CN107794568A - 一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,包括炉体、石英坩埚及定向凝固装置;其中,所述炉体包括上炉盖,上炉盖处设有输气管及抽气管,炉体底部设有升降柱,炉体侧面设有出气管;所述定向凝固装置包括石墨加热器、隔热笼及水冷装置;石墨加热器包括若干石墨加热板及上部石墨环;石墨加热板设置于石英坩埚四周,且从上往下依次层叠,形成多层加热模式;上部石墨环设置于石英坩埚上方;隔热笼为一个由若干保温板围成的腔室,设置于石英坩埚及石墨加热器外围;所述水冷装置设置于石英坩埚下方。本发明能够加强热场的控制及氩气的流通,提高生产效率,减少晶体内杂质含量,有效利用炉内空间,节约成本,且操作简单,节能省时。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,属于多晶硅生产领域。
背景技术
现阶段,太阳能电池的主流是晶体硅太阳能电池,所用基体材料是单晶和多晶硅片,通过切割单晶和多晶硅晶体而得。其中多晶硅晶体是通过多晶定向凝固工艺得到的,现有多晶硅铸锭炉采用电阻或感应加热,将配比好的多晶硅放入方形坩埚内进行熔化后,控制热场提供一个竖直温度梯度,使得多晶硅料从底部开始冷却,逐渐形成向上长晶的定向凝固模式,从而得到多晶硅晶体。
综上所述,现有多晶硅铸锭炉可能存在以下问题:1)热场控制力度不够,导致多晶硅的生产效率不够高,耗能高;2)氩气流通受阻,因而生产的多晶硅晶体杂质含量高;3)炉内空间利用不足,设备占用空间大、成本高。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,能够加强热场的控制及氩气的流通,提高生产效率,减少杂质含量,有效利用炉内空间,节约成本,且操作简单,节能省时。
技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,包括炉体、石英坩埚及定向凝固装置;
其中,所述炉体包括上炉盖,所述上炉盖处设有输气管及抽气管,炉体底部设有升降柱,炉体侧面设有出气管;所述石英坩埚包括敞口的坩埚本体。
所述定向凝固装置包括石墨加热器、隔热笼及水冷装置;其中,所述石墨加热器包括若干石墨加热板及上部石墨环;所述石墨加热板设置于石英坩埚四周,且从上往下依次层叠,形成多层加热模式;所述上部石墨环设置于石英坩埚上方;所述隔热笼为一个由若干保温板围成的腔室,设置于石英坩埚及石墨加热器外围;所述水冷装置设置于石英坩埚下方。
所述输气管由外部穿过上炉盖、隔热笼并延伸至石英坩埚开口处,以使氩气通过其进入所述石英坩埚;所述抽气管由外部穿过上炉盖并延伸至隔热笼内,出气管由外部穿过炉体延伸至隔热笼内,以使其从所述隔热笼内向炉体外抽送氩气。
所述升降柱穿过水冷装置并与石英坩埚底部定位接触。
优选的,所述坩埚本体的内部底面设有若干均匀分布的盲孔,用作多晶硅铸锭工艺中的形核点,从而实现初始形核时形成均匀的小颗粒晶粒,实现降低晶体位错密度、优化晶粒晶向的目的。
优选的,所述保温板为碳纤维材料或碳碳复合材料,耐高温耐腐蚀,使用寿命长。
优选的,所述上炉盖与升降机构相连,用于打开上炉盖。
优选的,所述抽气管为石墨管。
有益效果:本发明提供的一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,相对于现有技术,具有以下效果:1)本发明通过多层石墨加热板及水冷装置来提供竖直温度梯度,使坩埚底部冷却速度加快,提高生产效率,操作简单,节约能耗;2)通过合理的氩气流道设计加快炉内氩气的流通,降低多晶硅晶体内的杂质含量;3)本发明结构简单,有效利用炉内空间,减小设备占用空间,成本低。
附图说明
图1为本发明一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉实施例1的结构示意图;
图2为本发明一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉实施例2的结构示意图;
图中包括:1-1、炉体,1-2、上炉盖,1-3、输气管,1-4、抽气管,1-5、升降柱,1-6、出气管,1-7、石英坩埚,1-8、石墨加热板,1-9、上部石墨环,1-10、保温板,1-11、水冷装置,1-12、升降机构;
2-1、炉体,2-2、输气管,2-3、抽气管,2-4、支撑柱,2-5、出气管,2-6、石英坩埚本体,2-7、坩埚盖板,2-8、侧壁保温板,2-9、顶部保温板,2-10、吊杆,2-11、底部保温板,2-12、石墨加热环,2-13、热交换台,2-14、升降机构。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作更进一步的说明。
如图1所示为实施例1:一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,包括炉体1-1、石英坩埚1-7及定向凝固装置;
其中,所述炉体1-1包括上炉盖1-2,所述上炉盖1-2处设有输气管1-3及抽气管1-4,且上炉盖1-2与升降机构1-12相连;炉体1-1底部设有升降柱1-5,炉体1-1侧面设有出气管1-6。
所述石英坩埚1-7包括敞口的坩埚本体,所述坩埚本体的内部底面设有若干均匀分布的盲孔。
所述定向凝固装置包括石墨加热器、隔热笼及水冷装置1-11;其中,所述石墨加热器包括若干石墨加热板1-8及上部石墨环1-9;所述石墨加热板1-8设置于石英坩埚1-7四周,且从上往下依次层叠,形成多层加热模式;所述上部石墨环1-9设置于石英坩埚1-7上方;所述隔热笼为一个由若干保温板1-10围成的腔室,设置于石英坩埚1-7及石墨加热器外围,所述保温板1-10为碳纤维材料或碳碳复合材料;所述水冷装置1-11设置于石英坩埚1-7下方。
所述输气管1-3由外部穿过上炉盖1-2、隔热笼并延伸至石英坩埚1-7开口处,以使氩气通过其进入所述石英坩埚1-7;所述抽气管1-4由外部穿过上炉盖1-2并延伸至隔热笼内,出气管1-6由外部穿过炉体1-1延伸至隔热笼内,以使其从所述隔热笼内向炉体1-1外抽送氩气,且所述抽气管1-4为石墨管。
所述升降柱1-5穿过水冷装置1-11并与石英坩埚1-7底部定位接触。
采用实施例1的一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉来制备多晶硅晶体时,具体实施方法如下:将多晶硅料装入底部带均匀盲孔的石英坩埚1-7内并将其放在升降柱1-5上;将石英坩埚1-7下降到设定位置后关闭上炉盖1-2,对炉内抽真空,然后向炉体1-1内通入氩气,通过石墨加热器加热直至多晶硅料完全熔化;控制石墨加热板1-8的温度形成从上外下、逐层降低的竖直温度梯度,并且加快底部水冷装置1-11内水的流速,从而将硅料结晶时释放的热量带走,进一步降低石英坩埚1-7底部的温度。这个温度梯度使石英坩埚1-7内的硅液从底部开始凝固,并通过降温使多晶硅继续向顶部生长,直至完全凝固。硅料凝固后,通过石墨加热器加热对硅锭进行退火,待硅锭冷却后打开上炉盖1-2取出多晶硅,完成整个铸锭过程。
如图2所示为实施例2:一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,包括炉体2-1、石英坩埚、热场及热交换台2-13;
其中,所述炉体2-1从中部分开为上炉体及下炉体,炉体2-1顶部设有输气管2-2及抽气管2-3,炉体2-1底部设有三个支撑柱2-4,炉体2-1侧面设有出气管2-5;所述上炉体外部与升降机构2-14相连。
所述石英坩埚包括敞口的坩埚本体2-6及坩埚盖板2-7,坩埚本体2-6及坩埚盖板2-7之间设有通气道,所述坩埚本体2-6的内部底面设有若干均匀分布的盲孔。
所述热场包括侧壁保温板2-8、顶部保温板2-9、底部保温板2-11及若干石墨加热环2-12,所述侧壁保温板2-8、顶部保温板2-9、底部保温板2-11围成一个腔室,设置于石英坩埚外围;顶部保温板2-9固定于侧壁保温板2-8上端,且两侧设有吊杆2-10,吊杆2-10穿过炉体2-1顶部与升降机相连;底部保温板2-11通过一个支撑柱2-4固定于炉体2-1底部;石墨加热环2-12设置于侧壁保温板2-8、顶部保温板2-9内部;所述侧壁保温板2-8、顶部保温板2-9及底部保温板2-11为碳纤维材料或碳碳复合材料。
所述热交换台2-13通过两个支撑柱2-4固定于炉体2-1底部,且设置于底部保温板2-11上方,上表面与石英坩埚的底部定位接触。
所述输气管2-2由外部穿过炉体2-1顶部、顶部保温板2-9及坩埚盖板2-7延伸至石英坩埚开口处;所述抽气管2-3由外部穿过炉体2-1顶部、顶部保温板2-9并延伸至热场内,且所述抽气管2-3为石墨管。
采用实施例2中的一种用于多晶硅定向凝固工艺的晶体炉来制备多晶硅晶体时,具体实施方法如下:将多晶硅料装入底部带均匀盲孔的石英坩埚内,合上坩埚盖板2-7并将石英坩埚放在热交换台2-13上,控制上炉体下降与下炉体合为一体;控制侧壁保温板2-8及顶部保温板2-9下降与底部保温板2-11配合形成封闭的热场,利用抽气管2-3对炉内抽真空,然后向炉体内通入氩气,通过热场加热直至多晶硅料完全熔化;缓慢提起侧壁保温板2-8及顶部保温板2-9,使得石英坩埚的下部脱离热场而上部处于热场内,从而形成一个竖直温度梯度,且硅液的热量从底部传给热交换台2-13,加快石英坩埚底部的冷却速度。这个温度梯度使石英坩埚内的硅液从底部开始凝固,并通过降温使多晶硅继续向顶部生长,直至完全凝固。经硅料凝固、退火、冷却后打开上炉体,从石英坩埚内取出多晶硅晶体,完成整个铸锭过程。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,其特征在于,包括炉体(1-1)、石英坩埚(1-7)及定向凝固装置;
其中,所述炉体(1-1)包括上炉盖(1-2),所述上炉盖(1-2)处设有输气管(1-3)及抽气管(1-4),炉体(1-1)底部设有升降柱(1-5),炉体(1-1)侧面设有出气管(1-6);所述石英坩埚(1-7)包括敞口的坩埚本体;
所述定向凝固装置包括石墨加热器、隔热笼及水冷装置(1-11);其中,所述石墨加热器包括若干石墨加热板(1-8)及上部石墨环(1-9);所述石墨加热板(1-8)设置于石英坩埚(1-7)四周,且从上往下依次层叠,形成多层加热模式;所述上部石墨环(1-9)设置于石英坩埚(1-7)上方;所述隔热笼为一个由若干保温板(1-10)围成的腔室,设置于石英坩埚(1-7)及石墨加热器外围;所述水冷装置(1-11)设置于石英坩埚(1-7)下方;
所述输气管(1-3)由外部穿过上炉盖(1-2)、隔热笼并延伸至石英坩埚(1-7)开口处;所述抽气管(1-4)由外部穿过上炉盖(1-2)并延伸至隔热笼内,出气管(1-6)由外部穿过炉体(1-1)并延伸至隔热笼内;
所述升降柱(1-5)穿过水冷装置(1-11)并与石英坩埚(1-7)底部定位接触。
2.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,其特征在于,所述坩埚本体的内部底面设有若干均匀分布的盲孔。
3.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,其特征在于,所述保温板(1-10)为碳纤维材料或碳碳复合材料。
4.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,其特征在于,所述上炉盖(1-2)与升降机构(1-12)相连。
5.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅铸锭工艺的晶体炉,其特征在于,所述抽气管(1-4)为石墨管。
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2016
- 2016-08-31 CN CN201610769105.2A patent/CN107794568A/zh active Pending
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Application publication date: 20180313 |