CN107610807A - Sfp小型封装接口线 - Google Patents

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贾利宾
于国庆
李军
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Dongguan Kingsignal Electronics Co Ltd
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Dongguan Kingsignal Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种SFP小型封装接口线,包括两股线芯组、包覆于所述两股线芯组外的第一屏蔽层以及第一屏蔽层之外的第一外被,每个所述线芯组包括两条芯线、同时绕包所述两条芯线的第二屏蔽层以及绕包于所述第二屏蔽层外的第二外被,所述芯线包括内导体及绕包于所述内导体之外的绝缘体层,所述绝缘体层为FEP材料,且绝缘体层的形状呈藕状多孔结构。本发明绝缘阻燃性高、高温特性好,且能大幅降低绝缘的介电常数和信号衰减损耗。

Description

SFP小型封装接口线
技术领域
本发明涉及电子信号线材技术领域,特别涉及一种SFP小型封装接口线。
背景技术
SFP (Small Form-factor Pluggables)可以简单的理解为GBIC的升级版本。SFP模块(体积比GBIC模块减少一半,可以在相同面板上配置多出一倍以上的端口数量。由于SFP模块在功能上与GBIC基本一致,因此,也被有些交换机厂商称为小型化GBIC(Mini-GBIC)。SFP模块通过将CDR和电色散补偿放在了模块外面,而更加压缩了尺寸和功耗。用于电信和数据通信中光通信应用。SFP联接网络设备如交换机、路由器等设备的主板和光纤或UTP线缆。
目前的小型封装接口线的绝缘材料采用PE,其强度不足,介电常数较大,导致其衰减、回波损耗、差分转共模信号损耗高。且阻燃性差,不耐高低温冲击。
中国发明申请201710027844.9(系本申请人申请)公开了一种纵包小型封装接口线,中心线对和平行线对均由两个内导体和地线构成,每个内导体的外部包设有改性PE绝缘体,采用改性PE,绝缘强度提高,但是强度、介电常数、阻燃性差、高低温冲击仍然未达到实际要求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是根据上述现有技术的不足,提供一种绝缘阻燃性高、高温特性好,且能大幅降低绝缘的介电常数和信号衰减损耗的SFP小型封装接口线。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种SFP小型封装接口线,包括两股线芯组、包覆于所述两股线芯组外的第一屏蔽层以及第一屏蔽层之外的第一外被,每个所述线芯组包括两条芯线、同时绕包所述两条芯线的第二屏蔽层以及绕包于所述第二屏蔽层外的第二外被,所述芯线包括内导体及绕包于所述内导体之外的绝缘体层,所述绝缘体层为FEP材料,且绝缘体层的形状呈藕状多孔结构。
作为对本发明的进一步阐述:
优先地,所述第一屏蔽层为铝箔层,厚度为6-25μm。
优先地,所述第一外被为阻燃PVC材料外被。
优先地,所述第一外被与第一屏蔽层之间还设有第三屏蔽层,所述第三屏蔽层为镀锡铜层,厚度为95-105μm。
优先地,所述内导体为镀银铜导体,直径为41-511μm。
优先地,所述第二屏蔽层为热熔自粘铝箔层,厚度为6-25μm.
优先地,所述第二外被为热融PET带层,厚度为6-25μm。
优先地,所述第二屏蔽层内还设有一地线,所述地线位于两条所述芯线夹缝一侧.
优先地,所述地线为镀银铜导体,直径为41-511μm。
本发明的有益效果是:其一、芯线的绝缘体层为FEP材料,使得绝缘阻燃性高,且由于FEP材料的高温特性,可在高温200度环境下使用;其二、芯线的绝缘体层的形状呈藕状多孔结构,大幅降低了绝缘的介电常数,信号衰减损耗降低20%以上。
附图说明
图1为SFP小型封装接口线的截面结构示意图。
图2为SFP小型封装接口线的单股芯线截面结构示意图。
图中:1.线芯组;11.芯线;111.内导体;112.绝缘体层;12.第二屏蔽层;13.第二外被;14.地线;2.第一屏蔽层;3.第一外被;4.第三屏蔽层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作进一步详细说明。
如图1和图2所示,本发明为一种SFP小型封装接口线,包括两股线芯组1、包覆于所述两股线芯组1外的第一屏蔽层2以及第一屏蔽层之外的第一外被3,每个所述线芯组1包括两条芯线11、同时绕包所述两条芯线11的第二屏蔽层12以及绕包于所述第二屏蔽层外的第二外被13,所述芯线11包括内导体111及绕包于所述内导体之外的绝缘体层112,所述绝缘体层112为FEP材料,且绝缘体层112的形状呈藕状多孔结构。
如图1所示,所述第一屏蔽层2为铝箔层,厚度为6-25μm。
如图1所示,所述第一外被3为阻燃PVC材料外被。
如图1所示,所述第一外被3与第一屏蔽层2之间还设有第三屏蔽层4,所述第三屏蔽层4为镀锡铜层,厚度为95-105μm,屏蔽率大于80%。
如图1和图2所示,所述内导体111为镀银铜导体,直径为41-511μm。
如图1和图2所示,所述第二屏蔽层12为热熔自粘铝箔层,厚度为6-25μm.
如图1和图2所示,所述第二外被13为热融PET带层,厚度为6-25μm。
如图1和图2所示,所述第二屏蔽层12内还设有一地线14,所述地线14位于两条所述芯线11夹缝一侧。优选地,所述地线14为镀银铜导体,直径为41-511μm。
如图1和图2所示,所述每股线芯组1外均设有线号标记15。两股线芯组1上下排列,线材结构紧凑,满足了人们更快的数据传输速度的需求,同时防止了信号噪音。
以上所述,仅是本发明较佳实施方式,凡是依据本发明的技术方案对以上的实施方式所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均属于本发明技术方案的范围内。

Claims (9)

1.SFP小型封装接口线,包括两股线芯组、包覆于所述两股线芯组外的第一屏蔽层以及第一屏蔽层之外的第一外被,每个所述线芯组包括两条芯线、同时绕包所述两条芯线的第二屏蔽层以及绕包于所述第二屏蔽层外的第二外被,所述芯线包括内导体及绕包于所述内导体之外的绝缘体层,其特征在于:所述绝缘体层为FEP材料,且绝缘体层的形状呈藕状多孔结构。
2.根据权利要求1所述的SFP小型封装接口线,其特征在于:所述第一屏蔽层为铝箔层,厚度为6-25μm。
3.根据权利要求1所述的SFP小型封装接口线,其特征在于:所述第一外被为阻燃PVC材料外被。
4.根据权利要求1所述的SFP小型封装接口线,其特征在于:所述第一外被与第一屏蔽层之间还设有第三屏蔽层,所述第三屏蔽层为镀锡铜层,厚度为95-105μm。
5.根据权利要求1所述的SFP小型封装接口线,其特征在于:所述内导体为镀银铜导体,直径为41-511μm。
6.根据权利要求1所述的SFP小型封装接口线,其特征在于:所述第二屏蔽层为热熔自粘铝箔层,厚度为6-25μm。
7.根据权利要求1所述的SFP小型封装接口线,其特征在于:所述第二外被为热融PET带层,厚度为6-25μm。
8.根据权利要求1所述的SFP小型封装接口线,其特征在于:所述第二屏蔽层内还设有一地线,所述地线位于两条所述芯线夹缝一侧。
9.根据权利要求8所述的SFP小型封装接口线,其特征在于:所述地线为镀银铜导体,直径为41-511μm。
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