CN107800187A - 一种双电源的切换电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种双电源的切换电路，应用于在一第一电源和第二电源之间进行切换以对一输出点供电，包括：第一开关模块，包括一第一PMOS管和一第二PMOS管；第二开关模块，包括一第三PMOS管和一第四PMOS管；高压保持模块；控制模块，包括一高压输入引脚；高压输入引脚用于接收较高的电源电压；控制模块通过检测模块分别检测第一电源和第二电源的状态；控制模块还包括分别连接第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的栅极的四个输出引脚，控制模块根据第一电源和第二电源的状态输出较高的电源电压作为控制电压将相应的PMOS管导通；能够应用于宽电压范围的主副电源中，兼容性高，可靠性高。

Description

一种双电源的切换电路
技术领域
本发明涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种双电源的切换电路。
背景技术
随着电子产品的广泛应用，各行业对电子系统的可靠性要求越来越高，特别是在供电系统，必须保证供电稳定和连续，因为供电一旦中断，系统掉电关闭将会带来很大的损失。所以在精密仪器、通讯、计算系统和所有不允许停电的场所，主副电源设计得到了广泛的应用。
在片上系统应用中，主副电源的供电方案也成为常见的设计方案。传统的双电源设计方案通常采用供电电源串联二极管供电的方式，当主电源/副电源的其中一个电源掉电时，系统由另一个电源供电，这种传统的双电源方式效率低，应用有限。
现有的双电源设计方案能够在一定程度上实现对电源的切换，但是切换时会受到主副电源的电压差异的限制，无法适用于更宽电压范围的主副电源。
发明内容
针对上述问题，本发明提出了一种双电源的切换电路，应用于在一第一电源和第二电源之间进行切换以对一输出点供电；其中，包括：
第一开关模块，包括一第一PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor P沟道金属氧化物半导体，简称PMOS)管和一第二PMOS管，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管串接在所述第一电源和所述输出点之间；
第二开关模块，包括一第三PMOS管和一第四PMOS管，所述第三PMOS管和所述第四PMOS管串接在所述第二电源和所述输出点之间；
高压保持模块，包括一第五PMOS管和一第六PMOS管；
所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极连接所述第一电源，所述第六PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的栅极连接所述第二电源；
所述第五PMOS管和所述第六PMOS管的源极相连，以通过相连的源极输出所述第一电源和所述第二电源中较高的电源电压；
控制模块，包括一高压输入引脚；
所述高压输入引脚与所述第五PMOS管和所述第六PMOS管相连的源极相连，用于接收较高的所述电源电压；
所述控制模块通过检测模块分别检测所述第一电源和所述第二电源的状态；
所述控制模块还包括分别连接所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极的四个输出引脚，所述控制模块根据所述第一电源和所述第二电源的状态输出较高的所述电源电压作为控制电压将相应的PMOS管导通，以将所述第一电源和所述第二电源中较高的所述电源电压从所述输出点输出。
上述的切换电路，其中，所述第一PMOS管的衬底连接所述第一PMOS管的源极；
所述第四PMOS管的衬底连接所述第四PMOS管的源极。
上述的切换电路，其中，所述检测模块包括一第一比较单元和一第二比较单元；
所述第一比较单元连接所述第一电源，用于将所述第一电源的所述电源电压与一第一预设电压进行比较，以输出一第一比较结果；
所述第二比较单元连接所述第二电源，用于将所述第二电源的所述电源电压与一第二预设电压进行比较，以输出一第二比较结果；
所述控制模块还包括一第一比较引脚和一第二比较引脚，用于分别连接所述第一比较单元和所述第二比较单元，以接收所述第一比较结果和所述第二比较结果；
所述控制模块根据所述第一比较结果和所述第二比较结果选择所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管和所述第四PMOS管中需要导通的PMOS管。
上述的切换电路，其中，所述控制模块于接收的所述第一比较结果为所述第一电源的所述电源电压大于所述第一预设电压，并且所述第二比较结果为所述第二电源的所述电源电压小于所述第二预设电压时，将所述第一PMOS管和所述第二PMOS管导通；
所述控制模块于接收的所述第一比较结果为所述第一电源的所述电源电压小于所述第一预设电压，并且所述第二比较结果为所述第二电源的所述电源电压大于所述第二预设电压时，将所述第三PMOS管和所述第四PMOS管导通。
上述的切换电路，其中，所述检测模块还包括一上电复位单元；
所述上电复位单元连接所述第一电源，用于根据所述第一电源的所述电源电压输出一复位信号；
所述控制模块还包括一复位引脚，所述复位引脚与所述上电复位单元连接，用于接收所述复位信号；
所述控制模块于接收所述复位信号时进行复位。
上述的切换电路，其中，所述第二PMOS管的源极连接至一第五PMOS管的栅极；
所述第五PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极，所述第五PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的衬底；
所述第二PMOS管的漏极连接至一第六PMOS管的栅极；
所述第六PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第六PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的衬底。
上述的切换电路，其中，所述第三PMOS管的源极连接至一第七PMOS管的栅极；
所述第七PMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的源极，所述第七PMOS管的源极连接所述第三PMOS管的衬底；
所述第三PMOS管的漏极连接至一第八PMOS管的栅极；
所述第八PMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第八PMOS管的源极连接所述第三PMOS管的衬底。
上述的切换电路，其中，所述第一电源的所述电源电压大于所述第二电源的所述电源电压。
上述的切换电路，其中，所述第一电源的所述电源电压比所述第二电源的所述电源电压高1.2～1.6V。
有益效果：本发明提出的一种双电源的切换电路，能够应用于宽电压范围的主副电源中，兼容性高，可靠性高。
附图说明
图1为本发明一实施例中双电源的切换电路的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明。
在一个较佳的实施例中，如图1所示，提出了一种双电源的切换电路，应用于在一第一电源VSYS和第二电源VBAT之间进行切换以对一输出点VDD供电；其中，可以包括：
第一开关模块11，包括一第一PMOS管S0和一第二PMOS管S1，第一PMOS管S0和第二PMOS管S1串接在第一电源VSYS和输出点VDD之间；
第二开关模块12，包括一第三PMOS管S2和一第四PMOS管S3，第三PMOS管S2和第四PMOS管S3串接在第二电源VBAT和输出点VDD之间；
高压保持模块10，包括一第五PMOS管QA和一第六PMOS管QB；
第五PMOS管QA的漏极和第六PMOS管QB的栅极连接第一电源VSYS，第六PMOS管QB的漏极和第五PMOS管QA的栅极连接第二电源VBAT；
第五PMOS管QA和第六PMOS管QB的源极相连，以通过相连的源极输出第一电源VSYS和第二电源VBAT中较高的电源电压VDDH；
控制模块24，包括一高压输入引脚；
高压输入引脚VDDH与第五PMOS管QA和第六PMOS管QB相连的源极相连，用于接收较高的电源电压VDDH；
控制模块24通过检测模块分别检测第一电源VSYS和第二电源VBAT的状态；
控制模块24还包括分别连接第一PMOS管S0、第二PMOS管S1、第三PMOS管S2和第四PMOS管S3的栅极的四个输出引脚，控制模块根据第一电源VSYS和第二电源VBAT的状态输出较高的电源电压作为控制电压将相应的PMOS管导通，以将第一电源VSYS和第二电源VBAT中较高的电源电压VDDH从输出点VDD输出。
上述技术方案中，由于采用了高压保持模块10输出第一电源VSYS和第二电源VBAT中较高的电源电压VDDH，控制模块24可以通过四个输出引脚将较高的电源电压VDDH输出作为第一PMOS管S0、第二PMOS管S1、第三PMOS管S2和第四PMOS管S3的栅极的控制电压，即使在计算管压降的情况下，也能保证双电源的切换电路在任何情况下，都不会产生漏电流，包括在第一电源VSYS的电源电压比第二电源VBAT的电源电压高的电压范围内。
在一个较佳的实施例中，第一PMOS管S0的衬底连接第一PMOS管S0的源极；
第四PMOS管S3的衬底连接第四PMOS管S3的源极。
上述技术方案具有简化的衬底连接方式，同时不会影响切换电路的工作的有效性和可靠性。
在一个较佳的实施例中，检测模块可以包括一第一比较单元22和一第二比较单元23；
第一比较单元22连接第一电源VSYS，用于将第一电源VSYS的电源电压与一第一预设电压进行比较，以输出一第一比较结果VSYS_OUT；
第二比较单元23连接第二电源VBAT，用于将第二电源VBAT的电源电压与一第二预设电压进行比较，以输出一第二比较结果LBOR_BAT；
控制模块24还可以包括一第一比较引脚和一第二比较引脚，用于分别连接第一比较单元22和第二比较单元23，以接收第一比较结果VSYS_OUT和第二比较结果LBOR_BAT；
控制模块根据第一比较结果VSYS_OUT和第二比较结果LBOR_BAT选择第一PMOS管S0、第二PMOS管S1、第三PMOS管S2和第四PMOS管S3中需要导通的PMOS管。
上述技术方案中，第一比较结果VSYS_OUT和第二比较结果LBOR_BAT可以是电平信号，以第一比较结果VSYS_OUT为例，为高电平时表示可以表示第一电源VSYS的电源电压高于第一预设电压LVREF，为低电平时可以表示第一电源VSYS的电源电压低于第一预设电压LVREF，第二比较结果LBOR_BAT类似；第一预设电压LVREF可以是由一电压产生模块产生的。
上述实施例中，优选地，控制模块24于接收的第一比较结果VSYS_OUT为第一电源VSYS的电源电压大于第一预设电压LVREF，并且第二比较结果为第二电源VBAT的电源电压小于第二预设电压时，将第一PMOS管S0和第二PMOS管S1导通；
控制模块于接收的第一比较结果为第一电源VSYS的电源电压小于第一预设电压LVREF，并且第二比较结果为第二电源VBAT的电源电压大于第二预设电压时，将第三PMOS管S2和第四PMOS管S3导通。
在一个较佳的实施例中，检测模块还可以包括一上电复位单元20；
上电复位单元20连接第一电源VSYS，用于根据第一电源VSYS的电源电压输出反映第一电源VSYS的上电状态的一复位信号POR_RST；
控制模块24还包括一复位引脚，复位引脚与上电复位单元连接，用于接收复位信号POR_RST；
控制模块24于接收复位信号时进行复位。
在一个较佳的实施例中，第二PMOS管S1的源极连接至一第五PMOS管QA的栅极；
第五PMOS管QA的漏极连接第二PMOS管S1的源极，第五PMOS管QA的源极连接第二PMOS管S1的衬底；
第二PMOS管S1的漏极连接至一第六PMOS管QB的栅极；
第六PMOS管QB的漏极连接第二PMOS管S1的漏极，第六PMOS管QB的源极连接第二PMOS管S1的衬底。
在一个较佳的实施例中，第三PMOS管S2的源极连接至一第七PMOS管QC的栅极；
第七PMOS管QC的漏极连接第三PMOS管S2的源极，第七PMOS管QC的源极连接第三PMOS管S2的衬底；
第三PMOS管S2的漏极连接至一第八PMOS管QD的栅极；
第八PMOS管QD的漏极连接第三PMOS管S2的漏极，第八PMOS管QD的源极连接第三PMOS管S2的衬底。
在一个较佳的实施例中，第一电源VSYS的电源电压大于第二电源VBAT的电源电压。
在一个较佳的实施例中，第一电源VSYS的电源电压比第二电源VBAT的电源电压高1.2～1.6V，例如高1.2V，或1.3V，或1.4，或1.5V，或1.6V等。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (9)

1.一种双电源的切换电路，应用于在一第一电源和第二电源之间进行切换以对一输出点供电；其特征在于，包括：
第一开关模块，包括一第一PMOS管和一第二PMOS管，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管串接在所述第一电源和所述输出点之间；
第二开关模块，包括一第三PMOS管和一第四PMOS管，所述第三PMOS管和所述第四PMOS管串接在所述第二电源和所述输出点之间；
高压保持模块，包括一第五PMOS管和一第六PMOS管；
所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极连接所述第一电源，所述第六PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的栅极连接所述第二电源；
所述第五PMOS管和所述第六PMOS管的源极相连，以通过相连的源极输出所述第一电源和所述第二电源中较高的电源电压；
控制模块，包括一高压输入引脚；
所述高压输入引脚与所述第五PMOS管和所述第六PMOS管相连的源极相连，用于接收较高的所述电源电压；
所述控制模块通过检测模块分别检测所述第一电源和所述第二电源的状态；
所述控制模块还包括分别连接所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极的四个输出引脚，所述控制模块根据所述第一电源和所述第二电源的状态输出较高的所述电源电压作为控制电压将相应的PMOS管导通，以将所述第一电源和所述第二电源中较高的所述电源电压从所述输出点输出。
2.根据权利要求1所述的切换电路，其特征在于，所述第一PMOS管的衬底连接所述第一PMOS管的源极；
所述第四PMOS管的衬底连接所述第四PMOS管的源极。
3.根据权利要求1所述的切换电路，其特征在于，所述检测模块包括一第一比较单元和一第二比较单元；
所述第一比较单元连接所述第一电源，用于将所述第一电源的所述电源电压与一第一预设电压进行比较，以输出一第一比较结果；
所述第二比较单元连接所述第二电源，用于将所述第二电源的所述电源电压与一第二预设电压进行比较，以输出一第二比较结果；
所述控制模块还包括一第一比较引脚和一第二比较引脚，用于分别连接所述第一比较单元和所述第二比较单元，以接收所述第一比较结果和所述第二比较结果；
所述控制模块根据所述第一比较结果和所述第二比较结果选择所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管和所述第四PMOS管中需要导通的PMOS管。
4.根据权利要求3所述的切换电路，其特征在于，所述控制模块于接收的所述第一比较结果为所述第一电源的所述电源电压大于所述第一预设电压，并且所述第二比较结果为所述第二电源的所述电源电压小于所述第二预设电压时，将所述第一PMOS管和所述第二PMOS管导通；
所述控制模块于接收的所述第一比较结果为所述第一电源的所述电源电压小于所述第一预设电压，并且所述第二比较结果为所述第二电源的所述电源电压大于所述第二预设电压时，将所述第三PMOS管和所述第四PMOS管导通。
5.根据权利要求1所述的切换电路，其特征在于，所述检测模块还包括一上电复位单元；
所述上电复位单元连接所述第一电源，用于根据所述第一电源的所述电源电压输出一复位信号；
所述控制模块还包括一复位引脚，所述复位引脚与所述上电复位单元连接，用于接收所述复位信号；
所述控制模块于接收所述复位信号时进行复位。
6.根据权利要求1所述的切换电路，其特征在于，所述第二PMOS管的源极连接至一第五PMOS管的栅极；
所述第五PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极，所述第五PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的衬底；
所述第二PMOS管的漏极连接至一第六PMOS管的栅极；
所述第六PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第六PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的衬底。
7.根据权利要求1所述的切换电路，其特征在于，所述第三PMOS管的源极连接至一第七PMOS管的栅极；
所述第七PMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的源极，所述第七PMOS管的源极连接所述第三PMOS管的衬底；
所述第三PMOS管的漏极连接至一第八PMOS管的栅极；
所述第八PMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第八PMOS管的源极连接所述第三PMOS管的衬底。
8.根据权利要求1所述的切换电路，其特征在于，所述第一电源的所述电源电压大于所述第二电源的所述电源电压。
9.根据权利要求8所述的切换电路，其特征在于，所述第一电源的所述电源电压比所述第二电源的所述电源电压高1.2～1.6V。
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