CN107734729A - 带双ih加热功能的电路 - Google Patents

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Abstract

一种带双IH加热功能的电路，其特征在于：包括一个MCU和两个IGBT，两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路。本发明通过上述结构的改良，经过软件处理，大大地减少元器件，对于批量生产时，能有效地节约生产成本，同时电路给IH加热原理更多的产品设计空间，极大地满足了生产加工需求，用户在使用时只需要一台设备即可实现两个IH加热，使用户烹饪食物时更加快捷、方便。其具有结构简单合理、性能优异、装配快捷、体积少、制造成本低、易生产、易实现且安全可靠等特点，实用性强。

Description

带双IH加热功能的电路
技术领域
本发明涉及一种带双IH加热功能的电路，具体是一种应用于变频微波炉的带双IH加热功能的电路。
背景技术
IH加热是通过电磁线圈接通交变电流，产生磁场并在金属表面产生很多的小漩涡，从而对金属表面进行加热，省略了加热盘的热量传导过程，其热效率高、升温迅速、功率大、使用安全，已经广泛应用在食物加热设备上，其中很多高端食物加热设备还引入了多级线圈，实现了对整个烹饪内胆环绕加热，使加热更加均匀；同时IH加热还能实现精准的程序控制，设定不同加热阶段的加热方案，提高了用户体验性。
随着技术的创新发展，IH加热应用于各类行业，特别在食物加热设备上，如果一台设备需要两个IH加热，如两个灶一起的电磁炉，则需要两台IH加热设备，两台IH加热设备即需要两个主控芯片、两个电流检测、两路IGBT反压检测电路，导致器件多、PCB面积过大、生成成本高等问题，不能满足生产加工需求。因此，有必要进一步改进。
发明内容
本发明的目的旨在提供一种结构简单合理、性能优异、装配快捷、体积少、制造成本低、易生产、易实现且安全可靠的带双IH加热功能的电路，以克服现有技术中的不足之处。
按此目的设计的一种带双IH加热功能的电路，其特征在于：包括一个MCU和两个IGBT，两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路。
还包括：电阻R1、R2、R3、R8、R9、R10、R11、R12、R15、R16、R17、R19、R21、R24、R25、R28，其中R8和R17为降压电阻、且分别串若个电阻进行降压，R15为分压电阻；
二极管D1、D2；
电流采样电阻KT1；
整流桥DB1；
接线盘端子OUT1、OUT2、OUT3、OUT4；
电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C8、C9、C11、C12；
电感L1；
所述的两个IGBT为Q7、Q8。
所述IGBT Q7源极与电容C2一端、电容C3一端、采样电阻KT1一端连接，IGBT Q8源极与采样电阻KT1、电容C3一端连接，采样电阻KT1另一端与整流桥DB1负极、电容C3另一端、电阻R10一端、电阻R11一端连接。
所述IGBT Q7漏极与电容C1一端、接线盘端子OUT2、降压电阻R8一端连接，IGBT Q8漏极与降压电阻R17一端、接线盘端子OUT4一端连接。
所述IGBT Q7栅极与R28一端、MCU连接，R28另一端与R29一端、MCU连接，IGBT Q8栅极与R29另一端、MCU连接。
所述降压电阻R8另一端与二极管D1正极连接,降压电阻R17另一端与二极管D2正极连接，二极管D1负极与二极管D2负极、电阻R16一端连接，电阻R16另一端与电容C8一端、电阻R19一端、电阻R21一端连接，电容C8另一端接地，电阻R19另一端与电容C11一端、MCU连接，电阻R21另一端与电容C9一端、电阻R24一端、电阻R25一端连接，电阻R24另一端与MCU连接，电阻R25另一端接地、且与电容C9另一端连接。
所述整流桥DB1正极与电感L1一端连接，电感L1另一端与电阻R1一端、电容C2另一端、接线盘端子OUT3一端、接线盘端子OUT1、电容C1另一端连接，接线盘端子OUT3另一端与电容C6一端连接，电容C6另一端与接线盘端子OUT4另一端连接。
所述电阻R1另一端与电阻R2、电阻R3、电阻R9串联后与分压电阻R15一端连接，电阻R15另一端接地、且与电容C5一端连接，电容C5另一端与电容C11另一端、MCU连接。
所述电阻R10另一端与电阻R12一端、电容C4一端、MCU连接，电阻R11另一端与MCU连接，电阻R12另一端接+5V，电容C4另一端接地。
所述电容C12一端接地、且与MCU连接，电容C12另一端接+5V、且与MCU连接。
本发明通过上述结构的改良，提供两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路；经过软件处理，大大地减少元器件，对于批量生产时，能有效地节约生产成本，同时电路给IH加热原理更多的产品设计空间，极大地满足了生产加工需求，用户在使用时只需要一台设备即可实现两个IH加热，使用户烹饪食物时更加快捷、方便。其具有结构简单合理、性能优异、装配快捷、体积少、制造成本低、易生产、易实现且安全可靠等特点，实用性强。
附图说明
图1为本发明第一实施例电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述。
参见图1，本带双IH加热功能的电路，包括一个MCU和两个IGBT，两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路。
本电路还包括：电阻R1、R2、R3、R8、R9、R10、R11、R12、R15、R16、R17、R19、R21、R24、R25、R28，其中R8和R17为降压电阻、且分别串若个电阻进行降压，R15为分压电阻；
二极管D1、D2；
电流采样电阻KT1；
整流桥DB1；
接线盘端子OUT1、OUT2、OUT3、OUT4；
电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C8、C9、C11、C12；
电感L1；
所述的两个IGBT为Q7、Q8。
进一步地讲，IGBT Q7源极与电容C2一端、电容C3一端、采样电阻KT1一端连接，IGBT Q8源极与采样电阻KT1、电容C3一端连接，采样电阻KT1另一端与整流桥DB1负极、电容C3另一端、电阻R10一端、电阻R11一端连接。
进一步地讲，IGBT Q7漏极与电容C1一端、接线盘端子OUT2、降压电阻R8一端连接，IGBT Q8漏极与降压电阻R17一端、接线盘端子OUT4一端连接。
进一步地讲，IGBT Q7栅极与R28一端、MCU连接，R28另一端与R29一端、MCU连接，IGBT Q8栅极与R29另一端、MCU连接。
进一步地讲，降压电阻R8另一端与二极管D1正极连接,降压电阻R17另一端与二极管D2正极连接，二极管D1负极与二极管D2负极、电阻R16一端连接，电阻R16另一端与电容C8一端、电阻R19一端、电阻R21一端连接，电容C8另一端接地，电阻R19另一端与电容C11一端、MCU连接，电阻R21另一端与电容C9一端、电阻R24一端、电阻R25一端连接，电阻R24另一端与MCU连接，电阻R25另一端接地、且与电容C9另一端连接。
进一步地讲，整流桥DB1正极与电感L1一端连接，电感L1另一端与电阻R1一端、电容C2另一端、接线盘端子OUT3一端、接线盘端子OUT1、电容C1另一端连接，接线盘端子OUT3另一端与电容C6一端连接，电容C6另一端与接线盘端子OUT4另一端连接。
进一步地讲，电阻R1另一端与电阻R2、电阻R3、电阻R9串联后与分压电阻R15一端连接，电阻R15另一端接地、且与电容C5一端连接，电容C5另一端与电容C11另一端、MCU连接。
进一步地讲，电阻R10另一端与电阻R12一端、电容C4一端、MCU连接，电阻R11另一端与MCU连接，电阻R12另一端接+5V，电容C4另一端接地。
进一步地讲，电容C12一端接地、且与MCU连接，电容C12另一端接+5V、且与MCU连接。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本领域的技术人员应该了解本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (10)

1.一种带双IH加热功能的电路，其特征在于：包括一个MCU和两个IGBT，两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路。
2.根据权利要求1所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：还包括：
电阻R1、R2、R3、R8、R9、R10、R11、R12、R15、R16、R17、R19、R21、R24、R25、R28，其中R8和R17为降压电阻、且分别串若个电阻进行降压，R15为分压电阻；
二极管D1、D2；
电流采样电阻KT1；
整流桥DB1；
接线盘端子OUT1、OUT2、OUT3、OUT4；
电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C8、C9、C11、C12；
电感L1；
所述的两个IGBT为Q7、Q8。
3.根据权利要求2所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述IGBT Q7源极与电容C2一端、电容C3一端、采样电阻KT1一端连接，IGBT Q8源极与采样电阻KT1、电容C3一端连接，采样电阻KT1另一端与整流桥DB1负极、电容C3另一端、电阻R10一端、电阻R11一端连接。
4.根据权利要求3所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述IGBT Q7漏极与电容C1一端、接线盘端子OUT2、降压电阻R8一端连接，IGBT Q8漏极与降压电阻R17一端、接线盘端子OUT4一端连接。
5.根据权利要求4所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述IGBT Q7栅极与R28一端、MCU连接，R28另一端与R29一端、MCU连接，IGBT Q8栅极与R29另一端、MCU连接。
6.根据权利要求5所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述降压电阻R8另一端与二极管D1正极连接,降压电阻R17另一端与二极管D2正极连接，二极管D1负极与二极管D2负极、电阻R16一端连接，电阻R16另一端与电容C8一端、电阻R19一端、电阻R21一端连接，电容C8另一端接地，电阻R19另一端与电容C11一端、MCU连接，电阻R21另一端与电容C9一端、电阻R24一端、电阻R25一端连接，电阻R24另一端与MCU连接，电阻R25另一端接地、且与电容C9另一端连接。
7.根据权利要求6所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述整流桥DB1正极与电感L1一端连接，电感L1另一端与电阻R1一端、电容C2另一端、接线盘端子OUT3一端、接线盘端子OUT1、电容C1另一端连接，接线盘端子OUT3另一端与电容C6一端连接，电容C6另一端与接线盘端子OUT4另一端连接。
8.根据权利要求7所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述电阻R1另一端与电阻R2、电阻R3、电阻R9串联后与分压电阻R15一端连接，电阻R15另一端接地、且与电容C5一端连接，电容C5另一端与电容C11另一端、MCU连接。
9.根据权利要求8所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述电阻R10另一端与电阻R12一端、电容C4一端、MCU连接，电阻R11另一端与MCU连接，电阻R12另一端接+5V，电容C4另一端接地。
10.根据权利要求9所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述电容C12一端接地、且与MCU连接，电容C12另一端接+5V、且与MCU连接。
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