CN107591598A - 一种ltcc双层对称结构超宽带定向耦合器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器，耦合器由五节四分之一波长宽边折叠耦合线与三节四分之一波长宽边折叠耦合线级联构成，采用双层对称结构和三维立体集成，运用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现，大大减小了器件的体积。本发明能够实现强耦合，并将带宽比拓展到5倍，并且具有工作频带宽、体积小、直通和耦合端口相位正交性好，直通和耦合端口幅度偏差小，温度稳定性好、散热性能好、可靠性高、成品率高、批量生产电性能指标一致性好、成本低及安装使用方便等优点，适用于相应微波频段的通信、数字雷达、无线通信手持终端等对电性能、材料一致性、热机械性、温度稳定性、工艺性及抗干扰性有苛刻要求的场合和相应的系统中。

Description

一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器

技术领域

本发明属于微波技术领域，具体地说，是一种LTCC超宽带定向耦合器。

背景技术

定向耦合器是一种具有方向性的功率耦合(分配)元件。它是一种四端口元件，通常由称为直通线和耦合线的两段传输线组合而成。直通线和耦合线之间通过一定的耦合机制把直通线功率的一部分(或全部)耦合到耦合线中，并且要求功率在藕合线中只传向某一输出端口，另一端口则无功率输出。耦合器的技术指标有工作频率、输入输出电压驻波比、插入损耗、隔离度、幅度平衡、相位平衡特性等，另外，耦合器的温度稳定性、体积、重量等也是衡量其性能的重要参考内容。

近年来，移动通信、卫星通信及国防电子系统的微型化发展迅速，高性能、低成本和小型化已经成为目前微波技术领域的发展方向之一，微波器件的性能、尺寸、可靠性和成本均需要得到进一步提升。低温共烧陶瓷技术（LTCC），是一种通过层叠共烧若干印有特定金属图层生瓷片的电子封装技术。低温共烧陶瓷的特点为高性能、高稳定、高可靠以及高度集成，在保证可靠性的同时，极大的减小了产品的尺寸，现已发展成为无源集成的主流技术。

现代电子对抗系统、测量仪器系统的发展，使得微波系统覆盖了越来越宽的频带。随着人们对便携化和集成化的不断追求，作为微波系统中广泛使用的定向耦合器，人们对其带宽和体积提出了更高的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种实现体积小、重量轻、结构简单、电性能优异、可靠性高、成品率高、批量一致性好、温度性能稳定、造价低的LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器。

实现本发明目的的技术方案是：一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器，包括表面贴装的50欧姆阻抗端口一P1、表面贴装的50欧姆阻抗端口二P2、表面贴装的50欧姆阻抗端口三P3、表面贴装的50欧姆阻抗端口四P4、连接引线一L1、连接引线二L2、连接引线三L3、连接引线四L4、上层折叠宽边耦合线一LU1、上层折叠宽边耦合线二LU2、上层折叠宽边耦合线三LU3、上层折叠宽边耦合线四LU4、上层折叠宽边耦合线五LU5、下层折叠宽边耦合线一LD1、下层折叠宽边耦合线二LD2、下层折叠宽边耦合线三LD3、层间连接柱一H1、层间连接柱二H2、上层级间连接柱组一HU1、上层级间连接柱组二HU2、上层级间连接柱组三HU3、上层级间连接柱组四HU4、下层级间连接柱组一HD1、下层级间连接柱组二HD2、印地侧一GND1、印地侧二GND2、上层接地屏蔽层SDU、中层接地屏蔽层SDM、下层接地屏蔽层SDD。

所述的上层折叠宽边耦合线一LU1包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线一第一层折叠线LU11、上层折叠宽边耦合线一第二层折叠线LU12；上层折叠宽边耦合线二LU2包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线二第一层折叠线LU21、上层折叠宽边耦合线二第二层折叠线LU22；上层折叠宽边耦合线三LU3包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线三第一层折叠线LU31、上层折叠宽边耦合线三第二层折叠线LU32；上层折叠宽边耦合线四LU4包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线四第一层折叠线LU41、上层折叠宽边耦合线四第二层折叠线LU42；上层折叠宽边耦合线五LU5包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线五第一层折叠线LU51、上层折叠宽边耦合线五第二层折叠线LU52；下层叠宽边耦合线一LD1包含二层折叠线：下层叠宽边耦合线一第一层折叠线LD11、下层叠宽边耦合线一第二层折叠线LD12；下层叠宽边耦合线二LD2包含二层折叠线：下层叠宽边耦合线二第一层折叠线LD21、下层叠宽边耦合线二第二层折叠线LD22；下层叠宽边耦合线三LD3包含二层折叠线包含二层折叠线：下层叠宽边耦合线三第一层折叠线LD31、下层叠宽边耦合线三第二层折叠线LD32。

所述的上层级间连接柱组一HU1包含二个连接柱：上层级间连接柱组一第一层连接柱HU11、上层级间连接柱组一第二层连接柱HU12；上层级间连接柱组二HU2包含二个连接柱：上层级间连接柱组二第一层连接柱HU21、上层级间连接柱组二第二层连接柱HU22；上层级间连接柱组三HU3包含二个连接柱：上层级间连接柱组三第一层连接柱HU31、上层级间连接柱组三第二层连接柱HU32；上层级间连接柱组四HU4包含二个连接柱：上层级间连接柱组四第一层连接柱HU41、上层级间连接柱组一第二层连接柱HU42；下层级间连接柱组一HD1包含二个连接柱：下层级间连接柱组一第一层连接柱HD11、下层级间连接柱组一第二层连接柱HD12；下层级间连接柱组二HD2包含二个连接柱：下层级间连接柱组二第一层连接柱HD21、下层级间连接柱组二第二层连接柱HD22；

所述表面贴装的50欧姆阻抗端口一P1与连接引线一L1连接，表面贴装的50欧姆阻抗端口二P2与连接引线二L2连接，表面贴装的50欧姆阻抗端口三P3与连接引线三L3连接，表面贴装的50欧姆阻抗端口四P4与连接引线四L4连接。上层折叠宽边耦合线一第二层折叠线LU12的一端与连接引线一L1连接，另一端通过上层级间连接柱组一第二层连接柱HU12与上层折叠宽边耦合线二第二层折叠线LU22一端连接，上层折叠宽边耦合线二第二层折叠线LU22另一端通过上层级间连接柱组二第二层连接柱HU22与上层折叠宽边耦合线三第二层折叠线LU32一端连接，上层折叠宽边耦合线三第二层折叠线LU32另一端通过上层级间连接柱组三第二层连接柱HU32与上层折叠宽边耦合线四第二层折叠线LU42一端连接，上层折叠宽边耦合线四第二层折叠线LU42另一端通过上层级间连接柱组四第二层连接柱HU42与上层折叠宽边耦合线五第二层折叠线LU52一端相连，上层折叠宽边耦合线五第二层折叠线LU52另一端通过层间连接柱二H2与下层叠宽边耦合线三第二层折叠线LD32一端相连，下层叠宽边耦合线三第二层折叠线LD32另一端通过下层级间连接柱组二第二层连接柱HD22与下层叠宽边耦合线二第二层折叠线LD22一端相连，下层叠宽边耦合线二第二层折叠线LD22另一端通过下层级间连接柱组一第二层连接柱HD12与下层叠宽边耦合线一第二层折叠线LD12一端相连，下层叠宽边耦合线一第二层折叠线LD12另一端与连接引线四L4相连，上层折叠宽边耦合线五第一层折叠线LU51一端与连接引线二L2连接，另一端通过上层级间连接柱组四第一层连接柱HU41与上层折叠宽边耦合线四第一层折叠线LU41一端连接，上层折叠宽边耦合线四第一层折叠线LU41另一端通过上层级间连接柱组三第一层连接柱HU31与上层折叠宽边耦合线三第一层折叠线LU31一端连接，上层折叠宽边耦合线三第一层折叠线LU31另一端通过上层级间连接柱组二第一层连接柱HU21与上层折叠宽边耦合线二第一层折叠线LU21一端连接，上层折叠宽边耦合线二第一层折叠线LU21另一端通过上层级间连接柱组一第一层连接柱HU11与上层折叠宽边耦合线一第一层折叠线LU11一端相连，上层折叠宽边耦合线一第一层折叠线LU11另一端通过层间连接柱一H1与下层折叠宽边耦合线一第一层折叠线LD11一端相连，下层折叠宽边耦合线一第一层折叠线LD11另一端通过下层级间连接柱组一第一层连接柱HD11与下层折叠宽边耦合线二第一层折叠线LD21一端相连，下层折叠宽边耦合线二第一层折叠线LD21另一端通过下层级间连接柱组二第一层连接柱HD21与下层折叠宽边耦合线三第一层折叠线LD31一端相连，下层折叠宽边耦合线三第一层折叠线LD31另一端与连接引线三L3相连。上层接地屏蔽层SDU、下层接地屏蔽层SDD分别位于最上面与最下面一层，中层接地屏蔽层SDM将上层折叠宽边耦合线一LU1、上层折叠宽边耦合线二LU2、上层折叠宽边耦合线三LU3、上层折叠宽边耦合线四LU4、上层折叠宽边耦合线五LU5与下层折叠宽边耦合线一LD1、下层折叠宽边耦合线二LD2、下层折叠宽边耦合线三LD3隔离开，上层接地屏蔽层SDU、中层接地屏蔽层SDM、下层接地屏蔽层SDD均与印地侧一GND1、印地侧二GND2连接。

所述包括表面贴装的50欧姆阻抗端口一P1、表面贴装的50欧姆阻抗端口二P2、表面贴装的50欧姆阻抗端口三P3、表面贴装的50欧姆阻抗端口四P4、连接引线一L1、连接引线二L2、连接引线三L3、连接引线四L4、上层折叠宽边耦合线一LU1、上层折叠宽边耦合线二LU2、上层折叠宽边耦合线三LU3、上层折叠宽边耦合线四LU4、上层折叠宽边耦合线五LU5、下层折叠宽边耦合线一LD1、下层折叠宽边耦合线二LD2、下层折叠宽边耦合线三LD3、层间连接柱一H1、层间连接柱二H2、上层级间连接柱组一HU1、上层级间连接柱组二HU2、上层级间连接柱组三HU3、上层级间连接柱组四HU4、下层级间连接柱组一HD1、下层级间连接柱组二HD2、印地侧一GND1、印地侧二GND2、上层接地屏蔽层SDU、中层接地屏蔽层SDM、下层接地屏蔽层SDD均采用多层低温共烧陶瓷工艺实现。

与现有技术相比，本发明采用低损耗低温共烧陶瓷材料和三维立体集成，折叠宽边耦合线，多节与多节耦合线级联技术，附带双层对称结构，其优点显著，具体包括：（1）体积小、重量轻、成本低；（2）电路实现结构简单，可实现大批量生产；（3）可靠性高；（4）使用安装方便，单独作为部件使用，可以通过全自动贴片机安装和焊接。

附图说明

图1（a）是本发明一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器的俯视结构图，图1（b）是本发明一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器的主视层数图。

图2是本发明一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器主要性能测试曲线图。

图3是本发明一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器直通与耦合端口相位差曲线图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细描述。

结合图1（a）、（b），本发明一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器，采用双层对称结构，包括表面贴装的50欧姆阻抗端口一P1、表面贴装的50欧姆阻抗端口二P2、表面贴装的50欧姆阻抗端口三P3、表面贴装的50欧姆阻抗端口四P4、连接引线一L1、连接引线二L2、连接引线三L3、连接引线四L4、上层折叠宽边耦合线一LU1、上层折叠宽边耦合线二LU2、上层折叠宽边耦合线三LU3、上层折叠宽边耦合线四LU4、上层折叠宽边耦合线五LU5、下层折叠宽边耦合线一LD1、下层折叠宽边耦合线二LD2、下层折叠宽边耦合线三LD3、层间连接柱一H1、层间连接柱二H2、上层级间连接柱组一HU1、上层级间连接柱组二HU2、上层级间连接柱组三HU3、上层级间连接柱组四HU4、下层级间连接柱组一HD1、下层级间连接柱组二HD2、印地侧一GND1、印地侧二GND2、上层接地屏蔽层SDU、中层接地屏蔽层SDM、下层接地屏蔽层SDD。

结合图1（a）、（b），上层折叠宽边耦合线一LU1包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线一第一层折叠线LU11、上层折叠宽边耦合线一第二层折叠线LU12；上层折叠宽边耦合线二LU2包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线二第一层折叠线LU21、上层折叠宽边耦合线二第二层折叠线LU22；上层折叠宽边耦合线三LU3包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线三第一层折叠线LU31、上层折叠宽边耦合线三第二层折叠线LU32；上层折叠宽边耦合线四LU4包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线四第一层折叠线LU41、上层折叠宽边耦合线四第二层折叠线LU42；上层折叠宽边耦合线五LU5包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线五第一层折叠线LU51、上层折叠宽边耦合线五第二层折叠线LU52；下层叠宽边耦合线一LD1包含二层折叠线：下层叠宽边耦合线一第一层折叠线LD11、下层叠宽边耦合线一第二层折叠线LD12；下层叠宽边耦合线二LD2包含二层折叠线：下层叠宽边耦合线二第一层折叠线LD21、下层叠宽边耦合线二第二层折叠线LD22；下层叠宽边耦合线三LD3包含二层折叠线包含二层折叠线：下层叠宽边耦合线三第一层折叠线LD31、下层叠宽边耦合线三第二层折叠线LD32。

结合图1（a）、（b），上层级间连接柱组一HU1包含二个连接柱：上层级间连接柱组一第一层连接柱HU11、上层级间连接柱组一第二层连接柱HU12；上层级间连接柱组二HU2包含二个连接柱：上层级间连接柱组二第一层连接柱HU21、上层级间连接柱组二第二层连接柱HU22；上层级间连接柱组三HU3包含二个连接柱：上层级间连接柱组三第一层连接柱HU31、上层级间连接柱组三第二层连接柱HU32；上层级间连接柱组四HU4包含二个连接柱：上层级间连接柱组四第一层连接柱HU41、上层级间连接柱组一第二层连接柱HU42；下层级间连接柱组一HD1包含二个连接柱：下层级间连接柱组一第一层连接柱HD11、下层级间连接柱组一第二层连接柱HD12；下层级间连接柱组二HD2包含二个连接柱：下层级间连接柱组二第一层连接柱HD21、下层级间连接柱组二第二层连接柱HD22；

结合图1（a）、（b），所述表面贴装的50欧姆阻抗端口一P1与连接引线一L1连接，表面贴装的50欧姆阻抗端口二P2与连接引线二L2连接，表面贴装的50欧姆阻抗端口三P3与连接引线三L3连接，表面贴装的50欧姆阻抗端口四P4与连接引线四L4连接。上层折叠宽边耦合线一第二层折叠线LU12的一端与连接引线一L1连接，另一端通过上层级间连接柱组一第二层连接柱HU12与上层折叠宽边耦合线二第二层折叠线LU22一端连接，上层折叠宽边耦合线二第二层折叠线LU22另一端通过上层级间连接柱组二第二层连接柱HU22与上层折叠宽边耦合线三第二层折叠线LU32一端连接，上层折叠宽边耦合线三第二层折叠线LU32另一端通过上层级间连接柱组三第二层连接柱HU32与上层折叠宽边耦合线四第二层折叠线LU42一端连接，上层折叠宽边耦合线四第二层折叠线LU42另一端通过上层级间连接柱组四第二层连接柱HU42与上层折叠宽边耦合线五第二层折叠线LU52一端相连，上层折叠宽边耦合线五第二层折叠线LU52另一端通过层间连接柱二H2与下层叠宽边耦合线三第二层折叠线LD32一端相连，下层叠宽边耦合线三第二层折叠线LD32另一端通过下层级间连接柱组二第二层连接柱HD22与下层叠宽边耦合线二第二层折叠线LD22一端相连，下层叠宽边耦合线二第二层折叠线LD22另一端通过下层级间连接柱组一第二层连接柱HD12与下层叠宽边耦合线一第二层折叠线LD12一端相连，下层叠宽边耦合线一第二层折叠线LD12另一端与连接引线四L4相连，上层折叠宽边耦合线五第一层折叠线LU51一端与连接引线二L2连接，另一端通过上层级间连接柱组四第一层连接柱HU41与上层折叠宽边耦合线四第一层折叠线LU41一端连接，上层折叠宽边耦合线四第一层折叠线LU41另一端通过上层级间连接柱组三第一层连接柱HU31与上层折叠宽边耦合线三第一层折叠线LU31一端连接，上层折叠宽边耦合线三第一层折叠线LU31另一端通过上层级间连接柱组二第一层连接柱HU21与上层折叠宽边耦合线二第一层折叠线LU21一端连接，上层折叠宽边耦合线二第一层折叠线LU21另一端通过上层级间连接柱组一第一层连接柱HU11与上层折叠宽边耦合线一第一层折叠线LU11一端相连，上层折叠宽边耦合线一第一层折叠线LU11另一端通过层间连接柱一H1与下层折叠宽边耦合线一第一层折叠线LD11一端相连，下层折叠宽边耦合线一第一层折叠线LD11另一端通过下层级间连接柱组一第一层连接柱HD11与下层折叠宽边耦合线二第一层折叠线LD21一端相连，下层折叠宽边耦合线二第一层折叠线LD21另一端通过下层级间连接柱组二第一层连接柱HD21与下层折叠宽边耦合线三第一层折叠线LD31一端相连，下层折叠宽边耦合线三第一层折叠线LD31另一端与连接引线三L3相连。上层接地屏蔽层SDU、下层接地屏蔽层SDD分别位于最上面与最下面一层，中层接地屏蔽层SDM将上层折叠宽边耦合线一LU1、上层折叠宽边耦合线二LU2、上层折叠宽边耦合线三LU3、上层折叠宽边耦合线四LU4、上层折叠宽边耦合线五LU5与下层折叠宽边耦合线一LD1、下层折叠宽边耦合线二LD2、下层折叠宽边耦合线三LD3隔离开，上层接地屏蔽层SDU、中层接地屏蔽层SDM、下层接地屏蔽层SDD均与印地侧一GND1、印地侧二GND2连接。

结合图1（a）、（b），所述包括表面贴装的50欧姆阻抗端口一P1、表面贴装的50欧姆阻抗端口二P2、表面贴装的50欧姆阻抗端口三P3、表面贴装的50欧姆阻抗端口四P4、连接引线一L1、连接引线二L2、连接引线三L3、连接引线四L4、上层折叠宽边耦合线一LU1、上层折叠宽边耦合线二LU2、上层折叠宽边耦合线三LU3、上层折叠宽边耦合线四LU4、上层折叠宽边耦合线五LU5、下层折叠宽边耦合线一LD1、下层折叠宽边耦合线二LD2、下层折叠宽边耦合线三LD3、层间连接柱一H1、层间连接柱二H2、上层级间连接柱组一HU1、上层级间连接柱组二HU2、上层级间连接柱组三HU3、上层级间连接柱组四HU4、下层级间连接柱组一HD1、下层级间连接柱组二HD2、印地侧一GND1、印地侧二GND2、上层接地屏蔽层SDU、中层接地屏蔽层SDM、下层接地屏蔽层SDD均采用多层低温共烧陶瓷工艺实现。

一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器，由于是采用多层低温共烧陶瓷工艺实现，其低温共烧陶瓷材料和金属图形在大约900℃温度下烧结而成，所以具有非常高的可靠性和温度稳定性。由于结构采用三维立体集成和多层折叠结构以及外表面金属屏蔽实现接地和封装，使得成本降到最低。

本发明一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器尺寸仅为9.2mm×4.5mm×2.3mm，其性能可从图2、图3看出，此耦合器中心频率6GHZ，带宽2GHz~10GHz，带宽比为5，输入端口回波损耗优于17dB，端口间的隔离度均大于20dB，直通与耦合端相位相差90°(±2°)。与该频段同类产品相比尺寸非常小,为相应无线电子系统的小型化和有效减轻系统重量和提高系统可靠性发挥重要作用。

Claims (3)

1.一种LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器，其特征在于：包括表面贴装的50欧姆阻抗端口一（P1）、表面贴装的50欧姆阻抗端口二（P2）、表面贴装的50欧姆阻抗端口三（P3）、表面贴装的50欧姆阻抗端口四（P4）、连接引线一（L1）、连接引线二（L2）、连接引线三（L3）、连接引线四（L4）、上层折叠宽边耦合线一（LU1）、上层折叠宽边耦合线二（LU2）、上层折叠宽边耦合线三（LU3）、上层折叠宽边耦合线四（LU4）、上层折叠宽边耦合线五（LU5）、下层折叠宽边耦合线一（LD1）、下层折叠宽边耦合线二（LD2）、下层折叠宽边耦合线三（LD3）、层间连接柱一（H1）、层间连接柱二（H2）、上层级间连接柱组一（HU1）、上层级间连接柱组二（HU2）、上层级间连接柱组三（HU3）、上层级间连接柱组四（HU4）、下层级间连接柱组一（HD1）、下层级间连接柱组二（HD2）、印地侧一（GND1）、印地侧二（GND2）、上层接地屏蔽层（SDU）、中层接地屏蔽层（SDM）和下层接地屏蔽层（SDD）；上层折叠宽边耦合线一（LU1）包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线一第一层折叠线（LU11）、上层折叠宽边耦合线一第二层折叠线（LU12）；上层折叠宽边耦合线二（LU2）包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线二第一层折叠线（LU21）、上层折叠宽边耦合线二第二层折叠线（LU22）；上层折叠宽边耦合线三（LU3）包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线三第一层折叠线（LU31）、上层折叠宽边耦合线三第二层折叠线（LU32）；上层折叠宽边耦合线四（LU4）包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线四（第一层折叠线（LU41）、上层折叠宽边耦合线四（第二层折叠线（LU42）；上层折叠宽边耦合线五（LU5）包含二层折叠线：上层折叠宽边耦合线五第一层折叠线（LU51）、上层折叠宽边耦合线五第二层折叠线（LU52）；下层叠宽边耦合线一（LD1）包含二层折叠线：下层叠宽边耦合线一第一层折叠线（LD11）、下层叠宽边耦合线一第二层折叠线（LD12）；下层叠宽边耦合线二（LD2）包含二层折叠线：下层叠宽边耦合线二第一层折叠线（LD21）、下层叠宽边耦合线二第二层折叠线（LD22）；下层叠宽边耦合线三（LD3）包含二层折叠线包含二层折叠线：下层叠宽边耦合线三第一层折叠线（LD31）、下层叠宽边耦合线三第二层折叠线（LD32）；上层级间连接柱组一（HU1）包含二个连接柱：上层级间连接柱组一第一层连接柱（HU11）、上层级间连接柱组一第二层连接柱（HU12）；上层级间连接柱组二（HU2）包含二个连接柱：上层级间连接柱组二第一层连接柱（HU21）、上层级间连接柱组二第二层连接柱（HU22）；上层级间连接柱组三（HU3）包含二个连接柱：上层级间连接柱组三第一层连接柱（HU31）、上层级间连接柱组三第二层连接柱（HU32）；上层级间连接柱组四（HU4）包含二个连接柱：上层级间连接柱组四第一层连接柱（HU41）、上层级间连接柱组一第二层连接柱（HU42）；下层级间连接柱组一（HD1）包含二个连接柱：下层级间连接柱组一第一层连接柱（HD11）、下层级间连接柱组一第二层连接柱（HD12）；下层级间连接柱组二（HD2）包含二个连接柱：下层级间连接柱组二第一层连接柱（HD21）、下层级间连接柱组二第二层连接柱（HD22）。

2.根据权利要求1所述的LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器，其特征在于：表面贴装的50欧姆阻抗端口一（P1）与连接引线一（L1）连接，表面贴装的50欧姆阻抗端口二（P2）与连接引线二（L2）连接，表面贴装的50欧姆阻抗端口三（P3）与连接引线三（L3）连接，表面贴装的50欧姆阻抗端口四（P4）与连接引线四（L4）连接；上层折叠宽边耦合线一第二层折叠线（LU12）的一端与连接引线一（L1）连接，另一端通过上层级间连接柱组一第二层连接柱（HU12）与上层折叠宽边耦合线二第二层折叠线（LU22）一端连接，上层折叠宽边耦合线二第二层折叠线（LU22）另一端通过上层级间连接柱组二第二层连接柱（HU22）与上层折叠宽边耦合线三第二层折叠线（LU32）一端连接，上层折叠宽边耦合线三第二层折叠线（LU32）另一端通过上层级间连接柱组三第二层连接柱（HU32）与上层折叠宽边耦合线四第二层折叠线（LU42）一端连接，上层折叠宽边耦合线四第二层折叠线（LU42）另一端通过上层级间连接柱组四第二层连接柱（HU42）与上层折叠宽边耦合线五第二层折叠线（LU52）一端相连，上层折叠宽边耦合线五第二层折叠线（LU52）另一端通过层间连接柱二（H2）与下层叠宽边耦合线三第二层折叠线（LD32）一端相连，下层叠宽边耦合线三第二层折叠线（LD32）另一端通过下层级间连接柱组二第二层连接柱（HD22）与下层叠宽边耦合线二第二层折叠线（LD22）一端相连，下层叠宽边耦合线二第二层折叠线（LD22）另一端通过下层级间连接柱组一第二层连接柱（HD12）与下层叠宽边耦合线一第二层折叠线（LD12）一端相连，下层叠宽边耦合线一第二层折叠线（LD12）另一端与连接引线四（L4）相连，上层折叠宽边耦合线五第一层折叠线（LU51）一端与连接引线二（L2）连接，另一端通过上层级间连接柱组四第一层连接柱（HU41）与上层折叠宽边耦合线四第一层折叠线（LU41）一端连接，上层折叠宽边耦合线四第一层折叠线（LU41）另一端通过上层级间连接柱组三第一层连接柱（HU31）与上层折叠宽边耦合线三第一层折叠线（LU31）一端连接，上层折叠宽边耦合线三第一层折叠线（LU31）另一端通过上层级间连接柱组二第一层连接柱（HU21）与上层折叠宽边耦合线二第一层折叠线（LU21）一端连接，上层折叠宽边耦合线二第一层折叠线（LU21）另一端通过上层级间连接柱组一第一层连接柱（HU11）与上层折叠宽边耦合线一第一层折叠线（LU11）一端相连，上层折叠宽边耦合线一第一层折叠线（LU11）另一端通过层间连接柱一（H1）与下层折叠宽边耦合线一第一层折叠线（LD11）一端相连，下层折叠宽边耦合线一第一层折叠线（LD11）另一端通过下层级间连接柱组一第一层连接柱（HD11）与下层折叠宽边耦合线二第一层折叠线（LD21）一端相连，下层折叠宽边耦合线二第一层折叠线（LD21）另一端通过下层级间连接柱组二第一层连接柱（HD21）与下层折叠宽边耦合线三第一层折叠线（LD31）一端相连，下层折叠宽边耦合线三第一层折叠线（LD31）另一端与连接引线三（L3）相连；上层接地屏蔽层（SDU）、下层接地屏蔽层（SDD）分别位于最上面与最下面一层，中层接地屏蔽层（SDM）将上层折叠宽边耦合线一（LU1）、上层折叠宽边耦合线二（LU2）、上层折叠宽边耦合线三（LU3）、上层折叠宽边耦合线四（LU4）、上层折叠宽边耦合线五（LU5）与下层折叠宽边耦合线一（LD1）、下层折叠宽边耦合线二（LD2）、下层折叠宽边耦合线三（LD3）隔离开，上层接地屏蔽层（SDU）、中层接地屏蔽层（SDM）、下层接地屏蔽层（SDD）均与印地侧一（GND1）、印地侧二（GND2）连接。

3.根据权利要求1或2所述的LTCC双层对称结构超宽带定向耦合器，其特征在于：表面贴装的50欧姆阻抗端口一（P1）、表面贴装的50欧姆阻抗端口二（P2）、表面贴装的50欧姆阻抗端口三（P3）、表面贴装的50欧姆阻抗端口四（P4）、连接引线一（L1）、连接引线二（L2）、连接引线三（L3）、连接引线四（L4）、上层折叠宽边耦合线一（LU1）、上层折叠宽边耦合线二（LU2）、上层折叠宽边耦合线三（LU3）、上层折叠宽边耦合线四（LU4）、上层折叠宽边耦合线五（LU5）、下层折叠宽边耦合线一（LD1）、下层折叠宽边耦合线二（LD2）、下层折叠宽边耦合线三（LD3）、层间连接柱一（H1）、层间连接柱二（H2）、上层级间连接柱组一（HU1）、上层级间连接柱组二（HU2）、上层级间连接柱组三（HU3）、上层级间连接柱组四（HU4）、下层级间连接柱组一（HD1）、下层级间连接柱组二（HD2）、印地侧一（GND1）、印地侧二（GND2）、上层接地屏蔽层（SDU）、中层接地屏蔽层（SDM）、下层接地屏蔽层（SDD）均采用多层低温共烧陶瓷工艺实现。