CN107517041A - 一种平衡式对称耦合低噪声放大器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种平衡式对称耦合低噪声放大器，由低噪声放大器芯片、贴片电阻和平衡电桥连接而成。采用了对称结构和三维立体集成，运用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现，大大减小了器件的体积。本发明能够实现较好的输入、输出端口驻波比，较好的稳定性，并且具有体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、温度性能稳定的优点。适用于相应微波频段的通信、数字雷达、无线通信手持终端等对体积、电性能、材料一致性、热机械性、温度稳定性、工艺性及抗干扰性有苛刻要求的场合和相应的系统中。

Description

一种平衡式对称耦合低噪声放大器

技术领域

本发明属于微波技术领域，具体涉及一种采用平衡式对称耦合结构的低噪声放大器。

背景技术

低噪声放大器((Low Noise Amplifier, LNA)是无线接收机前端信号处理的第一级，也是射频部分的重要部件，作为雷达、移动通信、遥控遥感等电子通信系统的前端接收机，对整个通讯接收系统的性能指标起着举足轻重的作用。随着无线通讯技术的不断发展，对低噪声放大器的性能指标不断提高。低噪声放大器对降低接收机噪声，提高信息传递质量、增加通信距离有重要意义。

近年来，移动通信、卫星通信及国防电子系统的微型化发展迅速，高性能、低成本和小型化已经成为目前微波技术领域的发展方向之一，微波器件的性能、尺寸、可靠性和成本均需要得到进一步提升。低温共烧陶瓷技术（LTCC），是一种通过层叠共烧若干印有特定金属图层生瓷片的电子封装技术。低温共烧陶瓷的特点为高性能、高稳定、高可靠以及高度集成，在保证可靠性的同时，极大的减小了产品的尺寸，现已发展成为无源集成的主流技术。

为了适应小型化及低噪声通信系统的需要，将低噪声放大器芯片集成于LTCC平衡电桥之上做一体化设计，组成平衡式低噪声放大器，在设计LTCC平衡电桥时预留芯片焊接接口及焊接位置，可以有效节省空间，提高器件集成率，同时在封装烧结时利用低温共烧陶瓷三维多层技术的优势，可以实现平衡低噪声放大器的微型化。

发明内容

本发明的目的在于提提供一种体积小、重量轻、结构简单、电性能优异、可靠性高、成品率高、批量一致性好、温度性能稳定、造价低的平衡式对称耦合低噪声放大器。

实现本发明目的的技术方案是：一种平衡式对称耦合低噪声放大器，包括阻抗为50欧姆的表面可贴装端口一P1、阻抗为50欧姆的表面可贴装端口二P2、低噪放一LNA1、低噪放二LNA2、低噪放贴片一TA11、低噪放贴片二TA12、低噪放贴片三TA21、低噪放贴片四TA22、电阻一R1、电阻二R2、电阻贴片一TG1、电阻贴片二TG2、平衡电桥第一层F1、平衡电桥第二层F2、平衡电桥第三层F3、平衡电桥第四层F4、接地板一SD1、接地板二SD2、接地板三SD3、接地板四SD4、接地板五SD5、印地侧一GND1、印地侧二GND2；

阻抗为50欧姆的表面可贴装端口一P1与平衡电桥第一层F1的一端连接，平衡电桥第一层F1的另一端与电阻贴片二TG2连接，低噪放贴片一TA11与平衡电桥第二层F2的一端连接，平衡电桥第二层F2的另一端与低噪放贴片四TA22连接，低噪放贴片二TA12与平衡电桥第三层F3的一端连接，平衡电桥第三层F3的另一端与低噪放贴片三TA21连接，电阻贴片一TG1与平衡电桥第四层F4的一端连接，平衡电桥第四层F4的另一端与阻抗为50欧姆的表面可贴装端口二P2连接，低噪放一LNA1位于封装侧表面，一端与低噪放贴片一TA11连接，另一端与低噪放贴片二TA12连接，低噪放二LNA2位于封装侧表面，一端与低噪放贴片三TA21连接，另一端与低噪放贴片四TA22连接，电阻一R1位于封装侧表面，一端与电阻贴片一TG1连接，另一端与印地侧一GND1连接，电阻二R2位于封装侧表面，一端与电阻贴片二TG2连接，另一端与印地侧二GND2连接；

平衡电桥第一层F1，包括顶层第一级耦合线L11、顶层第二级耦合线L12、顶层第三级耦合线L13、顶层第四级耦合线L14、顶层第五级耦合线L15、顶层上连接柱一H111、顶层上连接柱二H121、顶层上连接柱三H131、顶层上连接柱四H141、顶层下连接柱一H112、顶层下连接柱二H122、顶层下连接柱三H132、顶层下连接柱四H142、层间连接柱一H1、层间连接柱二H2。顶层第一级耦合线L11包括顶层第一级耦合线一L111和顶层第一级耦合线二L121、顶层第二级耦合线L12包括顶层第二级耦合线一L121和顶层第二级耦合线二L122、顶层第三级耦合线L13包括顶层第三级耦合线一L131和顶层第三级耦合线二L132、顶层第四级耦合线L14包括顶层第四级耦合线一L141和顶层第四级耦合线二L142；

所述平衡电桥第一层F1，顶层第一级耦合线二L112的一端与阻抗为50欧姆的表面可贴装端口一P1连接，顶层第一级耦合线二L112的另一端与顶层下连接柱一H112连接，顶层下连接柱一H112的另一端与顶层第二级耦合线二L122一端连接，顶层第二级耦合线二L122的另一端与顶层下连接柱二H122连接，顶层下连接柱二H122的另一端与顶层第三级耦合线二L132一端连接，顶层第三级耦合线二L122的另一端与顶层下连接柱三H132连接，顶层下连接柱三H132的另一端与顶层第四级耦合线二L142一端连接，顶层第四级耦合线二L142的另一端与顶层下连接柱四H142连接，顶层下连接柱四H142的另一端与顶层第五级耦合线二L152一端连接，顶层第五级耦合线二L152的另一端与层间连接柱二H2一端连接。顶层第一级耦合线一L111的一端与层间连接柱一H1连接，顶层第一级耦合线一L111的另一端与顶层上连接柱一H111连接，顶层上连接柱一H111的另一端与顶层第二级耦合线一L121一端连接，顶层第二级耦合线一L121的另一端与顶层上连接柱二H121连接，顶层上连接柱二H121的另一端与顶层第三级耦合线一L131一端连接，顶层第三级耦合线一L121的另一端与顶层上连接柱三H131连接，顶层上连接柱三H131的另一端与顶层第四级耦合线一L141一端连接，顶层第四级耦合线一L141的另一端与顶层上连接柱四H141连接，顶层上连接柱四H141的另一端与顶层第五级耦合线一L151一端连接，顶层第五级耦合线一L151的另一端与电阻贴片二TG2连接；

平衡电桥第二层F2，包括耦合线一L211、耦合线二L212；

所述平衡电桥第二层F2，耦合线一L211的一端与层间连接柱一H1另一端连接，耦合线一L211的另一端与低噪放贴片三TA21连接。耦合线二L212一端与层间连接柱二H2另一端连接，耦合线二L212另一端与噪放贴片一TA11连接；

平衡电桥第三层F3，包括耦合线一L311、耦合线二L312、层间连接柱三H3、层间连接柱四H4；

所述平衡电桥第三层F3，耦合线一L311的一端与层间连接柱三H3一端连接，耦合线一L311的另一端与低噪放贴片四TA22连接。耦合线二L312一端与层间连接柱四H4另一端连接，耦合线二L312另一端与噪放贴片二TA12连接。

平衡电桥第四层F4，包括底层第一级耦合线L41、底层第二级耦合线L42、底层第三级耦合线L43、底层第四级耦合线L44、底层第五级耦合线L45、底层上连接柱一H411、底层上连接柱二H421、底层上连接柱三H431、底层上连接柱四H441、底层下连接柱一H412、底层下连接柱二H422、底层下连接柱三H432、底层下连接柱四H442。底层第一级耦合线L41包括底层第一级耦合线一L411和底层第一级耦合线二L421、底层第二级耦合线L42包括底层第二级耦合线一L421和底层第二级耦合线二L422、底层第三级耦合线L43包括底层第三级耦合线一L431和底层第三级耦合线二L432、底层第四级耦合线L44包括底层第四级耦合线一L441和底层第四级耦合线二L442。

所述平衡电桥第四层F4，底层第一级耦合线二L412的一端与电阻贴片一TG1连接，底层第一级耦合线二L412的另一端与底层下连接柱一H412连接，底层下连接柱一H412的另一端与底层第二级耦合线二L422一端连接，底层第二级耦合线二L422的另一端与底层下连接柱二H422连接，底层下连接柱二H422的另一端与底层第三级耦合线二L432一端连接，底层第三级耦合线二L422的另一端与底层下连接柱三H432连接，底层下连接柱三H432的另一端与底层第四级耦合线二L442一端连接，底层第四级耦合线二L442的另一端与底层下连接柱四H442连接，底层下连接柱四H442的另一端与底层第五级耦合线二L452一端连接，底层第五级耦合线二L452的另一端与层间连接柱四H4一端连接。底层第一级耦合线一L411的一端与层间连接柱三H3连接，底层第一级耦合线一L411的另一端与底层上连接柱一H411连接，底层上连接柱一H411的另一端与底层第二级耦合线一L421一端连接，底层第二级耦合线一L421的另一端与底层上连接柱二H421连接，底层上连接柱二H421的另一端与底层第三级耦合线一L431一端连接，底层第三级耦合线一L421的另一端与底层上连接柱三H431连接，底层上连接柱三H431的另一端与底层第四级耦合线一L441一端连接，底层第四级耦合线一L441的另一端与底层上连接柱四H441连接，底层上连接柱四H441的另一端与底层第五级耦合线一L451一端连接，底层第五级耦合线一L451的另一端与阻抗为50欧姆的表面可贴装端口二P2连接。

所述平衡式对称耦合低噪声放大器采用多层低温共烧陶瓷技术加工制作。低噪放贴片一TA11、低噪放贴片二TA12、低噪放贴片三TA21、低噪放贴片四TA22、电阻贴片一TG1、电阻贴片二TG2印刷于平衡电桥部分封装表面。两个低噪声放大器LNA模块的型号均为WFD005050-L30，均装贴于于平衡电桥部分封装表面。电阻一R1、电阻二R2均采用SMT贴片电阻，均装贴于一分四功分器封装表面。

与现有技术相比，由于本发明采用LTCC技术采用低损耗低温共烧陶瓷材料和三维立体集成，同时采用平衡式结构，所带来的显著优点是：（1）体积小、重量轻、可靠性高；（2）电性能优异、适用范围广；（3）输入，输出端口的驻波比较好；（4）稳定度高；（5）功率容限高；（6）电路实现结构简单，可实现大批量生产；（7）成本低；（8）使用安装方便，可以通过全自动贴片机安装和焊接。

附图说明

图1是本发明一种平衡式对称耦合低噪声放大器的内部电路原理图。

图2是本发明一种平衡式对称耦合低噪声放大器的分层示意图。

图3是本发明一种平衡式对称耦合低噪声放大器的外部结构图。

图4（a）是本发明一种平衡式对称耦合低噪声放大器的平衡电桥第一层示意图，图4（b）是本发明一种平衡式对称耦合低噪声放大器的平衡电桥第一层内部结构图。

图5是本发明一种平衡式对称耦合低噪声放大器的平衡电桥第二层结构图。

图6是本发明一种平衡式对称耦合低噪声放大器的平衡电桥第三层结构图。

图7（a）是本发明一种平衡式对称耦合低噪声放大器的平衡电桥第四层示意图，图7（b）是本发明一种平衡式对称耦合低噪声放大器的平衡电桥第四层内部结构图。

具体实施方式

结合图1、图2、图3，一种平衡式对称耦合低噪声放大器，包括阻抗为50欧姆的表面可贴装端口一P1、阻抗为50欧姆的表面可贴装端口二P2、低噪放一LNA1、低噪放二LNA2、低噪放贴片一TA11、低噪放贴片二TA12、低噪放贴片三TA21、低噪放贴片四TA22、电阻一R1、电阻二R2、电阻贴片一TG1、电阻贴片二TG2、平衡电桥第一层F1、平衡电桥第二层F2、平衡电桥第三层F3、平衡电桥第四层F4、接地板一SD1、接地板二SD2、接地板三SD3、接地板四SD4、接地板五SD5、印地侧一GND1、印地侧二GND2；

结合图1、图2、图3，阻抗为50欧姆的表面可贴装端口一P1与平衡电桥第一层F1的一端连接，平衡电桥第一层F1的另一端与电阻贴片二TG2连接，低噪放贴片一TA11与平衡电桥第二层F2的一端连接，平衡电桥第二层F2的另一端与低噪放贴片四TA22连接，低噪放贴片二TA12与平衡电桥第三层F3的一端连接，平衡电桥第三层F3的另一端与低噪放贴片三TA21连接，电阻贴片一TG1与平衡电桥第四层F4的一端连接，平衡电桥第四层F4的另一端与阻抗为50欧姆的表面可贴装端口二P2连接，低噪放一LNA1位于封装侧表面，一端与低噪放贴片一TA11连接，另一端与低噪放贴片二TA12连接，低噪放二LNA2位于封装侧表面，一端与低噪放贴片三TA21连接，另一端与低噪放贴片四TA22连接，电阻一R1位于封装侧表面，一端与电阻贴片一TG1连接，另一端与印地侧一GND1连接，电阻二R2位于封装侧表面，一端与电阻贴片二TG2连接，另一端与印地侧二GND2连接。

结合图1、图2、图3、图4（a）、（b），平衡电桥第一层F1，包括顶层第一级耦合线L11、顶层第二级耦合线L12、顶层第三级耦合线L13、顶层第四级耦合线L14、顶层第五级耦合线L15、顶层上连接柱一H111、顶层上连接柱二H121、顶层上连接柱三H131、顶层上连接柱四H141、顶层下连接柱一H112、顶层下连接柱二H122、顶层下连接柱三H132、顶层下连接柱四H142、层间连接柱一H1、层间连接柱二H2。顶层第一级耦合线L11包括顶层第一级耦合线一L111和顶层第一级耦合线二L121、顶层第二级耦合线L12包括顶层第二级耦合线一L121和顶层第二级耦合线二L122、顶层第三级耦合线L13包括顶层第三级耦合线一L131和顶层第三级耦合线二L132、顶层第四级耦合线L14包括顶层第四级耦合线一L141和顶层第四级耦合线二L142。

结合图1、图2、图3、图4（a）、（b），顶层第一级耦合线二L112的一端与阻抗为50欧姆的表面可贴装端口一P1连接，顶层第一级耦合线二L112的另一端与顶层下连接柱一H112连接，顶层下连接柱一H112的另一端与顶层第二级耦合线二L122一端连接，顶层第二级耦合线二L122的另一端与顶层下连接柱二H122连接，顶层下连接柱二H122的另一端与顶层第三级耦合线二L132一端连接，顶层第三级耦合线二L122的另一端与顶层下连接柱三H132连接，顶层下连接柱三H132的另一端与顶层第四级耦合线二L142一端连接，顶层第四级耦合线二L142的另一端与顶层下连接柱四H142连接，顶层下连接柱四H142的另一端与顶层第五级耦合线二L152一端连接，顶层第五级耦合线二L152的另一端与层间连接柱二H2一端连接。顶层第一级耦合线一L111的一端与层间连接柱一H1连接，顶层第一级耦合线一L111的另一端与顶层上连接柱一H111连接，顶层上连接柱一H111的另一端与顶层第二级耦合线一L121一端连接，顶层第二级耦合线一L121的另一端与顶层上连接柱二H121连接，顶层上连接柱二H121的另一端与顶层第三级耦合线一L131一端连接，顶层第三级耦合线一L121的另一端与顶层上连接柱三H131连接，顶层上连接柱三H131的另一端与顶层第四级耦合线一L141一端连接，顶层第四级耦合线一L141的另一端与顶层上连接柱四H141连接，顶层上连接柱四H141的另一端与顶层第五级耦合线一L151一端连接，顶层第五级耦合线一L151的另一端与电阻贴片二TG2连接。

结合图1、图2、图3、图5，平衡电桥第二层F2，包括耦合线一L211、耦合线二L212。

结合图1、图2、图3、图4（a）、（b）、图5，耦合线一L211的一端与层间连接柱一H1另一端连接，耦合线一L211的另一端与低噪放贴片三TA21连接。耦合线二L212一端与层间连接柱二H2另一端连接，耦合线二L212另一端与噪放贴片一TA11连接。

结合图1、图2、图3、图6，平衡电桥第三层F3，包括耦合线一L311、耦合线二L312、层间连接柱三H3、层间连接柱四H4。

结合图1、图2、图3、图6，耦合线一L311的一端与层间连接柱三H3一端连接，耦合线一L311的另一端与低噪放贴片四TA22连接。耦合线二L312一端与层间连接柱四H4另一端连接，耦合线二L312另一端与噪放贴片二TA12连接。

结合图1、图2、图3、图7（a）、（b），平衡电桥第四层F4，包括底层第一级耦合线L41、底层第二级耦合线L42、底层第三级耦合线L43、底层第四级耦合线L44、底层第五级耦合线L45、底层上连接柱一H411、底层上连接柱二H421、底层上连接柱三H431、底层上连接柱四H441、底层下连接柱一H412、底层下连接柱二H422、底层下连接柱三H432、底层下连接柱四H442。底层第一级耦合线L41包括底层第一级耦合线一L411和底层第一级耦合线二L421、底层第二级耦合线L42包括底层第二级耦合线一L421和底层第二级耦合线二L422、底层第三级耦合线L43包括底层第三级耦合线一L431和底层第三级耦合线二L432、底层第四级耦合线L44包括底层第四级耦合线一L441和底层第四级耦合线二L442。

结合图1、图2、图3、图6、图7（a）、（b），底层第一级耦合线二L412的一端与电阻贴片一TG1连接，底层第一级耦合线二L412的另一端与底层下连接柱一H412连接，底层下连接柱一H412的另一端与底层第二级耦合线二L422一端连接，底层第二级耦合线二L422的另一端与底层下连接柱二H422连接，底层下连接柱二H422的另一端与底层第三级耦合线二L432一端连接，底层第三级耦合线二L422的另一端与底层下连接柱三H432连接，底层下连接柱三H432的另一端与底层第四级耦合线二L442一端连接，底层第四级耦合线二L442的另一端与底层下连接柱四H442连接，底层下连接柱四H442的另一端与底层第五级耦合线二L452一端连接，底层第五级耦合线二L452的另一端与层间连接柱四H4一端连接。底层第一级耦合线一L411的一端与层间连接柱三H3连接，底层第一级耦合线一L411的另一端与底层上连接柱一H411连接，底层上连接柱一H411的另一端与底层第二级耦合线一L421一端连接，底层第二级耦合线一L421的另一端与底层上连接柱二H421连接，底层上连接柱二H421的另一端与底层第三级耦合线一L431一端连接，底层第三级耦合线一L421的另一端与底层上连接柱三H431连接，底层上连接柱三H431的另一端与底层第四级耦合线一L441一端连接，底层第四级耦合线一L441的另一端与底层上连接柱四H441连接，底层上连接柱四H441的另一端与底层第五级耦合线一L451一端连接，底层第五级耦合线一L451的另一端与阻抗为50欧姆的表面可贴装端口二P2连接。

结合图2、图3，所述的平衡式对称耦合低噪声放大器的两个低噪声放大器LNA模块的型号均为WFD005050-L30。

结合图2、图3，所述的WFD005050-L30型号的低噪声放大器，是一个单级宽带单片低噪声放大器（MMIC），使用0.25um栅长砷化镓搭配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺制造而成，频率范围为0.5~5GHz，噪声系数2.5dB，典型增益15dB，1分贝压缩点输出功率13dBm，外形尺寸1.17mm*0.88mm*0.1mm。

结合图1、图2、图3、图4（a）、（b）、图5、图6、图7（a）、（b），所述的平衡式对称耦合低噪声放大器采用多层低温共烧陶瓷技术加工制作。低噪放贴片一（TA11）、低噪放贴片二（TA12）、低噪放贴片三（TA21）、低噪放贴片四（TA22）、电阻贴片一（TG1）、电阻贴片二（TG2）印刷于平衡电桥部分封装表面。两个低噪声放大器LNA模块的型号均为WFD005050-L30，均装贴于于平衡电桥部分封装表面。电阻一（R1）、电阻二（R2）均采用SMT贴片电阻，均装贴于一分四功分器封装表面。

一种平衡式对称耦合低噪声放大器，由于是采用多层低温共烧陶瓷工艺实现，所使用的金属图形和低温共烧陶瓷材料的烧结温度大约为900℃，具有较高的温度稳定性和可靠性。由于结构采用三维立体集成和多层折叠结构以及外表面金属屏蔽实现接地和封装，使得产品体积达到最小，成本降到最低。

本发明为一种基于LTCC技术外置贴片低噪声放大器，采用平衡式对称结构，其尺寸为6.4mm*10.8mm*4mm，工作频段为0.5GHz~5GHz。

Claims (9)

1.一种平衡式对称耦合低噪声放大器，其特征在于：包括阻抗为50欧姆的表面可贴装端口一（P1）、阻抗为50欧姆的表面可贴装端口二（P2）、低噪放一（LNA1）、低噪放二（LNA2）、低噪放贴片一（TA11）、低噪放贴片二（TA12）、低噪放贴片三（TA21）、低噪放贴片四（TA22）、电阻一（R1）、电阻二（R2）、电阻贴片一（TG1）、电阻贴片二（TG2）、平衡电桥第一层（F1）、平衡电桥第二层（F2）、平衡电桥第三层（F3）、平衡电桥第四层（F4）、接地板一（SD1）、接地板二（SD2）、接地板三（SD3）、接地板四（SD4）、接地板五（SD5）、印地侧一（GND1）、印地侧二（GND2）；

阻抗为50欧姆的表面可贴装端口一（P1）与平衡电桥第一层（F1）的一端连接，平衡电桥第一层（F1）的另一端与电阻贴片二（TG2）连接，低噪放贴片一（TA11）与平衡电桥第二层（F2）的一端连接，平衡电桥第二层（F2）的另一端与低噪放贴片四（TA22）连接，低噪放贴片二（TA12）与平衡电桥第三层（F3）的一端连接，平衡电桥第三层（F3）的另一端与低噪放贴片三（TA21）连接，电阻贴片一（TG1）与平衡电桥第四层（F4）的一端连接，平衡电桥第四层（F4）的另一端与阻抗为50欧姆的表面可贴装端口二（P2）连接，低噪放一（LNA1）位于封装侧表面，一端与低噪放贴片一（TA11）连接，另一端与低噪放贴片二（TA12）连接，低噪放二（LNA2）位于封装侧表面，一端与低噪放贴片三（TA21）连接，另一端与低噪放贴片四（TA22）连接，电阻一（R1）位于封装侧表面，一端与电阻贴片一（TG1）连接，另一端与印地侧一（GND1）连接，电阻二（R2）位于封装侧表面，一端与电阻贴片二（TG2）连接，另一端与印地侧二（GND2）连接。

2.根据权利要求1所述的平衡式对称耦合低噪声放大器，其特征在于：平衡电桥第一层（F1），包括顶层第一级耦合线（L11）、顶层第二级耦合线（L12）、顶层第三级耦合线（L13）、顶层第四级耦合线（L14）、顶层第五级耦合线（L15）、顶层上连接柱一（H111）、顶层上连接柱二（H121）、顶层上连接柱三（H131）、顶层上连接柱四（H141）、顶层下连接柱一（H112）、顶层下连接柱二（H122）、顶层下连接柱三（H132）、顶层下连接柱四（H142）、层间连接柱一（H1）、层间连接柱二（H2）；顶层第一级耦合线（L11）包括顶层第一级耦合线一（L111）和顶层第一级耦合线二（L121）、顶层第二级耦合线（L12）包括顶层第二级耦合线一（L121）和顶层第二级耦合线二（L122）、顶层第三级耦合线（L13）包括顶层第三级耦合线一（L131）和顶层第三级耦合线二（L132）、顶层第四级耦合线（L14）包括顶层第四级耦合线一（L141）和顶层第四级耦合线二（L142）；顶层第一级耦合线二（L112）的一端与阻抗为50欧姆的表面可贴装端口一（P1）连接，顶层第一级耦合线二（L112）的另一端与顶层下连接柱一（H112）连接，顶层下连接柱一（H112）的另一端与顶层第二级耦合线二（L122）一端连接，顶层第二级耦合线二（L122）的另一端与顶层下连接柱二（H122）连接，顶层下连接柱二（H122）的另一端与顶层第三级耦合线二（L132）一端连接，顶层第三级耦合线二（L122）的另一端与顶层下连接柱三（H132）连接，顶层下连接柱三（H132）的另一端与顶层第四级耦合线二（L142）一端连接，顶层第四级耦合线二（L142）的另一端与顶层下连接柱四（H142）连接，顶层下连接柱四（H142）的另一端与顶层第五级耦合线二（L152）一端连接，顶层第五级耦合线二（L152）的另一端与层间连接柱二（H2）一端连接；顶层第一级耦合线一（L111）的一端与层间连接柱一（H1）连接，顶层第一级耦合线一（L111）的另一端与顶层上连接柱一（H111）连接，顶层上连接柱一（H111）的另一端与顶层第二级耦合线一（L121）一端连接，顶层第二级耦合线一（L121）的另一端与顶层上连接柱二（H121）连接，顶层上连接柱二（H121）的另一端与顶层第三级耦合线一（L131）一端连接，顶层第三级耦合线一（L121）的另一端与顶层上连接柱三（H131）连接，顶层上连接柱三（H131）的另一端与顶层第四级耦合线一（L141）一端连接，顶层第四级耦合线一（L141）的另一端与顶层上连接柱四（H141）连接，顶层上连接柱四（H141）的另一端与顶层第五级耦合线一（L151）一端连接，顶层第五级耦合线一（L151）的另一端与电阻贴片二（TG2）连接。

3.根据权利要求1所述的平衡式对称耦合低噪声放大器，其特征在于：平衡电桥第二层（F2），包括耦合线一（L211）、耦合线二（L212）；耦合线一（L211）的一端与层间连接柱一（H1）另一端连接，耦合线一（L211）的另一端与低噪放贴片三（TA21）连接；耦合线二（L212）一端与层间连接柱二（H2）另一端连接，耦合线二（L212）另一端与噪放贴片一（TA11）连接。

4.根据权利要求1所述的平衡式对称耦合低噪声放大器，其特征在于：平衡电桥第三层（F3），包括耦合线一（L311）、耦合线二（L312）、层间连接柱三（H3）、层间连接柱四（H4）；耦合线一（L311）的一端与层间连接柱三（H3）一端连接，耦合线一（L311）的另一端与低噪放贴片四（TA22）连接；

耦合线二（L312）一端与层间连接柱四（H4）另一端连接，耦合线二（L312）另一端与噪放贴片二（TA12）连接。

5.根据权利要求1所述的平衡式对称耦合低噪声放大器，其特征在于：平衡电桥第四层（F4），包括底层第一级耦合线（L41）、底层第二级耦合线（L42）、底层第三级耦合线（L43）、底层第四级耦合线（L44）、底层第五级耦合线（L45）、底层上连接柱一（H411）、底层上连接柱二（H421）、底层上连接柱三（H431）、底层上连接柱四（H441）、底层下连接柱一（H412）、底层下连接柱二（H422）、底层下连接柱三（H432）、底层下连接柱四（H442）；

底层第一级耦合线（L41）包括底层第一级耦合线一（L411）和底层第一级耦合线二（L421）、底层第二级耦合线（L42）包括底层第二级耦合线一（L421）和底层第二级耦合线二（L422）、底层第三级耦合线（L43）包括底层第三级耦合线一（L431）和底层第三级耦合线二（L432）、底层第四级耦合线（L44）包括底层第四级耦合线一（L441）和底层第四级耦合线二（L442）；

底层第一级耦合线二（L412）的一端与电阻贴片一（TG1）连接，底层第一级耦合线二（L412）的另一端与底层下连接柱一（H412）连接，底层下连接柱一（H412）的另一端与底层第二级耦合线二（L422）一端连接，底层第二级耦合线二（L422）的另一端与底层下连接柱二（H422）连接，底层下连接柱二（H422）的另一端与底层第三级耦合线二（L432）一端连接，底层第三级耦合线二（L422）的另一端与底层下连接柱三（H432）连接，底层下连接柱三（H432）的另一端与底层第四级耦合线二（L442）一端连接，底层第四级耦合线二（L442）的另一端与底层下连接柱四（H442）连接，底层下连接柱四（H442）的另一端与底层第五级耦合线二（L452）一端连接，底层第五级耦合线二（L452）的另一端与层间连接柱四（H4）一端连接；

底层第一级耦合线一（L411）的一端与层间连接柱三（H3）连接，底层第一级耦合线一（L411）的另一端与底层上连接柱一（H411）连接，底层上连接柱一（H411）的另一端与底层第二级耦合线一（L421）一端连接，底层第二级耦合线一（L421）的另一端与底层上连接柱二（H421）连接，底层上连接柱二（H421）的另一端与底层第三级耦合线一（L431）一端连接，底层第三级耦合线一（L421）的另一端与底层上连接柱三（H431）连接，底层上连接柱三（H431）的另一端与底层第四级耦合线一（L441）一端连接，底层第四级耦合线一（L441）的另一端与底层上连接柱四（H441）连接，底层上连接柱四（H441）的另一端与底层第五级耦合线一（L451）一端连接，底层第五级耦合线一（L451）的另一端与阻抗为50欧姆的表面可贴装端口二（P2）连接。

6.根据权利要求1所述的平衡式对称耦合低噪声放大器，其特征在于：所述的低噪放贴片一（TA11）、低噪放贴片二（TA12）、低噪放贴片三（TA21）、低噪放贴片四（TA22）、电阻贴片一（TG1）、电阻贴片二（TG2）印刷于平衡电桥部分封装表面。

7.根据权利要求1所述的平衡式对称耦合低噪声放大器，其特征在于：两个低噪声放大器LNA模块的型号均为WFD005050-L30，均装贴于于平衡电桥部分封装表面。

8.根据权利要求1所述的平衡式对称耦合低噪声放大器，其特征在于：所述的电阻一（R1）、电阻二（R2）均采用SMT贴片电阻，均装贴于一分四功分器封装表面。

9.根据权利要求1~8所述的平衡式对称耦合低噪声放大器，其特征在于：所述平衡式对称耦合低噪声放大器采用多层低温共烧陶瓷技术加工制作。