CN107801263A - 一种开关管的保护电路及保护方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种开关管的保护电路及保护方法，所述保护电路包括：开关管；检测电路，所述检测电路的第一端与电源连接，所述检测电路的第二端与所述开关管的集电极连接；电流泄放回路，所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接，所述电流泄放回路的第二端与地连接；比较器，所述比较器的第一输入端与参考电压连接，所述比较器的第二端与所述电流泄放回路的第一端连接，所述比较器的输出端与MCU连接；当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器输出保护信号给所述MCU，以使所述MCU调整为所述开关管输出的PWM信号。

Description

一种开关管的保护电路及保护方法

技术领域

本发明涉及电路保护技术，尤其涉及一种开关管的保护电路及保护方法。

背景技术

电磁加热设备是一种将电能采用电磁原理转化为热能的设备。在电磁加热设备的电路结构中具有谐振电路，该谐振电路是将电能转化为热能的核心部件。在谐振电路中，一般具有线圈盘、谐振电容和开关管，其中，线圈盘与谐振电容并联组成谐振回路，该谐振回路能够产生电磁振荡从而使得位于电磁加热设备上的铁质物件切割磁力线形成涡流发热。开关管串联在谐振回路中，用于控制谐振回路的工作状态。

基于此，谐振回路的工作状态与开关管的控制紧密相关，开关管一般为绝缘栅双极型晶体管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)，IGBT具有门极、集电极和发射机，如何确保IGBT处于安全工作区域内是有待解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种开关管的保护电路及保护方法，能够确保开关管处于安全工作区域，保障开关管的正常工作。

本发明实施例提供的开关管的保护电路包括：开关管；

检测电路，所述检测电路的第一端与电源连接，所述检测电路的第二端与所述开关管的集电极连接；

电流泄放回路，所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接，所述电流泄放回路的第二端与地连接；

比较器，所述比较器的第一输入端与参考电压连接，所述比较器的第二端与所述电流泄放回路的第一端连接，所述比较器的输出端与微控制单元(MCU，MicrocontrollerUnit)连接；当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器输出保护信号给所述MCU，以使所述MCU调整为所述开关管输出的脉冲宽度调制(PWM，Pulse-WidthModulation)信号。

本发明实施例中，从所述检测电路的第一端至所述检测电路的第二端依次包括：第一电阻、第一晶体二极管以及第二晶体二极管；其中，

所述第一晶体二极管的正极与所述第一电阻连接，所述第二晶体二极管的正极与所述开关管的集电极连接。

本发明实施例中，所述保护电路还包括：滤波电容；其中，

所述滤波电容的第一端与所述电源、所述检测电路的第一端以及所述电流泄放回路的第一端相连，所述滤波电容的第二端与地相连。

本发明实施例中，所述电流泄放回路包括：金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)；其中，

所述MOSFET的栅极与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述MOSFET输入第一控制信号；所述MOSFET的源极作为所述电流泄放回路的第二端与地相连；所述MOSFET的漏极作为所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接。

本发明实施例中，所述保护电路还包括：驱动电路；其中，

所述驱动电路的第一端与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述驱动电路输入第一控制信号；所述驱动电路的第二端与所述开关管的门极相连，以通过所述驱动电路向所述开关管输入PWM信号来控制所述开关管的开关状态。

本发明实施例中，当所述第一控制信号大于等于第一电压值时，所述驱动电路控制所述开关管处于关闭状态，且所述MOSFET处于开通状态，从而使所述电流泄放回路的第一端所的电压小于所述参考电压。

本发明实施例中，当所述第一控制信号小于等于第二电压值时，所述驱动电路控制所述开关管处于开通状态，且所述MOSFET处于关闭状态，从而使所述电流泄放回路的第一端所的电压随集电极电流增大而增大。

本发明实施例提供的开关管的保护方法，应用于开关管的保护电路中，其特征在于，所述保护电路包括开关管、检测电路、电流泄放回路、比较器；所述检测电路的第一端与电源连接，所述检测电路的第二端与所述开关管的集电极连接；所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接，所述电流泄放回路的第二端与地连接；所述方法包括：

所述比较器比较所述电流泄放回路的第一端的电压与参考电压的大小；

当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器输出保护信号给MCU，以使所述MCU调整为所述开关管输出的PWM信号。

本发明实施例中，所述当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器输出保护信号给MCU，以使所述MCU调整为所述开关管输出的PWM信号，包括：

当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，判断锅具标识是否为真；

当所述锅具标识不为真时，关闭所述开关管，并延迟第一时长后再次开通所述开关管；

当所述锅具标识为真时，判断所述开关管的开通时长是否超过预设阈值；当所述开关管的开通时长超过所述预设阈值时，关闭所述开关管，并延迟第二时长后再次开通所述开关管；当所述开关管的开通时长未超过所述预设阈值时，关闭所述开关管，或者调整所述PWM信号的PWM空占比，以使所述开关管的驱动脉宽变窄。

本发明实施例中，所述电流泄放回路包括：MOSFET；其中，所述MOSFET的栅极与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述MOSFET输入第一控制信号；所述MOSFET的源极作为所述电流泄放回路的第二端与地相连；所述MOSFET的漏极作为所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接。

本发明实施例中，所述保护电路还包括：驱动电路；其中，所述驱动电路的第一端与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述驱动电路输入第一控制信号；所述驱动电路的第二端与所述开关管的门极相连，以通过所述驱动电路向所述开关管输入PWM信号来控制所述开关管的开关状态。

本发明实施例中，所述方法还包括：

当所述第一控制信号大于等于第一电压值时，所述驱动电路控制所述开关管处于关闭状态，且所述MOSFET处于开通状态，从而使所述电流泄放回路的第一端所的电压小于所述参考电压；

当所述第一控制信号小于等于第二电压值时，所述驱动电路控制所述开关管处于开通状态，且所述MOSFET处于关闭状态，从而使所述电流泄放回路的第一端所的电压随集电极电流增大而增大。

本发明实施例的技术方案中，开关管的保护电路包括：开关管；检测电路，所述检测电路的第一端与电源连接，所述检测电路的第二端与所述开关管的集电极连接；电流泄放回路，所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接，所述电流泄放回路的第二端与地连接；比较器，所述比较器的第一输入端与参考电压连接，所述比较器的第二端与所述电流泄放回路的第一端连接，所述比较器的输出端与MCU连接；当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器输出保护信号给所述MCU，以使所述MCU调整为所述开关管输出的PWM信号。可见，本发明实施例能够通过检测电路和电流泄放回路有效检测到反映开关管集电极电流的电压值，也即电流泄放回路的第一端的电压。当电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，比较器输出保护信号给所述MCU，从而对开关管的的门极电压进行相应的控制，确保了开关管处于安全工作区域，保障了开关管的正常工作。

附图说明

图1为一种IGBT的安全工作区域的示意图；

图2为本发明实施例的开关管的保护电路的示意图一；

图3为本发明实施例的开关管的示意图；

图4为本发明实施例的检测电路的示意图；

图5为本发明实施例的电流泄放回路以及比较器的示意图；

图6为本发明实施例的开关管的保护电路的结构示意图二；

图7为本发明实施例的开关管的保护方法的流程示意图。

具体实施方式

为了能够更加详尽地了解本发明实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本发明实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本发明实施例。

在电磁加热设备的谐振电路中，最核心的元器件为开关管，开关管用于控制谐振回路的工作状态。本发明实施例以开关管为IGBT为例进行解释说明。参照图1，图1为一种IGBT的安全工作区域的示意图，图1中，横坐标Vce代表集电极-发射极之间的电压(Collector-Emitter Voltage)，纵坐标Ic代表集电极电流(Collector Current)，如图1所示，Vce和Ic都有一个工作区域(称为安全工作区域)，也即Vce和Ic都小于各自允许的最大值，当Vce或者Ic大于所允许的最大值时，IGBT可能会被损坏，从而无法正常控制谐振回路的工作。

基于此，本发明实施例提供了一种开关管的保护电路，能够使开关管在安全工作区内工作，即使得Vce和Ic均小于各自允许的最大值。

图2为本发明实施例的开关管的保护电路的示意图一，如图2所示，所述保护电路包括：开关管10；

检测电路20，所述检测电路20的第一端与电源30连接，所述检测电路20的第二端与所述开关管10的集电极连接；

电流泄放回路40，所述电流泄放回路40的第一端与所述电源30以及所述检测电路20的第一端连接，所述电流泄放回路40的第二端与地连接；

比较器50，所述比较器50的第一输入端与参考电压连接，所述比较器50的第二端与所述电流泄放回路40的第一端连接，所述比较器50的输出端与MCU连接；当所述电流泄放回路40的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器50输出保护信号给所述MCU，以使所述MCU调整为所述开关管10输出的PWM信号。

下面对开关管的保护电路中的具体电路结构做详细说明。

1)开关管

参照图3所示，开关管10通过IGBT来实现，IGBT可以实现高频开关，开关频率一般在20K-30K。开关管10由MCU经驱动电路进行控制开通与闭合。如图2所示，IGBT具有三个极，分别为集电极(C极)、发射极(E极)、门极(G极)。其中，门极用来控制IGBT的开通与关闭，在IGBT工作时，集电极电流需要控制在安全工作区域内，为此，需要对门极的电压进行合理的控制来使得IGBT工作在安全区域内。

2)检测电路

参照图4所示，从所述检测电路20的第一端至所述检测电路20的第二端依次包括：第一电阻201、第一晶体二极管202以及第二晶体二极管203；其中，

所述第一晶体二极管202的正极与所述第一电阻201连接，所述第二晶体二极管203的正极与所述开关管10的集电极连接。

3)电流泄放回路

参照图5所示，所述电流泄放回路40的第一端与所述电源30以及所述检测电路20的第一端连接，所述电流泄放回路40的第二端与地连接。

如图5所示，所述保护电路还包括：滤波电容60；其中，

所述滤波电容60的第一端与所述电源30、所述检测电路20的第一端以及所述电流泄放回路40的第一端相连，所述滤波电容60的第二端与地相连。

这里，滤波电容60用于滤除电路中存在的干扰信号。

如图5所示，所述电流泄放回路40包括：MOSFET；其中，

所述MOSFET的栅极与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述MOSFET输入第一控制信号；所述MOSFET的源极作为所述电流泄放回路40的第二端与地相连；所述MOSFET的漏极作为所述电流泄放回路40的第一端与所述电源30以及所述检测电路20的第一端连接。

4)比较器

参照图5所示，比较器50的第一输入端与参考电压(Vref)连接，所述比较器50的第二端与所述电流泄放回路40的第一端连接，所述比较器50的输出端与MCU连接；当所述电流泄放回路40的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器50输出保护信号给所述MCU，以使所述MCU调整为所述开关管10输出的PWM信号。

参照图6所示，图6为本发明实施例的开关管的保护电路的结构示意图二，如图6所示，所述保护电路包括：开关管10；电源30；滤波电容60；

检测电路20，其中，检测电路20包括：第一电阻201、第一晶体二极管202以及第二晶体二极管203。其中，所述第一晶体二极管202的正极与所述第一电阻201连接，所述第二晶体二极管203的正极与所述开关管10的集电极连接。

电流泄放回路40，其中，电流泄放回路40包括：MOSFET。

比较器50，比较器50的第一输入端与参考电压(如图所示的Vref)连接，所述比较器50的第二端与所述电流泄放回路40的第一端连接，所述比较器50的输出端与MCU连接。

驱动电路70，其中，所述驱动电路70的第一端与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述驱动电路70输入第一控制信号；所述驱动电路70的第二端与所述开关管10的门极相连，以通过所述驱动电路70向所述开关管10输入PWM信号来控制所述开关管10的开关状态。

基于以上保护电路，可以实现：1)当所述第一控制信号大于等于第一电压值时，所述驱动电路70控制所述开关管10处于关闭状态，且所述MOSFET处于开通状态，从而使所述电流泄放回路40的第一端所的电压小于所述参考电压。2)当所述第一控制信号小于等于第二电压值时，所述驱动电路70控制所述开关管10处于开通状态，且所述MOSFET处于关闭状态，从而使所述电流泄放回路40的第一端所的电压随集电极电流增大而增大。

下面对本发明实施例的开关管的保护电路的工作原理进行如下说明:

当MCU的第一控制信号为高电平时，在驱动电路70中，Q1201开通，Q1202截止，Q1203开通，此时，开关管10处于关闭状态。这里，Q1201、Q1202和Q1203均为三极管。与此同时，由于第一控制信号为高电平，因此，电流泄放回路40中的MOSFET处于开通状态，此时，Vc为低电平，Vc小于参考电压，比较器50无输出变化，不会影响开关管的开通状态。

当MCU的第一控制信号为低电平时，在驱动电路70中，Q1201截止，Q1203截止，Q1202开通，开关管正常工作，使得被开关管控制的谐振回路正常加热。与此同时，由于第一控制信号为高电平，因此，电流泄放回路40中的MOSFET处于截止状态。电源30电压VCC通过第一电阻201、第一晶体二极管202和第二晶体二极管203回路流向开关管10。此时，Vc＝R1×IA1+2×VDideo+Vce，其中，R1为第一电阻201的阻值，IA1为电源电流，VDideo为两个晶体二极管对应的压降，Vce为开关管10的集电极与发射极之间的电压。对于Vce而言，Vce＝Ic×RCon，这里，Ic为集电极电流，RCon为开关管10的导通阻抗。可见，当Ic过大时，Vc会随之增大，当Vc大于参考电压时，比较器产生保护信号，该保护信号输出给MCU，MCU调整向驱动电路70输入的控制信号来保护开关管10。

上述方案中，对于参考电压的确定可以经过如下过程：

1)根据开关管10的工作特性，确定出Vce和Ic的安全工作电压和安全工作电流。

2)基于1)中的限制，可以确定出Vc允许的最大值。

3)将参考电压设置为小于等于Vc允许的最大值。

这样，可以确保开关管的Vce和Ic都小于各自允许的最大值，使得开关管在安全工作区内工作。

图7为本发明实施例的开关管的保护方法的流程示意图，本发明实施例的开关管的保护方法应用于开关管的保护电路中，所述保护电路包括开关管、检测电路、电流泄放回路、比较器；所述检测电路的第一端与电源连接，所述检测电路的第二端与所述开关管的集电极连接；所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接，所述电流泄放回路的第二端与地连接；如图7所示，所述方法包括以下步骤：

步骤701：所述比较器比较所述电流泄放回路的第一端的电压与参考电压的大小。

本发明实施例中，开关管在导通时，其C极电压越低，开关管内部的损耗越小，反之则损耗越大；当开关管内部损耗过大，则开关管内部发热严重而导致烧坏。可见，确保开关管工作在安全工作区域内，能够对开关管进行有效保护。

为了使得开关管工作在安全工作区域内，需要实时监测开关管的Vce和Ic，使Vce和Ic都确保处于安全工作区域内。为此，开关管的保护电路中包括：检测电路和电流泄放回路；其中，所述检测电路的第一端与电源连接，所述检测电路的第二端与所述开关管的集电极连接；所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接，所述电流泄放回路的第二端与地连接；如此，在开关管开通时，电流泄放回路的第一端的电压能够反映出开关管的Vce和Ic的大小，电流泄放回路的第一端的电压与Vce和Ic的关系为：Vc＝R1×IA1+2×VDideo+Vce，其中，R1为第一电阻的阻值，IA1为电源电流，VDideo为两个晶体二极管对应的压降，Vce为开关管的集电极与发射极之间的电压。对于Vce而言，Vce＝Ic×RCon，这里，Ic为集电极电流，RCon为开关管的导通阻抗。

步骤702：当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器输出保护信号给MCU，以使所述MCU调整为所述开关管输出的PWM信号。

可见，当Ic过大时，Vc会随之增大，当Vc大于参考电压时，比较器产生保护信号，该保护信号输出给MCU，MCU调整向驱动电路输入的控制信号来保护开关管。

本发明实施例中，参照图6是所示，所述电流泄放回路包括：MOSFET；其中，所述MOSFET的栅极与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述MOSFET输入第一控制信号；所述MOSFET的源极作为所述电流泄放回路的第二端与地相连；所述MOSFET的漏极作为所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接。所述保护电路还包括：驱动电路；其中，所述驱动电路的第一端与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述驱动电路输入第一控制信号；所述驱动电路的第二端与所述开关管的门极相连，以通过所述驱动电路向所述开关管输入PWM信号来控制所述开关管的开关状态。

可见，当所述第一控制信号大于等于第一电压值时，所述驱动电路控制所述开关管处于关闭状态，且所述MOSFET处于开通状态，从而使所述电流泄放回路的第一端所的电压小于所述参考电压；

当所述第一控制信号小于等于第二电压值时，所述驱动电路控制所述开关管处于开通状态，且所述MOSFET处于关闭状态，从而使所述电流泄放回路的第一端所的电压随集电极电流增大而增大。

所述当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器输出保护信号给MCU，以使所述MCU调整为所述开关管输出的PWM信号，包括：

当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，判断锅具标识是否为真；

当所述锅具标识不为真时，关闭所述开关管，并延迟第一时长后再次开通所述开关管；

当所述锅具标识为真时，判断所述开关管的开通时长是否超过预设阈值；当所述开关管的开通时长超过所述预设阈值时，关闭所述开关管，并延迟第二时长后再次开通所述开关管；当所述开关管的开通时长未超过所述预设阈值时，关闭所述开关管，或者调整所述PWM信号的PWM空占比，以使所述开关管的驱动脉宽变窄。

这里，当检测到有铁质物件(例如锅具)置于电磁加热设备上时，锅具标识为真，否则，锅具标识为非真。当开关管在检锅且锅具标识为真时被开通瞬间，Vce过大，本发明实施例的保护电路保护进入保护状态，使开关管延时开通从而形成了二次软开通的效果，有效保护了开关管。当开关管正常加热的瞬间，如果Vce很高，本发明实施例的保护电路保护也会进入保护状态，使开关管延时开通，从而对开关管进行保护。当开光管正常加热时，如果Ic很高，那么累积在Rceon上的电压Vce则变大，本发明实施例的保护电路保护也会进入保护状态，关闭开关管或者控制开关管降功加热。

本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种开关管的保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：开关管；

检测电路，所述检测电路的第一端与电源连接，所述检测电路的第二端与所述开关管的集电极连接；

电流泄放回路，所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接，所述电流泄放回路的第二端与地连接；

比较器，所述比较器的第一输入端与参考电压连接，所述比较器的第二端与所述电流泄放回路的第一端连接，所述比较器的输出端与微控制单元MCU连接；当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器输出保护信号给所述MCU，以使所述MCU调整为所述开关管输出的脉冲宽度调制PWM信号。

2.根据权利要求1所述的开关管的保护电路，其特征在于，从所述检测电路的第一端至所述检测电路的第二端依次包括：第一电阻、第一晶体二极管以及第二晶体二极管；其中，

所述第一晶体二极管的正极与所述第一电阻连接，所述第二晶体二极管的正极与所述开关管的集电极连接。

3.根据权利要求1所述的开关管的保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括：滤波电容；其中，

所述滤波电容的第一端与所述电源、所述检测电路的第一端以及所述电流泄放回路的第一端相连，所述滤波电容的第二端与地相连。

4.根据权利要求1所述的开关管的保护电路，其特征在于，所述电流泄放回路包括：金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；其中，

所述MOSFET的栅极与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述MOSFET输入第一控制信号；所述MOSFET的源极作为所述电流泄放回路的第二端与地相连；所述MOSFET的漏极作为所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接。

5.根据权利要求4所述的开关管的保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括：驱动电路；其中，

所述驱动电路的第一端与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述驱动电路输入第一控制信号；所述驱动电路的第二端与所述开关管的门极相连，以通过所述驱动电路向所述开关管输入PWM信号来控制所述开关管的开关状态。

6.根据权利要求5所述的开关管的保护电路，其特征在于，

当所述第一控制信号大于等于第一电压值时，所述驱动电路控制所述开关管处于关闭状态，且所述MOSFET处于开通状态，从而使所述电流泄放回路的第一端所的电压小于所述参考电压。

7.根据权利要求5所述的开关管的保护电路，其特征在于，

当所述第一控制信号小于等于第二电压值时，所述驱动电路控制所述开关管处于开通状态，且所述MOSFET处于关闭状态，从而使所述电流泄放回路的第一端所的电压随集电极电流增大而增大。

8.一种开关管的保护方法，应用于开关管的保护电路中，其特征在于，所述保护电路包括开关管、检测电路、电流泄放回路、比较器；所述检测电路的第一端与电源连接，所述检测电路的第二端与所述开关管的集电极连接；所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接，所述电流泄放回路的第二端与地连接；所述方法包括：

所述比较器比较所述电流泄放回路的第一端的电压与参考电压的大小；

当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器输出保护信号给MCU，以使所述MCU调整为所述开关管输出的PWM信号。

9.根据权利要求8所述的开关管的保护方法，其特征在于，所述当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，所述比较器输出保护信号给MCU，以使所述MCU调整为所述开关管输出的PWM信号，包括：

当所述电流泄放回路的第一端的电压大于所述参考电压时，判断锅具标识是否为真；

当所述锅具标识不为真时，关闭所述开关管，并延迟第一时长后再次开通所述开关管；

当所述锅具标识为真时，判断所述开关管的开通时长是否超过预设阈值；当所述开关管的开通时长超过所述预设阈值时，关闭所述开关管，并延迟第二时长后再次开通所述开关管；当所述开关管的开通时长未超过所述预设阈值时，关闭所述开关管，或者调整所述PWM信号的PWM空占比，以使所述开关管的驱动脉宽变窄。

10.根据权利要求8所述的开关管的保护方法，其特征在于，所述电流泄放回路包括：MOSFET；其中，所述MOSFET的栅极与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述MOSFET输入第一控制信号；所述MOSFET的源极作为所述电流泄放回路的第二端与地相连；所述MOSFET的漏极作为所述电流泄放回路的第一端与所述电源以及所述检测电路的第一端连接。

11.根据权利要求10所述的开关管的保护方法，其特征在于，所述保护电路还包括：驱动电路；其中，所述驱动电路的第一端与所述MCU连接，以通过所述MCU向所述驱动电路输入第一控制信号；所述驱动电路的第二端与所述开关管的门极相连，以通过所述驱动电路向所述开关管输入PWM信号来控制所述开关管的开关状态。

12.根据权利要求11所述的开关管的保护方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述第一控制信号大于等于第一电压值时，所述驱动电路控制所述开关管处于关闭状态，且所述MOSFET处于开通状态，从而使所述电流泄放回路的第一端所的电压小于所述参考电压；

当所述第一控制信号小于等于第二电压值时，所述驱动电路控制所述开关管处于开通状态，且所述MOSFET处于关闭状态，从而使所述电流泄放回路的第一端所的电压随集电极电流增大而增大。