CN107786221B - 一种低噪声放大电路及接收机 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种低噪声放大电路及接收机，涉及通信领域，能够对带外阻塞信号进行过滤，防止带外阻塞信号进入接收机，降低了接收机前端电路饱和的风险。该低噪声放大电路包括：输入端、主信号通路、反馈回路和输出端，反馈回路包括开关电容阵列、第一放大器、第二放大器、第一匹配回路和第二匹配回路；开关电容阵列的一端与输入端相连，开关电容阵列的另一端与第一放大器的一端相连，第一放大器的另一端与第二放大器的一端相连，第二放大器的另一端与输出端相连，第一匹配回路的一端接地，第一匹配回路的另一端与输入端相连，第二匹配回路的一端与输入端相连，第二匹配回路的另一端与开关电容阵列的另一端相连。
Description
技术领域
本发明涉及通信领域，尤其涉及一种低噪声放大电路及接收机。
背景技术
对于大多数的通信系统而言，通信系统在工作时总是伴随着各式各样的噪声。为保证通信系统的正常工作，需要对噪声阻塞信号(Blocker)进行严格的过滤。噪声阻塞信号通常分为带内阻塞信号和带外阻塞信号，其中，带内阻塞信号可以通过控制本地信号发生器(Local Oscillator，LO)的相位噪声以及接收机的线性度，最终通过基带滤波来消除，而带外阻塞信号可以被表面声波滤波器(Surface-Acoustic-Wave Filter，SAW Filter)过滤。然而，SAW Filter是一种独立于接收机的滤波器，体积大，成本高，并且在通信系统中插入SAW Filter会产生插入损耗，恶化了整个通信系统的噪声性能。
为了解决上述问题，现有的接收机通常被设置成无需片外SAW Filter接收机(即无需在通信系统的接收机前插入SAW Filter的接收机)，如图1所示，该接收机由平行的两路构成：主通路包括电阻R、第一混频器MX1和第一基带放大器AMP1；辅助通路包括跨导单元、第二混频器MX2和第二基带放大器AMP2，第一基带放大器AMP1的结构与第二基带放大器AMP2的结构相同。当信号从接收机的输入端输入时，由于信号在第一混频器MX1的输入端和输出端都未被放大，而是被推迟到第一基带放大器AMP1的输出端才得到放大，而第一基带放大器AMP1同时是低通滤波器，使得有用信号能够正常通过，而带外阻塞信号被抑制，从而实现了无需片外SAW Filter接收机。同时辅助通路的信号和主通路的信号在输出端被叠加在一起，信号同向，相互增强，辅助通路的噪声和主通路的噪声也在输出端被叠加在一起，噪声反向，相互抵消，从而实现了很小的噪声系数。
然而，由于从接收机的输入端输入的信号没有过滤掉带外阻塞信号，即带外阻塞信号会毫无保留的进入到接收机里面，增加了接收机前端电路饱和的风险。
发明内容
本发明的实施例提供一种低噪声放大电路及接收机，能够对带外阻塞信号进行过滤，防止带外阻塞信号进入接收机的混频器中，降低了接收机前端电路饱和的风险。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，本发明实施例提供一种低噪声放大电路，该低噪声放大电路包括输入端、主信号通路、反馈回路和输出端，其中，主信号通路的一端与输入端相连，主信号通路的另一端与输出端相连，反馈回路的一端与输入端相连，反馈回路的另一端与输出端相连。反馈回路，用于对第一信号进行处理，生成第二信号；主信号通路，用于放大第一信号和第三信号，第三信号为第一信号与第二信号在输入端叠加后的信号；第一信号与第二信号叠加后，第一信号中的带外阻塞信号与第二信号中的带外阻塞信号相抵消。可见，本发明实施例提供的低噪声放大电路，由于第一信号经过主信号通路放大后，通过反馈回路生成第二信号，第一信号和第二信号在输入端相叠加，且第一信号的带外阻塞信号与第二信号中的带外阻塞信号相抵消，因此，生成的第三信号中没有带外阻塞信号，从而防止带外阻塞信号进入接收机的混频器中，降低了接收机前端电路饱和的风险。
进一步地，反馈回路包括开关电容阵列、第一放大器、第二放大器、第一匹配回路和第二匹配回路；开关电容阵列的一端与输入端相连，开关电容阵列的另一端与第一放大器的输出端相连，第一放大器的输入端与第二放大器的输出端相连，第二放大器的输入端与输出端相连，第一匹配回路的一端接地，第一匹配回路的另一端与输入端相连，第二匹配回路的一端与输入端相连，第二匹配回路的另一端与开关电容阵列的另一端相连。
进一步地，开关电容阵列包括2n条并联连接的开关电容支路，其中，n为大于或者等于2的正整数，输入2n条开关电容支路的脉冲信号的占空比的和为100％，且输入任意一条开关电容支路的脉冲信号的高电平不与输入其他开关电容支路的脉冲信号的高电平重合。因此，开关电容阵列能够在输入端形成以有用信号为中心的窄带带通滤波器，来过滤带外阻塞信号，同时该滤波器具有很高的品质因数。
进一步地，每条开关电容支路均包括一个开关管和一个电容，开关管为N沟道型晶体管，每条开关电容支路的N沟道型晶体管的栅极输入脉冲信号，每条开关电容支路的N沟道型晶体管的漏极均与输入端相连，每条开关电容支路的N沟道型晶体管的源极均与开关电容支路的电容的一端相连，每条开关电容支路的电容的另一端均与第一放大器的输出端相连。
进一步地，第一放大器和第二放大器均为互补型放大器。
进一步地，第一匹配回路包括第一开关和第一电阻；其中，第一电阻的一端接地，第一电阻的另一端与第一开关的一端相连，第一开关的另一端与输入端相连。
进一步地，第二匹配回路包括第二开关和第二电阻；其中，第二电阻的一端与输入端相连，第二电阻的另一端与第二开关的一端相连，第二开关的另一端与开关电容阵列的另一端相连。
本发明实施例提供的低噪声放大电路的第一匹配回路和第二匹配回路能够完成输入信号的匹配，其中，第一匹配回路中的第一开关和第二匹配回路中的第二开关不同时开启。当输入信号的强度较小时，第二开关导通，第一开关断开时，由第二电阻完成输入信号的匹配；当输入信号的强度较大时，第二开关断开，第一开关导通时，由第一电阻完成输入信号的匹配。
进一步地，主信号通路至少包括第三放大器，第三放大器为互补型放大器。
第二方面，本发明实施例还提供一种接收机，包括混频器、第四放大器，以及具有第一方面中任意一项特征的低噪声放大电路；其中，低噪声放大电路的输出端与混频器的一端相连，混频器的另一端与第四放大器的输入端相连。
进一步地，接收机的工作模式为电流模式；低噪声放大电路包括第三放大器；低噪声放大电路中的第三放大器为跨导放大器，混频器为电流模式的混频器，第四放大器为跨阻放大器。
进一步地，接收机的工作模式为电压模式；低噪声放大电路包括第三放大器；低噪声放大电路中的第三放大器为电压放大器，混频器为电压模式的混频器，第四放大器为电压放大器。
在本申请中，上述低噪声放大电路和接收机的名字对设备或功能模块本身不构成限定，在实际实现中，这些设备或功能模块可以以其他名称出现。只要各个设备或功能模块的功能和本申请类似，属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内。
本申请第二方面及其各种实现方式的具体描述，可以参考第一方面及其各种实现方式中的详细描述；并且，第二方面及其各种实现方式的有益效果，可以参考第一方面及其各种实现方式中的有益效果分析，此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。
图1为现有的无需片外SAW Filter接收机的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种低噪声放大电路的结构示意图一；
图3为本发明实施例提供的一种低噪声放大电路的结构示意图二；
图4为本发明实施例提供的一种低噪声放大电路的结构示意图三；
图5为本发明实施例提供的一种低噪声放大电路的结构示意图四；
图6为本发明实施例提供的输入4条开关电容支路的脉冲信号的波形图；
图7为本发明实施例提供的一种低噪声放大电路的结构示意图五；
图8为本发明实施例提供的输入8条开关电容支路的脉冲信号的波形图；
图9为本发明实施例提供的一种低噪声放大电路的结构示意图六；
图10为本发明实施例提供的一种接收机的结构示意图一；
图11为本发明实施例提供的一种接收机的结构示意图二；
图12为本发明实施例提供的一种接收机的结构示意图三。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透切理解本申请。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
此外，本申请的说明书和权利要求书及附图中的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
其中，本申请实施例中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。
需要说明的是：本发明实施例中所描述的“上”“下”只是参考附图对本发明进行说明，不作为限定用语。此外，本发明的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象，而不是用于限定特定顺序。
本发明实施例提供的技术方案可以应用于各种放大器。放大器是一种能把输入信号的电压或功率放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成，可以用在通讯、广播、雷达、电视、自动控制等各种装置中。
本发明实施例提供一种低噪声放大电路1，该低噪声放大电路1的结构图如图2所示，低噪声放大电路1包括输入端RF-IN、主信号通路10(图2中所指示的部分)、反馈回路11(图2中所指示的部分)和输出端RF-OUT，其中，主信号通路10的一端与输入端RF-IN相连，主信号通路10的另一端与输出端RF-OUT相连，反馈回路11的一端与输入端RF-IN相连，反馈回路11的另一端与输出端RF-OUT相连。
反馈回路11，用于对第一信号进行处理，生成第二信号。
主信号通路10，用于放大第一信号和第三信号，第三信号为第一信号与第二信号在输入端叠加后的信号。
其中，第一信号与第二信号叠加后，第一信号中的带外阻塞信号与第二信号中的带外阻塞信号相抵消。
本发明实施例提供的低噪声放大电路1，由于第一信号经过主信号通路10放大后，通过反馈回路11生成第二信号，返回到输入端RF-IN。并且第一信号和第二信号在输入端RF-IN相叠加，生成第三信号，从而使得经过主信号通路10放大的第三信号从输出端RF-OUT输出。由于第一信号的带外阻塞信号与第二信号中的带外阻塞信号相抵消，因此，生成的第三信号中没有带外阻塞信号，防止了带外阻塞信号进入接收机的混频器中，降低了接收机前端电路饱和的风险。
进一步地，如图3所示，反馈回路包括开关电容阵列110(图3中虚线框所指示的部分)、第一放大器AMP1、第二放大器AMP2、第一匹配回路111(图3中虚线框所指示的部分)和第二匹配回路112(图3中虚线框所指示的部分)。
其中，开关电容阵列110的一端与输入端RF-IN相连，开关电容阵列110的另一端与第一放大器AMP1的输出端相连，第一放大器AMP1的输入端与第二放大器AMP2的输出端相连，第二放大器AMP2的输入端与输出端RF-OUT相连，第一匹配回路111的一端接地，第一匹配回路111的另一端与输入端RF-IN相连，第二匹配回路112的一端与输入端RF-IN相连，第二匹配回路112的另一端与开关电容阵列110的另一端相连。
进一步的，如图3所示，第一匹配回路111包括第一开关K1和第一电阻R1；其中，第一电阻R1的一端接地，第一电阻R1的另一端与第一开关K1的一端相连，第一开关K1的另一端与输入端RF-IN相连。
第二匹配回路112包括第二开关K2和第二电阻R2；其中，第二电阻R2的一端与输入端RF-IN相连，第二电阻R2的另一端与第二开关K2的一端相连，第二开关K2的另一端与开关电容阵列110的另一端相连。
需要说明的是，第一匹配回路111中的第一开关K1和第二匹配回路112中的第二开关K2不同时开启。当输入信号的强度较小时，第二开关K2导通，第一开关K1断开时，由第二电阻R2完成输入信号的匹配；当输入信号的强度较大时，第二开关K2断开，第一开关K1导通时，由第一电阻R1完成输入信号的匹配。示例性的，对于输入信号的强度大小的判断可以设置一个预设阈值，当输入信号的强度大于预设阈值时，低噪声放大电路1认为输入信号的强度较大；当输入信号的强度小于或者等于预设阈值时，低噪声放大电路1认为输入信号的强度较小，本发明对此不作具体限制。
进一步的，如图4所示，开关电容阵列110包括2n条并联连接的开关电容支路，其中，n为大于或者等于2的正整数，输入2n条开关电容支路的脉冲信号的占空比的和为100％，且输入任意一条开关电容支路的脉冲信号的高电平不与输入其他开关电容支路的脉冲信号的高电平重合。
同时，每条开关电容支路均由一个开关管和一个电容串联而成，开关管为N沟道型晶体管，每条开关电容支路的N沟道型晶体管的栅极输入脉冲信号，每条开关电容支路的N沟道型晶体管的漏极均与输入端相连，每条开关电容支路的N沟道型晶体管的源极均与开关电容支路的电容的一端相连，每条开关电容支路的电容的另一端均与第一放大器的输出端相连。
需要说明的是，本发明实施例提到的开关管为N沟道型晶体管只是本发明实施例的一种可实现方式，开关管为P沟道型晶体管或者其他类型的开关管同样也属于本发明实施例的保护范围，本发明对此不做限制。
示例性的，如图5所示，当n的取值为2时，开关电容阵列110包括4条并联连接的开关电容支路，其中，图5中的开关电容阵列110从上至下依次为第一开关电容支路，第二开关电容支路，第三开关电容支路和第四开关电容支路。第一开关电容支路由开关管Q1和电容C1串联而成，第一开关电容支路的开关管Q1的栅极输入脉冲信号LO1(如图6所示)，第一开关电容支路的开关管Q1的漏极与输入端RF-IN相连，第一开关电容支路的开关管Q1源极均与第一开关电容支路的电容C1的一端相连，第一开关电容支路的电容C1的另一端均与第一放大器AMP1的一端相连。第二开关电容支路由开关管Q2和电容C2串联而成，第二开关电容支路的开关管Q2的栅极输入脉冲信号LO2(如图6所示)，第二开关电容支路的开关管Q2的漏极与输入端RF-IN相连，第二开关电容支路的开关管Q2源极均与第二开关电容支路的电容C2的一端相连，第二开关电容支路的电容C2的另一端均与第一放大器AMP1的一端相连。第三开关电容支路由开关管Q3和电容C3串联而成，第三开关电容支路的开关管Q3的栅极输入脉冲信号LO3(如图6所示)，第三开关电容支路的开关管Q3的漏极与输入端RF-IN相连，第三开关电容支路的开关管Q3源极均与第三开关电容支路的电容C3的一端相连，第三开关电容支路的电容C3的另一端均与第一放大器AMP1的一端相连。第四开关电容支路由开关管Q4和电容C4串联而成，第四开关电容支路的开关管Q4的栅极输入脉冲信号LO4(如图6所示)，第四开关电容支路的开关管Q4的漏极与输入端RF-IN相连，第四开关电容支路的开关管Q4源极均与第四开关电容支路的电容C4的一端相连，第四开关电容支路的电容C4的另一端均与第一放大器AMP1的一端相连。
同时，第一开关电容支路的电容C1、第二开关电容支路的电容C2、第三开关电容支路的电容C3和第四开关电容支路的电容C4大小相同，第一开关电容支路的开关管Q1、第二开关电容支路的开关管Q2、第三开关电容支路的开关管Q3和第四开关电容支路的开关管Q4的尺寸也相同。如图6所示，输入4条开关电容支路的脉冲信号(即LO1、LO2、LO3和LO4)的占空比的和为100％，假设每个脉冲信号的占空比相同，即输入每条开关电容支路的脉冲信号的占空比为25％，输入任意一条开关电容支路的脉冲信号的高电平不与输入其他开关电容支路的脉冲信号的高电平重合。以使得开关电容阵列110在输入端RF-IN形成以有用信号为中心的窄带带通滤波器，并且该开关电容阵列110受米勒效应的影响，会在输入端RF-IN形成等价的电容阵列，而且等价阵列中的电容是等效的经过放大的米勒电容值；在第一开关K1和第二开关K2的控制下，电容在低频频率处的低通阻抗特性被转移到射频，从而在射频频率处呈现出带通的并且具有很高品质因数的阻抗特性，从而来过滤带外阻塞信号。其中，米勒效应是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。
又示例性的，如图7所示，当n的取值为3时，开关电容阵列110包括8条并联连接的开关电容支路，其中，图7中的开关电容阵列110从上至下依次为第一开关电容支路，第二开关电容支路，第三开关电容支路、第四开关电容支路、第五开关电容支路，第六开关电容支路，第七开关电容支路和第八开关电容支路。第一开关电容支路由开关管Q1和电容C1串联而成，第一开关电容支路的开关管Q1的栅极输入脉冲信号LO1(如图8所示)。第二开关电容支路由开关管Q2和电容C2串联而成，第二开关电容支路的开关管Q2的栅极输入脉冲信号LO2(如图8所示)。第三开关电容支路由开关管Q3和电容C3串联而成，第三开关电容支路的开关管Q3的栅极输入脉冲信号LO3(如图8所示)。第四开关电容支路由开关管Q4和电容C4串联而成，第四开关电容支路的开关管Q4的栅极输入脉冲信号LO4(如图8所示)。第五开关电容支路由开关管Q5和电容C5串联而成，第五开关电容支路的开关管Q5的栅极输入脉冲信号LO5(如图8所示)。第六开关电容支路由开关管Q6和电容C6串联而成，第六开关电容支路的开关管Q6的栅极输入脉冲信号LO6(如图8所示)。第七开关电容支路由开关管Q7和电容C7串联而成，第七开关电容支路的开关管Q7的栅极输入脉冲信号LO7(如图8所示)。第八开关电容支路由开关管Q8和电容C8串联而成，第八开关电容支路的开关管Q8的栅极输入脉冲信号LO8(如图8所示)。
同时，第一开关电容支路的电容C1、第二开关电容支路的电容C2、第三开关电容支路的电容C3、第四开关电容支路的电容C4、第五开关电容支路的电容C5、第六开关电容支路的电容C6、第七开关电容支路的电容C7和第八开关电容支路的电容C8大小相同；第一开关电容支路的开关管Q1、第二开关电容支路的开关管Q2、第三开关电容支路的开关管Q3、第四开关电容支路的开关管Q4、第五开关电容支路的开关管Q5、第六开关电容支路的开关管Q6、第七开关电容支路的开关管Q7和第八开关电容支路的开关管Q8的尺寸也相同。如图8所示，输入8条开关电容支路的脉冲信号(即LO1、LO2、LO3、LO4、LO5、LO6、LO7和LO8)的占空比的和为100％，假设每个脉冲信号的占空比相同，即输入每条开关电容支路的脉冲信号的占空比为12.5％，输入任意一条开关电容支路的脉冲信号的高电平不与输入其他开关电容支路的脉冲信号的高电平重合。以使得开关电容阵列110在输入端RF-IN形成以有用信号为中心的窄带带通滤波器，来过滤带外阻塞信号，同时该滤波器具有很高的品质因数。
具体的，本发明实施例中提到的第一放大器AMP1和第二放大器AMP2均为互补型放大器。
进一步的，主信号通路10至少包括第三放大器AMP3，第三放大器AMP3为互补型放大器。其中，第三放大器AMP3的输入端与输入端RF-IN相连，第三放大器AMP3的输出端与输出端RF-OUT相连。
可选的，如图9所示，第三放大器AMP3(图9中虚线框10所指示的部分)可以为增益可调型自偏置互补放大器，第一放大器AMP1也为自偏置互补放大器，第二放大器AMP2为互补放大器。其中，第一放大器AMP1、第二放大器AMP2和第三放大器AMP3可以接同一个通用直流电源VDD，也能接不同的通用直流电源，本发明对此不做限制。
本发明实施例提供一种低噪声放大电路，包括输入端、主信号通路、反馈回路和输出端，其中，主信号通路的一端与输入端相连，主信号通路的另一端与输出端相连，反馈回路的一端与输入端相连，反馈回路的另一端与输出端相连，反馈回路包括开关电容阵列、第一放大器、第二放大器、第一匹配回路和第二匹配回路；其中，开关电容阵列的一端与输入端相连，开关电容阵列的另一端与第一放大器的一端相连，第一放大器的另一端与第二放大器的一端相连，第二放大器的另一端与输出端相连，第一匹配回路的一端接地，第一匹配回路的另一端与输入端相连，第二匹配回路的一端与输入端相连，第二匹配回路的另一端与开关电容阵列的另一端相连。基于上述实施例的描述，由于第一信号经过主信号通路放大后，通过反馈回路生成第二信号，第一信号和第二信号在输入端相叠加，且第一信号的带外阻塞信号与第二信号中的带外阻塞信号相抵消，因此，生成的第三信号中没有带外阻塞信号，从而防止带外阻塞信号进入接收机的混频器中，降低了接收机前端电路饱和的风险。
本发明实施例还提供一种接收机，当接收机包含上述任意一项低噪声放大电路时，如图10所示，接收机包括混频器2、第四放大器AMP4，以及具有上述任意一项特征的低噪声放大电路1。其中，低噪声放大电路1的输出端与混频器2的一端相连，混频器2的另一端与第四放大器AMP4的输入端相连。
可选的，如图11所示，接收机的工作模式为电流模式。低噪声放大电路包括第三放大器。
低噪声放大电路1中的第三放大器AMP3为跨导放大器(Trans-ConductanceAmplifier，TCA)，混频器2为电流模式的混频器，第四放大器AMP4为跨阻放大器(Trans-Impedance Amplifier，TIA)。
需要说明的是，当接收机的工作模式为电流模式时，低噪声放大电路1的输入端RF-IN输入电压信号，经过低噪声放大电路1中第三放大器AMP3放大后，由于第三放大器AMP3为跨导放大器，输出端RF-OUT输出电流信号；随后，该电流信号经过电流模式的混频器混频后，输入到第四放大器AMP4，由于第四放大器AMP4为跨阻放大器，电流信号在经过第四放大器AMP4放大后，变为电压信号从第四放大器AMP4的输出端输出。
可选的，如图12所示，接收机的工作模式为电压模式。低噪声放大电路包括第三放大器。
低噪声放大电路1中的第三放大器AMP3为电压放大器，混频器2为电压模式的混频器，第四放大器AMP4为电压放大器。
具体的，第三放大器AMP3可以为射频放大器(Radio Frequency Amplifier，RF-AMP)，第四放大器AMP4可以为中频放大器(Intermediate Frequency Amplifier，IF-AMP)。其中，RF-AMP和IF-AMP都属于电压放大器。
需要说明的是，当接收机的工作模式为电压模式时，低噪声放大电路1的输入端RF-IN输入电压信号，经过低噪声放大电路1中第三放大器AMP3放大后，由于第三放大器AMP3为电压放大器，输出端RF-OUT输出电压信号；随后，该电压信号经过电压模式的混频器混频后，输入到第四放大器AMP4，由于第四放大器AMP4为电压放大器，电压信号在经过第四放大器AMP4放大后，从第四放大器AMP4的输出端输出。
本发明实施例提供了一种接收机。由于第一信号经过主信号通路放大后，通过反馈回路生成第二信号，第一信号和第二信号在输入端相叠加，且第一信号的带外阻塞信号与第二信号中的带外阻塞信号相抵消，因此，生成的第三信号中没有带外阻塞信号，从而防止带外阻塞信号进入接收机的混频器中，降低了接收机前端电路饱和的风险。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (7)
1.一种低噪声放大电路，包括输入端、主信号通路、反馈回路和输出端，其中，所述主信号通路的一端与所述输入端相连，所述主信号通路的另一端与所述输出端相连，所述反馈回路的一端与所述输入端相连，所述反馈回路的另一端与所述输出端相连，其特征在于，
所述反馈回路，用于对第一信号进行处理，生成第二信号；所述反馈回路包括开关电容阵列、第一放大器、第二放大器、第一匹配回路和第二匹配回路；其中，所述开关电容阵列的一端与所述输入端相连，所述开关电容阵列的另一端与所述第一放大器的输出端相连，所述第一放大器的输入端与所述第二放大器的输出端相连，所述第二放大器的输入端与所述输出端相连，所述第一匹配回路的一端接地，所述第一匹配回路的另一端与所述输入端相连，所述第二匹配回路的一端与所述输入端相连，所述第二匹配回路的另一端与所述开关电容阵列的另一端相连；
所述主信号通路，用于放大所述第一信号和第三信号，所述第三信号为所述第一信号与所述第二信号在输入端叠加后的信号；
其中，所述第一信号与所述第二信号叠加后，所述第一信号中的带外阻塞信号与所述第二信号中的带外阻塞信号相抵消；
所述第一匹配回路包括第一开关和第一电阻；
其中，所述第一电阻的一端接地，所述第一电阻的另一端与所述第一开关的一端相连，所述第一开关的另一端与所述输入端相连；
所述第二匹配回路包括第二开关和第二电阻；
其中，所述第二电阻的一端与所述输入端相连，所述第二电阻的另一端与所述第二开关的一端相连，所述第二开关的另一端与所述开关电容阵列的另一端相连；
所述第一开关和所述第二开关不同时开启；
当输入信号的强度小于预设阈值时，所述第二开关导通，所述第一开关断开，由所述第二电阻完成所述输入信号的匹配；
当所述输入信号的强度大于所述预设阈值时，所述第二开关断开，所述第一开关导通，由所述第一电阻完成所述输入信号的匹配。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述开关电容阵列包括2n条并联连接的开关电容支路，其中，n为大于或者等于2的正整数，输入2n条所述开关电容支路的脉冲信号的占空比的和为100％，且输入任意一条所述开关电容支路的脉冲信号的高电平不与输入其他所述开关电容支路的脉冲信号的高电平重合。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大电路，其特征在于，每条所述开关电容支路均包括一个开关管和一个电容，所述开关管为N沟道型晶体管，每条所述开关电容支路的N沟道型晶体管的栅极输入脉冲信号，每条所述开关电容支路的N沟道型晶体管的漏极均与所述输入端相连，每条所述开关电容支路的N沟道型晶体管的源极均与所述开关电容支路的电容的一端相连，每条所述开关电容支路的电容的另一端均与所述第一放大器的输出端相连。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一放大器和所述第二放大器均为互补型放大器。
5.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述主信号通路至少包括第三放大器，所述第三放大器为互补型放大器。
6.一种接收机，其特征在于，包括：混频器、第四放大器，以及如权利要求1-5中任意一项所述的低噪声放大电路；
其中，所述低噪声放大电路的输出端与所述混频器的一端相连，所述混频器的另一端与所述第四放大器的输入端相连。
7.根据权利要求6所述的接收机，其特征在于，所述低噪声放大电路包括第三放大器；
所述接收机的工作模式为电流模式；所述低噪声放大电路中的所述第三放大器为跨导放大器，所述混频器为电流模式的混频器，所述第四放大器为跨阻放大器；
或者，
所述接收机的工作模式为电压模式；所述低噪声放大电路中的所述第三放大器为电压放大器，所述混频器为电压模式的混频器，所述第四放大器为电压放大器。
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