，模拟IGBT工作电流流经待测IGBT4。

S5：根据模拟IGBT工作电流获取待测IGBT4的测试数据。在本实施例中，具体为电流采集器5采集待测IGBT4的集射极电流达到短路电流后，断开待测IGBT4，之后进行相关测试，测试项为栅极电压设置为0V，恒定电流源提供一直流电流，该直流电流为额定电流，电压表检测集射极电压，通过电压与电流的比值得出电阻值Rce；栅极电压设置为15V，脉冲电流源提供一脉冲电流，电压表检测集射极电压，得出电压值Vce；控制单元12采集测试数据，测试数据包括测试结果。

S6：测试数据与测试初始值进行比较，得到误差值。

S7：当误差值在预设误差范围内时，确定待测IGBT4的工作状态正常。当误差值未在预设误差范围内时，确认待测IGBT4故障，并控制报警设备发出报警信号。在本实施例中，预设误差范围设置为±20％，当然，在其它实施例中，也可以设置为其它值，如±10％，根据需要合理设置即可。

S8：当测试次数达到预设次数时，结束测试。在本实施例中，具体为当误差值在预设误差范围内时，表明待测IGBT工作正常，进行下一次测试，直到测试次数达到预定次数时结束测试。在相邻的两次测试之间设置一预设时间间隔，预设时间间隔大于待测IGBT 4的恢复时间。

上述绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法，通过模拟直流断路器IGBT的工况，根据实际应用情况确定测试的预设次数，对IGBT进行多次循环测试，每次测试均模拟直流断路器IGBT的工况，使得测试结果更接近实际故障情况，测试准确度高进而保证待测IGBT在实际应用中的可靠性。

为了更加准确的模拟直流断路器的故障状态，在上述测试方法基础上，在测试前，开启与待测IGBT4连接的加热板13，使待测IGBT4加热到预设温度，预设温度为40-60摄氏度，优选值为50摄氏度；在循环测试过程中，每次测试完成后需要等到待测IGBT4恢复到预设温度后再进行下一次测试；待循环测试次数达到预设次数时结束测试，关闭加热板13。

下面结合一具体测试电路对测试原理和测试方法进行说明。

以图8所示的测试电路作为具体结构详细说明测试原理和测试具体方法。工作原理为利用专门的电容3和电感8组成LC电路，首先第二开关7断开，第一开关2闭合给电容3充电到设定值；然后第一开关2断开，第二开关7闭合，接着待测IGBT4导通使电容3放电，模拟直流断路器IGBT工作时的电流波形，同时电流采集器5监测回路中的电流，达到设定值后由控制单元12发出关断信号，待测IGBT4关断，保护元件6则是在待测IGBT4无法正常关断或发生故障时起关断保护作用；在待测IGBT4正常关断后，第二开关7断开，随后由第一电流源9和第二电流源10分别测量待测IGBT4在栅极电压为0V时的集射极电阻值Rce和栅极电压为15V时恒定电流脉冲下的集射极电压值Vce，与初始测试值进行比较是否在可接受范围内，据此判断器件的状态，一切正常后再开始下一次测试，直到达到测试所需的设定次数。

图10为本发明测试电路的一个具体示例的具体流程图，待测IGBT4开始测试时首先记录下待测IGBT4的Rce和Vce初始值，初始值作为以后每次关断试验后状态检查的参考值；设定Rce与Vce的可接受误差范围；设定测试预设次数；之后，按照上述测试电路工作原理中所描述步骤进行循环测试。

图11为待测IGBT测试的电流电压波形图，在一个测试周期T内，t1时间段是待测IGBT集射极电流上升和关断阶段，t2时间段是待测IGBT关断后第二开关断开前的保持期，t3是待测IGBT状态测量和恢复阶段。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (12)

1.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，包括：

第一电源(1)；

第一开关(2)，与所述第一电源(1)串联连接，组成第一串联电路；

电容(3)，与所述第一串联电路并联连接，组成并联电路，所述电容(3)的第一端与地线连接，所述电容(3)的第一端为与所述第一电源(1)负极相连接的一端；

待测IGBT(4)、电流采集器(5)和保护元件(6)串联连接，组成第二串联电路；

所述第二串联电路通过第二开关(7)并联在所述并联电路与电感(8)组成的串联电路的两端；

第一电流源(9)、第二电流源(10)分别与所述第二串联电路并联，电压检测单元(11)并联于所述待测IGBT(4)的集电极和发射极；其中，所述第一电流源(9)用于提供所述待测IGBT(4)的集电极和发射极之间的电阻Rce测试所需的第一测试电流，所述第二电流源(10)用于提供所述待测IGBT(4)的集电极和发射极之间的电压Vce测试所需的第二测试电流；

控制单元(12)，与所述待测IGBT(4)的栅极连接，用于提供所述待测IGBT(4)的栅极驱动信号。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，还包括：

加热板(13)，与所述待测IGBT(4)连接，用于加热所述待测IGBT(4)至预设温度。

3.根据权利要求1或者2所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，还包括：

电阻(14)，与所述第一串联电路串联连接。

4.根据权利要求1-3任一所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，所述保护元件(6)为保护IGBT，所述保护IGBT的栅极与所述控制单元(12)连接。

5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，所述第一电流源(9)为恒定电流源，所述第二电流源(10)为脉冲电流源。

6.根据权利要求2-5任一所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，所述预设温度为40-60摄氏度。

7.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法，应用于权利要求1-6任一所述的测试电路，其特征在于，包括以下步骤：

获取模拟IGBT工作电流；

根据所述模拟IGBT工作电流获取待测IGBT(4)的测试数据；

将所述测试数据与测试初始值进行比较，得到误差值；

当所述误差值在预设误差范围内时，确定所述待测IGBT(4)的工作状态正常。

8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法，其特征在于，还包括：

当所述误差值未在所述预设误差范围内时，确认待测IGBT(4)故障，并控制报警设备发出报警信号。

9.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法，其特征在于，还包括：

当测试次数达到预设次数时，结束测试。

10.根据权利要求7-9任一所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法，其特征在于，将所述测试数据与测试初始值进行比较，得到误差值之前，还包括：

获取测试初始值，所述测试初始值包括当所述待测IGBT(4)栅极电压为第一电压时所述待测IGBT(4)集电极和发射极之间的电阻值Rce和当所述待测IGBT(4)栅极电压为第二电压时所述待测IGBT(4)集电极和发射极之间的电压值Vce。

11.根据权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法，其特征在于，还包括：

获取所述待测IGBT(4)的线路故障率和/或线路检修时间；

根据所述线路故障率和/或线路检修时间确定所述预设次数。

12.根据权利要求7-11任一所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方法，其特征在于，在相邻的两次测试之间设置一预设时间间隔，所述预设时间间隔大于所述待测IGBT(4)的恢复时间。