CN107773259B - 一种平板探测器、x射线成像系统及自动曝光检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种平板探测器、X射线成像系统及自动曝光检测方法，包括：第一闪烁体层、图像传感器、自动曝光检测传感器及PCB电路板；与X射线源、显示设备组成X射线成像系统。自动曝光检测传感器清空各像素单元中的电荷；采集各像素单元中的电荷，并计算其累积分布函数，以累积分布函数的设定概率所对应的电压值作为参考值；若所述参考值未超出阈值电压则判定为无X射线，返回清空；若所述参考值超出阈值电压则判定为有X射线，执行下一次清空、采集和比较，至少连续2次判定有X射线则发出曝光请求信号以实现自动曝光检测。本发明实现自动曝光检测的全视野检测，减少误触发，灵敏度高，有效提高图像采集质量。
Description
技术领域
本发明涉及医疗影像诊断领域，特别是涉及一种平板探测器、X射线成像系统及自动曝光检测方法。
背景技术
X射线摄影术利用X射线短波长、易穿透的性质，以及不同组织对X射线吸收不同的特点，通过探测透过物体的X射线的强度来成像。FPD(Flat Panel Detector)，平板探测器)作为X射线成像系统的核心部件，负责将X射线转化成电信号并记录成像，可通过显示器适时显示，亦可存储下来供后续读取。
一般来说，FPD包括闪烁体、图像传感器(Image Sensor)、控制模块、信号处理模块和通信模块。闪烁体吸收X光将其转化为可见光；图像传感器由光电二极管(photodiode)和TFT开关(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)组成的像素阵列构成，在控制电路的驱动下，将闪烁体产生的可见光转化为电信号；信号处理模块将电信号放大并通过模数转换器转换成数字信号，通过矫正补偿处理后成像。
在X射线源和FPD有通信(有线或无线)的情况下，一种曝光模式是X射线源主动发出曝光请求信号给FPD，紧接着FPD在控制模块驱动下逐行完成残留电荷清空，待清空完毕FPD发出曝光请求信号给X射线源，准备曝光，X射线源收到FPD曝光请求信号后随即开始曝光。待曝光结束后，FPD开始采集正比于X射线照射强度的电信号，经信号处理后成像。在通信界面存在情况下，精确控制时序可以获得很好的图像质量。
移动、便携性对FPD提出了更高的要求。在FPD和X射线源不存在通信界面的情况下，为了实现准确曝光，获得高质量的图像，一种方法是在FPD内置一个能感应X光的传感器，它能自动识别是否有X射线从球管射出，若有X光照，便发送信号给探测器准备接受曝光，这便是自动曝光检测技术(AED)。这种模式下，探测器一直处于自清空的状态，当X射线源发出X射线，FPD内部的AED传感器立即检测到X光照，发出一个曝光请求信号给探测器，探测器停止清空接受曝光，曝光结束采集信号。
现有AED技术实现主要包括两类。一类是在图像传感器后面另加一个AED传感器，通过检测透过图像传感器的X光或可见光的强度变化来识别X射线曝光开始和结束。这种AED传感器实则为光电二极管，负责将可见光转化为电信号。由于尺寸和成本限制，AED传感器通常只覆盖图像传感器很小的一部分，比如位于图像传感器的中部和(或)边缘，而被照物体的大小、形状及所处的位置是不定的。若位置固定、面积有限的AED传感器接收到的X光强度过低，AED传感器无法准确判别是否有X光照，便无法准确地发送曝光请求信号给探测器开始曝光，灵敏度降低。这种设计的缺点是AED传感器无法全视野检测，被照物的大小、形状及所处的位置影响其探测灵敏度和准确率。
另一类是选择部分图像传感器的像素单元作为AED传感器单元，这些像素单元成矩阵式分布于图像传感器的中部和(或)边缘。与图像传感器单元不同的是，AED传感器单元总是TFT短路的，它们无法同时作为成像单元使用，降低了成像的分辨率。同样由于AED传感器无法实现全视野检测，被照物的大小、形状及所处的位置影响其探测灵敏度和准确率。
AED技术简化了曝光操作，使得整个曝光过程更简单，因此，在AED技术的基础上，如何实现全视野检测，减少误触发，提高灵敏度已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种平板探测器、X射线成像系统及自动曝光检测方法，用于解决现有技术中AED传感器无法全视野检测、误触发多等问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种平板探测器，所述平板探测器至少包括：
第一闪烁体层，用于将X射线转化为可见光；
位于所述第一闪烁体层下层的图像传感器，用于采集图像信息；
位于所述图像传感器下层的自动曝光检测传感器，根据穿过所述图像传感器的光信号检测曝光动作，并触发曝光请求信号；
其中，所述自动曝光检测传感器的尺寸不小于所述图像传感器的尺寸，包括第一像素阵列、第一扫描驱动电路及第一读取控制电路；所述第一像素阵列接收光信号，并转化为电信号后储存于各像素单元中；所述第一扫描驱动电路连接所述第一像素阵列，用于逐行打开各像素单元；所述第一读取控制电路连接所述第一像素阵列，用于读取各像素单元中的电荷；
以及，位于所述自动曝光检测传感器下层的PCB电路板，接收曝光请求信号，并据此读取图像信息，对图像信息进行处理。
优选地，所述图像传感器包括：第二像素阵列、第二扫描驱动电路及第二读取控制电路；所述第二像素阵列接收带有图像信息的光信号，并转化为电信号后储存于各像素单元中；所述第二扫描驱动电路连接所述第二像素阵列，用于逐行打开各像素单元；所述第二读取控制电路连接所述第二像素阵列，用于读取各像素单元中的电荷。
更优选地，所述第二像素阵列中的像素单元的面积小于所述第一像素阵列中的像素单元的面积。
优选地，所述自动曝光检测传感器采用柔性电路。
更优选地，所述柔性电路包括基底层，以及制备于所述有机基底层上非晶硅传感器。
更优选地，所述柔性电路包括基底层、制备于所述基底层上的有机薄膜晶体管基板及制备于所述有机薄膜晶体管基板上的有机光电二极管基板。
更优选地，所述PCB电路板包括：控制模块、处理模块及通信模块；所述控制模块连接所述图像传感器及所述自动曝光检测传感器，用于输出控制信号；所述处理模块连接所述控制模块、所述图像传感器及所述自动曝光检测传感器，根据所述控制模块的控制对所述图像传感器及所述自动曝光检测传感器中的信号进行处理；所述通信模块连接于所述处理模块，用于数据的传输。
优选地，所述平板探测器还包括位于所述图像传感器及所述自动曝光检测传感器之间的第二闪烁体层。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明还提供一种X射线成像系统，所述X射线成像系统至少包括：
X射线源，与所述X射线源相对设置的上述平板探测器及与所述平板探测器连接的显示设备；
所述X射线源发射X射线，并照射到被测物上；所述平板探测器接收带有所述被测物图像信息的X射线，并转化为电信号；所述显示设备将所述平板探测器传输过来的电信号还原为图像信息。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明还提供一种自动曝光检测方法，所述自动曝光检测方法至少包括：
步骤S21：自动曝光检测传感器清空各像素单元中的电荷；
步骤S22：所述自动曝光检测传感器采集各像素单元中的电荷，并计算其累积分布函数，以累积分布函数的设定概率所对应的电压值作为参考值；
步骤S23：若所述参考值未超出阈值电压则判定为无X射线，返回步骤S21；若所述参考值超出阈值电压则判定为有X射线，执行下一次清空、采集和比较，至少连续2次判定有X射线则发出曝光请求信号。
优选地，所述参考值设定为累积概率为80％～100％区间的电压值。
如上所述，本发明的平板探测器、X射线成像系统及自动曝光检测方法，具有以下有益效果：
1、图像传感器和自动曝光检测传感器分离，不影响图像传感器的分辨率，成像质量无损。
2、全视野自动曝光检测，不依赖于被照物的大小、形状和成像位置，灵敏度更高。
3、自动曝光检测传感器的像素感光面积大，可接收更多的光子照射，灵敏度高。
4、改进了自动曝光检测识别X光照的算法，使用多次判断，提高判断准确度，减少误触发。
5、采用有机柔性电路作为自动曝光检测传感器，其光电二极管对可见光的吸收更强，同等吸收下跟现有非晶硅传感器相比可以做的更薄更轻，贴附于图像传感器的后面，不增加现有FPD的体积，不影响电子电路的设计和布局，兼容性好。
附图说明
图1显示为本发明的平板探测器的结构示意图。
图2显示为本发明的图像传感器的结构示意图。
图3显示为本发明的自动曝光检测传感器的结构示意图。
图4显示为本发明的X射线成像系统的结构示意图。
图5显示为本发明的平板探测器的工作流程示意图。
图6显示为本发明的自动曝光检测方法的工作流程示意图。
图7显示为本发明的自动曝光检测传感器电压信号的累积分布函数示意图。
元件标号说明
1 平板探测器
11 第一闪烁体层
12 图像传感器
121 第二像素阵列
1211 像素单元
122 第二扫描驱动电路
123 第二读取控制电路
13 自动曝光检测传感器
131 第一像素阵列
1311 像素单元
132 第一扫描驱动电路
133 第一读取控制电路
14 PCB电路板
S1～S4 步骤
S21～S23 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1所示，本发明提供一种平板探测器1，所述平板探测器1至少包括：
第一闪烁体层11、图像传感器12、自动曝光检测传感器13、以及PCB电路板14。
如图1所示，所述第一闪烁体层11位于顶层，用于直接接收X射线，并将X射线转化为可见光。在实际使应用中，所述第一闪烁体层11并不能将X射线完全转化为可见光，部分X射线会穿透所述第一闪烁体层11。
如图1所示，所述图像传感器12位于所述第一闪烁体层11的下层，用于采集图像信息。
具体地，如图2所示，所述图像传感器12包括：第二像素阵列121、第二扫描驱动电路122及第二读取控制电路123。所述第二像素阵列121由像素单元1211规则排布而成，各像素单元1211包括光电二极管及TFT开关，光电二极管接收所述第一闪烁体层11转化后的可见光，并产生光生载流子，转化为正比于可见光(X射线)照射强度的电信号。所述第二扫描驱动电路122连接所述第二像素阵列121，控制各行TFT开关的栅极，并通过电压控制TFT开关的源极和漏极之间的导通和关断。所述第二读取控制电路123连接所述第二像素阵列121，在对应行TFT开关导通的情况下读取各像素单元中的电荷，进而实现图像信息的读取。所述第二像素阵列121中像素单元1211的大小决定成像的分辨率。
如图1所示，所述自动曝光检测传感器13位于所述图像传感器12的下层，根据穿过所述图像传感器12的光信号检测曝光动作，并触发曝光请求信号。
具体地，所述自动曝光检测传感器13的尺寸不小于所述图像传感器12的尺寸，在本实施例中，所述自动曝光检测传感器13的尺寸与所述图像传感器12的尺寸一致，以实现全视野自动曝光检测。如图3所示，所述自动曝光检测传感器13包括：第一像素阵列131、第一扫描驱动电路132及第一读取控制电路133。所述第一像素阵列131由像素单元1311规则排布而成，各像素单元1311包括光电二极管及TFT开关，光电二极管接收透过所述图像传感器的可见光或X射线，产生光生载流子。所述第一扫描驱动电路132连接所述第一像素阵列131，控制各TFT开关打开各像素单元。所述第一读取控制电路133连接所述第一像素阵列131，实现曝光检测信号的读取。所述自动曝光检测传感器13并不追求如所述图像传感器12一样的高分辨率，为了提高曝光检测的灵敏度和检测速度，所述自动曝光检测传感器13的像素单元的面积大于所述图像传感器12的像素单元的面积，以使光电二极管接受更多的光照，同时像素数量减少，信号读取更快。在本实施例中，所述自动曝光检测传感器13的像素单元面积是所述图像传感器12的像素单元面积的1000倍。所述自动曝光检测传感器13的像素单元面积需要综合考虑分辨率、灵敏度等因素，可根据需要选择更大或更小面积的像素，满足不同应用需求，不以本实施例为限。
具体地，所述自动曝光检测传感器13采用柔性电路。作为本发明的一实施方式，所述柔性电路为新型有机传感器，包括基底层、有机薄膜晶体管基板及有机光电二极管基板。所述基底层的材料包括但不限于有机材料、金属薄片、玻璃，所述基底层具有良好的延展性，使得所述自动曝光检测传感器13可弯折；所述有机薄膜晶体管基板制备于所述基底层上，其材料包括但不限于Pentacene(并五苯)、vanadium oxide phthalocyanine(氧化钒酞菁)、polythiophene(聚噻吩)，有机半导体材料具有较高的迁移率，使得TFT开关的响应速度更快；所述有机光电二极管基板制备于所述有机薄膜晶体管基板上，其有源区包括P型及N型两种材料，包括但不限于PCBM/P3HT(富勒烯衍生物/3-己基噻吩聚合物)、PCBM/OC1C10-PPV(富勒烯衍生物/PPV衍生物)、fullerene/zinc phthalocyanine(富勒烯/酞氰化锌)，由于制备光电二极管的有机材料具有较高的光吸收率，使得所述自动曝光检测传感器13可以做的更薄更轻。相比传统的硅工艺，有机器件的生长工艺简单，可通过旋涂、喷涂、打印等低温工艺生长，工艺条件友好，容易做到大面积生长，成本更低。
具体地，作为本发明的另一实施方式，所述柔性电路包括基底层，以及制备于所述有机基底层上非晶硅传感器。所述基底层的材料包括但不限于有机材料、金属薄片、玻璃，所述基底层具有良好的延展性，使得所述自动曝光检测传感器13可弯折。所述非晶硅传感器的工艺与现有的非晶硅制备工艺相同，在此不一一赘述。
如图1所示，所述PCB电路板14位于所述自动曝光检测传感器13的下层，接收所述曝光请求信号，并据此读取图像信息，对图像信息进行处理。
具体他，如图4所示，所述PCB电路板14包括控制模块，处理模块及通信模块。所述控制模块连接所述图像传感器12及所述自动曝光检测传感器13，用于输出控制信号；所述处理模块连接所述控制模块、所述图像传感器12及所述自动曝光检测传感器13，根据所述控制模块的控制对所述图像传感器12及所述自动曝光检测传感器13中的信号进行处理；所述通信模块连接于所述处理模块，用于数据的传输。
进一步，所述平板探测器1还包括位于所述图像传感器12及所述自动曝光检测传感器13之间的第二闪烁体层(图中未显示)。X射线经过被照物体和第一层闪烁体层后，并不能完全被吸收掉，仍有少部分X射线透过所述图像传感器12，所述第二闪烁体层将透过所述图像传感器12的X射线转化为可见光，用于进一步的光信号检测。
所述平板探测器1采用新型的工艺简单的、轻且薄的有机柔性传感器作为自动曝光检测传感器贴附在图像传感器背面，其尺寸和图像传感器一样，全视野覆盖成像区域。自动曝光检测传感器与图像传感器分离，不影响成像分辨率；全视野覆盖，不依赖于被照物大小、形状和在平板探测器上的成像位置，灵敏度更高。
如图4所示，本发明提供一种X射线成像系统，所述X射线成像系统包括：X射线源2；所述平板探测器1，与所述X射线源2相对设置；以及与所述平板探测器1连接的显示设备3。
所述X射线源2发射X射线，并照射到被测物上；所述平板探测器1接收带有所述被测物图像信息的X射线，并转化为电信号；所述显示设备3将所述平板探测器传输过来的电信号还原为图像信息。
其中，X射线透过被照物后经第一闪烁体层转化为可见光，图像传感器将可见光转化为电信号，在控制电路的驱动下逐行采集成像，经处理模块优化校准后通过通信接口在显示设备上适时显示。自动曝光检测传感器位于图像传感器的背面，通过识别透过图像传感器的可见光强度来判断是否有X光照射，若有X光照便向图像传感器发送曝光请求信号，图像传感器收到信号后接受曝光采集成像。在FPD和X射线源无通信情况下，自动检测是否有X射线光照，实现自动曝光采集成像。
如图5所示，所述平板探测器1的工作原理如下：
步骤S1：所述控制模块控制所述图像传感器12逐行清空，以清除各像素单元1211中的电荷。
步骤S2：所述自动曝光检测传感器13进行自动曝光检测，判断是否有X射线发出；若有，则发出曝光请求信号，所述图像传感器12接收曝光请求信号；若没有，则返回步骤S1。
具体地，如图6所示，所述自动曝光检测方法至少包括：
步骤S21：所述自动曝光检测传感器13清空各像素单元1311中的电荷。
步骤S22：所述自动曝光检测传感器13采集各像素单元1311中的电荷，并计算其累积分布函数，以累积分布函数的设定概率所对应的电压值作为参考值。
更具体地，所述自动曝光检测传感器13采集到的电压信号为二维矩阵，传输给处理模块，执行运算，以二维矩阵电压值作为x轴画累积分布函数，y轴为概率，如图7所示，累积分布函数能完整描述一个实数随机变量的概率分布，是概率密度函数的积分。所述参考值设定为累积概率为80％～100％区间的电压值，如图7所示。在本实施例中，所述累积分布函数的设定概率为90％，即取概率为90％对应的电压值作为参考值Vout(0.9)。在本实施例中，选择累积分布函数y轴概率为90％的值作为参考，是为了选取一个接近最大值(对应的概率为100％)的值，不选取最大值作为参考值是为避开不确定因素所引起的非正常曝光，这些值可能偏离主体曝光值很远，不适宜作为参考，因此宜选取接近最大值的值，而非最大值，当然参考值不限于概率为90％的值，概率处于80％到100％之间的值都可以作为参考，不以本实施例为限。
步骤S23：若所述参考值未超出阈值电压则判定为无X射线，返回步骤S21；若所述参考值超出阈值电压则判定为有X射线，执行下一次清空、采集和比较，至少连续2次判定有X射线则发出曝光请求信号。
更具体地，将所述参考值Vout(0.9)与预设的阈值电压Vth比较，当Vout(0.9)>＝Vth时，判定为有X光照，若Vout(0.9)＜＝Vth判定为无X光照，继续执行下一次清空采集识别。为了避免外界引入的电磁干扰等因素导致的误触发，我们设定当至少连续2次得到Vout(0.9)>＝Vth时，判定为X射线源开始曝光，随即发送曝光请求信号给图像传感器开始曝光。在本实施例中，权衡效率和准确性，以3次为最优方案。所述阈值电压需要根据具体的电路要求、以及技术人员的经验来进行设定，在此不做具体设定。
步骤S3：所述图像传感器12接收到曝光请求信号后，停止清空，开启曝光窗口准备曝光。
步骤S4：曝光结束后在控制电路的驱动下开始逐行读取所述图像传感器12中的电信号，经所述处理模块进行放大、数模转换、矫正补偿处理，最终在所述显示设备上成像。
如上所述，本发明的平板探测器、X射线成像系统及自动曝光检测方法，具有以下有益效果：
1、图像传感器和自动曝光检测传感器分离，不影响图像传感器的分辨率，成像质量无损。
2、全视野自动曝光检测，不依赖于被照物的大小、形状和成像位置，灵敏度更高。
3、自动曝光检测传感器的像素感光面积大，可接收更多的光子照射，灵敏度高。
4、改进了自动曝光检测识别X光照的算法，使用多次判断，提高判断准确度，减少误触发。
5、采用有机柔性电路作为自动曝光检测传感器，其光电二极管的光吸收强度大，同等吸收下跟现有非晶硅传感器相比可以做的更薄更轻，贴附于图像传感器的后面，不增加现有FPD的体积，不影响电子电路的设计和布局，兼容性好。
综上所述，本发明提供一种平板探测器，包括：第一闪烁体层，用于将X射线转化为可见光；位于所述第一闪烁体层下层的图像传感器，用于采集图像信息；位于所述图像传感器下层的自动曝光检测传感器，根据穿过所述图像传感器的光信号检测曝光动作，并触发曝光请求信号；其中，所述自动曝光检测传感器的尺寸不小于所述图像传感器的尺寸，包括第一像素阵列、第一扫描驱动电路及第一读取控制电路；所述第一像素阵列接收光信号，并转化为电信号后储存于各像素单元中；所述第一扫描驱动电路连接所述第一像素阵列，用于逐行打开各像素单元；所述第一读取控制电路连接所述第一像素阵列，用于读取各像素单元中的电荷；以及，位于所述自动曝光检测传感器下层的PCB电路板，接收曝光请求信号，并据此读取图像信息，对图像信息进行处理。一种X射线成像系统，至少包括：X射线源，与所述X射线源相对设置的上述的平板探测器及与所述平板探测器连接的显示设备。还提供一种自动曝光检测方法，包括：自动曝光检测传感器清空各像素单元中的电荷；所述自动曝光检测传感器采集各像素单元中的电荷，并计算其累积分布函数，以累积分布函数的设定概率所对应的电压值作为参考值；若所述参考值未超出阈值电压则判定为无X射线，返回上一步；若所述参考值超出阈值电压则判定为有X射线，执行下一次清空、采集和比较，至少连续2次判定有X射线则发出曝光请求信号。本发明的自动曝光检测(AED)技术在探测器和X射线源无通信的情况下，适时准确地检测来自射线源的X光照射，触发探测器准备接受曝光，在移动X射线摄影系统中应用广泛。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (6)
1.一种平板探测器，其特征在于，所述平板探测器至少包括：
第一闪烁体层，用于将X射线转化为可见光；
位于所述第一闪烁体层下层的图像传感器，用于采集图像信息；
位于所述图像传感器下层的自动曝光检测传感器，根据穿过所述图像传感器的光信号检测曝光动作，并触发曝光请求信号；
其中，所述自动曝光检测传感器，包括第一像素阵列、第一扫描驱动电路及第一读取控制电路；所述第一像素阵列由像素单元规则排布而成，各像素单元包括光电二极管及TFT开关，所述第一像素阵列接收光信号，并转化为电信号后储存于各像素单元中；所述第一扫描驱动电路连接所述第一像素阵列，用于逐行打开各像素单元；所述第一读取控制电路连接所述第一像素阵列，用于读取各像素单元中的电荷；
所述自动曝光检测传感器的尺寸与所述图像传感器的尺寸一致，且所述自动曝光检测传感器的像素单元的面积大于所述图像传感器的像素单元的面积，以实现全视野自动曝光检测，且使光电二极管接受更多的光照，同时像素数量减少，信号读取更快；
其中，所述自动曝光检测传感器接收透过所述图像传感器的可见光或X射线，产生光生载流子；所述自动曝光检测传感器采集各像素单元中的电荷，并计算其累积分布函数，以累积分布函数的设定概率所对应的电压值作为参考值进行自动曝光；其中，所述自动曝光检测传感器采集到的电压信号为二维矩阵，传输给处理模块，执行运算，以二维矩阵电压值作为x轴，y轴为概率，画累积分布函数；
以及，位于所述自动曝光检测传感器下层的PCB电路板，接收曝光请求信号，并据此读取图像信息，对图像信息进行处理；
所述自动曝光检测传感器采用柔性电路；所述柔性电路包括基底层、制备于所述基底层上的有机薄膜晶体管基板及制备于所述有机薄膜晶体管基板上的有机光电二极管基板；所述有机薄膜晶体管基板制备于所述基底层上，其材料包括并五苯、氧化钒酞菁或聚噻吩，使得TFT开关的响应速度更快；所述有机光电二极管基板制备于所述有机薄膜晶体管基板上，其有源区包括P型及N型两种材料，包括富勒烯衍生物/ 3-己基噻吩聚合物、富勒烯衍生物/PPV衍生物或富勒烯/酞氰化锌，以使得制备的光电二极管具有较高的光吸收率。
2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于：所述图像传感器包括：第二像素阵列、第二扫描驱动电路及第二读取控制电路；所述第二像素阵列接收带有图像信息的光信号，并转化为电信号后储存于各像素单元中；所述第二扫描驱动电路连接所述第二像素阵列，用于逐行打开各像素单元；所述第二读取控制电路连接所述第二像素阵列，用于读取各像素单元中的电荷。
3.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于：所述PCB电路板包括：控制模块、处理模块及通信模块；所述控制模块连接所述图像传感器及所述自动曝光检测传感器，用于输出控制信号；所述处理模块连接所述控制模块、所述图像传感器及所述自动曝光检测传感器，根据所述控制模块的控制对所述图像传感器及所述自动曝光检测传感器中的信号进行处理；所述通信模块连接于所述处理模块，用于数据的传输。
4.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于：所述平板探测器还包括位于所述图像传感器及所述自动曝光检测传感器之间的第二闪烁体层。
5.一种X射线成像系统，其特征在于，所述X射线成像系统至少包括：
X射线源，与所述X射线源相对设置的如权利要求1~4任意一项所述的平板探测器 及与所述平板探测器连接的显示设备；
所述X射线源发射X射线，并照射到被测物上；所述平板探测器接收带有所述被测物图像信息的X射线，并转化为电信号；所述显示设备将所述平板探测器传输过来的电信号还原为图像信息。
6.一种使用权利要求1-4任一项所述的平板探测器进行成像方法，其特征在于，所述成像方法至少包括：
步骤S1：所述控制模块控制所述图像传感器逐行清空，以清除各像素单元中的电荷；
步骤S2：所述自动曝光检测传感器进行自动曝光检测，判断是否有X射线发出；若有，则发出曝光请求信号，所述图像传感器接收曝光请求信号；若没有，则返回步骤S1；
其中，所述自动曝光检测方法至少包括：
步骤S21：自动曝光检测传感器清空各像素单元中的电荷；
步骤S22：所述自动曝光检测传感器采集各像素单元中的电荷，并计算其累积分布函数，以累积分布函数的设定概率所对应的电压值作为参考值；其中，所述自动曝光检测传感器采集到的电压信号为二维矩阵，传输给处理模块，执行运算，以二维矩阵电压值作为x轴画累积分布函数，y轴为概率；所述参考值设定为累积概率为80%~100%区间的电压值，以避开不确定因素所引起的非正常曝光；
步骤S23：若所述参考值未超出阈值电压则判定为无X射线，返回步骤S21；若所述参考值超出阈值电压则判定为有X射线，执行下一次清空、采集和比较，至少连续2次判定有X射线则发出曝光请求信号；
步骤S3：所述图像传感器接收到曝光请求信号后，停止清空，开启曝光窗口准备曝光；
步骤S4：曝光结束后在控制电路的驱动下开始逐行读取所述图像传感器12中的电信号，经所述处理模块进行放大、数模转换、矫正补偿处理，最终在显示设备上成像。
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