CN107749415A - 用于形成图像传感器的方法及图像传感器 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及用于形成图像传感器的方法及图像传感器，其中一种用于形成图像传感器的方法包括：提供具有光电二极管的半导体衬底；以及在所述半导体衬底的形成有光电二极管的区域的上表面形成凹部和凸部，所述上表面为用于接收入射光的表面。一种图像传感器包括具有光电二极管的半导体衬底，其中，所述半导体衬底的形成有光电二极管的区域的上表面形成有凹部和凸部，所述上表面为用于接收入射光的表面。本公开涉及的图像传感器，其形成有凹部和凸部的半导体衬底的上表面增大了光电二极管用于吸收入射光的光子的面积，从而提高了光电二极管的量子效率。

Description

用于形成图像传感器的方法及图像传感器
技术领域
本公开涉及半导体领域，具体来说，涉及一种用于形成图像传感器的方法以及一种图像传感器。
背景技术
图像传感器用于将聚焦在图像传感器上的光学图像转换成电信号。图像传感器包括光电二极管的阵列，入射光的光子到达光电二极管之后被吸收并产生载流子，从而使得光电二极管产生与到达光电二极管的光子的密度相对应的电信号。该电信号用于在屏幕上显示相应的图像或提供与光学图像相关的信息。
光电二极管的量子效率会影响图像传感器的灵敏度和产生的图像的质量。
因此，存在对于新的技术的需求。
发明内容
本公开的一个目的是提高光电二极管的量子效率。
根据本公开的一个方面，提供了一种用于形成图像传感器的方法，包括：提供具有光电二极管的半导体衬底；以及在所述半导体衬底的形成有光电二极管的区域的上表面形成凹部和凸部，所述上表面为用于接收入射光的表面。
在一些实施例中，通过刻蚀处理形成所述凹部和凸部。
在一些实施例中，在所述半导体衬底的形成有每个光电二极管的区域内形成有一个或更多个所述凹部或凸部。
在一些实施例中，所述刻蚀处理形成的所述凹部或凸部的侧墙相对于垂直方向具有斜度。
在一些实施例中，所述刻蚀处理形成的所述凹部或凸部的截面为矩形、锥形、倒锥形、V字形、双斜坡形、以及弧形中的一种或多种。
在一些实施例中，所述方法还包括：在形成了所述凹部和凸部的所述半导体衬底之上沉积材料，并对其上表面进行平坦化，以形成平坦化层。
在一些实施例中，所述平坦化层能够透光和/或具有滤色功能。
在一些实施例中，所述材料为电介质材料。
在一些实施例中，所述方法还包括：在所述平坦化层之上形成微透镜。
在一些实施例中，还包括在所述平坦化层之上以及所述微透镜之下形成滤色器。
根据本公开的一个方面，提供了一种图像传感器，包括具有光电二极管的半导体衬底，其中，所述半导体衬底的形成有光电二极管的区域的上表面形成有凹部和凸部，所述上表面为用于接收入射光的表面。
在一些实施例中，在所述半导体衬底的形成有每个光电二极管的区域内具有一个或更多个所述凹部或凸部。
在一些实施例中，所述凹部或凸部的侧墙相对于垂直方向具有斜度。
在一些实施例中，所述凹部或凸部的截面为矩形、锥形、倒锥形、V字形、双斜坡形、以及弧形中的一种或多种。
在一些实施例中，还包括位于所述半导体衬底之上的平坦化层。
在一些实施例中，所述平坦化层能够透光。
在一些实施例中，所述平坦化层具有滤色功能。
在一些实施例中，所述平坦化层由电介质材料形成。
在一些实施例中，还包括微透镜，所述微透镜位于所述平坦化层之上。
在一些实施例中，还包括滤色器，所述滤色器位于所述平坦化层之上以及所述微透镜之下。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
图1是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构图。
图2是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构图。
图3是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构图。
图4是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构图。
图5是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构图。
图6是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构图。
图7是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构图。
图8是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构图。
图9a至9g是分别示出了在根据本公开一个示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的各个步骤处的装置截面的示意图。
注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
根据本公开的一个方面，提供了一种图像传感器，如图1所示，包括具有光电二极管(未示出)的半导体衬底1，并且半导体衬底1的形成有光电二极管的区域的上表面形成有凹部3和凸部4。半导体衬底1的上表面是指半导体衬底1的用于接收入射光2的表面。
在一些实施例中，半导体衬底1可以由适合于半导体装置的任何半导体材料(诸如Si、SiC、SiGe等)制成。本领域技术人员均理解半导体衬底1不受到任何限制，而是可以根据实际应用进行选择。
用于接收入射光2的上表面可以是半导体衬底1的前面(即用于形成金属互连层的那一面)或背面(即与用于形成金属互连层的那一面相对的表面)。例如，在前照射(Frontside Illumination)式图像传感器中，用于接收入射光2的上表面为半导体衬底1的前面；在背照射(Backside Illumination)式图像传感器中，用于接收入射光2的上表面为半导体衬底1的背面。
如图1所示，半导体衬底1的形成有光电二极管的区域的上表面形成有凹部3和凸部4，使得半导体衬底1的上表面因形成凹部3和凸部4而变得不平坦。在一些情况下，当在半导体衬底1的上表面形成凹部3时，凸部4也会相应地被形成。例如，可以对半导体衬底1进行刻蚀，以形成凹部3。从而，未被刻蚀的部分相对于被刻蚀的部分而凸出，从而相应地形成凸部4。
对比于现有技术中的图像传感器，由于本公开中的图像传感器在半导体衬底1的形成有光电二极管的区域的上表面形成有凹部3和凸部4，因而增大了光电二极管用于吸收入射光2的光子的面积，从而提高了光电二极管对光子的吸收效率，进而提高了光电二极管的量子效率。
以下参考图2至5来描述本公开的更多细节。
凹部3和凸部4的宽度和间隔并无限制。凹部3和凸部4的宽度和间隔的变化会导致在每个光电二极管11对应的区域内凹部3和凸部4的个数的变化。在一些实施例中，图像传感器包括多个光电二极管11，在每个光电二极管11对应的区域内具有一个或更多个凹部3和凸部4。在一些情况下，在每个光电二极管11对应的区域内仅具有一个凹部3，如图2所示。在一些情况下，在每个光电二极管11对应的区域内仅具有一个凸部4，如图3所示。在一些情况下，在每个光电二极管11对应的区域内具有多于一个的凹部3和多于一个的凸部4，如图4、5所示。本领域技术人员可以理解，在不脱离本公开主旨的情况下，凹部3和凸部4的宽度和间隔并不限于本公开的示例，而是可以根据实际应用进行选择。
凹部3和凸部4的深度并无限制。本领域技术人员可以理解，在不脱离本公开主旨的情况下，凹部3和凸部4的深度并不限于本公开的示例，而是可以根据实际应用进行选择。
凹部3和凸部4的形状并无限制。例如，凹部3的截面可以为V字形(如图2所示)、矩形(如图3所示)、倒锥形(如图4所示)、双斜坡形状(如图5所示)、以及任何其他形状，凸部4的截面可以为锥形(如图2、4所示)、矩形(如图3所示)、斜坡形状(如图5所示)、以及任何其他形状。此外，尽管未示出图像传感器的平面图，可以理解的是，凹部3和凸部4在平面图上也可以为任何形状。本领域技术人员可以理解，在不脱离本公开主旨的情况下，凹部3和凸部4的截面形状并不限于本公开的示例，而是可以根据实际应用进行选择。
光电二极管11的结构和类型并无限制。例如，光电二极管11可以是PN结型光电二极管。PN结型光电二极管的PN结形成在半导体衬底1中的深度并无限制。本领域技术人员可以理解，在不脱离本公开主旨的情况下，光电二极管11的结构和类型并不限于本公开的说明书和附图中的示例，而是可以根据实际应用进行选择。
本领域技术人员还可以理解，光电二极管11在半导体衬底1中的深度、凹部3和凸部4的深度、凹部3和凸部4的宽度、凹部3和凸部4的间隔、以及凹部3和凸部4的截面的形状均可以任意地组合，不限于图中所示的组合情况。
在一些实施例中，凹部3和凸部4是通过刻蚀处理形成的。可以对半导体衬底1进行刻蚀，以形成凹部3。从而，未被刻蚀的部分相对于被刻蚀的部分而凸出，从而相应地形成凸部4。由于凹部3和凸部4的尺寸和形状等均无限制，因此，刻蚀方法也并无限制。例如，湿法刻蚀或干法刻蚀都是适用的。此外，刻蚀的深宽比、均匀性、凹陷的间隔等工艺参数均可以在适用的范围内根据实际应用进行选择。本领域技术人员可以理解，在不脱离本公开主旨的情况下，刻蚀方法和工艺控制并不限于本公开的示例，而是可以根据实际应用进行选择。
由于凹部3和凸部4的形状并无限制，因此刻蚀形成的凹陷的各种形状均能够实现本公开的目的。例如，刻蚀形成的凹陷的截面(即凹部3的截面)可以为矩形(anisotropic)、锥形(tapered)、倒锥形(reverse tapered)、V字形、双斜坡形(double slope)、以及弧形(rounding或bowing)中的一种或多种。在刻蚀形成的凹部3的截面为各种形状的情况下，凸部4的截面也具有相应的形状。其中，凹部3和凸部4的侧墙可以是垂直的抑或是相对于垂直方向具有斜度的，可以在刻蚀处理中进行工艺控制以得到想要的侧墙角度。
此外，由于本公开对凹部3和凸部4的形状的容忍度较大，由各种工艺偏差而出现的缺陷形状(可以是不规则的、不理想的、非对称的、或者不可重复的形状)，例如，具有微沟槽的形状(micro-trench)、具有缺口的形状(notch)、具有围栏的形状(fence)、以及具有刻面的形状(facet)等，也均能够实现本公开的目的。
图像传感器还可以包括位于半导体衬底1之上的平坦化层5，如图6所示。本领域技术人员可以理解，平坦化层5具有平坦的上表面。类似地，平坦化层5的上表面是指平坦化层5的用于接收入射光(未示出)的表面。在一些实施例中，例如可以在如图5所示的形成有凹部3和凸部4的半导体衬底1的上表面上形成平坦化层5，从而形成如图7所示的图像传感器。具有平坦的上表面的平坦化层5便于在其上表面形成其他的结构，例如，位于平坦化层5上的滤色器7以及位于滤色器7上的微透镜6，如图8所示。可以理解的是，虽然未示出，在一些情况下，图8所示的图像传感器也可以不包括滤色器7而只包括位于平坦化层5上的微透镜6。
本领域技术人员可以理解，平坦化层5能够透光，以便使得入射光进入光电二极管11。可以通过选择平坦化层5的材料和控制平坦化层5的厚度，来使得平坦化层5能够透光。
在一些实施例中，平坦化层5可以具有滤色功能，以根据光的波长而通过光。具有滤色功能的平坦化层5可以由颜料或染料材料制成，这些材料可以允许通过一些波长的光。在一些实施例中，可以允许通过红光、蓝光、或者绿光。在另一些实施例中，可以允许通过青色、黄色、或者深红色的光。然而这些只是具有滤色功能的平坦化层5能够过滤的示例色，本领域技术人员可以理解，本公开中的具有滤色功能的平坦化层5还可以允许其他颜色的光通过。此外，具有滤色功能的平坦化层5还可以由其他材料制成，例如具有光反射性的材料等。
在一些实施例中，平坦化层5可以由电介质材料形成，例如，氧化物或氮化物等。
在一些实施例中，可以用下述方法来形成图8所示的图像传感器。以下结合图9a至图9g来具体描述。本领域技术人员可以理解，以下描述中的步骤只是示意性的，其中一个或更多个步骤或过程可以根据实际应用被省略或增加。
如图9a所示，提供具有光电二极管11的半导体衬底1。光电二极管11的结构和类型并无限制。例如，光电二极管11可以是PN结型光电二极管。PN结型光电二极管的PN结形成在半导体衬底1中的深度并无限制。本领域技术人员可以理解，在不脱离本公开主旨的情况下，光电二极管11的结构和类型并不限于本公开的示例，而是可以根据实际应用进行选择。
如图9b所示，在半导体衬底1的上表面施加一层光致抗蚀剂9并对光致抗蚀剂9进行曝光显影，使得光致抗蚀剂9在半导体衬底1的形成有光电二极管11的区域的上表面之上形成图案。其中，半导体衬底1的上表面为用于接收入射光的表面。本领域技术人员可以理解，对光致抗蚀剂9进行曝光显影而形成的图案会影响接下来的步骤中形成的凹部3和凸部4的宽度和间隔。由于凹部3和凸部4的宽度和间隔均无限制，也不限于本公开的示例，本领域技术人员可以根据实际应用来确定对光致抗蚀剂9进行曝光显影而形成的图案。在一些实施例中，可以通过对光致抗蚀剂9进行曝光显影，使得在半导体衬底1的形成有每个光电二极管11的区域内，形成有一个或更多个光致抗蚀剂9未覆盖的区域。
如图9c所示，对半导体衬底1的上表面进行刻蚀处理，从而在半导体衬底1的上表面形成凹部3和凸部4。当通过刻蚀处理在半导体衬底1的上表面形成凹陷(即凹部3)时，未被刻蚀的部分相对于被刻蚀的部分而凸出，从而相应地形成凸部4。
由于凹部3和凸部4的形状并无限制，因此刻蚀形成的凹陷的各种形状均能够实现本公开的目的。例如，刻蚀形成的凹陷的截面(即凹部3的截面)可以为矩形(anisotropic)、锥形(tapered)、倒锥形(reverse tapered)、V字形、双斜坡形(double slope)、以及弧形(rounding或bowing)中的一种或多种。在刻蚀形成的凹部3的截面为各种形状的情况下，凸部4的截面也具有相应的形状。在一些实施例中，凹部3和凸部4的侧墙可以是垂直的。在另一些实施例中，凹部3和凸部4的侧墙可以是相对于垂直方向具有斜度的。可以在刻蚀处理中进行工艺控制以得到想要的侧墙角度。此外，由于本公开对凹部3和凸部4的形状的容忍度较大，由各种工艺偏差而出现的缺陷形状(可以是不规则的、不理想的、非对称的、或者不可重复的形状)，例如，具有微沟槽的形状(micro-trench)、具有缺口的形状(notch)、具有围栏的形状(fence)、以及具有刻面的形状(facet)等，也均能够实现本公开的目的。
由于凹部3和凸部4的尺寸和形状等均无限制，因此，刻蚀方法也并无限制。例如，湿法刻蚀或干法刻蚀都是适用的。此外，刻蚀的深宽比、均匀性等工艺参数均可以在适用的范围内根据实际应用进行选择。本领域技术人员可以理解，在不脱离本公开主旨的情况下，刻蚀方法和工艺控制并不限于本公开的示例，而是可以根据实际应用进行选择。
如图9d所示，在凹部3和凸部4形成之后，去除光致抗蚀剂9，即形成了如图5所示的图像传感器。该图像传感器对比于现有技术，形成有凹部3和凸部4的半导体衬底1的上表面增大了光电二极管11用于吸收入射光的光子的面积，从而提高了光电二极管的量子效率。
如图9e所示，在形成了凹部3和凸部4的半导体衬底1之上沉积材料并对其上表面进行平坦化，以形成平坦化层5，从而形成如图7所示的图像传感器。例如，平坦化层5可以通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)或其他合适的技术来形成。
平坦化层5能够透光，以便使得入射光进入光电二极管11。可以通过选择平坦化层5的材料和控制平坦化层5的厚度，来使得平坦化层5能够透光。在一些实施例中，平坦化层5可以具有滤色功能，以根据光的波长而通过光。在另一些实施例中，平坦化层5可以由电介质材料形成，例如，氧化物或氮化物。
如图9f所示，在一些实施例中，在平坦化层5上形成滤色器7，该滤色器7可以根据光的波长而通过光。本领域技术人员可以理解，在另一些实施例中，例如平坦化层5具有滤色功能的情况、或者光电二极管11的特性使得图像传感器不需要滤色的情况，本公开的方法可以省略该步骤，从而依该方法制备的图像传感器不包括滤色器7。
如图9g所示，在一些实施例中，在滤色器7上形成微透镜6，从而形成如图8所示的图像传感器。在另一些实施例中，例如在制备的图像传感器不包括滤色器7的情况下，在平坦化层5上形成微透镜6，从而形成不包括滤色器7的图像传感器。
虽然图7至图9g均是以图5中所示的光电二极管11的深度和大小、以及凹部3和凸部4的形状、深度、大小和间隔来示出的，但可以理解的是，图7至图9g均还可以具有任何其他的光电二极管11的深度和大小、以及其他的凹部3和凸部4的形状、深度、大小和间隔。
虽然本公开的附图中仅以截面图的形式示意性地示出了像素区的图像传感器的结构，本领域技术人员基于本公开记载的内容能够得到本公开所涉及的图像传感器整体的结构和形成方法。
在说明书及权利要求中的词语“A或B”包括“A和B”以及“A或B”，而不是排他地仅包括“A”或者仅包括“B”，除非另有特别说明。
在说明书及权利要求中的词语“上”、“之上”、“上侧”、“上方”，包括正上方、有一定偏离的上方、以及投影区域完全不重合的上方；以及既包括接触式地也包括非接触式地位于上方。类似地，词语“下”、“之下”、“下侧”、“下方”，包括正下方、有一定偏离的下方、以及投影区域完全不重合的下方；以及既包括接触式地也包括非接触式地位于下方。
在说明书及权利要求中的词语“垂直”方向指图像传感器的厚度的方向。
在说明书及权利要求中的词语“前”、“后”、“顶”、“底”、“之上”、“之下”等，如果存在的话，用于描述性的目的而并不一定用于描述不变的相对位置。应当理解，这样使用的词语在适当的情况下是可互换的，使得在此所描述的本公开的实施例，例如，能够在与在此所示出的或另外描述的那些取向不同的其他取向上操作。
如在此所使用的，词语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在上述技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。
如在此所使用的，词语“基本上”意指包含由设计或制造的缺陷、器件或元件的容差、环境影响和/或其它因素所致的任意微小的变化。词语“基本上”还允许由寄生效应、噪音以及可能存在于实际的实现方式中的其它实际考虑因素所致的与完美的或理想的情形之间的差异。
上述描述可以指示被“连接”或“耦合”在一起的元件或节点或特征。如在此所使用的，除非另外明确说明，“连接”意指一个元件/节点/特征与另一种元件/节点/特征在电学上、机械上、逻辑上或以其它方式直接地连接(或者直接通信)。类似地，除非另外明确说明，“耦合”意指一个元件/节点/特征可以与另一元件/节点/特征以直接的或间接的方式在机械上、电学上、逻辑上或以其它方式连结以允许相互作用，即使这两个特征可能并没有直接连接也是如此。也就是说，“耦合”意图包含元件或其它特征的直接连结和间接连结，包括利用一个或多个中间元件的连接。
另外，仅仅为了参考的目的，还可以在下面描述中使用某种术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。
还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。
在本公开中，术语“提供”从广义上用于涵盖获得对象的所有方式，因此“提供某对象”包括但不限于“购买”、“制备/制造”、“布置/设置”、“安装/装配”、和/或“订购”对象等。
本领域技术人员应当意识到，在上述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可以结合成单个操作，单个操作可以分布于附加的操作中，并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。而且，另选的实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在其他各种实施例中可以改变操作顺序。但是，其它的修改、变化和替换同样是可能的。因此，本说明书和附图应当被看作是说明性的，而非限制性的。
另外，本公开的实施方式还可以包括以下示例：
1.一种用于形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：
提供具有光电二极管的半导体衬底；以及
在所述半导体衬底的形成有光电二极管的区域的上表面形成凹部和凸部，所述上表面为用于接收入射光的表面。
2.根据1所述的方法，其特征在于，通过刻蚀处理形成所述凹部和凸部。
3.根据1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底的形成有每个光电二极管的区域内形成有一个或更多个所述凹部或凸部。
4.根据2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀处理形成的所述凹部或凸部的侧墙相对于垂直方向具有斜度。
5.根据2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀处理形成的所述凹部或凸部的截面为矩形、锥形、倒锥形、V字形、双斜坡形、以及弧形中的一种或多种。
6.根据1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成了所述凹部和凸部的所述半导体衬底之上沉积材料，并对其上表面进行平坦化，以形成平坦化层。
7.根据6所述的方法，其特征在于，所述平坦化层能够透光和/或具有滤色功能。
8.根据6所述的方法，其特征在于，所述材料为电介质材料。
9.根据6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述平坦化层之上形成微透镜。
10.根据9所述的方法，其特征在于，还包括在所述平坦化层之上以及所述微透镜之下形成滤色器。
11.一种图像传感器，其特征在于，包括具有光电二极管的半导体衬底，其中，所述半导体衬底的形成有光电二极管的区域的上表面形成有凹部和凸部，所述上表面为用于接收入射光的表面。
12.根据11所述的图像传感器，其特征在于，在所述半导体衬底的形成有每个光电二极管的区域内具有一个或更多个所述凹部或凸部。
13.根据11所述的图像传感器，其特征在于，所述凹部或凸部的侧墙相对于垂直方向具有斜度。
14.根据11所述的图像传感器，其特征在于，所述凹部或凸部的截面为矩形、锥形、倒锥形、V字形、双斜坡形、以及弧形中的一种或多种。
15.根据11所述的图像传感器，其特征在于，还包括位于所述半导体衬底之上的平坦化层。
16.根据15所述的图像传感器，其特征在于，所述平坦化层能够透光。
17.根据15所述的图像传感器，其特征在于，所述平坦化层具有滤色功能。
18.根据15所述的图像传感器，其特征在于，所述平坦化层由电介质材料形成。
19.根据15所述的图像传感器，其特征在于，还包括微透镜，所述微透镜位于所述平坦化层之上。
20.根据19所述的图像传感器，其特征在于，还包括滤色器，所述滤色器位于所述平坦化层之上以及所述微透镜之下。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种用于形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：
提供具有光电二极管的半导体衬底；以及
在所述半导体衬底的形成有光电二极管的区域的上表面形成凹部和凸部，所述上表面为用于接收入射光的表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过刻蚀处理形成所述凹部和凸部。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底的形成有每个光电二极管的区域内形成有一个或更多个所述凹部或凸部。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀处理形成的所述凹部或凸部的侧墙相对于垂直方向具有斜度。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀处理形成的所述凹部或凸部的截面为矩形、锥形、倒锥形、V字形、双斜坡形、以及弧形中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成了所述凹部和凸部的所述半导体衬底之上沉积材料，并对其上表面进行平坦化，以形成平坦化层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述平坦化层能够透光和/或具有滤色功能。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述材料为电介质材料。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述平坦化层之上形成微透镜。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括在所述平坦化层之上以及所述微透镜之下形成滤色器。
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