CN107589598B - 液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括基板以及布置在基板上的像素电极,其中,像素电极包括:第一切口部分,该第一切口部分沿着像素电极的边缘布置;以及第二切口部分,该第二切口部分布置为比第一切口部分接近像素电极的中心,并且第二切口部分中的每一个包括在不同方向上延伸并且彼此连接的第一延伸部和第二延伸部。
Description
相关申请的引证
本申请要求于2016年7月6日提交的韩国专利申请第10-2016-0085280号的优先权和权益,如在本文完全阐述一样,出于所有目的通过引证将其结合于此。
技术领域
示例性实施方式涉及液晶显示(LCD)装置。
背景技术
液晶显示(LCD)装置,作为最广泛使用的显示装置中的一种,其包括两个基板以及插入在两个基板之间的液晶层,在基板上形成诸如像素电极和共用电极的场生成电极。LCD装置通过向场生成电极施加电压而在液晶层中产生电场,并且通过使用电场确定液晶层中的液晶分子的定向并控制入射光的偏振来显示图像。
具体地,已开发了垂直配向(VA)模式LCD装置,该VA模式LCD装置对液晶分子进行配向使得在不存在电场的情况下,液晶分子的长轴与上基板和下基板垂直。
然而,当与其正面可视性相比时,VA模式LCD装置可能具有不良的侧可视性。更具体地,与从侧面观看相比,当从正面观看时,VA模式LCD装置可以显得更亮,并且从正面观看时VA模式LCD装置的亮度与从侧面观看时VA模式LCD装置的亮度之间的差异越大,VA模式LCD装置的可视性变得越差。
因此,需要一种最小化从正面观看时VA模式LCD装置的亮度与从侧面观看时VA模式LCD装置的亮度之间的差异的结构,以改善VA模式LCD装置的可视性。
在本背景部分中所公开的上述信息仅用于加强对本发明构思的背景的理解,并且因此,其可能包含不构成在该国中为本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施方式提供具有改善的可视性的液晶显示(LCD)装置。
其他方面将在随后的详细描述中进行阐述,并且其将部分地从本公开变得显而易见,或者可通过本发明构思的实践了解到。
示例性实施方式公开了一种液晶显示装置,该液晶显示装置包括基板以及布置在基板上的像素电极,其中,像素电极包括:第一切口部分,该第一切口部分沿着像素电极的边缘布置;以及第二切口部分,该第二切口部分布置为比第一切口部分接近像素电极的中心,并且其中,第二切口部分中的每一个包括在不同方向上延伸并且彼此连接的第一延伸部和第二延伸部。
另一个示例性实施方式公开了一种液晶显示装置,该液晶显示装置包括基板以及布置在基板上的像素电极,其中,像素电极包括:第一切口部分,该第一切口部分布置为邻近于像素电极的至少一个边缘并且沿着该至少一个边缘延伸;以及第二切口部分,该第二切口部分布置在第一切口部分的内侧。第二切口部分中的每一个包括:多个第一延伸部,该多个第一延伸部在第一方向上相互平行延伸并且相互间隔开;以及第二延伸部,该第二延伸部连接至第一延伸部的第一端并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸。
根据示例性实施方式,可以提供具有改善的可视性的LCD装置。
上述总体描述和以下详细描述是示例性和说明性的,并且旨在提供对要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供对本发明构思的进一步理解,并且附图结合在本说明书中并构成本说明书的一部分,附图示出了本发明构思的示例性实施方式,并且与描述一起用于说明本发明构思的原理。
图1是根据本公开的示例性实施方式的液晶显示(LCD)装置的像素的平面图。
图2是沿图1的线I-I’截取的截面图。
图3是图1的区域A的放大平面图。
图4是分别示出在根据第一比较例和第二比较例的LCD装置的像素以及根据图1的示例性实施方式的LCD装置的像素中的处于低灰度级的液晶分子的长轴的分布的图。
图5是分别示出当根据第一比较例和第二比较例的LCD装置以及根据图1的示例性实施方式的LCD装置都以高灰度级驱动时,在根据第一比较例和第二比较例的LCD装置的像素以及根据图1的示例性实施方式的LCD装置的像素中的液晶分子的长轴的分布的图。
图6是示出与根据第一比较例和第二比较例的LCD装置相比,根据图1的示例性实施方式的LCD装置的可视性中的改善的图。
图7是根据第一变形示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图。
图8是图7的区域B的放大平面图。
图9是根据第二变形示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图。
图10是图9的区域C的放大平面图。
图11是根据第三变形示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图。
图12是图11的区域D的放大平面图。
图13是根据第四变形示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图。
图14是图13的区域E的放大平面图。
图15是根据第五变形示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图。
图16是图15的区域F的放大平面图。
图17是根据第六变形示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图。
图18是图17的区域G的放大平面图。
图19是根据第七变形示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图。
图20是根据第八变形示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图。
具体实施方式
在以下描述中,出于说明的目的,阐述了多个具体细节,以提供对各种示例性实施方式的全面理解。然而,显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下或者利用一种或多种等同布置方式,实践各种示例性实施方式。在其他实例中,以框图形式示出了众所周知的结构和装置,以避免不必要地模糊各种示例性实施方式。
在附图中,层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可以为了清晰和描述的目的而进行放大。另外,相同的参考标号表示相同的元件。
当元件或层被称为在另一个元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一个元件或层时,其可直接位于另一个元件或层上、连接至或耦接至另一个元件或层,或者可以存在中间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接”在另一个元件或层“上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一个元件或层时,则不存在中间元件或层。出于该公开的目的,“X、Y以及Z中的至少一个”和“选自由X、Y以及Z组成的组中的至少一个”可解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y以及Z中的两个或更多个的任何组合,诸如,例如,XYZ、XYY、YZ以及ZZ。相同标号始终指代相同元件。如在本文中所使用的,术语“和/或”包括相关列举项中的一个或多个的任意和所有组合。
尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各个元件、部件、区域、层和/或部分,然而,这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一个元件、部件、区域、层和/或部分相区分。因此,在不背离本公开的教导的情况下,以下讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层和/或第一部分可称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层和/或第二部分。
本文中可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...上方”、“上部”的空间相对术语以用于描述的目的,并且由此用于描述如在图中所示的一个元件或特征与另一个元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。空间相对术语旨在包括除了图中所描述的定向之外还包括在使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如,如果将图中的设备翻转,则描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将定向为在其他元件或特征的“上方”。因此,示例性术语“在...下方”可以包括在...上方和在...下方的两个定向。此外,可以将设备以其他方式定向(例如,旋转90度或处于其他定向),并且由此相应地解释本文中所使用的空间相对描述符。
本文中使用的术语是出于描述具体实施方式的目的,而不旨在是限制性的。除非上下文另有明确说明,否则如本文所使用的,单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在还包括复数形式。此外,当在本说明书中使用术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“(包括including)”时,这些术语指定所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在,但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
在本文中参考截面图对各种示例性实施方式进行描述,这些截面图是理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意图。因此,期望作为例如制造技术和/或公差的结果的来自图示形状的变化。因此,本文中所公开的示例性实施方式不应解释为限于具体示出的区域的形状,而是包括由例如制造所导致的形状上的偏差。因此,图中示出的区域实质上是示意性的,并且这些区域的形状并非旨在示出装置的区域的实际形状,且并非旨在是限制性的。
除非另有限定,否则,本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的相同含义。诸如通常使用的词典中所定义的那些术语应解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且除非本文中明确地如此限定,否则不将以理想化或过度正式的意义进行解释。
在下文中,将参考附图详细描述本发明的优选实施方式。
图1是根据本公开的示例性实施方式的液晶显示(LCD)装置的像素的平面图,图2是沿图1的线I-I’截取的截面图,并且图3是图1的区域A的放大平面图。
参考图1至图3,根据本示例性实施方式的LCD装置可以包括第一显示基板100、第二显示基板300以及液晶层200。根据本示例性实施方式的LCD装置可以进一步包括一对偏光器(未示出),该一对偏光器附接在第一显示基板100和第二显示基板300的外表面上。
用于驱动液晶层200中的液晶分子210的开关器件(例如薄膜晶体管(TFT)167)可以布置在第一显示基板100上。第二显示基板300是布置为面向第一显示基板100的相对基板。
液晶层200可以介于第一显示基板100与第二显示基板300之间,并且可以包括具有介电各向异性的液晶分子210。响应于施加在第一显示基板100与第二显示基板300之间的电场,液晶分子210可以在第一显示基板100与第二显示基板300之间的特定方向上旋转,以便允许或阻挡光通过液晶层200透射。如本文中使用的术语“液晶分子210的旋转”指的是液晶分子210的配向由于电场而改变。
根据本示例性实施方式的装置可以包括以矩阵布置的一个以上像素10。像素10的灰度级可以独立可控制。像素10可以是用于显示特定颜色的基本单元。像素10可以包括有源区域11,该有源区域11使从第一显示基板100的底部入射到其上的光经其朝向第二显示基板300的顶部透射,并且实际上显示颜色。
在下文中将描述第一显示基板100。
第一显示基板100可以包括第一基底基板110。第一基底基板110可以是透明绝缘基板。例如,第一基底基板110可以是玻璃基板、石英基板或透明树脂基板。
在一些示例性实施方式中,第一基底基板110可以沿着特定方向弯曲。在一些其他示例性实施方式中,第一基底基板110可以具有柔性。即,第一基底基板110可以通过滚动、折叠或弯曲可变形。
栅极线122、栅电极124以及维持线125可以布置在第一基底基板110上。
栅极线122可以传输控制TFT 167的栅极电压。栅极线122可在第一方向D1上延伸。
第一方向D1可以是与布置有第一基底基板110的平面上的第一基底基板110的一侧平行的方向,并且可限定为由从图1的左侧向右侧延伸的任意直线表示的方向。然而,第一方向D1不具体限制为与第一基底基板110的一侧平行,而是可以是由在任意特定方向上跨第一基底基板110延伸的直线表示的方向。
栅极电压可以由外部源提供,并且可以具有可变电平。TFT 167的导通或断开可以由栅极电压的电平控制。
栅电极124可以形成为从栅极线122突出,并且可以连接至栅极线122。栅电极124可以是TFT 167的元件中的一个。
维持线125可以布置在栅极线122与另一栅极线122之间。维持线125可以基本上在第一方向D1上延伸,并且也可沿着有源区域11的边缘延伸。维持线125可以布置为邻近于稍后将描述的像素电极180的边缘,并且在像素电极180与维持线125之间可以形成预定电容。因此,可防止施加至像素电极180的电压的电平的突然下降。如果像素电极180中的电压降不明显影响根据本示例性实施方式的LCD装置的显示质量,则可以不提供维持线125。
栅极线122、栅电极124以及维持线125可以由相同材料形成。例如,栅极线122、栅电极124以及维持线125可以包含铝(Al)、诸如Al合金的Al基金属、银(Ag)、诸如Ag合金的Ag基金属、铜(Cu)、诸如Cu合金的Cu基金属、钼(Mo)、诸如Mo合金的Mo基金属、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等。栅极线122、栅电极124以及维持线125可以具有单层结构或者可以具有包括具有不同物理特性的两层导电膜的多层结构。
栅绝缘层130布置在栅极线122、栅电极124以及维持线125上。栅绝缘层130可以由绝缘材料形成。例如,栅绝缘层130可以由氮化硅或氧化硅形成。栅绝缘层130可以具有单层结构或者包括具有不同物理特性的两层绝缘膜的多层结构。
半导体层140可以布置在栅绝缘层130上。半导体层140可以与栅电极124至少部分重叠。半导体层140可以由非晶硅、多晶硅或氧化物半导体形成。
半导体层140可以与栅电极124重叠,并且也可以与稍后将描述的数据线162、源电极165以及漏电极166重叠。
尽管未具体示出,但是在一些示例性实施方式中,欧姆接触构件可以额外设置在半导体层140上。欧姆接触构件可以由硅化物或掺杂有高浓度n型杂质的n+氢化非晶硅形成。欧姆接触构件可成对布置在半导体层140上。布置在源电极165、漏电极166以及半导体层140中的欧姆接触构件可以使源电极165、漏电极166以及半导体层140能够具有欧姆接触特性。在其中半导体层140包括氧化物半导体的情况下,可以不提供欧姆接触构件。
数据线162、源电极165以及漏电极166可以布置在半导体层140和栅绝缘层130上。
数据线162可以在第二方向D2上延伸,并且可以与栅极线122相交。
第二方向D2可以是在布置有第一基底基板110的平面上与第一方向D1相交的方向。例如,第二方向D2可以是由从图1的顶部向底部延伸的任意直线表示的方向。在一些示例性实施方式中,第一方向D1和第二方向D2可以以直角彼此相交。
数据线162可以通过栅绝缘层130与栅极线122和栅电极124绝缘。
数据线162可将数据电压提供至源电极165。数据电压可以由外部源提供,并且可以具有可变电平。像素10的灰度级可以根据数据电压的电平而变化。
源电极165可以从数据线162分支,并且可以与栅电极124至少部分重叠。
在图1的视图中,漏电极166可以通过半导体层140与源电极165间隔开,并且可以与栅电极124部分重叠。
如图1所示,源电极165可以与漏电极166隔开预定距离,并且平行于漏电极166延伸,但是本公开不限于此。例如,在不偏离本发明构思的范围的情况下,源电极165可以以“C”形状延伸并且可以以其间的预定间隙围绕漏电极166。
数据线162、源电极165以及漏电极166可以由相同材料形成。例如,数据线162、源电极165以及漏电极166可以由Al、Cu、Ag、Mo、Cr、Ti、Ta或其合金形成。数据线162、源电极165以及漏电极166可以具有包括由难熔金属形成的下膜(未示出)以及形成在下膜上的低电阻上膜(未示出)的多层结构,但是本公开不限于此。
栅电极124、半导体层140、源电极165以及漏电极166可以形成作为开关器件的TFT167。
钝化层171可以布置在栅绝缘层130和TFT 167上。钝化层171可以由无机绝缘材料形成,并且可以布置为覆盖TFT 167。钝化层171可以保护TFT 167,并且可以防止包含在稍后将描述的滤色器层172和平坦化层173中的材料渗透至半导体层140中。
滤色器层172可以布置在钝化层171上。滤色器层172可以由包括用于实现颜色的颜料的光敏有机合成物形成,并且颜料可以包括红色、绿色和蓝色颜料中的任一种。例如,滤色器层172可以包括多个滤色器。例如,多个滤色器中的每一个可以显示大量基色(诸如红色、绿色和蓝色)中的任一种,但是本公开不限于此。即,在另一个实例中,多个滤色器中的每一个可以显示青色、品红色、黄色以及白色中的任一种。
平坦化层173布置在滤色器层172上。平坦化层173可以由绝缘材料形成。例如,平坦化层173可以是由有机材料形成的有机层。平坦化层173可以使可能由设置在平坦化层173与第一基底基板110之间的元件所生成的任意局部高度差平坦化。换句话说,平坦化层173的顶表面可以基本上平坦。
在钝化层171、滤色器层172以及平坦化层173中可以形成在与第一基底基板110垂直的方向上暴露TFT 167的一部分(具体地,漏电极166的一部分)的接触孔174。接触孔174可以形成为在与第一基底基板110垂直的方向上贯穿钝化层171、滤色器层172以及平坦化层173。漏电极166以及布置在平坦化层173上的像素电极180可以经由接触孔174彼此物理连接。
像素电极180和屏蔽电极184布置在钝化层171上。像素电极180和屏蔽电极184可以布置为使得在相同平面上彼此不重叠。
像素电极180可以经由接触孔174物理连接至漏电极166,并且可以被提供来自漏电极166的数据电压。
像素电极180可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铟锡(ITZO)或掺杂铝(Al)的氧化锌(AZO)的透明导电材料形成。
像素电极180可以主要布置在有源区域11中。像素电极180可以延伸超过有源区域11,以便经由接触孔174连接至漏电极166。
其中布置有像素电极180的区域可以划分为多个子区域。例如,其中布置有像素电极180的区域可以划分为四个子区域。即,有源区域11可以划分为四个子区域。四个子区域可以分别与有源区域11的四个象限相对应,并且有源区域11的右上象限、左上象限、左下象限以及右下象限可以分别定义为第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4。第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4可以全部具有相同面积和相同形状。
像素电极180可以相对于域中心DCP对称,第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4在域中心处相互邻接。换句话说,像素电极180可以相对于第一域DM1与第二域DM2之间的边界以及第三域DM3与第四域DM4之间的边界对称。另外,像素电极180可以相对于第二域DM2与第三域DM3之间的边界以及第一域DM1与第四域DM4之间的边界对称。
像素电极180可以包括其中设置有透明导电材料的电极部分183,以及其中未设置透明导电材料的第一切口部分181和第二切口部分182。即,像素电极180通常可以是由电极部分183形成的板状,具有与第一切口部分181和第二切口部分182相对应的开口。其中布置为与像素电极180重叠的液晶分子210倾斜的方向,可以根据第一切口部分181和第二切口部分182的形状和图案来控制。
第一切口部分181可以布置为邻近于像素电极180的边缘,并且沿着该边缘延伸。即,第一切口部分181可以是邻近于(但是与其隔开预定距离)像素电极180的边缘的开口,并且平行于像素电极180的边缘延伸。
第一切口部分181可以布置为邻近于像素电极180的所有边缘。多个第一切口部分181可以形成以便连接电极部分183在第一切口部分181的外侧的一部分与电极部分183在第一切口部分181的内侧的一部分。例如,第一切口部分181可以通过第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中的边界相互隔开,并且像素电极180可以包括总共四个第一切口部分181。
像素电极180的边缘可以基本上在第一方向D1或第二方向D2上延伸,并且第一切口部分181也可以基本上在第一方向D1或第二方向D2上延伸。
通过以上述方式形成第一切口部分181,可以控制在有源区域11的边缘处或边缘附近形成的电场的影响,并且因此,可以控制其中液晶分子210的长轴在有源区域11的边缘处或边缘附近倾斜的方向。具体地,在其中以低灰度模式(在此期间提供相对低的数据电压)驱动像素电极180的情况下,由于第一切口部分181,液晶分子210的长轴可以控制为沿着第一方向D1倾斜。因此,可以改善根据本示例性实施方式的LCD装置的可视性。
第二切口部分182可以布置在第一切口部分181的内侧。即,第二切口部分182可以布置为比第一切口部分181接近域中心DCP。一个以上第二切口部分182可以布置在第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中的每一个内,并且第二切口部分182可以相对于域中心DCP对称。因此,在所有的第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中,第二切口部分182的数量可以相同。
第二切口部分182中的每一个可以包括在不同方向上延伸且彼此邻接的第一延伸部182_1和第二延伸部182_2。第一延伸部182_1可以是在第一方向D1上延伸的开口,并且第二延伸部182_2可以是在第二方向D2上延伸的开口。
第一延伸部182_1可以沿着第一方向D1布置,并且可以控制液晶分子210沿着第二方向D2倾斜。更具体地,在图1的视图中,第一域DM1和第二域DM2中的第一延伸部182_1可以控制液晶分子210的长轴向下倾斜,并且第三域DM3和第四域DM4中的第一延伸部182_1可以控制液晶分子210的长轴向上倾斜。
在第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中的每一个内,第一延伸部182_1可以以这样的方式布置,即它们的端部布置在直线上,并且可以相互平行。
第二延伸部182_2可以沿着第二方向D2布置,并且可以控制液晶分子210沿着第一方向D1倾斜。更具体地,在图1的视图中,第一域DM1和第四域DM4中的第二延伸部182_2可以控制液晶分子210的长轴向左倾斜,并且第二域DM2和第三域DM3中的第二延伸部182_2可以控制液晶分子210的长轴向右倾斜。特别在低灰度级时,该效果会明显。稍后将详细描述其中液晶分子210在低灰度级时倾斜的方向以及其中液晶分子210在高灰度级时倾斜的方向。
在第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中的每一个内,第二延伸部182_2可以布置在在第二方向D2上延伸的任意直线上。更具体地,第一域DM1中的第二延伸部182_2可以布置在第一延长线EL1上,第二域DM2中的第二延伸部182_2可以布置在第二延长线EL2上,第三域DM3中的第二延伸部182_2可以布置在第三延长线EL3上,并且第四域DM4中的第二延伸部182_2可以布置在第四延长线EL4上。
第二延伸部182_2可以布置得比第一延伸部182_1接近像素电极180的边缘,即有源区域11的外侧。更具体地,在图1的视图中,在第一域DM1和第四域DM4中,第二延伸部182_2可以比第一延伸部182_1位于更右侧,并且在第二域DM2和第三域DM3中,第二延伸部182_2可以比第一延伸部182_1位于更左侧。
在其中第二延伸部182_2在单个直线上连续布置在第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中的每一个内并且邻近于第一切口部分181的情况下,第二延伸部182_2可以执行与第一切口部分181相似的功能。即,第二延伸部182_2可以操作为如同它们是在第二方向D2上延伸的单个开口。因此,可以实现提供除了第一切口部分181在第二方向D2上延伸的部分以外,还有在第二方向D2上延伸的额外第一切口部分181的效果。因此,由于第二延伸部182_2的存在,可以改善根据本示例性实施方式的LCD装置在低灰度级时的可视性。
由于第二延伸部182_2未连接而是相互分离,所以像素电极180的开口的面积可以增加。因此,可以最小化根据本示例性实施方式的LCD装置的透射率的降低,并且可以优化对其中液晶分子210的长轴倾斜的方向的控制。因此,可以改善根据本示例性实施方式的LCD装置的透射率。
屏蔽电极184可以与像素电极180布置在相同层上。屏蔽电极184可以布置为邻接像素电极180或与像素电极180隔开预定距离,并且可以不物理连接以及电连接至像素电极180。因此,提供至像素电极180的数据电压可以不被提供至屏蔽电极184。
屏蔽电极184可以由诸如ITO、IZO、ITZO或AZO的透明导电材料形成,并且可以包含与像素电极180相同的材料。
屏蔽电极184可以布置为与除了设置有像素电极180的区域以外的全部非有源区域重叠,但是本公开不限于此。即,屏蔽电极184可以不必与除了有像素电极180的区域以外的全部非有源区域重叠,而是可以与除了一些其他区域以外的非有源区域重叠。
屏蔽电极184还可以布置为与数据线162重叠。因此,可以防止布置为与数据线162重叠的液晶分子210受到施加至数据线162的数据电压的影响,并且因此,可以防止光泄漏。
第一配向层(未示出)可以布置在像素电极180和屏蔽电极184上。第一配向层可以控制注入到液晶层200中的液晶分子210的初始配向角度。
在下文中将描述第二显示基板300。
第二显示基板300可以包括第二基底基板310、遮光构件320、保护层330以及共用电极340。
第二基底基板310可以布置为面向第一基底基板110。第二基底基板310可以足够耐用以承受外部冲击。第二基底基板310可以是透明绝缘基板。例如,第二基底基板310可以是玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。第二基底基板310可以为平板形状,或者可以在特定方向上弯曲。
遮光构件320可以布置在第二基底基板310的面向第一显示基板100的表面上。在示例性实施方式,遮光构件320可以布置为与栅极线122、数据线162、TFT 167以及接触孔174重叠。换言之,遮光构件320可以布置为与非有源区域(其是有源区域11以外的区域)重叠,并且可以阻挡光在非有源区域中的透射。然而,本公开不限于这些示例性实施方式。即,在一些其他示例性实施方式中,遮光构件320可以布置在除了数据线162的靠近像素电极180的部分以外的全部非有源区域中,在这种情况下,数据线162的不由遮光构件320重叠的部分可以由屏蔽电极184重叠以阻挡光穿过其中透射。
保护层330可以布置在遮光构件320的面向第一显示基板100的表面上。保护层330可以减小由遮光构件320生成的任意高度差。在示例性实施方式中,可以不设置保护层330。
共用电极340可以布置在保护层330的面向第一显示基板100的表面上。
共用电极340可以由诸如ITO、IZO、ITZO或AZO的透明导电材料形成。
共用电极340可以作为板形成在第二基底基板310的全部表面上。由外部源提供的共用电压可施加至共用电极340,并且共用电极340可以与像素电极180一起在液晶层200中形成电场。
共用电压可以由外部源提供,并且在根据本示例性实施方式的LCD装置操作的同时,可以均匀维持共用电压的电平。因此,由于分别施加至像素电极180和共用电极340的数据电压与共用电压的差,在布置为彼此重叠的像素电极180与共用电极340之间的空间内可以形成电场。由于该电场,液晶分子210可以旋转或倾斜。
在示例性实施方式中,与共用电压具有基本上相同电平的电压可以提供至屏蔽电极184。因此,在根据本示例性实施方式的LCD装置操作的同时,因为屏蔽电极184和共用电极340提供有具有相同电压的信号并且因此在其间不生成电位,在液晶层200中的在布置为彼此重叠的屏蔽电极184与共用电极340之间的一部分内,不会形成具有方向性的电场。因此,液晶分子210在布置为彼此重叠的屏蔽电极184与共用电极340之间的空间内不会旋转或倾斜,并且可以维持与根据本示例性实施方式的LCD装置断电的情况下相同的状态。因此,液晶分子210可以阻挡光的透射。
第二配向层(未示出)可以布置在共用电极340的面向第一显示基板100的表面上。如同第一配向层,第二配向层可以控制液晶层200中的液晶分子210的初始配向角度。
在下文中将描述液晶层200。
液晶层200可以包括具有介电各向异性和折射各向异性的液晶分子210。在液晶层200中不存在电场的情况下,液晶分子210可以相对于第一显示基板100和第二显示基板300在垂直方向上配向。响应于在第一显示基板100与第二显示基板300之间生成的电场,液晶分子210在第一显示基板100与第二显示基板300之间的特定方向上可以旋转或可以倾斜,从而改变光的偏振。
参考图3,第二切口部分182中的每一个的第一延伸部182_1的上端UPE1与第二延伸部182_2的上端UPE2之间的长度dt1可以与第二切口部分182中的每一个的第一延伸部182_1的下端UNE1与第二延伸部182_2的下端UNE2之间的长度dt2相同。即,在第二切口部分182中的每一个内,第一延伸部182_1可以布置为连接至第二延伸部182_2的中间。
在下文中将描述根据本示例性实施方式的LCD装置的可视性和透射率的改善。
图4是分别示出当根据第一比较例和第二比较例的LCD装置以及根据图1的示例性实施方式的LCD装置都以低灰度级驱动时,在根据第一比较例和第二比较例的LCD装置的像素以及根据图1的示例性实施方式的LCD装置的像素中的液晶分子的长轴的分布的图。
根据第一比较例的LCD装置具有交叉形状的像素电极,该像素电极具有从交叉形状的中心径向延伸的多个微电极。根据第二比较例的LCD装置具有像素电极,该像素电极可以包括没有第二延伸部且仅由第一延伸部组成的第二切口部分,并且具有比根据图1的示例性实施方式的LCD装置的像素电极180更多的第二切口部分。
如本文中使用的表述“以低灰度级驱动”可以表示提供至像素电极180的数据电压与提供至共用电极340的共用电压之间的差变得小于当以高灰度级驱动根据图1的示例性实施方式的LCD装置时的情况。
如本文中使用的术语“方位角”可以表示通过将与液晶分子210的长轴相对应的向量投影到布置有第一显示基板100的平面上而获得的投影向量与第一方向D1所形成的角度。即,在如图1和图3所示的平面图中,液晶分子210的长轴与第一方向D1所形成的角度可以定义为液晶分子210的方位角。
液晶分子210的方位角与根据图1的示例性实施方式的LCD装置以低灰度级驱动时的可视性紧密相关,并且也与根据图1的示例性实施方式的LCD装置以高灰度级驱动时的透射率紧密相关。更具体地,在根据图1的示例性实施方式的LCD装置以低灰度级驱动的情况下,具有接近于0°的方位角的液晶分子210的数量越多,根据图1的示例性实施方式的LCD装置从正面观看时的亮度与根据图1的示例性实施方式的LCD装置从侧面观看时的亮度之间的差变得越小,并且因此,根据图1的示例性实施方式的LCD装置的可视性变得越好。另一方面,在根据图1的示例性实施方式的LCD装置以高灰度级驱动的情况下,具有接近于45°的方位角的液晶分子210的数量越多,根据图1的示例性实施方式的LCD装置的透射率变得越好。鉴于以上所有,图4和图5可以解释如下。
参考图4和图5,第一个条ST1表示从根据第一比较例的LCD装置获得的测量,第二个条ST2表示从根据第二比较例的LCD装置获得的测量,并且第三个条ST3表示从根据图1的示例性实施方式的LCD装置获得的测量。
更具体地,当以低灰度级驱动时,根据第二比较例的LCD装置具有比根据第一比较例的LCD装置高的具有接近于0°的方位角的液晶分子210的百分比,并且根据图1的示例性实施方式的LCD装置具有比根据第二比较例的LCD装置高的具有接近于0°的方位角的液晶分子210的百分比。即,与根据第一比较例和第二比较例的LCD装置相比,根据图1的示例性实施方式的LCD装置具有最为改善的可视性。
当以高灰度级驱动时,根据第二比较例的LCD装置具有比根据第一比较例的LCD装置高的具有接近于45°的方位角的液晶分子210的百分比,并且根据图1的示例性实施方式的LCD装置具有比根据第二比较例的LCD装置高的具有接近于45°的方位角的液晶分子210的百分比。即,与根据第一比较例和第二比较例的LCD装置相比,根据图1的示例性实施方式的LCD装置具有最为改善的透射率。
换言之,如果LCD装置包括图1的像素电极180(具体地,图1的第二切口部分182),则LCD装置的可视性和透射率都可以改善。
图6是示出与根据第一比较例和第二比较例的LCD装置相比,根据图1的示例性实施方式的LCD装置的可视性的改善的曲线图。
参考图6,X轴表示每个像素10的灰度级,并且Y轴表示亮度。Y轴表示的亮度的最大水平是100%,其被限定为当从正面观看LCD装置时具有63的灰度级的LCD装置的亮度。
第一条线L1表示当从正面观看根据第一比较例的LCD装置时,根据第一比较例的LCD装置在每一灰度级的亮度,第二条线L2表示当从侧面观看根据第一比较例的LCD装置时,根据第一比较例的LCD装置在每一灰度级的亮度,第三条线L3表示当从侧面观看根据第二比较例的LCD装置时,根据第二比较例的LCD装置在每一灰度级的亮度,并且第四条线L4表示当从侧面观看根据图1的示例性实施方式的LCD装置时,根据图1的示例性实施方式的LCD装置在每一灰度级的亮度。
从图6显而易见的是,从正面观看时的LCD装置的亮度越接近从侧面观看时的LCD装置的亮度,LCD装置的可视性变得越好。即,可以解释成第二条线L2、第三条线L3和第四条线L4中的(特别在0至40的低灰度级)最接近第一条线L1的任一条对应于最有利的可视性。
如图6所示,在0至40的低灰度级,第四条线L4表示的亮度测量与由第一条线L1表示的亮度测量最接近,并且由第四条线L4表示的亮度测量比由第三条线L3和第二条线L2表示的亮度测量接近由第一条线L1表示的亮度测量。因此,与由第四条线L4表示的亮度测量相对应的LCD装置(即包括图1的像素电极180的LCD装置)的可视性可能是最有利的。
图7是根据本公开的第一变形例的LCD装置的像素的平面图,并且图8是图7的区域B的放大平面图。
参考图7和图8,根据本示例性实施方式的LCD装置的像素10a可以包括栅极线122、维持线125、数据线162、TFT 167、接触孔174、像素电极180a以及屏蔽电极184。
像素10a与图1和图3的像素10在像素电极180a的结构中稍有不同,具体地,每个第二切口部分182a的第一延伸部182_1a与第二延伸部182_2的相对布置稍有不同。在下文中将描述根据本示例性实施方式的LCD装置,主要集中在与根据图1和图3的示例性实施方式的LCD装置的差异上。
像素电极180a可以包括电极部分183a、第一切口部分181以及第二切口部分182a。第二切口部分182a中的每一个可以包括第一延伸部182_1a和第二延伸部182_2。与在图1和图3的示例性实施方式中不同,在本示例性实施方式中,第一延伸部182_1a可以不分别连接至第二延伸部182_2的中间。即,在图7和图8的视图中,第二切口部分182a中的每一个的第一延伸部182_1a的上端UPE3与第二延伸部182_2的上端UPE4之间的长度dt3可以与第二切口部分182a中的每一个的第一延伸部182_1a的下端UNE3与第二延伸部182_2的下端UNE4之间的长度dt4不同。
更具体地,在图7和图8的视图中,在第一域DM1和第二域DM2中,第二切口部分182a中的每一个的第一延伸部182_1a的下端UNE3与第二延伸部182_2的下端UNE4之间的长度(即长度dt4),可以比第二切口部分182a中的每一个的第一延伸部182_1a的上端UPE3与第二延伸部182_2的上端UPE4之间的长度(即长度dt3)长。另一方面,在第三域DM3和第四域DM4中,第二切口部分182a中的每一个的第一延伸部182_1a的上端与第二延伸部182_2的上端之间的长度可以比第二切口部分182a中的每一个的第一延伸部182_1a的下端与第二延伸部182_2的下端之间的长度长。
根据本示例性实施方式,在由第二切口部分182a围绕的每个区域中使液晶分子210朝向域中心DCP倾斜的力可以加强。更具体地,在第一域DM1中,在第二切口部分182a的左下侧附近的区域中,液晶分子210可以向左下倾斜,在第二域DM2中,在第二切口部分182a的右下侧附近的区域中,液晶分子210可以向右下倾斜,在第三域DM3中,在第二切口部分182a的右上侧附近的区域中,液晶分子210可以向右上倾斜,并且在第四域DM4中,在第二切口部分182a的左上侧附近的区域中,液晶分子210可以向左上倾斜。因此,相对于液晶分子210的长轴倾斜的方向具有接近45°的方位角的液晶分子210的数量可以增加,并且因此,可以最大化根据本示例性实施方式的LCD装置的透射率的改善。
除了以上以外,根据本示例性实施方式的LCD装置与图1和图3的LCD装置基本上相同,并且因此,将省略其详细说明。
图9是根据本公开的第二变形例的LCD装置的像素的平面图,并且图10是图9的区域C的放大平面图。
参考图9和图10,根据本示例性实施方式的LCD装置的像素10b可以包括栅极线122、维持线125、数据线162、TFT 167、接触孔174、像素电极180b以及屏蔽电极184。
像素10b与图1和图3的像素10在像素电极180b的结构中稍有不同,具体地,每个第二切口部分182b的第一延伸部182_1b与第二延伸部182_2的相对布置稍有不同。
因此,在下文中将描述根据本示例性实施方式的LCD装置,主要集中在与根据图1和图3的示例性实施方式的LCD装置的差异上。
像素电极180b可以包括电极部分183b、第一切口部分181以及第二切口部分182b。第二切口部分182b中的每一个可以包括第一延伸部182_1b和第二延伸部182_2。与在图1和图3的示例性实施方式中不同,在本示例性实施方式中,第一延伸部182_1b可以不分别连接至第二延伸部182_2的中间。即,第二切口部分182b中的每一个的第一延伸部182_1b的上端UPE5与第二延伸部182_2的上端UPE6之间的长度dt5可以与第二切口部分182b中的每一个的第一延伸部182_1b的下端UNE5与第二延伸部182_2的下端UNE6之间的长度dt6不同。
更具体地,在第一域DM1和第二域DM2中,第二切口部分182b中的每一个的第一延伸部182_1b的下端UNE5与第二延伸部182_2的下端UNE6之间的长度(即长度dt6)可以比第二切口部分182b中的每一个的第一延伸部182_1b的上端UPE5与第二延伸部182_2的上端UPE6之间的长度(即长度dt5)短。另一方面,在第三域DM3和第四域DM4中,第二切口部分182b中的每一个的第一延伸部182_1b的上端与第二延伸部182_2的上端之间的长度可以比第二切口部分182b中的每一个的第一延伸部182_1b的下端与第二延伸部182_2的下端之间的长度短。
根据本示例性实施方式,在由第二切口部分182b围绕的每个区域中使液晶分子210朝向第一方向D1倾斜的力可以加强。更具体地,在第一域DM1中,在第二切口部分182b的左上侧附近的区域中,液晶分子210可以向左倾斜,在第二域DM2中,在第二切口部分182b的右上侧附近的区域中,液晶分子210可以向右倾斜,在第三域DM3中,在第二切口部分182b的右下侧附近的区域中,液晶分子210可以向右倾斜,并且在第四域DM4中,在第二切口部分182b的左下侧附近的区域中,液晶分子210可以向左倾斜。因此,相对于液晶分子210的长轴倾斜的方向具有接近0°的方位角的液晶分子210的数量可以增加,并且因此,可以最大化根据本示例性实施方式的LCD装置的透射率的改善。
除了以上以外,根据本示例性实施方式的LCD装置与图1和图3的LCD装置基本上相同,并且因此,将省略其详细说明。
图11是根据本公开的第三变形例的LCD装置的像素的平面图,并且图12是图11的区域D的放大平面图。
参考图11和图12,根据本示例性实施方式的LCD装置的像素10c可以包括栅极线122、维持线125、数据线162、TFT 167、接触孔174、像素电极180c以及屏蔽电极184。
像素10c与图1和图3的像素10在像素电极180c的结构中稍有不同,具体地,每个第二切口部分182c的第一延伸部182_1c与第二延伸部182_2的相对布置稍有不同。
因此,在下文中将描述根据本示例性实施方式的LCD装置,主要集中在与根据图1和图3的示例性实施方式的LCD装置的差异上。
像素电极180c可以包括电极部分183c、第一切口部分181以及第二切口部分182c。第二切口部分182c中的每一个可以包括第一延伸部182_1c和第二延伸部182_2。与在图1和图3的示例性实施方式中不同,在本示例性实施方式中,第一延伸部182_1c可以不分别连接至第二延伸部182_2的中间。即,第一延伸部182_1c的上端或下端可以分别与第二延伸部182_2的上端或下端布置在相同线上。
更具体地,在第一域DM1和第二域DM2中,第一延伸部182_1c的上端UPE7可以分别与第二延伸部182_2的上端UPE8布置在相同线上。在第三域DM3和第四域DM4中,第一延伸部182_1c的下端可以分别与第二延伸部182_2的下端布置在相同线上。
根据本示例性实施方式,与图7和图8的第一变形例相比,在由第二切口部分182c围绕的每个区域中使液晶分子210朝向域中心DCP倾斜的力可以进一步加强。因此,相对于液晶分子210的长轴倾斜的方向具有接近45°的方位角的液晶分子210的数量可以增加,并且因此,可以最大化根据本示例性实施方式的LCD装置的透射率的改善。
除了以上以外,根据本示例性实施方式的LCD装置与图1和图3以及图7和图8的LCD装置基本上相同,并且因此,将省略其详细说明。
图13是根据本公开的第四变形例的LCD装置的像素的平面图,并且图14是图13的区域E的放大平面图。
参考图13和图14,根据本示例性实施方式的LCD装置的像素10d可以包括栅极线122、维持线125、数据线162、TFT 167、接触孔174、像素电极180d以及屏蔽电极184。
像素10d与图1和图3的像素10在像素电极180d的结构中稍有不同,具体地,每个第二切口部分182d的第一延伸部182_1d与第二延伸部182_2的相对布置稍有不同。
因此,在下文中将描述根据本示例性实施方式的LCD装置,主要集中在与根据图1和图3的示例性实施方式的LCD装置的差异上。
像素电极180d可以包括电极部分183d、第一切口部分181以及第二切口部分182d。第二切口部分182d中的每一个可以包括第一延伸部182_1d和第二延伸部182_2。与在图1和图3的示例性实施方式中不同,在本示例性实施方式中,第一延伸部182_1d可以不分别连接至第二延伸部182_2的中间。即,第一延伸部182_1d的上端或下端可以分别与第二延伸部182_2的上端或下端布置在相同线上。
更具体地,在第一域DM1和第二域DM2中,第一延伸部182_1d的下端UNE7可以分别与第二延伸部182_2的下端UNE8布置在相同线上,并且在第三域DM3和第四域DM4中,第一延伸部182_1d的上端可以分别与第二延伸部182_2的上端布置在相同线上。
根据本示例性实施方式,与图9和图10的第二变形例相比,在由第二切口部分182d围绕的每个区域中使液晶分子210朝向第一方向D1倾斜的力可以加强。因此,相对于液晶分子210的长轴倾斜的方向具有接近0°的方位角的液晶分子210的数量可以增加,并且因此,可以最大化根据本示例性实施方式的LCD装置的透射率的改善。
除了以上以外,根据本示例性实施方式的LCD装置与图1和图3以及图9和图10的LCD装置基本上相同,并且因此,将省略其详细说明。
图15是根据本公开的第五变形例的LCD装置的像素的平面图,并且图16是图15的区域F的放大平面图。
参考图15和图16,根据本示例性实施方式的LCD装置的像素10e可以包括栅极线122、维持线125、数据线162、TFT 167、接触孔174、像素电极180e以及屏蔽电极184。
像素10e与图1和图3的像素10在像素电极180e的结构中稍有不同。更具体地,像素10e与图1和图3的像素10的不同之处在于,像素电极180e的每个第二切口部分182e不仅包括第一延伸部182_1e和第二延伸部182_2e,而且还可以包括第三延伸部182_3e。
因此,在下文中将描述根据本示例性实施方式的LCD装置,主要集中在与根据图1和图3的示例性实施方式的LCD装置的差异上。
像素电极180e可以包括电极部分183e、第一切口部分181以及第二切口部分182e。第二切口部分182e中的每一个可以包括第一延伸部182_1e、第二延伸部182_2e以及第三延伸部182_3e。第一延伸部182_1e和第三延伸部182_3e可以是在第一方向D1上延伸的开口,并且第二延伸部182_2e可以是在第二方向D2上延伸的开口。第二延伸部182_2e可以分别连接第一延伸部182_1e,并且分别连接第三延伸部182_3e。第一延伸部182_1e的第一端可以分别与第二延伸部182_2e的第一端布置在相同线上,并且第三延伸部182_3e的第一端可以分别与第二延伸部182_2e的第二端布置在相同线上。
更具体地,在图15和图16的视图中,在第一域DM1和第二域DM2中,第一延伸部182_1e的上端UPE9可以分别与第二延伸部182_2e的上端UPE10布置在相同线上,并且第三延伸部182_3e的下端UNE9可以分别与第二延伸部182_2e的下端UNE10布置在相同线上。另外,在第三域DM3和第四域DM4中,第一延伸部182_1e的下端可以分别与第二延伸部182_2e的下端布置在相同线上,并且第三延伸部182_3e的上端可以分别与第二延伸部182_2e的上端布置在相同线上。
根据本示例性实施方式,与本公开的先前示例性实施方式相比,在第一方向上延伸的开口的数量可以增加。因此,像素电极180e对液晶分子210的控制可以变得相对强。
图17是根据本公开的第六变形例的LCD装置的像素的平面图,并且图18是图17的区域G的放大平面图。
参考图17和图18,根据本示例性实施方式的LCD装置的像素10f可以包括栅极线122、维持线125、数据线162、TFT 167、接触孔174、像素电极180f以及屏蔽电极184。
像素10f与图1和图3的像素10在像素电极180f的结构中稍有不同。更具体地,像素10f与图1和图3的像素10的不同之处在于,每个第二切口部分182f的第一延伸部182_1f在与第一方向D1不同的方向上延伸。
因此,在下文中将描述根据本示例性实施方式的LCD装置,主要集中在与根据图1和图3的示例性实施方式的LCD装置的差异上。
像素电极180f可以包括电极部分183f、第一切口部分181以及第二切口部分182f。第二切口部分182f中的每一个可以包括第一延伸部182_1f和第二延伸部182_2f。与在图1和图3的示例性实施方式中不同,在本示例性实施方式中,第一延伸部182_1f可以是在与第一方向D1形成第一角度θ1的方向上延伸的开口。第一延伸部182_1f延伸的方向可以是朝向域中心DCP的方向,并且在第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中的每一个内,第一延伸部182_1f可以相互平行延伸。
更具体地,第一域DM1中的第一延伸部182_1f可以是朝向左下延伸的开口,第二域DM2中的第一延伸部182_1f可以是朝向右下延伸的开口,第三域DM3中的第一延伸部182_1f可以是朝向右上延伸的开口,并且第四域DM4中的第一延伸部182_1f可以是朝左上延伸的开口。第一延伸部182_1f延伸的方向与第一方向D1形成的第一角度θ1可以在0°至30°的范围内。
根据本示例性实施方式,在布置有第一延伸部182_1f的每个区域附近使液晶分子210倾斜的力可以加强,并且因此,可以最大化根据本示例性实施方式的LCD装置的透射率的改善。
除了以上以外,根据本示例性实施方式的LCD装置与图1和图3的LCD装置基本上相同,并且因此,将省略其详细说明。
图19是根据本公开的第七变形例的LCD装置的像素的平面图。
参考图19,根据本示例性实施方式的LCD装置的像素10g可以包括栅极线122、维持线125、数据线162、TFT 167、接触孔174、像素电极180g以及屏蔽电极184。
像素10g与图1的像素10在像素电极180g的结构中稍有不同。更具体地,像素10g与图1的像素10的不同之处在于,从一个位置向另一个位置,第二切口部分182g的第二延伸部182_2g的长度可以变化。
因此,在下文中将描述根据本示例性实施方式的LCD装置,主要集中在与根据图1的示例性实施方式的LCD装置的差异上。
像素电极180g可以包括电极部分183g、第一切口部分181以及第二切口部分182g。第二切口部分182g中的每一个可以包括第一延伸部182_1g和第二延伸部182_2g。与在图1和图3的示例性实施方式中不同,在本示例性实施方式中,在第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中的每一个内,从一个位置向另一个位置,第二延伸部182_2g的长度变化。更具体地,第二延伸部182_2g越接近域中心DCP,第二延伸部182_2g相对变得越短,并且第二延伸部182_2g越远离域中心DCP,第二延伸部182_2g相对变得越长。
即,在图19的视图中,接近于第一域DM1和第二域DM2的上侧的第二延伸部182_2g比接近于第一域DM1和第二域DM2的下侧的第二延伸部182_2g长。类似地,接近于第三域DM3和第四域DM4的下侧的第二延伸部182_2g比接近于第三域DM3和第四域DM4的上侧的第二延伸部182_2g长。
由于在第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中的每一个内,从一个位置向另一个位置,第二延伸部182_2的长度变化,所以在第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中的每一个内,从一个位置向另一个位置,一对相邻的第一延伸部182_1g之间的距离也可以变化。即,从第一域DM1和第二域DM2中的每一个的上侧的两个相邻的第一延伸部182_1g之间的距离dt7可以比从第一域DM1和第二域DM2中的每一个的下侧的两个相邻的第一延伸部182_1g之间的距离dt8长。类似地,从第三域DM3和第四域DM4中的每一个的下侧的两个相邻的第一延伸部182_1g之间的距离可以比从第三域DM3和第四域DM4中的每一个的上侧的两个相邻的第一延伸部182_1g之间的距离长。
根据本示例性实施方式,从一个区域向另一个区域,有源区域11中的液晶分子210的长轴与第一方向D1形成的方位角可以变化。因此,可以改善根据本示例性实施方式的LCD装置的显示质量。
图20是根据本公开的第八变形例的LCD装置的像素的平面图。
参考图20,根据本示例性实施方式的LCD装置的像素10h可以包括栅极线122、维持线125、数据线162、TFT 167、接触孔174、像素电极180h以及屏蔽电极184。
像素10h与图1的像素10在像素电极180h的结构中稍有不同。更具体地,像素10h与图1的像素10的不同之处在于,每个第二切口部分182h可以包括第二延伸部182_2h和多个第一延伸部182_1h。
因此,在下文中将描述根据本示例性实施方式的LCD装置,主要集中在与根据图1的示例性实施方式的LCD装置的差异上。
像素电极180h可以包括电极部分183h、第一切口部分181以及第二切口部分182h。与在图1和图3的示例性实施方式中不同,在本示例性实施方式中,第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中的每一个可以设置有一个第二切口部分182h。第二切口部分182h中的每一个可以包括在第一方向D1上相互平行延伸的多个第一延伸部182_1h,以及连接多个第一延伸部182_1h的端部的第二延伸部182_2h。因此,与图1和图3的示例性实施方式相比,第二延伸部182_2h的面积可以增加。
根据本示例性实施方式,在第二方向D2上延伸的第二延伸部182_2h的面积可以增加,并且因此,使液晶分子210在第一方向D1上倾斜的力可以加强。因此,相对于液晶分子210的长轴倾斜的方向具有接近0°的方位角的液晶分子210的数量可以增加,并且因此,可以最大化根据本示例性实施方式的LCD装置的透射率的改善。
尽管本文中已描述了某些示例性实施方式和实现方式,然而,从本描述中,其他实施方式和变形将是显而易见的。因此,本发明构思不限于这些实施方式,而是限于所呈现的权利要求以及各种显而易见的变形及等同布置的更宽范围。
Claims (18)
1.一种液晶显示装置,包括:
基板;以及
布置在所述基板上的像素电极,
其中,
所述像素电极包括第一切口部分和第二切口部分,所述第二切口部分布置为比所述第一切口部分接近所述像素电极的中心,并且所述第二切口部分彼此间隔开,
其中,所述第一切口部分包括:第一子切口部分,包括在第一方向上延伸的第一外延伸部分和在与所述第一方向不同的第二方向上从所述第一外延伸部分延伸的第二外延伸部分;以及与所述第一子切口部分分开的第二子切口部分,包括在所述第一方向上延伸的第三外延伸部分和在所述第二方向上从所述第三外延伸部分延伸的第四外延伸部分,
其中,所述第二切口部分布置在所述第一子切口部分的所述第二外延伸部分与所述第二子切口部分的所述第四外延伸部分之间,
其中,所述第二切口部分中的每一个包括在不同方向上延伸并且彼此连接的第一延伸部和第二延伸部,
其中,所述第二延伸部在所述第二方向上延伸,
其中,所述第二延伸部在所述第二方向上的长度比所述第二外延伸部分在所述第二方向上的长度短,并且
其中,所述液晶显示装置还包括:栅极线,布置在所述基板与所述像素电极之间并且在所述第一方向上延伸;以及数据线,布置在其中布置有所述栅极线的层与其中布置有所述像素电极的层之间的层上,并且在所述第二方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述第二延伸部布置为比所述第一延伸部接近所述像素电极的对应的边缘。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述第一延伸部在所述第一方向上延伸,并且所述第一方向垂直于所述第二方向。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置,其中,在平面图中,所述第一延伸部的上端与所述第二延伸部的上端之间的长度,与所述第一延伸部的下端与所述第二延伸部的下端之间的长度相同。
5.根据权利要求3所述的液晶显示装置,其中,所述像素电极划分为四个象限,所述四个象限包括:
第一域,布置在所述像素电极的右上侧,
第二域,布置在所述像素电极的左上侧,
第三域,布置在所述像素电极的左下侧,以及
第四域,布置在所述像素电极的右下侧。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置,其中,
布置在所述第一域中的多个第二延伸部布置在第一延长线上,
布置在所述第二域中的多个第二延伸部布置在第二延长线上,
布置在所述第三域中的多个第二延伸部布置在第三延长线上,并且
布置在所述第四域中的多个第二延伸部布置在第四延长线上。
7.根据权利要求5所述的液晶显示装置,其中,在所有的所述第一域、所述第二域、所述第三域以及所述第四域中,所述第二切口部分的数量相同。
8.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其中,所述第一延长线、所述第二延长线、所述第三延长线以及所述第四延长线相互重叠或相互平行。
9.根据权利要求5所述的液晶显示装置,其中,在平面图中,所述第一延伸部的上端与所述第二延伸部的上端之间的长度与所述第一延伸部的下端与所述第二延伸部的下端之间的长度不同。
10.根据权利要求9所述的液晶显示装置,其中,
在所述第一域和所述第二域中,在平面图内,所述第一延伸部的下端与所述第二延伸部的下端之间的长度比所述第一延伸部的上端与所述第二延伸部的上端之间的长度长,并且
在所述第三域和所述第四域中,在平面图内,所述第一延伸部的上端与所述第二延伸部的上端之间的长度比所述第一延伸部的下端与所述第二延伸部的下端之间的长度长。
11.根据权利要求9所述的液晶显示装置,其中,
在所述第一域和所述第二域中,在平面图内,所述第一延伸部的下端与所述第二延伸部的下端之间的长度比所述第一延伸部的上端与所述第二延伸部的上端之间的长度短,并且
在所述第三域和所述第四域中,在平面图内,所述第一延伸部的上端与所述第二延伸部的上端之间的长度比所述第一延伸部的下端与所述第二延伸部的下端之间的长度短。
12.根据权利要求5所述的液晶显示装置,其中,
在所述第一域和所述第二域中,在平面图内,所述第一延伸部的上端与所述第二延伸部的上端连接,并且
在所述第三域和所述第四域中,在平面图内,所述第一延伸部的下端与所述第二延伸部的下端连接。
13.根据权利要求5所述的液晶显示装置,其中,
在所述第一域和所述第二域中,在平面图内,所述第一延伸部的下端与所述第二延伸部的下端连接,并且
在所述第三域和所述第四域中,在平面图内,所述第一延伸部的上端与所述第二延伸部的上端连接。
14.根据权利要求5所述的液晶显示装置,其中,所述像素电极相对于域中心对称,所述第一域、所述第二域、所述第三域以及所述第四域在所述域中心处相互邻接。
15.根据权利要求3所述的液晶显示装置,其中,在平面图中,所述第二延伸部越接近所述像素电极的上端或下端并且远离所述像素电极的中心,所述第二延伸部变得越长。
16.根据权利要求3所述的液晶显示装置,其中,
所述第二切口部分中的每一个进一步包括第三延伸部,所述第三延伸部在其中所述第一延伸部延伸的方向上延伸,
所述第一延伸部的上端与所述第二延伸部的上端连接,并且
所述第三延伸部的下端连接至所述第二延伸部的下端。
17.一种液晶显示装置,包括:
基板;以及
像素电极,包括在第一方向上延伸的第一外边缘和在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的第二外边缘,所述像素电极布置在所述基板上,
其中,
所述像素电极包括第一切口部分和第二切口部分,所述第二切口部分布置在所述第一切口部分的内侧并且彼此间隔开,
其中,所述第一切口部分包括:第一子切口部分,包括在所述第一方向上延伸的第一外延伸部分和在所述第二方向上从所述第一外延伸部分延伸的第二外延伸部分;以及与所述第一子切口部分分开的第二子切口部分,包括在所述第一方向上延伸的第三外延伸部分和在所述第二方向上从所述第三外延伸部分延伸的第四外延伸部分,
其中,所述第二切口部分布置在所述第一子切口部分的所述第二外延伸部分与所述第二子切口部分的所述第四外延伸部分之间,
其中,所述第二切口部分中的每一个包括在所述第一方向上相互平行延伸并且相互间隔开的多个第一延伸部,以及连接至所述第一延伸部的第一端并且在所述第二方向上延伸的第二延伸部,并且
其中,所述第二延伸部在所述第二方向上的长度比所述第二外延伸部分在所述第二方向上的长度短。
18.根据权利要求17所述的液晶显示装置,其中,
所述像素电极划分为四个象限,所述四个象限包括:
第一域,所述第一域布置在所述像素电极的右上侧,
第二域,所述第二域布置在所述像素电极的左上侧,
第三域,所述第三域布置在所述像素电极的左下侧,以及
第四域,所述第四域布置在所述像素电极的右下侧,
其中,所述第一域、所述第二域、所述第三域以及所述第四域中的每一个设置有一个第二切口部分,并且
所述第二切口部分相对于域中心对称,所述第一域、所述第二域、所述第三域以及所述第四域在所述域中心处相互邻接。
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