CN107665639A

CN107665639A - Qled发光显示器件

Info

Publication number: CN107665639A
Application number: CN201710187833.7A
Authority: CN
Inventors: 李正吉
Original assignee: Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Current assignee: Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Priority date: 2017-03-27
Filing date: 2017-03-27
Publication date: 2018-02-06

Abstract

本发明公开了一种QLED发光显示器件，其包括发光机构及位于所述发光机构出光侧的彩色滤光片。该QLED发光显示器件通过在发光机构的出光侧设置彩色滤光片替代传统的圆偏光片，可以提高整个QLED发光显示器件出光侧的透光性，从而提高整个QLED发光显示器件的光取出效果，因而在相对较低的发光功能下就能获得所需的发光强度，有利于提高整个QLED发光显示器件的@LT95寿命。

Description

QLED发光显示器件

技术领域

本发明涉及电致发光技术领域，尤其是涉及一种QLED发光显示器件。

背景技术

QLED(Quantum dot/Rod Light Emitting Diode，量子点发光二极管)作为下一代显示技术的发展方向在最近几年来逐步吸引了各大电视厂商的注意。与传统LCD显示技术相比，QLED显示器件拥有高亮度、良好的视角和快速的响应时间等优势，但是在寿命和效率上还需要进一步改进。OLED显示器件与QLED显示器件的性能对比如下表1所示。

表1

从表1来看，QLED显示器件在LT95寿命上显著低于OLED显示器件，因而，QLED显示器件只有在LT95寿命上得到改进才有可能运用到电视机等显示器件上。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够延长器件寿命的QLED发光显示器件。

一种QLED发光显示器件，包括发光机构及位于所述发光机构出光侧的彩色滤光片；所述发光机构包括基板、设于所述基板上的图案化的像素电极、设于所述像素电极上的量子点发光功能层、设于所述量子点发光功能层上的顶电极以及与所述基板相配合的将所述像素电极、所述量子点发光功能层及所述顶电极封装的封装盖板，所述量子点发光功能层包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元；所述彩色滤光片具有仅供红色光通过的红色滤光单元、仅供绿色光通过的绿色滤光单元和仅供蓝色光通过的蓝色滤光单元，所述红色滤光单元对应设在所述红色发光单元之上，所述绿色滤光单元对应设在所述绿色发光单元之上，所述蓝色滤光单元对应设在所述蓝色发光单元之上。

在其中一个实施例中，所述彩色滤光片的透光率为55～60％。

在其中一个实施例中，所述彩色滤光片的透光率为58％。

在其中一个实施例中，所述红色滤光单元透过的红光的波长是620nm～630nm；所述绿色滤光单元透过的绿光的波长是520nm～530nm；所述蓝色滤光单元透过的蓝光的波长是440nm～450nm。

在其中一个实施例中，所述彩色滤光片包括玻璃基片及设在所述玻璃基片上的彩膜和位于彩膜之间的黑矩阵，所述彩膜包括构成所述红色滤光单元的红色彩膜、构成所述绿色滤光单元的绿色彩膜和构成所述蓝色滤光单元的蓝色彩膜。

在其中一个实施例中，所述封装盖板为聚四氟乙烯层。

在其中一个实施例中，所述量子点发光功能层是采用印刷工艺制作成型。

在其中一个实施例中，所述QLED发光显示器件是顶电极透明的顶发射型发光显示器件。

在其中一个实施例中，所述像素电极为反射型电极。

在其中一个实施例中，所述QLED发光显示器件是电视、手机、平板或可穿戴式设备。

上述QLED发光显示器件通过在发光机构的出光侧设置彩色滤光片替代传统的圆偏光片，可以提高整个QLED发光显示器件出光侧的透光性，从而提高整个QLED发光显示器件的光取出效果，因而在相对较低的发光功能下就能获得所需的发光强度，有利于提高整个QLED发光显示器件的@LT95寿命。

附图说明

图1为本发明一实施方式的QLED发光显示器件的结构示意图；

图2为传统的采用圆偏光片的底发射型QLED发光显示器件的结构示意图；

图3为传统的采用圆偏光片的顶发射型QLED发光显示器件的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，一实施方式的QLED发光显示器件100，包括发光机构110及位于发光机构110出光侧的彩色滤光片120。在该实施方式中，彩色滤光片120紧邻发光机构110的出光侧设置，彩色滤光片120与发光机构110之间没有设置圆偏光片等其他光学结构，也即本实施方式的QLED发光显示器件100没有圆偏光片等结构，直接使用彩色滤光片120替代传统的圆偏光片，以达到滤光和抗反射的效果。

在图示所示实施方式中，发光机构110包括基板、设于基板上的图案化的像素电极、设于像素电极上的量子点发光功能层、设于量子点发光功能层上的顶电极以及与基板相配合的将像素电极、量子点发光功能层及顶电极封装的封装盖板。其中，量子点发光功能层包括红色发光单元112、绿色发光单元114和蓝色发光单元116，分别对应设有红色量子点、绿色量子点和蓝色量子点。多个红色发光单元112、多个绿色发光单元114和多个蓝色发光单元116相配合构成多个像素结构。

在其中一个实施方式中，发光机构110为顶发射型发光机构，相应地，QLED发光显示器件10为顶发射型发光显示器件。对于顶发射型的发光机构110，像素电极为反射型的像素电极，如ITO等半导体电极等，并且顶电极为透明电极，如Au、Ag、Cu或合金电极等，以用于出光。

在其中一个实施例中，量子点发光功能层中的量子点材料采用喷墨打印等印刷方式制作。量子点发光功能层包括量子点发光层以及如下功能层中的至少一层：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层。空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层及量子点发光层对应各像素电极可以采用精细掩膜版印刷设置在预设的位置，厚度较薄的空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层及顶电极等可以采用大开口掩膜版整体沉积在量子点发光层以及位于基板上的像素界定层等层之上。

封装盖板为聚四氟乙烯层(TFE层)等。封装盖板与基板相配合，将发光机构110中的像素电极、量子点发光功能层及顶电极封装在内部，防止水氧渗入，对器件的性能造成影响。

彩色滤光片120具有仅供红色光通过的红色滤光单元122、仅供绿色光通过的绿色滤光单元124和仅供蓝色光通过的蓝色滤光单元126。红色滤光单元122对应设在红色发光单元112之上，绿色滤光单元124对应设在绿色发光单元114之上，蓝色滤光单元126对应设在蓝色发光单元116之上。在其中一个实施方式中，红色滤光单元122透过的红光的波长是620nm～630nm；绿色滤光单元124透过的绿光的波长是520nm～530nm；蓝色滤光单元126透过的蓝光的波长是440nm～450nm。

彩色滤光片120可采用传统的彩色滤光片结构，如在玻璃基片上设有图案化的彩膜(包括构成红色滤光单元122的红色彩膜、构成绿色滤光单元124的绿色彩膜和构成蓝色滤光单元126的蓝色彩膜)，彩膜之间设置黑矩阵等，只要滤光单元的透光波长范围与相应的量子点发光单元的发光波长相匹配对应即可。

进一步，在其中一个实施方式中，彩色滤光片120的透光率为55～60％，远大于传统的圆偏光片的透光率(一般42％左右)。更进一步，在部分实施方式中，彩色滤光片120的透光率为58％。

本文提到的QLED发光显示器件10可以是电视、手机、平板或可穿戴式设备等，尤其是新一代的量子点电视，以及其他触摸屏设备等。

该QLED发光显示器件10通过在发光机构110的出光侧设置彩色滤光片120替代传统的圆偏光片，可以提高整个QLED发光显示器件10出光侧的透光性，从而提高整个QLED发光显示器件10的光取出效果，因而在相对较低的发光功能下就能获得所需的发光强度，有利于提高整个QLED发光显示器件10的@LT95寿命。

以下结合一个具体的实施例来说明采用本发明的QLED发光显示器件，可以提高@LT95寿命。

请结合图1、图2和图3，图1即为本发明一实施方式的采用彩色滤光片120替代圆偏光片的QLED发光显示器件10，图2为传统的采用圆偏光片的底发射型QLED发光显示器件20的结构示意图，图3为传统的采用圆偏光片的顶发射型QLED发光显示器件30的结构示意图。图1、图2和图3所示QLED发光显示器件的发光机构相同。

对于图2所示的底发射型QLED发光显示器件20，其采用了圆偏光片220，圆偏光片的透光率约为42％，其没有采用彩色滤光片，可认为相对透光率为100％，结合底发射型结构的开口率约30％，因而整个底发射型QLED发光显示器件20的透光率为42％*100％*30％＝12.6％。

对于图3所示的顶发射型QLED发光显示器件30，其采用了圆偏光片320，圆偏光片的透光率约为42％，其没有采用彩色滤光片，可认为相对透光率为100％，结合顶发射型结构的开口率约55％，因而整个顶发射型QLED发光显示器件30的透光率为42％*100％*55％＝23.1％。

而对于图1所示的本发明的QLED发光显示器件10，其没有采用圆偏光片，可认为相对透光率为100％，采用的彩色滤光片的透光率为58％，结合顶发射型结构的开口率约55％，因而整个QLED发光显示器件10的透光率为100％*58％*55％＝31.9％。

因而，本发明QLED发光显示器件10的总透光率是图2所示底发射型QLED发光显示器件20的2.53倍，是图3所示顶发射型QLED发光显示器件30的1.38倍。

QLED发光显示器件的寿命的评估公式是：

式中，L_i(0)是初始时刻亮度；L_i(t)表示t时刻的亮度；β是幂指数，不同的材料和结构对应地β不同；τ_i表示依赖于不同的材料、结构以及起始时间L_i(0)的时间常数。

由上述公式可以看出，QLED发光显示器件的寿命与测试初始亮度成幂函数关系，其幂指数是β，约1.7，而QLED发光显示器件的发光亮度与其透光率成线性关系，因此，2.53倍的透光率提升可以使得发光显示器件的寿命提高2.53^1.7≈4.85倍，1.38倍的透光率提升可以使得发光显示器件的寿命提高1.38^1.7≈1.73倍。因此，可以得到三种结构的55寸4K2K电视模拟寿命值：若以图2所示QLED发光显示器件20的寿命为基数1，则图1所示的本发明的QLED发光显示器件10相对寿命为图2的4.85，同时图1所示的本发明的QLED发光显示器件10的相对寿命为图3的1.73倍。由此可见，使用本发明的QLED发光显示器件可以有效的大幅提升器件的@LT95寿命。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种QLED发光显示器件，其特征在于，包括发光机构及位于所述发光机构出光侧的彩色滤光片；所述发光机构包括基板、设于所述基板上的图案化的像素电极、设于所述像素电极上的量子点发光功能层、设于所述量子点发光功能层上的顶电极以及与所述基板相配合的将所述像素电极、所述量子点发光功能层及所述顶电极封装的封装盖板，所述量子点发光功能层包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元；所述彩色滤光片具有仅供红色光通过的红色滤光单元、仅供绿色光通过的绿色滤光单元和仅供蓝色光通过的蓝色滤光单元，所述红色滤光单元对应设在所述红色发光单元之上，所述绿色滤光单元对应设在所述绿色发光单元之上，所述蓝色滤光单元对应设在所述蓝色发光单元之上。

2.如权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于，所述彩色滤光片的透光率为55～60％。

3.如权利要求2所述的QLED发光显示器件，其特征在于，所述彩色滤光片的透光率为58％。

4.如权利要求2所述的QLED发光显示器件，其特征在于，所述红色滤光单元透过的红光的波长是620nm～630nm；所述绿色滤光单元透过的绿光的波长是520nm～530nm；所述蓝色滤光单元透过的蓝光的波长是440nm～450nm。

5.如权利要求4所述的QLED发光显示器件，其特征在于，所述彩色滤光片包括玻璃基片及设在所述玻璃基片上的彩膜和位于彩膜之间的黑矩阵，所述彩膜包括构成所述红色滤光单元的红色彩膜、构成所述绿色滤光单元的绿色彩膜和构成所述蓝色滤光单元的蓝色彩膜。

6.如权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于，所述封装盖板为聚四氟乙烯层。

7.如权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于，所述量子点发光功能层是采用印刷工艺制作成型。

8.如权利要求1～7中任一项所述的QLED发光显示器件，其特征在于，所述QLED发光显示器件是顶电极透明的顶发射型发光显示器件。

9.如权利要求8所述的QLED发光显示器件，其特征在于，所述像素电极为反射型电极。

10.如权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于，所述QLED发光显示器件是电视、手机、平板或可穿戴式设备。