CN107658375B - 一种玄武岩led支架生产工艺及结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种玄武岩LED支架生产工艺及结构,属于LED支架生产领域,其工艺生产具体包括以下步骤:步骤一,将玄武岩投放到加热容器中;步骤二,对玄武岩进行加热,使玄武岩由固体状玄武岩变为粘稠状玄武岩;步骤三,将所述步骤二中加热得到的粘稠状玄武岩进行除杂;步骤四,除杂后,向粘稠状玄武岩内添加固化剂和银粉并搅拌混合;步骤五,搅拌混合完成后,将所述步骤四所得到的粘稠状玄武岩浇入模具中进行开模,开模后即得支架框体;步骤六,向所述的支架框体表面贴合铜箔得到半成品支架;步骤七,将半成品支架进行穿孔并套接导线,然后将导线与所述铜箔连接即得成品支架。
Description
技术领域
本发明涉及LED支架生产技术领域,具体地说是一种玄武岩LED支架生产工艺及结构。
背景技术
LED灯泡是由多个LED发光单元组合而成,每个LED发光单元由半导体单元和LED支架构成,其中主要的发光体为半导体单元,半导体单元在发光时会持续发热。在现有技术中的LED发光单元多采用塑料、铜或铝材料制成的LED支架,具有以下不足:1、由塑料材料制成的LED支架导热性能差,不利于半导体单元的散热,严重影响了半导体单元的使用寿命;2、由铜或铝制成的LED支架虽然具有较好的导热性,但是其造价成本较高,同时会增加整个LED支架质量,从而影响客户体验效果;3、由铜或铝制成的LED支架在封装半导体时要在表面电镀绝缘层,这样不仅具有较高制造成本而且产能较低;4、由铜或铝制成的LED支架,其制造工艺会对环境造成较大破坏,是产生光尘霾现象的原因之一。
申请号为CN201210509345.0的一项发明创造公开了一种贴片式的LED支架,该贴片式LED支架至少包括正极基板、负极基板以及黏结层;正极基板和负极基板之间绝缘设置;其中,正极基板和负极基板整体的顶面形成有反射杯,至少正极基板邻近于负极基板部分的底面向顶面凹陷而共同形成容置空间;黏结层填充于容置空间进而将正极基板和负极基板黏合成一体。
在上述专利文献中,其描述的贴片式的LED支架虽然也在一定程度上提高了LED支架的导热性,但是仅在结构上进行改造创新,对于LED支架的导热性能提高效果十分有限,同时该LED支架依然需要电镀绝缘层来绝缘半导体单元,其制造成本并没有改观,同时产能也较低。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的在于提供一种玄武岩LED支架生产工艺及结构,用以解决以上技术问题。
本发明解决其技术问题所采取的技术方案包括:一种玄武岩LED支架生产工艺,具体步骤包括:
步骤一,将玄武岩投放到加热容器中;
步骤二,对玄武岩进行加热,使玄武岩由固体状玄武岩变为粘稠状玄武岩;
步骤三,将所述步骤二中加热得到的粘稠状玄武岩进行除杂;
步骤四,除杂后,向粘稠状玄武岩内添加固化剂和银粉并搅拌混合;
步骤五,搅拌混合完成后,将所述步骤四所得到的粘稠状玄武岩浇入模具中进行开模,开模后即得支架框体;
步骤六,向所述的支架框体表面贴合铜箔得到半成品支架;
步骤七,将半成品支架进行穿孔并套接导线,然后将导线与所述铜箔连接即得成品支架。
优选地,在所述的步骤一中,先将玄武岩粉碎后,再投放到加热容器中。这样有利于提升玄武岩的受热速率,减少加热时间,提高生产效率。
优选地,在所述的步骤二中,对加热容器的加热温度为790℃~810℃,更优选地温度为800℃。
优选地,在所述的步骤三中,对半固体玄武岩除杂的具体方法为:将漂浮在粘稠状玄武岩表面的杂质清除。玄武岩在经过790℃~810℃成为粘稠状(粘稠状状)后,没有成为粘稠状的颗粒或小块状杂质就会漂浮在表面,此时只需利用过滤容器将杂质捞走即可。
优选地,所述的玄武岩、固化剂以及银粉的投放质量百分比分别为:玄武岩88%~92%,固化剂5%~7%,银粉3%~5%。
更优选地,所述的玄武岩、固化剂以及银粉的投放质量百分比分别为:玄武岩90%,固化剂6%,银粉4%。
优选地,在所述的步骤六中,贴合铜箔的具体方法为:将铜箔放置到所述步骤五中得到的支架框体表面,并在145℃~155℃的高温下加热,使铜箔与支架框体表面固定连接。更优选的,支架框体和铜箔的加热温度为150℃。
本发明的技术方案还包括:玄武岩LED支架结构,该LED支架结构包括支架本体,所述支架本体上表面设置有用于放置半导体单元的凹槽,凹槽用于卡接半导体单元,所述支架本体外表面固定有铜箔;所述的铜箔包括正极铜箔以及负极铜箔,所述正极铜箔和负极铜箔对称固定连接在所述凹槽两侧。
该LED支架结构还包括两根第一导线,两根第一导线分别与正极铜箔和负极铜箔连接。
优选地,所述凹槽设置在所述支架本体上表面的中部。由于LED灯泡是由多个LED发光单元构成,将凹槽设置支架本体上表面的中部使LED灯泡发光更加均匀。
优选地,第一导线嵌入在所述支架本体内,所述的第一导线一端与所述铜箔电连接,所述第一导线的另一端与供电电路电连接。这样的设计有效地保护了第一导线,使其不会受到周围环境的挤压和弯折,保证了每个LED发光单元的正常工作。
本发明与现有技术相比的有益效果是:
1、本发明采用了玄武岩作为LED支架加工的原材料,并对玄武岩进行提炼,使加工出来的LED支架结合了塑料材质LED支架和金属材质LED支架的优点,具有质量轻、成本低的同时还具有良好的电绝缘性、抗腐蚀性、优异的导热和耐热性能。
2、玄武岩在自然界存在广泛且易于开采,所以采购成本很低,同时,玄武岩本身电绝缘性较好,所以不需要额外进行电镀绝缘层,大大简化了生产工序,提高了产能降低了成本。
3、该LED支架本体内部融合了若干银粉颗粒,极大的提高了LED支架的导热性能。
4、整个LED支架生产工艺简单,不复杂,使得LED生产效率与现有技术相比大幅提高。
5、该LED支架上表面中部设置有凹槽,凹槽用于半导体单元,由于LED灯泡是由多个LED发光单元构成,将凹槽设置支架本体上表面的中部使LED灯泡发光更加均匀。
6、第一导线嵌入在所述支架本体内,所述的第一导线一端与所述铜箔电连接,所述第一导线的另一端与供电电路电连接。这样的设计有效地保护了第一导线,使其不会受到周围环境的挤压和弯折,保证了每个LED发光单元的正常工作。
附图说明
图1为一种玄武岩LED支架结构主视剖面图;
图2为一种玄武岩LED支架结构俯视图。
图中:1、支架本体,2、凹槽,3、半导体单元,4、正极,5、负极,6、正极铜箔,7、负极铜箔,8、第一导线,9、第二导线,10、供电电路。
值得注意的是,在本发明的描述中,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的描述:
实施例1
一种玄武岩LED支架生产工艺,具体步骤如下:
步骤一,将大块玄武岩通过碎石机粉碎成小颗粒或粉末状,然后将其投放到加热容器中;
步骤二,对加热容器内的玄武岩进行790℃的加热,使玄武岩由粉末和颗粒的固体状变为粘稠状玄武岩;
步骤三,经过步骤二得到的粘稠状玄武岩,会有颗粒或小块状杂质就会漂浮在粘稠状玄武岩表面,此时利用过滤容器将颗粒或小块状杂质捞走,达到玄武岩除杂的目的。
步骤四,除杂后,向粘稠状玄武岩内添加固化剂和银粉并搅拌混合;
步骤五,搅拌混合完成后,将所述步骤四所得到的粘稠状玄武岩浇入模具中进行开模,开模后即得支架框体;
步骤六,向所述的支架框体表面贴合铜箔得到半成品支架,贴合铜箔的具体方法为:将铜箔放置到所述步骤五中得到的支架框体表面,并在145℃的高温下加热,使铜箔与支架框体表面固定连接;
步骤七,将半成品支架进行穿孔并套接导线,然后将导线与所述铜箔连接即得成品支架。
值得注意的是,玄武岩、固化剂以及银粉的投放质量百分比分别为:玄武岩88%,固化剂7%,银粉5%。
实施例2
一种玄武岩LED支架生产工艺,具体步骤如下:
步骤一,将大块玄武岩通过碎石机粉碎成小颗粒或粉末状,然后将其投放到加热容器中;
步骤二,对加热容器内的玄武岩进行800℃的加热,使玄武岩由粉末和颗粒的固体状变为粘稠状玄武岩;
步骤三,经过步骤二得到的粘稠状玄武岩,会有颗粒或小块状杂质就会漂浮在粘稠状玄武岩表面,此时利用过滤容器将颗粒或小块状杂质捞走,达到玄武岩除杂的目的。
步骤四,除杂后,向粘稠状玄武岩内添加固化剂和银粉并搅拌混合;
步骤五,搅拌混合完成后,将所述步骤四所得到的粘稠状玄武岩浇入模具中进行开模,开模后即得支架框体;
步骤六,向所述的支架框体表面贴合铜箔得到半成品支架,贴合铜箔的具体方法为:将铜箔放置到所述步骤五中得到的支架框体表面,并在150℃的高温下加热,使铜箔与支架框体表面固定连接;
步骤七,将半成品支架进行穿孔并套接导线,然后将导线与所述铜箔连接即得成品支架。
值得注意的是,玄武岩、固化剂以及银粉的投放质量百分比分别为:玄武岩90%,固化剂6%,银粉4%。
实施例3
一种玄武岩LED支架生产工艺,具体步骤如下:
步骤一,将大块玄武岩通过碎石机粉碎成小颗粒或粉末状,然后将其投放到加热容器中;
步骤二,对加热容器内的玄武岩进行810℃的加热,使玄武岩由粉末和颗粒的固体状变为粘稠状玄武岩;
步骤三,经过步骤二得到的粘稠状玄武岩,会有颗粒或小块状杂质就会漂浮在粘稠状玄武岩表面,此时利用过滤容器将颗粒或小块状杂质捞走,达到玄武岩除杂的目的。
步骤四,除杂后,向粘稠状玄武岩内添加固化剂和银粉并搅拌混合;
步骤五,搅拌混合完成后,将所述步骤四所得到的粘稠状玄武岩浇入模具中进行开模,开模后即得支架框体;
步骤六,向所述的支架框体表面贴合铜箔得到半成品支架,贴合铜箔的具体方法为:将铜箔放置到所述步骤五中得到的支架框体表面,并在155℃的高温下加热,使铜箔与支架框体表面固定连接;
步骤七,将半成品支架进行穿孔并套接导线,然后将导线与所述铜箔连接即得成品支架。
值得注意的是,玄武岩、固化剂以及银粉的投放质量百分比分别为:玄武岩92%,固化剂5%,银粉3%。
实施例4
如附图1和附图2所示,一种玄武岩LED支架结构,该LED支架结构包括支架本体1,所述支架本体1上表面中部设置有用于放置半导体单元3的凹槽2,所述支架本体1外表面固定有铜箔;所述的铜箔包括正极铜箔6以及负极铜箔7,所述正极铜箔6和负极铜箔7对称固定连接在所述凹槽2两侧所在的支架本体1表面。
该LED支架结构还包括两根第一导线8,两根第一导线8嵌入在所述支架本体1内,两根第一导线8的一端分别与正极铜箔6和负极铜箔7连接,另一端分别与各自供电电路10电连接。
安装时,将半导体单元3放置到凹槽2内并卡接,半导体单元3的正极4和负极5分别通过第二导线9与正极铜箔6和负极铜箔7连接。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不是本发明的全部实施例,不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
除说明书所述技术特征外,其余技术特征均为本领域技术人员已知技术,为了突出本发明的创新特点,上述技术特征在此不再赘述。
Claims (10)
1.一种玄武岩LED支架生产工艺,其特征是,具体步骤包括:
步骤一,将玄武岩投放到加热容器中;
步骤二,对玄武岩进行加热,使玄武岩由固体状玄武岩变为粘稠状玄武岩;
步骤三,将所述步骤二中加热得到的粘稠状玄武岩进行除杂;
步骤四,除杂后,向粘稠状玄武岩内添加固化剂和银粉并搅拌混合;
步骤五,搅拌混合完成后,将所述步骤四所得到的粘稠状玄武岩浇入模具中进行开模,开模后即得支架框体;
步骤六,向所述的支架框体表面贴合铜箔得到半成品支架;
步骤七,将半成品支架进行穿孔并套接导线,所述导线嵌入在所述支架本体内,所述导线一端与所述铜箔电连接,所述导线的另一端与供电电路电连接然后将导线与所述铜箔连接,即得成品支架。
2.根据权利要求1所述的一种玄武岩LED支架生产工艺,其特征是,在所述的步骤一中,先将玄武岩粉碎后,再投放到加热容器中。
3.根据权利要求1或2所述的一种玄武岩LED支架生产工艺,其特征是,在所述的步骤二中,对玄武岩的加热温度为790℃~810℃。
4.根据权利要求1所述的一种玄武岩LED支架生产工艺,其特征是,在所述的步骤三中,对半固体玄武岩除杂的具体方法为:将漂浮在粘稠状玄武岩表面的杂质清除。
5.根据权利要求1所述的一种玄武岩LED支架生产工艺,其特征是,所述的玄武岩、固化剂以及银粉的投放质量百分比分别为:玄武岩88%~92%,固化剂5%~7%,银粉3%~5%。
6.根据权利要求1所述的一种玄武岩LED支架生产工艺,其特征是,在所述的步骤六中,贴合铜箔的具体方法为:将铜箔放置到所述步骤五中得到的支架框体表面,并在145℃~155℃的高温下加热,使铜箔与支架框体表面固定连接。
7.一种采用权利要求1~6任一项所述的玄武岩LED支架结构生产工艺所制成的玄武岩LED支架结构,其特征是,该LED支架结构包括支架本体,所述支架本体上表面设置有用于放置半导体单元的凹槽,所述凹槽两边的支架本体上外表面上固定有铜箔;
该LED支架结构还包括第一导线,所述第一导线与所述铜箔电连接。
8.根据权利要求7所述的一种玄武岩LED支架结构,其特征是,所述凹槽设置在所述支架本体上表面的中部。
9.根据权利要求8所述的一种玄武岩LED支架结构,其特征是,所述的第一导线嵌入在所述支架本体内,所述的第一导线一端与所述铜箔电连接,所述第一导线的另一端与供电电路电连接。
10.根据权利要求9所述的一种玄武岩LED支架结构,其特征是,所述的铜箔包括正极铜箔以及负极铜箔,所述正极铜箔和负极铜箔对称固定连接在凹槽两侧。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006045256A2 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Meltit A.S. | Technical fabric |
CN101465403A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-06-24 | 四川瑞安特电子技术有限公司 | 大功率led支架框架包封材料及其生产工艺 |
CN101582480A (zh) * | 2009-05-08 | 2009-11-18 | 武汉华灿光电有限公司 | 带热沉的led芯片及其制造方法 |
CN102306694A (zh) * | 2011-05-24 | 2012-01-04 | 常州碳元科技发展有限公司 | 用于led封装的嵌套散热支架、led灯及制造方法 |
CN102347438A (zh) * | 2011-10-29 | 2012-02-08 | 华南师范大学 | 用金刚石粉-铜粉复合材料散热的发光二极管照明装置 |
CN102354725A (zh) * | 2011-10-29 | 2012-02-15 | 华南师范大学 | 散热基板为类金刚石膜-铜复合材料的大功率发光二极管 |
CN102701719A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-03 | 刘宗汉 | 一种镁橄榄石陶瓷材料、制备方法及其应用 |
CN103923391A (zh) * | 2014-04-25 | 2014-07-16 | 铜陵科乐福新光电有限公司 | 大功率led支架包封塑料的生产工艺 |
CN103972353A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 一诠精密电子工业(中国)有限公司 | 发光二极管的支架及其制法 |
CN106905902A (zh) * | 2017-03-01 | 2017-06-30 | 盐城东紫光电科技有限公司 | 一种紫外led模组 |
-
2017
- 2017-08-21 CN CN201710719567.8A patent/CN107658375B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006045256A2 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Meltit A.S. | Technical fabric |
CN101465403A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-06-24 | 四川瑞安特电子技术有限公司 | 大功率led支架框架包封材料及其生产工艺 |
CN101582480A (zh) * | 2009-05-08 | 2009-11-18 | 武汉华灿光电有限公司 | 带热沉的led芯片及其制造方法 |
CN102306694A (zh) * | 2011-05-24 | 2012-01-04 | 常州碳元科技发展有限公司 | 用于led封装的嵌套散热支架、led灯及制造方法 |
CN102347438A (zh) * | 2011-10-29 | 2012-02-08 | 华南师范大学 | 用金刚石粉-铜粉复合材料散热的发光二极管照明装置 |
CN102354725A (zh) * | 2011-10-29 | 2012-02-15 | 华南师范大学 | 散热基板为类金刚石膜-铜复合材料的大功率发光二极管 |
CN102701719A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-03 | 刘宗汉 | 一种镁橄榄石陶瓷材料、制备方法及其应用 |
CN103972353A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 一诠精密电子工业(中国)有限公司 | 发光二极管的支架及其制法 |
CN103923391A (zh) * | 2014-04-25 | 2014-07-16 | 铜陵科乐福新光电有限公司 | 大功率led支架包封塑料的生产工艺 |
CN106905902A (zh) * | 2017-03-01 | 2017-06-30 | 盐城东紫光电科技有限公司 | 一种紫外led模组 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"新材料:突围进行时 材料是产业基础,控制了关键材料,就卡住了整个产业链"咽喉"";吴妙丽等;《浙江日报》;20100926;全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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