CN107800484A - 1×9超低速ddmi光模块 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种1×9超低速DDMI光模块，包括电接口、光发射器件、光接收器件、MCU、比较器、逻辑电路和APC控制电路，电接口、光发射器件、光接收器件均连接MCU；电接口连接逻辑电路，逻辑电路连接光发射器件；所述光接收器件连接比较器，比较器连接电接口；APC控制电路连接光发射器件和MCU。本发明不需用光功率计来监测光模块实时的发射光功率和接收光功率，在使用设备上，直接就能监测到光模块实时的发射光功率和接收到的光功率指标。
Description
技术领域
本发明涉及光通信领域，尤其涉及一种1×9超低速DDMI光模块。
背景技术
1X9封装的光模块产品最早产生于1999年，是固定的光模块产品，通常直接焊接在通讯设备的电路板上，作为固定的光模块使用，有时候也叫9针或9PIN光模块。是早期光模块的最常见的一种封装形式，也是市场需求量非常大的一种类型，主要用在光纤收发器，PDH光端机，光纤交换机，单多模转换器以及一些工业控制领域，然而随着通信行业发展需求，原有1X9超低速光模块收发端无监控功能，只能通过硬件设施(光功率计)来监测光模块的发射光功率和接收光功率，大大的提高了使用成本。
发明内容
本发明旨在提供一种1×9超低速DDMI光模块，不需用光功率计来监测光模块实时的发射光功率和接收光功率，在使用设备上，直接就能监测到光模块实时的发射光功率和接收到的光功率指标。
为达到上述目的，本发明是采用以下技术方案实现的：
本发明公开的1×9超低速DDMI光模块，包括电接口、光发射器件、光接收器件、MCU、比较器、逻辑电路和APC控制电路，所述电接口、光发射器件、光接收器件均连接MCU；电接口连接逻辑电路，所述逻辑电路连接光发射器件；所述光接收器件连接比较器，所述比较器连接电接口；所述APC控制电路连接光发射器件和MCU。
优选的，所述光发射器件光发射器件包括光发射次模块，所述APC控制电路包括放大电路，所述放大电路连接光发射次模块。
优选的，所述光发射次模块为VCSEL-155M，所述放大电路包括运算放大器，所述运算放大器的同相输入端连接电阻R15的一端、电阻R13的一端、电阻R17的一端，电阻R15的另一端连接基准电压，电阻R13的另一端连接MCU的数据口，电阻R17的另一端接地，运算放大器的反相输入端通过电阻R7连接光发射次模块LD1的3脚，光发射次模块LD1的3脚通过电阻R8接地，运算放大器的反相输入端与输出端之间连接电容C8，运算放大器的输出端连接NPN三极管Q1的基极，NPN三极管Q1的集电极连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端连接光发射次模块的1脚、电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接MCU的数据口，NPN三极管Q1的发射极通过电阻R16接地；所述电阻R7为0欧姆电阻。
优选的，所述基准电压由基准电压源ADR5040产生，所述基准电压源ADR5040的1脚连接电阻R15的另一端、电阻R14的一端、电容C11的一端，电阻R14的另一端连接直流电源正极，电容C11的另一端连接基准电压源ADR5040的2脚并接地。
进一步的，所述运算放大器的同相输入端连接电容C10的一端，电容C10的另一端接地。
进一步的，所述NPN三极管Q1的基极连接电容C9的一端，电容C9的另一端接地。
优选的，所述光发射次模块LD1的2脚连接电容C4的一端、电容C5的一端、电阻R4的一端，电容C4的另一端、电容C5的另一端均接地，电阻R4的另一端连接直流电源正极，所述电阻R4为0欧姆电阻。
优选的，所述MCU为8051。
优选的，所述运算放大器为OP系列通用运算放大器。
本发明重新设计1x9排针管脚定义，增加MCU、APC控制电路，将不带背光发射器件更改为带背光发射器件，将普通单PIN光接收器件更改为PIN TIA带监控光接收器件，从而达到DDMI功能的要求。
本发明不需用光功率计来监测光模块实时的发射光功率和接收光功率，在使用设备上，直接就能监测到光模块实时的发射光功率和接收到的光功率指标。
附图说明
图1为本发明的原理框图；
图2为APC控制电路的电路原理图；
图3为MCU部分的电路原理图；
图4为本发明的引脚排列图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本发明进行进一步详细说明。
如图1所示，本发明公开的1×9超低速DDMI光模块，包括电接口、光发射器件、光接收器件、MCU、比较器、逻辑电路和APC控制电路，电接口、光发射器件、光接收器件均连接MCU；电接口连接逻辑电路，逻辑电路连接光发射器件；光接收器件连接比较器，比较器连接电接口；APC控制电路连接光发射器件和MCU。
如图2、图3所示，光发射器件光发射器件包括光发射次模块，APC控制电路包括放大电路，放大电路连接光发射次模块；光发射次模块为VCSEL-155M，放大电路包括运算放大器，运算放大器采用OP系列通用运算放大器，运算放大器的同相输入端连接电阻R15的一端、电阻R13的一端、电阻R17的一端，电阻R15的另一端连接基准电压，光发射次模块LD1的2脚连接电容C4的一端、电容C5的一端、电阻R4的一端，电容C4的另一端、电容C5的另一端均接地，电阻R4的另一端连接直流电源正极，所述电阻R4为0欧姆电阻，电阻R13的另一端连接MCU的数据口，MCU采用8051系列，电阻R17的另一端接地，运算放大器的同相输入端连接电容C10的一端，电容C10的另一端接地；运算放大器的反相输入端通过电阻R7连接光发射次模块LD1的3脚，光发射次模块LD1的3脚通过电阻R8接地，运算放大器的反相输入端与输出端之间连接电容C8，运算放大器的输出端连接NPN三极管Q1的基极，NPN三极管Q1的基极连接电容C9的一端，电容C9的另一端接地，NPN三极管Q1的集电极连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端连接光发射次模块的1脚、电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接MCU的数据口，NPN三极管Q1的发射极通过电阻R16接地；所述电阻R7为0欧姆电阻。
基准电压由基准电压源ADR5040产生，基准电压源ADR5040的1脚连接电阻R15的另一端、电阻R14的一端、电容C11的一端，电阻R14的另一端连接直流电源正极，电容C11的另一端连接基准电压源ADR5040的2脚并接地。
如图4所示，本发明重新设计了光模块的引脚，将不带背光发射器件更改为带背光发射器件，将普通单PIN光接收器件更改为PIN TIA带监控光接收器件。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.1×9超低速DDMI光模块，其特征在于：包括电接口、光发射器件、光接收器件、MCU、比较器、逻辑电路和APC控制电路，所述电接口、光发射器件、光接收器件均连接MCU；电接口连接逻辑电路，所述逻辑电路连接光发射器件；所述光接收器件连接比较器，所述比较器连接电接口；所述APC控制电路连接光发射器件和MCU。
2.根据权利要求1所述的1×9超低速DDMI光模块，其特征在于：所述光发射器件光发射器件包括光发射次模块，所述APC控制电路包括放大电路，所述放大电路连接光发射次模块。
3.根据权利要求2所述的1×9超低速DDMI光模块，其特征在于：所述光发射次模块为VCSEL-155M，所述放大电路包括运算放大器，所述运算放大器的同相输入端连接电阻R15的一端、电阻R13的一端、电阻R17的一端，电阻R15的另一端连接基准电压，电阻R13的另一端连接MCU的数据口，电阻R17的另一端接地，运算放大器的反相输入端通过电阻R7连接光发射次模块LD1的3脚，光发射次模块LD1的3脚通过电阻R8接地，运算放大器的反相输入端与输出端之间连接电容C8，运算放大器的输出端连接NPN三极管Q1的基极，NPN三极管Q1的集电极连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端连接光发射次模块的1脚、电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接MCU的数据口，NPN三极管Q1的发射极通过电阻R16接地；所述电阻R7为0欧姆电阻。
4.根据权利要求3所述的1×9超低速DDMI光模块，其特征在于：所述基准电压由基准电压源ADR5040产生，所述基准电压源ADR5040的1脚连接电阻R15的另一端、电阻R14的一端、电容C11的一端，电阻R14的另一端连接直流电源正极，电容C11的另一端连接基准电压源ADR5040的2脚并接地。
5.根据权利要求2所述的1×9超低速DDMI光模块，其特征在于：所述运算放大器的同相输入端连接电容C10的一端，电容C10的另一端接地。
6.根据权利要求2所述的1×9超低速DDMI光模块，其特征在于：所述NPN三极管Q1的基极连接电容C9的一端，电容C9的另一端接地。
7.根据权利要求2所述的1×9超低速DDMI光模块，其特征在于：所述光发射次模块LD1的2脚连接电容C4的一端、电容C5的一端、电阻R4的一端，电容C4的另一端、电容C5的另一端均接地，电阻R4的另一端连接直流电源正极，所述电阻R4为0欧姆电阻。
8.根据权利要求3-7任一项所述的1×9超低速DDMI光模块，其特征在于：所述MCU为8051。
9.根据权利要求3-7任一项所述的1×9超低速DDMI光模块，其特征在于：所述运算放大器为OP系列通用运算放大器。
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