CN107507747A - 真空电子管制备方法 - Google Patents

真空电子管制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107507747A
CN107507747A CN201710706902.0A CN201710706902A CN107507747A CN 107507747 A CN107507747 A CN 107507747A CN 201710706902 A CN201710706902 A CN 201710706902A CN 107507747 A CN107507747 A CN 107507747A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic tube
vacuum electronic
tube preparation
added
prepared
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710706902.0A
Other languages
English (en)
Inventor
王俊林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taicang Jinsong Intelligent Electronic Technology Co Ltd
Original Assignee
Taicang Jinsong Intelligent Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taicang Jinsong Intelligent Electronic Technology Co Ltd filed Critical Taicang Jinsong Intelligent Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201710706902.0A priority Critical patent/CN107507747A/zh
Publication of CN107507747A publication Critical patent/CN107507747A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/02Electrodes; Magnetic control means; Screens
    • H01J23/04Cathodes
    • H01J23/05Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J25/00Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
    • H01J25/50Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种真空电子管制备方法,包括以下步骤:1)热丝准备;2)阴极制备;3)电极制备。通过上述方式,本发明具有方法简单,涂层均匀,光洁度高,防腐性能好。

Description

真空电子管制备方法
技术领域
本发明涉及一种真空电子管制备方法。
背景技术
在高功率下,例如在以连续波 (CW) 模式操作的 100kW 磁控管下遇到的问题是:在 阀的工作期间,RF 窗口开裂,从而导致失去真空且设备故障。尚未完全了解产生该问题的 原因,但是一个可能的解释是,由于从该陶瓷圆顶中释放出的气体因被辐射 RF/ 微波功率 加变热而发生辉光放电,导致圆顶局部受热。或者,发热可能是由窗口表面上的次级电子倍 增放电引起的,所述次级电子倍增放电就其本身而言会导致气体从陶瓷圆顶中释放出来。 防止上述问题通常所用的方法是,在峰值功率下对磁控管进行操作之前,先长时 间 ( 例如 24 小时 ) 在低功率下运行磁控管。据认为,任何被吸收进陶瓷圆顶中的气体会在 该时间段释放出来,但由于低功率输出而不可能发生气体放电。然后可以施加全功率而不 存在发生气体放电的风险。尽管这极大地降低了在使用过程中这种灾难性故障的发生率,但是低功率老化操 作在磁控管的制造过程中是一个耗时的步骤。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是:提供一种真空电子管制备方法,方法简单,涂层均匀,光洁度高,防腐性能好。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种真空电子管制备方法,包括以下步骤:
(1)热丝准备:纯净的钨丝或者钼丝表面喷上一层厚60到200微米的刚铝石堡层,然后然后在1650-1700°的温度下,加入氢气,焙烧加热一段时间,自然冷却,然后用蒸馏水冲洗烘干,备用;
(2)阴极制备:用制得的热丝,加入氧化锰粉末、乙炔黑、聚四氟乙烯的混合液体,在球磨机之中研磨7小时;
(3)电极制备:用制得的阴极,加入少量乙醇,在超声分散仪中分散,干燥后将混合物压成片,然后在20 MPa 的压力机下将其压在经超声洗涤处理的不锈钢网上,制成电极片。
在本发明一个较佳实施例中,所述步骤1)中加热一段时间为15-20min。
在本发明一个较佳实施例中,所述步骤1)自然冷却的温度为20-30℃。
本发明的有益效果是:方法简单,涂层均匀,光洁度高,防腐性能好。
具体实施方式
下面结合对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例一
一种真空电子管制备方法,包括以下步骤:
(1)热丝准备:纯净的钨丝或者钼丝表面喷上一层厚60到200微米的刚铝石堡层,然后然后在1650-1700°的温度下,加入氢气,焙烧加热一段时间,自然冷却,然后用蒸馏水冲洗烘干,备用;
(2)阴极制备:用制得的热丝,加入氧化锰粉末、乙炔黑、聚四氟乙烯的混合液体,在球磨机之中研磨7小时;
(3)电极制备:用制得的阴极,加入少量乙醇,在超声分散仪中分散,干燥后将混合物压成片,然后在20 MPa 的压力机下将其压在经超声洗涤处理的不锈钢网上,制成电极片。
进一步说明,所述步骤1)中加热一段时间为15-20min,所述步骤1)自然冷却的温度为20-30℃。
高能点火气体放电管是根据气体放电原理制作的电子管,工作原理类似压敏器件,当放电管两端电压不高时,放电管呈高阻抗(≥10MΩ),当两端电压提高到击穿电压后,放电管内两电极间开始放电,且从辉光放电迅速转为弧光放电,放电管呈极低阻抗状况,管压降降至几十伏。当两端电压降至弧光放电维持电压以下后,放电停止,放电管又恢复到高阻抗状况。高能点火气体放电管主要用于高能点火器作控制大能量的开关。高能点火器采用电容储能放电原理,首先将低压电源通过升压、整流后获得3000V左右直流高压向储能电容充电,利用气体放电管高压击穿特性作为控制开关元件,使电容上高压击穿放电管,快速对点火电嘴放电,产生脉冲电弧。高能点火气体放电管主要用于高能点火器,广泛应用于航空发动机、机载弹载发动机以及船舶、燃气燃油、锅炉等点火装置,石油化工、煤炭化工、天然气工程、冶金及环保等各种可燃性气体放空火炬装置。高能点火气体放电管的击穿性能将直接决定航空发动机点火系统的点火能量、点火频率,是发动机点火系统中不可缺少的关键器件。
本发明揭示了一种真空电子管制备方法,方法简单,涂层均匀,光洁度高,防腐性能好。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (3)

1.一种真空电子管制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)热丝准备:纯净的钨丝或者钼丝表面喷上一层厚60到200微米的刚铝石堡层,然后然后在1650-1700°的温度下,加入氢气,焙烧加热一段时间,自然冷却,然后用蒸馏水冲洗烘干,备用;
(2)阴极制备:用制得的热丝,加入氧化锰粉末、乙炔黑、聚四氟乙烯的混合液体,在球磨机之中研磨7小时;
(3)电极制备:用制得的阴极,加入少量乙醇,在超声分散仪中分散,干燥后将混合物压成片,然后在20 MPa 的压力机下将其压在经超声洗涤处理的不锈钢网上,制成电极片。
2.根据权利要求1所述的真空电子管制备方法,其特征在于:所述步骤1)中加热一段时间为15-20min。
3.根据权利要求1所述的真空电子管制备方法,其特征在于:所述步骤1)自然冷却的温度为20-30℃。
CN201710706902.0A 2017-08-17 2017-08-17 真空电子管制备方法 Pending CN107507747A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710706902.0A CN107507747A (zh) 2017-08-17 2017-08-17 真空电子管制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710706902.0A CN107507747A (zh) 2017-08-17 2017-08-17 真空电子管制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107507747A true CN107507747A (zh) 2017-12-22

Family

ID=60691008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710706902.0A Pending CN107507747A (zh) 2017-08-17 2017-08-17 真空电子管制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107507747A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW342514B (en) * 1995-10-30 1998-10-11 Samsung Display Devices Co Ltd Cathode for electron tube
CN1240235A (zh) * 1999-07-12 2000-01-05 北京工业大学 电子管阴极材料及其制备方法
JP2004047365A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 New Japan Radio Co Ltd 陰極およびその製造方法
CN1900354A (zh) * 2005-07-22 2007-01-24 山特维克知识产权股份有限公司 提高pvd反应器中的等离子体活度的装置
CN102242371A (zh) * 2011-06-24 2011-11-16 武汉大学 超细六硼化钙的制备方法及其用途

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW342514B (en) * 1995-10-30 1998-10-11 Samsung Display Devices Co Ltd Cathode for electron tube
CN1240235A (zh) * 1999-07-12 2000-01-05 北京工业大学 电子管阴极材料及其制备方法
JP2004047365A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 New Japan Radio Co Ltd 陰極およびその製造方法
CN1900354A (zh) * 2005-07-22 2007-01-24 山特维克知识产权股份有限公司 提高pvd反应器中的等离子体活度的装置
CN102242371A (zh) * 2011-06-24 2011-11-16 武汉大学 超细六硼化钙的制备方法及其用途

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107091210B (zh) 一种基于毛细管放电的脉冲等离子体推力器
EP2337173A2 (de) HF-Zündeinrichtung
CA2739381A1 (en) Apparatus and method for effecting plasma-based reactions
US8173075B2 (en) Device for generation of pulsed corona discharge
CN101158321A (zh) 一种低温等离子体非热点火稳焰装置
CN109038221B (zh) 气体环境下具有插拔功能的主动型过电压保护间隙
CN106937470B (zh) 基于等离子弧的加热方法、加热装置及应用
CN109038222A (zh) 真空环境下具有插拔功能的主动型过电压保护间隙
CN103079328B (zh) 一种介质阻挡放电电极及其制作方法
CN104994673B (zh) 一种产生空气环境中大气压下均匀等离子体刷的装置和方法
CN107507747A (zh) 真空电子管制备方法
CN111278206A (zh) 一种介质阻挡放电串联微波放电的等离子体发生装置
Moon et al. Driving frequency effects on the characteristics of atmospheric pressure capacitive helium discharge
CN202718760U (zh) 一种阴极可重复利用的等离子点火器
CN112128798A (zh) 一种能量、脉宽和频率可控的点火装置
CN102146902A (zh) 一种高频高压单电极等离子体推进器
RU2672060C1 (ru) Катод плазменного ускорителя
CN107182165B (zh) 一种基于热电子发射阴极的等离子体发射装置
Jüttner Cathode phenomena with arcs and breakdowns in vacuum
CN111656544A (zh) 活性材料和包含活性材料的电力发电机
CN204497566U (zh) 一种沿面放电触发的伪火花开关
CN207701304U (zh) 一种能降低真空电弧推力器起弧能量的无触发式电极
CN113121207B (zh) 一种低介低二次电子发射系数复合粉体、制备方法及应用
CN114192089B (zh) 一种基于纳秒脉冲快速电离波的大分子气体低温裂解装置
Gushenets et al. A pulsed vacuum arc ion source with a pure boron cathode

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171222