CN107607568A - 光中子源和中子检查系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光中子源和中子检查系统。光中子源包括：电子加速管，用于加速电子束流；X射线转化靶，经所述电子加速管加速的电子束流轰击所述X射线转化靶产生X射线；光中子靶，所述X射线进入所述光中子靶并产生光中子；和中子调制罩壳，罩设于所述光中子靶外部，所述中子调制罩壳包括用于所述光中子输出的中子准直口。本发明可以从光中子源的中子准直口直接输出所需的中子束流。

Description

光中子源和中子检查系统

技术领域

本发明涉及辐射检查技术领域，特别涉及一种光中子源和中子检查系统。

背景技术

中子在与不同的元素发生反应时，发射出不同的特征能量光子。基于特异物的元素含量特征和中子与原子核的反应机理，通过探测被检测物的特征γ能谱，确定物质的元素组成以及各元素的比例关系，以此区分是爆炸物、毒品或者是一般有机物，准确性较高。如爆炸物的元素组成通常为C、H、N、O，而且N和O的含量较高，H和C的含量很少；在许多毒品的制备过程中，需要含氯物质的参与，因此，通过分析H、N、Cl等元素的比例关系可以探测毒品/易制毒物质。

基于中子穿透力强，能够进行元素分析等优点，在安检领域，可以使用中子对大型集装箱、大型车辆内的物品进行物质识别，对可能存在的毒品或爆炸物等特异物质进行鉴别。

中子的产生和输运是通过中子检查物品时整个物理过程中的第一步。安检领域中常用的中子源有同位素中子源和中子发生器，但是这两种中子源在中子产额、使用寿命等方面都有各自的不足和弊端，对于大体积物品的快速检查不是最优选择。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光中子源和中子检查系统，可以直接输出所需的中子束流。

本发明第一方面提供一种光中子源，包括：电子加速管，用于加速电子束流；X射线转化靶，经所述电子加速管加速的电子束流轰击所述X射线转化靶产生X射线；光中子靶，所述X射线进入所述光中子靶并产生光中子；和，中子调制罩壳，罩设于所述光中子靶外部，所述中子调制罩壳包括用于所述光中子输出的中子准直口。

进一步地，所述中子调制罩壳罩设于所述电子加速管、所述X射线转化靶和所述光中子靶外部。

进一步地，所述X射线转化靶部分或全部位于所述光中子靶内。

进一步地，所述光中子靶包括重水靶或铍靶。

进一步地，所述光中子靶为重水靶，所述重水靶包括密闭外壳和封闭设置于所述密闭外壳内的重水，所述密闭外壳包括凹入部，所述X射线转化靶部分或全部位于所述凹入部内。

进一步地，所述重水靶为圆柱靶，所述圆柱靶的轴线沿所述电子加速管的电子束流的出束方向设置。

进一步地，所述电子加速管、所述X射线转化靶和所述光中子靶同轴设置。

进一步地，所述电子加速管位于所述X射线转化靶和所述光中子靶的上方，所述X射线转化靶部分或全部位于所述光中子靶的上部内。

进一步地，所述中子调制罩壳包括用于屏蔽X射线的屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述光中子靶的外部。

进一步地，所述屏蔽层设置于所述电子加速管、所述X射线转化靶和所述光中子靶的外部。

进一步地，所述屏蔽层包括用于屏蔽X射线并屏蔽中子的第一屏蔽体和用于屏蔽X射线并透射中子的第二屏蔽体。

进一步地，所述第一屏蔽体包括铅屏蔽体，所述第二屏蔽体包括铋屏蔽体。

进一步地，所述第一屏蔽体和所述第二屏蔽体采用同种屏蔽材料构成，所述第二屏蔽体的厚度小于所述第一屏蔽体的厚度。

进一步地，所述第一屏蔽体和所述第二屏蔽体均为铅屏蔽体。

进一步地，所述屏蔽层包括铋屏蔽层或铋合金屏蔽层。

进一步地，所述第一屏蔽体包括罩设在所述光中子发生结构外部的屏蔽罩，所述屏蔽罩具有中子输出口，所述第二屏蔽体设置于所述中子输出口内并封闭所述中子输出口。

进一步地，所述中子输出口位于所述电子束流的出束方向的侧部。

进一步地，所述中子调制罩壳还包括设置于所述屏蔽层外侧以慢化光中子的中子慢化层和/或设置于所述屏蔽层外侧以吸收光中子的中子吸收层。

进一步地，所述中子调制罩壳包括所述中子慢化层和所述中子吸收层，所述中子吸收层设置于所述中子慢化层的外侧。

进一步地，所述中子慢化层包括石墨慢化层或重水吸收层；和/或，所述中子吸收层包括碳化硼吸收层、石蜡吸收层、含硼石蜡吸收层或含硼聚乙烯吸收层。

进一步地，所述屏蔽层包括用于屏蔽X射线并屏蔽中子的第一屏蔽体和用于屏蔽X射线并透射中子的第二屏蔽体；所述中子慢化层包括第一慢化部和厚度小于所述第一慢化部的第二慢化部，所述第一慢化部设置于所述第一屏蔽体外侧，所述第二慢化部设置于所述第一屏蔽体外侧。

进一步地，所述屏蔽层包括用于屏蔽X射线并屏蔽中子的第一屏蔽体和用于屏蔽X射线并透射中子的第二屏蔽体；所述中子吸收层具有设置于所述第二屏蔽体外侧的中子发射窗口。

进一步地，所述中子调制罩壳还包括用于控制中子发射形状的中子准直器，所述中子准直器位于所述中子发射窗口内，所述中子准直器包括所述中子准直口。

进一步地，所述光中子源还包括波导，所述波导包括与所述电子加速管连接的直管段和与所述直管段连接的引导段，所述引导段的至少一部分与所述直管段具有夹角。

进一步地，所述波导穿设于所述中子调制罩壳内。

本发明第二方面提供一种中子检查系统，包括本发明第一方面中任一项所述的光中子源。

进一步地，所述中子检查系统为车载式检查系统。

进一步地，所述电子加速管的电子束流的出束方向垂直于地面。

基于本发明提供的光中子源和中子检查系统，光中子源包括电子加速管、X射线转化靶、光中子靶和中子调制罩壳，可以从光中子源的中子准直口直接输出所需的中子束流。进一步地，该光中子源结构紧凑，安装调试简单方便。中子检查系统包括该光中子源，具有光中子源具有的全部优点。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例的光中子源的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

在本发明的描述中，需要理解的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。

图1为本发明实施例的光中子源的结构示意图。如图1所示，该实施例的光中子源主要包括电子加速管2、X射线转化靶3、光中子靶4和中子调制罩壳。电子加速管2用于加速电子束流。经电子加速管2加速的电子束流轰击X射线转化靶3产生X射线。X射线进入光中子靶4并产生光中子。中子调制罩壳罩设于光中子靶4外部，中子调制罩壳包括用于光中子输出的中子准直口。

该光中子源将电子加速管2、X射线转化靶3、光中子靶4和中子调制罩壳集为一体，可以从光中子源的中子准直口直接输出所需的中子束流，结构紧凑，安装调试简单方便。

此外，光中子源作为一种新型的中子源，相对于其他类型的中子源，例如同位素中子源和中子发生器，有诸多优点，可满足对大体积物品进行快速检查的要求。其中：

对于特异物、违禁品检查领域，检查效率是一个重要的因素，为此，对于中子检查系统，必须保证检查通道内的中子具有很高的注量率，因此采用的中子源需要有较高的中子产额。光中子的产额高，相对于中子发生器和同位素中子源，可以提高检测速度。

光中子源的寿命长，而常用的同位素中子源例如252Cf，半衰期为2.65年，普通中子发生器的寿命最高也仅为上千小时。

光中子源为电射线源，辐射安全性好，在运输、安装和调试过程不产生辐射。

相对于中子发生器，光中子源的复杂度小，成本低，易于维护。

本发明实施例的光中子源，可应用在安全检查领域，对大型集装箱、大型车辆内可能存在的毒品或爆炸物等特异物质进行识别。

以下结合图1对本发明实施例进行详细说明。

如图1所示，本实施例的光中子源包括波导1、电子加速管2、X射线转化靶3、光中子靶4和中子调制罩壳。中子调制罩壳包括屏蔽层、中子慢化层6、中子吸收层7和中子准直器8。

该光中子源利用脉冲电子直线加速器产生的X射线与光中子靶4作用后产生的光中子作为中子源。产生光中子包括X射线生成和光中子产生两个过程：在电子加速管2内加速电子形成高能电子束后轰击作为X射线转化靶3的高Z材料，电子与高Z材料发生轫致辐射作用，产生高能X射线。高能X射线进入光中子转换靶4之后与原子核发生光中子反应，产生光中子。

X射线转化靶3例如可以由金和钨制成。

如图1所示，本实例中，中子调制罩壳罩设于电子加速管2、X射线转化靶3和光中子靶4外部。该设置使中子调制罩壳、电子加速管2、X射线转化靶3和光中子靶4整合为一体，安装调试方便，辐射低、安全性高。

如图1所示，本实施例优选地，X射线转化靶3全部位于光中子靶4内。在其它示图示的实施例中，X射线转化靶3可以部分位于光中子靶4内，也可以与光中子靶4有一定的距离。

其中，光中子靶4可以为重水靶，也可以为铍靶。由于光中子反应存在能量阈值，即只有光子的能量大于中子在原子核中的结合能时，光中子反应才有可能发生，因此须选择适当的光中子转换材料形成光中子靶4，保证其反应阈值低于X射线能量。通常选取的材料是氘和铍，其光子反应阈值分别为2.223MeV和1.67MeV。本实施例中，光中子靶4为重水靶。

如图1所示，重水靶包括密闭外壳和封闭设置于密闭外壳内的重水。密闭外壳的顶部包括凹入部，X射线转化靶3位于凹入部内。密闭外壳例如可以为铝外壳。本实施例中，X射线转换靶3伸入重水靶中，电子打靶的过程中X射线产生于重水的包围中。X射线产生的同时，能量高于光中子反应阈值的X射线可与重水中的氘反应产生中子，X射线被充分利用。

在未图示的实施例中，X射线转化靶3也可以部分位于凹入部内。

本实施例中，重水靶为轴线沿电子加速管的出束方向设置的圆柱靶。电子加速管2、X射线转化靶3和光中子靶4同轴设置。

如图1所示，电子加速管2位于X射线转化靶3和光中子靶4的上方，X射线转化靶3部分或全部位于光中子靶4的上部内。

中子调制罩壳的屏蔽层用于屏蔽X射线。屏蔽层设置于光中子靶4外部。本实施例中，屏蔽层设置于电子加速管2、X射线转化靶3和光中子靶4外部。

如图1所示，屏蔽层包括用于屏蔽X射线并屏蔽中子的第一屏蔽体5和用于屏蔽X射线并透射中子的第二屏蔽体9。

优选地，第一屏蔽体5包括铅屏蔽体；第二屏蔽体9包括铋屏蔽体。

在另外一个优选的实施例中，第一屏蔽体5和第二屏蔽体9可以以采用同种屏蔽材料，但采用不同的厚度。例如，第一屏蔽体5和第二屏蔽体9可以均为铅屏蔽体，其中第二屏蔽体9的厚度比第一屏蔽体5薄。此时，第一屏蔽体5的厚度较大，因此可以屏蔽X射线和多数中子，第二屏蔽体9的厚度相对较小，因此，可以屏蔽大部分X射线和少数中子，而多数中子可以通过第二屏蔽体9输出。

在其它实施例中，第一屏蔽体5可以包括铋屏蔽体或铋合金屏蔽体；第二屏蔽体9可以包括铅屏蔽体或铋合金屏蔽体等。在使用铋合金时要提防中子敏感核素的加入。

其中，第一屏蔽体5包括罩设在光中子发生结构外部的屏蔽罩，屏蔽罩具有中子输出口，第二屏蔽体9设置于中子输出口处并闭合中子输出口。

优选地，中子输出口位于电子束流的出束方向的侧部。如图1所示，本实施例中，电子加速管2的电子束流向下出束，与屏蔽层同轴，而中子输出口设置于屏蔽层的侧面上。该设置使得光中子源可以布置为电子束流的出束方向朝向地面，降低对光中子源顶部和底部的防护需求。

优选地，第二屏蔽体9为上下设置的条状体。该设置与光子准直口的形状对应，适于发出扇形束。

光中子源产生中子的过程中会产生X射线，该X射线会对特征γ射线的探测造成干扰。本实施例的光中子源在光中子靶4的四周使用铅屏蔽体和铋屏蔽体对X射线和中子进行屏蔽。铅屏蔽体是常用的X射线屏蔽体，但是对中子也有一定的屏蔽作用；铋屏蔽体可以屏蔽X射线，且对中子没有屏蔽作用。所以在中子输出口的部分使用铋屏蔽体，其他部分使用铅屏蔽体，目的是实现中子仅从前向准直缝出射，其他方向没有X射线泄露和少有中子泄露。

在其它未示出的实施例中，屏蔽层也可以是单一的屏蔽体，例如单一的铋屏蔽体、铋合金屏蔽体等。

中子调制罩壳的中子慢化层6设置于屏蔽层外侧以慢化光中子。本实施例中中子慢化层6为石墨慢化层。

其它未图示的实施例中，中子慢化层也可以由其它材料构成。例如也可以为重水慢化层，或者可以是不同慢化材料层的组合。重水慢化层中，重水容置于密闭外壳内。

如图1所示，中子慢化层6包括第一慢化部和厚度小于第一慢化部的第二慢化部，第一慢化部设置于第一屏蔽体5外侧，第二慢化部设置于第一屏蔽体5外侧。

中子吸收层7设置于屏蔽层外侧以吸收光中子。本实施例中，中子吸收层7设置于中子慢化层6外侧；中子吸收层7包括碳化硼吸收层。如图1所示，中子吸收层7具有设置于第二屏蔽体9外侧的中子发射窗口。

在其它未图示的实施例中，中子吸收层也可以由其它材料制成。例如，还可以是石蜡吸收层、含硼石蜡吸收层、含硼聚乙烯吸收层，或者可以是不同吸收材料层的组合。

X射线经过铅屏蔽体屏蔽后，基本完全被吸收，但是中子仅部分被吸收。所以还需要对穿过铅屏蔽体的中子进行慢化和吸收。对于穿过铋屏蔽体的中子也要进行慢化，使得从准直缝射出的中子大部分为热中子。本实施例中采用石墨对中子进行慢化，中子与石墨中的C原子发生碰撞，损失能量，达到慢化的目的。本实施例中采用碳化硼对中子进行慢化，其中，B与热中子反应截面较大，经石墨慢化后的热中子将与碳化硼中的B发生反应，最终将被最外层的碳化硼吸收。

中子调制罩壳的中子准直器8用于控制中子发射形状。中子准直器8位于中子发射窗口内。中子准直器8包括中子准直口。如图1所示，本实施例中，中子准直口为条状缝隙，对应的中子束的形状为扇形束。

在其它未图示的实施例中，中子准直口可以为圆形、方形等其它形状，对应的中子束可以为笔形束等。

本实施例的光中子源发射出的中子大部分为热中子。相比于快中子，热中子与特异物元素反应截面更大。

如图1所示，波导1穿设于中子调制罩壳内。波导1包括与电子加速管2连接的直管段和与直管段连接的引导段，引导段的至少一部分与直管段具有夹角。该设置使得射线经过引导段以后才能出射，即相对于直管段进行了转向，降低了环境剂量率。

本发明实施例还提供一种中子检查系统，包括前述的光中子源。本实施例的中子检查系统，具有前述的光中子源的全部优点，在此不再重复描述。

优选地，中子检查系统为车载式检查系统。车载式检查系统中可以将操作舱与中子源集成在同一车辆底盘上。当然，该光中子源也可以应用在组合式、固定式等操作舱与设备具有一定安全距离的中子检测设备上。

优选地，电子加速管2的电子束流的出束方向垂直于地面。由于电子加速管2的后端面难以像电子加速管2四周一样进行屏蔽，电子束的后向方向上会产生较大的辐射剂量。本实施例中将电子加速管2垂直设置，电子束流朝下方加速，且后端向上放置，则只增加上空的辐射剂量，在无人员进行高空作业的情况下，无需扩大辐射防护区或增加屏蔽装置。相对于现有技术水平设置而言，可避免导致水平方向上的辐射剂量增加，导致辐射防护区域增大或屏蔽装置增厚。

当然，在其它未图示的实施例中，电子加速管2的方向也可以按照需求，朝向除中子束流以外的方向。

根据以上描述可知，本发明以上实施例具有以下技术效果至少之一：

光中子源具有中子产额高、寿命长、辐射安全性好、复杂度小等特点。可应用于中子检测系统中对大型集装箱、大型车辆内可能存在的毒品或爆炸物等特异物质进行鉴别。

相比于其他类型的中子源，可提高检测速度和查验效率，在运输、安装和调试过程不产生发射性，且易于维护。

该光中子源可以应用在各类中子检测设备上。不仅可以应用在组合式、固定式等操作舱与设备具有一定安全距离的中子检测设备上，也可以应用在对辐射安全性要求较高的车载式中子检查系统上。车载式中子检查系统中操作舱与中子源集成在同一车辆底盘上，中子检查系统工作时，仍可以保证操作舱中工作人员的辐射安全。

该光中子源的所有部件集于一体，直接发出热中子，并准直成所需的中子束，如扇形束、笔形束等，结构紧凑，安装调试简单方便。

最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本发明技术方案的精神，其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。

Claims (28)

1.一种光中子源，其特征在于，包括：

电子加速管(2)，用于加速电子束流；

X射线转化靶(3)，经所述电子加速管(2)加速的电子束流轰击所述X射线转化靶(3)产生X射线；

光中子靶(4)，所述X射线进入所述光中子靶(4)并产生光中子；和，

中子调制罩壳，罩设于所述光中子靶(4)外部，所述中子调制罩壳包括用于所述光中子输出的中子准直口。

2.根据权利要求1所述的光中子源，其特征在于，所述中子调制罩壳罩设于所述电子加速管(2)、所述X射线转化靶(3)和所述光中子靶(4)外部。

3.根据权利要求1所述的光中子源，其特征在于，所述X射线转化靶(3)部分或全部位于所述光中子靶(4)内。

4.根据权利要求1所述的光中子源，其特征在于，所述光中子靶(4)包括重水靶或铍靶。

5.根据权利要求1所述的光中子源，其特征在于，所述光中子靶(4)为重水靶，所述重水靶包括密闭外壳和封闭设置于所述密闭外壳内的重水，所述密闭外壳包括凹入部，所述X射线转化靶(3)部分或全部位于所述凹入部内。

6.根据权利要求5所述的光中子源，其特征在于，所述重水靶为圆柱靶，所述圆柱靶的轴线沿所述电子加速管(2)的电子束流的出束方向设置。

7.根据权利要求1所述的光中子源，其特征在于，所述电子加速管(2)、所述X射线转化靶(3)和所述光中子靶(4)同轴设置。

8.根据权利要求1所述的光中子源，其特征在于，所述电子加速管(2)位于所述X射线转化靶(3)和所述光中子靶(4)的上方，所述X射线转化靶(3)部分或全部位于所述光中子靶(4)的上部内。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的光中子源，其特征在于，所述中子调制罩壳包括用于屏蔽X射线的屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述光中子靶(4)的外部。

10.根据权利要求9所述的光中子源，其特征在于，所述屏蔽层设置于所述电子加速管(2)、所述X射线转化靶(3)和所述光中子靶(4)的外部。

11.根据权利要求9所述的光中子源，其特征在于，所述屏蔽层包括用于屏蔽X射线并屏蔽中子的第一屏蔽体(5)和用于屏蔽X射线并透射中子的第二屏蔽体(9)。

12.根据权利要求11所述的光中子源，其特征在于，

所述第一屏蔽体(5)包括铅屏蔽体，所述第二屏蔽体(9)包括铋屏蔽体。

13.根据权利要求11所述的光中子源，其特征在于，所述第一屏蔽体和所述第二屏蔽体采用同种屏蔽材料构成，所述第二屏蔽体的厚度小于所述第一屏蔽体的厚度。

14.根据权利要求13所述的光中子源，其特征在于，所述第一屏蔽体(5)和所述第二屏蔽体(9)均为铅屏蔽体。

15.根据权利要求9所述的光中子源，其特征在于，所述屏蔽层包括铋屏蔽层或铋合金屏蔽层。

16.根据权利要求11所述的光中子源，其特征在于，所述第一屏蔽体(5)包括罩设在所述光中子发生结构外部的屏蔽罩，所述屏蔽罩具有中子输出口，所述第二屏蔽体(9)设置于所述中子输出口内并封闭所述中子输出口。

17.根据权利要求16所述的光中子源，其特征在于，所述中子输出口位于所述电子束流的出束方向的侧部。

18.根据权利要求9所述的光中子源，其特征在于，所述中子调制罩壳还包括设置于所述屏蔽层外侧以慢化光中子的中子慢化层(6)和/或设置于所述屏蔽层外侧以吸收光中子的中子吸收层(7)。

19.根据权利要求18所述的光中子源，其特征在于，所述中子调制罩壳包括所述中子慢化层(6)和所述中子吸收层(7)，所述中子吸收层(7)设置于所述中子慢化层(6)的外侧。

20.根据权利要求18所述的光中子源，其特征在于，所述中子慢化层(6)包括石墨慢化层或重水慢化层；和/或，所述中子吸收层(7)包括碳化硼吸收层、石蜡吸收层、含硼石蜡吸收层或含硼聚乙烯吸收层。

21.根据权利要求18所述的光中子源，其特征在于，所述屏蔽层包括用于屏蔽X射线并屏蔽中子的第一屏蔽体(5)和用于屏蔽X射线并透射中子的第二屏蔽体(9)；所述中子慢化层(6)包括第一慢化部和厚度小于所述第一慢化部的第二慢化部，所述第一慢化部设置于所述第一屏蔽体(5)外侧，所述第二慢化部设置于所述第一屏蔽体(5)外侧。

22.根据权利要求18所述的光中子源，其特征在于，所述屏蔽层包括用于屏蔽X射线并屏蔽中子的第一屏蔽体(5)和用于屏蔽X射线并透射中子的第二屏蔽体(9)；所述中子吸收层(7)具有设置于所述第二屏蔽体(9)外侧的中子发射窗口。

23.根据权利要求22所述的光中子源，其特征在于，所述中子调制罩壳还包括用于控制中子发射形状的中子准直器(8)，所述中子准直器(8)位于所述中子发射窗口内，所述中子准直器(8)包括所述中子准直口。

24.根据权利要求1至8中任一项所述的光中子源，其特征在于，所述光中子源还包括波导(1)，所述波导(1)包括与所述电子加速管(2)连接的直管段和与所述直管段连接的引导段，所述引导段的至少一部分与所述直管段具有夹角。

25.根据权利要求24所述的光中子源，其特征在于，所述波导(1)穿设于所述中子调制罩壳内。

26.一种中子检查系统，包括光中子源，其特征在于，所述光中子源为根据权利要求1至25中任一项所述的光中子源。

27.根据权利要求26所述的中子检查系统，其特征在于，所述中子检查系统为车载式检查系统。

28.根据权利要求26所述的中子检查系统，其特征在于，所述电子加速管(2)的电子束流的出束方向垂直于地面。