CN107689421A - 像素界定层及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明一种像素界定层及其制备方法和应用，包括如下步骤：S1、获取基板，所述基板具有图形化像素电极；S2、于所述基板上沉积一层负性光阻薄膜；S3、获取光照掩板，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间设有间隔，所述间隔为50‑200μm；S4、利用所述光照掩板对所述负性光阻薄膜进行曝光，曝光剂量为100‑300mj/cm2；S5、对曝光后的所述负性光阻薄膜进行显影操作，去除未曝光的所述负性光阻薄膜，形成所述像素界定层。上述像素界定层的制作方法，通过在曝光时提高光照掩板与负性光阻薄膜之间的曝光间距，能形成小角度tape角。方法简单、易操作、成本低，蒸镀顶电极时不会引起薄膜断裂，提高产品良率。

Description

像素界定层及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及一种像素界定层及其制备方法和应用。
背景技术
在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点；量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，成为了目前显示领域发展的两个主要方向。
目前，不论是OLED还是QLED，用作显示面板的发光像素单元时，都需要在像素单元制作像素界定层(bank)，定义发光区以及沉积各功能薄膜。对于蒸镀工艺或者湿法工艺制作OLED或QLED，像素bank一般要求具有小角度tape角，有利于后期膜层的沉积。像素bank一般采用光阻材料制备，负性光阻材料由于其成本相对于正性光阻材料要低，从降低成本的角度考虑，一般会采用负性光阻来制作像素bank，然而采用负性光阻制作像素bank时，容易形成倒角，如图1所示，因为负性光阻曝光时，由于上层薄膜接受的曝光量相对要大于下层薄膜、因此曝光显影后容易形成倒角。倒角的存在，在后期的薄膜沉积过程中，尤其是蒸镀顶电极时，容易引起薄膜断裂，形成缺陷，降低产品良率。
因此，现有技术有待改进和发展。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种像素界定层的制备方法。
具体的技术方案如下：
一种像素界定层的制备方法，包括如下步骤：
S1、获取基板，所述基板具有图形化像素电极；
S2、于所述基板上沉积一层负性光阻薄膜；
S3、获取光照掩板(光照mask)，所述光照掩板设有遮蔽区域和光照区域，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间设有间隔，所述间隔为50-200μm；
S4、利用所述光照掩板对所述负性光阻薄膜进行曝光，曝光剂量为100-300mj/cm2；
S5、对曝光后的所述负性光阻薄膜进行显影操作，去除未曝光的所述负性光阻薄膜，形成所述像素界定层。
在其中一些实施例中，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间的间隔为80-120μm。
在其中一些实施例中，步骤S2中，所述负性光阻薄膜还进行了低温预烘，温度为60-100℃。
在其中一些实施例中，所述低温预烘的温度为80-90℃。
在其中一些实施例中，步骤S4中，所述曝光剂量为150-250mj/cm2。
在其中一些实施例中，步骤S5中，对显影后的所述负性光阻薄膜还进行高温固化，温度为150-350℃。
在其中一些实施例中，所述高温固化的温度为200-250℃。
本发明的另一目的是提供上述制备方法得到的像素界定层。
本发明的另一目的是提供一种有机电致发光器件。
具体的技术方案如下：
一种有机电致发光器件，采用上述像素界定层。
在其中一些实施例中，该有机电致发光器件为OLED或QLED。
上述像素界定层的制作方法，通过在曝光时提高光照掩板与负性光阻薄膜之间的曝光间距，曝光时由于光的衍射，光照掩板边缘下端的光阻会受到具有一定倾斜角的光源照射，同时通过加大曝光剂量，使得接受光照区域的负性光阻薄膜完全交联不易被显影液去除，从而形成小角度tape角。方法简单、易操作、成本低，蒸镀顶电极时不会引起薄膜断裂，提高产品良率。
附图说明
图1为现有技术像素界定层的制备原理示意图；
图2为本发明像素界定层制备方法的流程示意图；
图3为具有图形化像素电极的基板；
图4为沉积一层负性光阻薄膜的基板；
图5为采用光照掩板对沉积负性光阻薄膜的基板进行曝光操作的示意图；
图6为本发明一实施例得到的像素界定层。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
一种像素界定层的制作方法，制作流程如图2所示，包括如下步骤：
S1、获取基板，所述基板具有图形化像素电极，如图3所示；
可以理解的，在步骤S1之前，还对基板进行了清洗，依次置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每步持续15min。
S2、于所述基板上沉积一层负性光阻薄膜，如图4所示；
可以理解的，负性光阻薄膜沉积后还进行低温预烘去除部分溶剂，轻微固化膜层，其中低温预烘温度为60-100℃，更优选的温度为80-90℃；
S3、获取光照掩板，所述光照掩板设有遮蔽区域和光照区域，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间设有间隔，所述间隔为50-200μm；
S4、利用所述光照掩板对所述负性光阻薄膜进行曝光，曝光剂量为100-300mj/cm2；
利用光照掩板(mask)对光阻薄膜进行过量曝光，其中mask与负性光阻薄膜之间具有较大的间隔(gap)，mask边缘区的曝光光线发射衍射，形成与mask具有倾斜角的光线，如图5所示；其中的曝光gap为50-200μm，优选为80-120μm，过曝曝光剂量为100-300mj/cm2，优选为150-250mj/cm2；
通过在曝光时提高光照掩板与负性光阻薄膜之间的曝光间距，曝光时由于光的衍射，光照掩板的遮蔽区域边缘下端的光阻会受到具有一定倾斜角的光源照射，同时通过加大曝光剂量，使得接受光照区域的负性光阻薄膜完全交联不易被显影液去除，从而形成小角度tape角；
S5、对曝光后的所述负性光阻薄膜进行显影操作，去除未曝光的所述负性光阻薄膜，形成所述像素界定层。
可以理解的，对显影后的负性光阻薄膜还进行高温固化，去除剩余溶剂，形成像素界定层(bank)，如图6所示；其中的固化温度为150-350℃，优选为200-250℃。
上述像素界定层的制作方法，通过在曝光时提高光照掩板与负性光阻薄膜之间的曝光间距，曝光时由于光的衍射，光照掩板边缘下端的光阻会受到具有一定倾斜角的光源照射，同时通过加大曝光剂量，使得接受光照区域的负性光阻薄膜完全交联不易被显影液去除，从而形成小角度tape角。方法简单、易操作、成本低，蒸镀顶电极时不会引起薄膜断裂，提高产品良率。
本实施例一种有机电致发光器件，采用上述制备方法得到的像素界定层。
该有机电致发光器件为OLED或QLED。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种像素界定层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、获取基板，所述基板具有图形化像素电极；
S2、于所述基板上沉积一层负性光阻薄膜；
S3、获取光照掩板，所述光照掩板设有遮蔽区域和光照区域，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间设有间隔，所述间隔为50-200μm；
S4、利用所述光照掩板对所述负性光阻薄膜进行曝光，曝光剂量为100-300mj/cm2；
S5、对曝光后的所述负性光阻薄膜进行显影操作，去除未曝光的所述负性光阻薄膜，形成所述像素界定层。
2.根据权利要求1所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间的间隔为80-120μm。
3.根据权利要求1所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述负性光阻薄膜还进行了低温预烘，温度为60-100℃。
4.根据权利要求3所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述低温预烘的温度为80-90℃。
5.根据权利要求1所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述曝光剂量为150-250mj/cm2。
6.根据权利要求1-5任一项所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，步骤S5中，对显影后的所述负性光阻薄膜还进行高温固化，温度为150-350℃。
7.根据权利要求6所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述高温固化的温度为200-250℃。
8.权利要求1-7任一项所述制备方法得到的像素界定层。
9.一种有机电致发光器件，其特征在于，采用权利要求8所述的像素界定层。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，该有机电致发光器件为OLED或QLED。
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