CN107449955B - 一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，所述声表面波电流传感器包括：压电基片(22)、感知延迟线(21)、参考延迟线(23)和SiO₂薄膜(212)，所述感知延迟线(21)和参考延迟线(23)平行且同向，设置于压电基片(22)上；所述感知延迟线(21)和参考延迟线(23)的结构相同；所述SiO₂薄膜(212)沉积于感知延迟线(21)和参考延迟线(23)的表面上，所述图形化磁致伸缩薄膜设置在所述SiO₂薄膜(212)表面上，在所述感知延迟线(21)的传播路径上。本发明电流传感器通过采用一种平行且同向设置的双延迟线型结构，并将磁致伸缩薄膜材料进行图形化以提升传感器检测灵敏度、一致性与稳定性。

Description

一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器

技术领域

本发明涉及电流传感器领域，具体涉及一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器。

背景技术

研究在智能电网线路检测、电力冶金与轨道交通中供电安全预警与救援、工业自动化中电源继保等领域具有重要意义。现代电力系统的发展朝向大容量、高压电、小型紧凑以及输配电系统自动化的发展方向，电流传感器在电力系统控制保护和监控中起到了枢纽作用，因此，现代电网的发展对电流传感器不仅提出了小型化，高可靠与稳定性的要求，还要求它具有高、低压全隔离、抗电磁干扰性好、宽频带、无铁磁饱和以及灵敏度高等特点。相对于传统霍尔及光纤电流传感技术，声表面波(SAW：Surface acoustic wave)电流传感器具有快速响应、结构简单、抗干扰能力强、使用寿命长以及体积小等特点，特别是可以实现无线无源的电流检测手段，大大提高了系统安全性，在智能电网线路检测、电力冶金与轨道交通中供电安全预警与救援、工业自动化中电源继电保护等领域，极具工程应用前景和重大的学术价值。

为应对现有电流传感器凸显的瓶颈问题，Leonhard Reindl和R.Steindl等提出将一种无线问询的延迟线结构声表面波(Surface acoustic wave：SAW)器件与磁阻效应相结合的新型电流检测技术。所谓磁阻效应即在外磁场中半导体磁敏感材料受到与电流方向相垂直方向的磁场作用时，由于洛仑兹力的作用，电子流动的方向发生改变，使路径加长，从而使得磁敏材料阻值增大。图1为这种SAW电流传感器的结构示意图，雷达通过天线发射电磁波信号，并通过连接声表面波器件的叉指换能器的天线所接收，并被叉指换能器转换成沿器件压电基片表面传播的声表面波，该声波又被设置于声波传播方向的叉指型反射器所反射。连接磁敏电阻的叉指型反射器阻抗及反射率由于磁敏电阻的对于电流变化引起的磁场变化的感知而发生相应变化，从而导致在叉指型反射器上反射声波的传播特性发生变化，并通过叉指换能器重新转换成为电磁波通过天线被雷达所接收。通过分析SAW器件时域响应特性即可提取出电流场的变化。这种传感器表现出快速响应、结构简单、抗干扰能力强、使用寿命长以及体积小等特点，特别是可以实现无线无源的电流检测手段，大大提高了系统安全性。

但是从目前的实验报道情况来看，这种SAW与磁阻效应结合的电流检测技术在灵敏度与温度稳定性等方面还遇到一些瓶颈问题，首先，基于磁阻效应的磁敏材料在大电流检测中磁场敏感度不够高，传感器采用SAW器件时域幅度响应来作为传感量，导致了电流检测灵敏度及精度不高；此外，缺乏环境温度变化的补偿方法、物理功能结构的优化设计以及传感机理模型的系统性认知，导致目前SAW技术离实用化距离甚远。

近年来，一种磁致伸缩薄膜材料以其高磁敏特性引起人们的较大的兴趣。如FeCo及FeNi合金具有较好的综合性能，较为理想的单晶磁致伸缩常数(约400×10^-6)，不含稀土元素，价格低廉，良好的韧性，并可以承受拉应力和剪应力，且能承受较强震动等特点。但是由于磁滞现象导致这种采用磁致伸缩薄膜材料的SAW电流传感器在电场增加与降低情况下响应不一致，极大的影响到了传感器的响应一致性与稳定性。因此，将磁致伸缩薄膜材料图形化，可将磁致伸缩效应最大化并有效降低磁滞影响，从而使电流传感器获得更高的检测灵敏度、更好的线性度和一致性。

采用块状磁致伸缩合金薄膜作为敏感膜的SAW电流传感器具有较高的检测灵敏度，但电流增大和电流减小时响应的不一致性导致传感器线性度与稳定性较差，这是由于磁致伸缩合金薄膜材料自身磁滞现象所造成的。

发明内容

本发明的目的在于解决现有SAW电流传感器一致性差的问题，提供了一种沉积SiO₂温度补偿层的由两个平行且同向设置的声表面波延迟线构成且在声传播路径上分布图形化磁致伸缩合金薄膜的新型SAW电流传感器；该SAW电流传感器具有较高的检测灵敏度、良好的温度稳定性、更好的线性度和一致性的特点。

为实现上述发明目的，本发明提出了一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，所述声表面波电流传感器包括：压电基片22)、感知延迟线21、参考延迟线23和SiO₂薄膜212，其特征在于，所述感知延迟线21和参考延迟线23平行且同向，设置于压电基片22上；所述感知延迟线21和参考延迟线23的结构相同；所述SiO₂薄膜212沉积于感知延迟线21和参考延迟线23的表面上，所述图形化磁致伸缩薄膜设置在所述SiO₂薄膜212表面上，在所述感知延迟线21的传播路径上。

作为上述装置的一种改进，所述感知延迟线21包括：第一叉指换能器24和第二叉指换能器25；所述参考延迟线23包括：第三叉指换能器28和第四叉指换能器29；所述图形化磁致伸缩薄膜设置于第一叉指换能器24和第二叉指换能器25之间；所述第一叉指换能器24和第二叉指换能器25之间的中心间距与第二叉指换能器25的长度相同；所述第四叉指换能器29和第三叉指换能器28之间的中心间距与第三叉指换能器28的长度相同。

作为上述装置的一种改进，所述第一叉指换能器24、第二叉指换能器25、第三叉指换能器28和第四叉指换能器29的电极都为铝电极，铝电极膜厚介于1％λ～1.5％λ，λ为沿声波传播方向的声波波长。

作为上述装置的一种改进，所述图形化磁致伸缩薄膜为指条状磁致伸缩薄膜26或点阵磁致伸缩薄膜27，所述指条状磁致伸缩薄膜26的高度和点阵磁致伸缩薄膜27的高度都小于感知延迟线21的声孔径w。

作为上述装置的一种改进，所述图形化磁致伸缩薄膜的材料为FeCo合金，其厚度为400nm～550nm。

作为上述装置的一种改进，所述第一叉指换能器24、第二叉指换能器25、第三叉指换能器28和第四叉指换能器29都采用宽度控制/单向单相结构，所述宽度控制/单向单相结构包括：叉指对210和分布于叉指对210之间的反射电极211；所述叉指对210的电极宽度为1/8λ，且电极之间边缘间距为1/8λ，所述反射电极211的宽度为1/4λ，且反射电极211与叉指对210的边缘距离为3/16λ，其中，λ为沿声波传播方向的声波波长。

作为上述装置的一种改进，所述第一叉指换能器24和第三叉指换能器28的宽度控制/单向单相结构中周期地设置梳齿214；所述第一叉指换能器24的梳齿214之间的中心间隔与第二叉指换能器25的长度相等；所述第三叉指换能器28的梳齿214之间的中心间隔与第四叉指换能器29的长度相等；在所述第一叉指换能器24的梳齿214之间填充电极宽度及边缘间距均为1/8λ的接地假指213；在第三叉指换能器28的梳齿214之间填充电极宽度及边缘间距均为1/8λ的接地假指213。

作为上述装置的一种改进，所述指条状磁致伸缩薄膜26与第一叉指换能器间隔为l₁，所述指条状磁致伸缩薄膜26与第三叉指换能器间隔为l₂；所述点阵磁致伸缩薄膜27与第一叉指换能器间隔为l₃，所述指条状磁致伸缩薄膜26与第三叉指换能器间隔为l₄；l₁、l₂、l₃和l₄取值均为N×λ，其中，N为整数，取值范围为3到10之间。

作为上述装置的一种改进，所述的指条状磁致伸缩薄膜26包括沿x方向均匀分布的若干个尺寸相同的指条；沿x方向宽度l₅为λ，y方向宽度l₆为w，指条之间x方向的中心间距l7为λ，λ为沿声波传播方向的声波波长。

作为上述装置的一种改进，所述点阵磁致伸缩薄膜27包括若干个均匀分布的点阵元，每个点阵元的x方向宽度l₈为λ，y方向宽度l₉为λ_y；点阵元之间x方向的中心间距l₁₀为λ，y方向的中心间距l₁₁为λ_y；其中，λ为沿声波传播方向的声波波长，λ_y为垂直于声波传播方向的声波波长。

本发明的优点在于：

1、本发明的SAW电流传感器通过采用一种平行且同向设置的双延迟线型结构，并在其具有高压电系数的压电基片表面沉积与其温度系数极性相反的SiO₂薄膜来改善器件温度稳定性，并将磁致伸缩薄膜材料进行图形化以提升传感器检测灵敏度、一致性与稳定性；

2、本发明的SAW电流传感器将EWC/SPUDT与梳状结构应用到延迟线的设计之中，能够降低器件的插入损耗，同时获得一种单一振荡模式，从而将改善电流传感器的检测下限以及稳定性；

3、本发明的SAW电流传感器的两个延迟线平行且同向制作于同一块压电基片上，利用差分结构将有助于改善电流传感系统的温度稳定性。

附图说明

图1是现有技术的磁阻效应与声表面波技术相结合的电流传感器的原理图；

图2a是本发明的实施例1的SAW电流传感器的结构示意图；

图2b是本发明的实施例2的SAW电流传感器的结构示意图；

图3是本发明的SAW电流传感器中指条状磁致伸缩薄膜的结构示意图；

图4是本发明的SAW电流传感器中点阵磁致伸缩薄膜的结构示意图；

图5是应用于本发明的SAW电流传感器中的EWC/SPUDT结构的示意图；

图6是本发明的实施例1的延迟线的典型频响特性的曲线示意图；

图7是本发明的实施例2的延迟线的典型频响特性的曲线示意图。

附图标识：

2、SAW电流传感器 21、感知延迟线 22、压电基片

23、参考延迟线 24、第一叉指换能器 25、第二叉指换能器

26、指条状磁致伸缩薄膜 27、点阵磁致伸缩薄膜

28、第三叉指换能器 29、第四叉指换能器 210、叉指对

211、反射电极 212、SiO₂薄膜 213、接地假指

214、梳齿 217、吸声胶

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细的说明。

实施例1

如图2a所示，一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，所述声表面波电流传感器包括：压电基片22，两组设置于压电基片22上的感知延迟线21和参考延迟线23，沉积于感知延迟线21和参考延迟线23表面的SiO₂薄膜212，可用于温度补偿和叉指保护；在所述SiO₂薄膜212表面上设置指条状磁致伸缩薄膜26；在感知延迟线21和参考延迟线23的两端均设置吸声胶217。

所述的感知延迟线21和参考延迟线23平行且同向制作于压电基片22上，并且具有相同结构。这种差分结构以最大程度的消除外围环境特别是温度的影响。

所述感知延迟线21包括：第一叉指换能器24和第二叉指换能器25；所述参考延迟线23包括：第三叉指换能器28和第四叉指换能器29。所述第一叉指换能器24和第二叉指换能器25之间的中心间距与第二叉指换能器25的长度相同，同时第四叉指换能器29和第三叉指换能器28之间的中心间距与第三叉指换能器28的长度相同

参见图3，所述的指条状磁致伸缩薄膜26包括沿x方向均匀分布的若干个尺寸相同的指条；所述的指条状磁致伸缩薄膜26沿x方向宽度l₅为λ，y方向宽度l₆为w，其中，λ为沿声波传播方向的声波波长，w为所述感知延迟线21和参考延迟线23的叉指换能器的声孔径。指条之间x方向的中心间距l7为λ，指条状磁致伸缩薄膜26尺寸结构的设计主要是为了增大薄膜的磁致伸缩效应，可改善电流传感器的灵敏度，及电流传感器在电流增大和减小时响应的一致性。

实施例2

如图2b所示，在所述SiO₂薄膜212表面上设置点阵磁致伸缩薄膜27。如图4所示，所述点阵磁致伸缩薄膜27包括若干个均匀分布的点阵元，每个点阵元沿x方向宽度l₈为λ，y方向宽度l₉为λ_y，其中，λ_y为垂直于声波传播方向的声波波长，点阵元之间x方向的中心间距l₁₀为λ，y方向的中心间距l₁₁为λ_y。点阵磁致伸缩薄膜27的点阵元大小的选择直接影响到磁致伸缩的作用效果，如果过小，磁致伸缩效应不明显，如果太大，则会大幅增加声表面波的传播衰减并增大磁滞现象。因此该点阵结构能够改善电流传感器的线性度和一致性。

如图2a和图2b所示，设所述指条状磁致伸缩薄膜26与第一叉指换能器间隔为l₁，所述指条状磁致伸缩薄膜26与第三叉指换能器间隔为l₂；所述点阵磁致伸缩薄膜27与第一叉指换能器间隔为l₃，所述指条状磁致伸缩薄膜26与第三叉指换能器间隔为l₄；l₁、l₂、l₃和l₄均为N×λ，其中，N为整数，取值为3到10之间。

所述磁致伸缩薄膜材料可选用具有较高单晶磁致伸缩常数，不含稀土元素，良好韧性，并可承受较高拉应力和剪应力和较大震动的磁致伸缩材料，如铁钴合金、铁镍合金、铁镓合金。磁致伸缩薄膜膜厚与其磁致伸缩系数相关。在本实施例中，所述指条状磁致伸缩薄膜26和点阵磁致伸缩薄膜27都选用FeCoFe49％，Co:51％合金薄膜材料，其厚度为400nm～550nm。

所述指条状磁致伸缩薄膜26的高度和点阵磁致伸缩薄膜27的高度都小于感知延迟线21的声孔径w，这主要是考虑到如果指条沿y向的高度大于器件的声孔径的部分对于磁致伸缩效应的增加是没有意义的。

在上述两个实施例中，可选的，所述的压电基片22材料为铌酸锂、钽酸锂、镓酸锂、及锗酸锂等高压电系数材料。考虑到温度补偿，要求选取压电系数高，温度系数线性度良好的压电材料，所述的压电基片22材料选用41°YX-LiNbO3，128°YX-LiNbO3，YZ-LiNbO3，36°YX-LiTaO3等压电材料。

所述压电基片22表面沉积与其一阶温度系数极性相反的SiO₂薄膜212作为温度补偿层并进行叉指保护，利用两种温度系数相反的特点来降低器件本身的温度系数，从而达到改善器件温度稳定性的目的。

所述第一叉指换能器24、第二叉指换能器2、第三叉指换能器28和第四叉指换能器29的电极都采用铝材料，铝电极膜厚为1％～1.5％λ。所述的感知延迟线21和参考延迟线23的叉指换能器均采用EWC/SPUDT和梳齿结构，用于降低器件的插入损耗和实现单一振荡模式特点。

如图5所示，所述第一叉指换能器24、第一叉指换能器24、第三叉指换能器28和第四叉指换能器29都采用宽度控制/单向单相结构EWC/SPUDT；所述宽度控制/单向单相结构包括：叉指对210和分布于叉指对210之间的反射电极211。所述叉指对210的电极宽度为1/8λ，且电极之间边缘间距为1/8λ，所述反射电极211的宽度为1/4λ，且反射电极211与叉指对210的边缘距离为3/16λ。考虑到所述SAW电流传感器2采用128°YX-LiNbO3压电基片22，在第一叉指换能器24和第三叉指换能器28中，反射电极211置于叉指对210的右边。所述第二叉指换能器25和第四叉指换能器29也采用EWC/SPUDT结构，与之相反的是，反射电极211置于叉指对210的左侧。

参见图2a和图2b，所述第一叉指换能器24和第三叉指换能器28被周期性的抽走部分叉指电极，分成了若干组从3到5组不等被称为梳齿214的结构单元。即在宽度控制/单向单相结构中周期地设置梳齿214。所述第一叉指换能器24的梳齿214之间的中心间隔与第二叉指换能器25的长度相等，同时第一叉指换能器24和第二叉指换能器25之间的中心间距与第二叉指换能器25的长度相同；所述第三叉指换能器28的梳齿214之间的中心间隔与第四叉指换能器29的长度相等，同时第四叉指换能器29和第三叉指换能器28之间的中心间距与第三叉指换能器28的长度相同。同时，在第一叉指换能器24的梳齿214之间填充电极宽度及边缘间距均为1/8λ的接地假指213，同样，在第三叉指换能器28的梳齿214之间也填充电极宽度及边缘间距均为1/8λ的接地假指213，以保持在声传播路径上声波速度的均一性。该梳状结构，主要用于实现SAW延迟线通带内只有一个相位周期可满足振荡器起振条件，从而改善振荡器的频率稳定度。

根据下述参数制备了上述SAW电流传感器的样品，其中，SAW电流传感器2的工作频率为150MHz，基片材料22采用128°YX-LiNbO3压电基片，铝电极膜厚为200nm。感知延迟线21的第一叉指换能器24的长度为130λ，并分为4组，每组包含的梳齿214之间分布的接地假指213，梳齿214的长度为10λ_x，接地假指213的宽度为1/8λ_x；感知延迟线21的第二叉指换能器25的长度为40λ_x。第一叉指换能器24与第二叉指换能器25之间的中心距离为80λ_x。SAW电流传感器2的参考延迟线23结构与感知延迟线21相同，在同一压电基片22上平行且同向设置。在感知延迟线21和参考延迟线23的表面沉积用于温度补偿和叉指保护的SiO₂薄膜212，膜厚为100nm。如图2a的实施例，感知延迟线21的两个叉指换能器之间分布有指条状磁致伸缩薄膜26，FeCo合金薄膜的膜厚为500nm，指条沿x方向宽度为λ，y方向宽度为60λ_y。指条状磁致伸缩薄膜26与第一叉指换能器24和第二叉指换能器25的边缘间距均为5λ，指条状磁致伸缩薄膜26的分布大小为60λ×60λ_y。感知延迟线21的声孔径为60λ_y。这样就获得了基于指条状磁致伸缩薄膜的SAW电流传感器，所制备样品大小为10mm×5mm。如图2b的实施例，感知延迟线21的两叉指换能器之间分布有点阵磁致伸缩薄膜27，FeCo合金薄膜的膜厚为500nm，点阵元沿x方向宽度为λ，y方向宽度为λ_y。点阵磁致伸缩薄膜27阵与第一叉指换能器24和第二叉指换能器25的边缘间距均为5λ，点阵磁致伸缩薄膜27的分布大小为60λ×60λ_y。感知延迟线21的声孔径为60λ_y。这样就获得了另一种基于点阵磁致伸缩薄膜的SAW电流传感器，所制备样品大小为10mm×5mm。

图6为图2a的SAW电流传感器的参考延迟线和感知延迟线即分布有图形化FeCo薄膜的频响曲线，图7为图2b的SAW电流传感器的参考延迟线和感知延迟线的频响曲线。从图中可以看出，感知延迟线的器件损耗7.8dB大于参考延迟线的器件损耗5.6dB，这是由于感知延迟线叉指换能器之间沉积了图形化磁致伸缩合金薄膜。两个器件都具有低损耗<10dB和单一振荡模式的特点。

最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，都不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (9)

1.一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，所述声表面波电流传感器包括：压电基片(22)、感知延迟线(21)、参考延迟线(23)和SiO₂薄膜(212)，其特征在于，所述感知延迟线(21)和参考延迟线(23)平行且同向，设置于压电基片(22)上；所述感知延迟线(21)和参考延迟线(23)的结构相同；所述SiO₂薄膜(212)沉积于感知延迟线(21)和参考延迟线(23)的表面上，在所述SiO₂薄膜(212)表面上、感知延迟线(21)的传播路径上设置图形化磁致伸缩薄膜；

所述图形化磁致伸缩薄膜为指条状磁致伸缩薄膜(26)或点阵磁致伸缩薄膜(27)，所述指条状磁致伸缩薄膜(26)的高度和点阵磁致伸缩薄膜(27)的高度都小于感知延迟线(21)的声孔径w。

2.根据权利要求1所述的基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，其特征在于，所述感知延迟线(21)包括：第一叉指换能器(24)和第二叉指换能器(25)；所述参考延迟线(23)包括：第三叉指换能器(28)和第四叉指换能器(29)；所述图形化磁致伸缩薄膜设置于第一叉指换能器(24)和第二叉指换能器(25)之间；所述第一叉指换能器(24)和第二叉指换能器(25)之间的中心间距与第二叉指换能器(25)的长度相同；所述第四叉指换能器(29)和第三叉指换能器(28)之间的中心间距与第三叉指换能器(28)的长度相同。

3.根据权利要求2所述的基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，其特征在于，所述第一叉指换能器(24)、第二叉指换能器(25)、第三叉指换能器(28)和第四叉指换能器(29)的电极都为铝电极，铝电极膜厚介于1％λ～1.5％λ，λ为沿声波传播方向的声波波长。

4.根据权利要求1所述的基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，其特征在于，所述图形化磁致伸缩薄膜的材料为FeCo合金，其厚度为400nm～550nm。

5.根据权利要求2或3所述的基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，其特征在于，所述第一叉指换能器(24)、第二叉指换能器(25)、第三叉指换能器(28)和第四叉指换能器(29)都采用宽度控制/单向单相结构，所述宽度控制/单向单相结构包括：叉指对(210)和分布于叉指对(210)之间的反射电极(211)；所述叉指对(210)的电极宽度为1/8λ，且电极之间边缘间距为1/8λ，所述反射电极(211)的宽度为1/4λ，且反射电极(211)与叉指对(210)的边缘距离为3/16λ，其中，λ为沿声波传播方向的声波波长。

6.根据权利要求5所述的基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，其特征在于，所述第一叉指换能器(24)和第三叉指换能器(28)的宽度控制/单向单相结构中周期地设置梳齿(214)；所述第一叉指换能器(24)的梳齿(214)之间的中心间隔与第二叉指换能器(25)的长度相等；所述第三叉指换能器(28)的梳齿(214)之间的中心间隔与第四叉指换能器(29)的长度相等；在所述第一叉指换能器(24)的梳齿(214)之间填充电极宽度及边缘间距均为1/8λ的接地假指(213)；在第三叉指换能器(28)的梳齿(214)之间填充电极宽度及边缘间距均为1/8λ的接地假指(213)。

7.根据权利要求2所述的基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，其特征在于，所述指条状磁致伸缩薄膜(26)与第一叉指换能器(24)间隔为l₁，所述指条状磁致伸缩薄膜(26)与第二叉指换能器(25)间隔为l₂；所述点阵磁致伸缩薄膜(27)与第一叉指换能器(24)间隔为l₃，所述点阵磁致伸缩薄膜(27)与第二叉指换能器(25)间隔为l₄；l₁、l₂、l₃和l₄取值均为N×λ，其中，N为整数，取值范围为3到10之间。

8.根据权利要求1或7所述的基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，其特征在于，所述的指条状磁致伸缩薄膜(26)包括沿x方向均匀分布的若干个尺寸相同的指条；沿x方向宽度l₅为λ，y方向宽度l₆为w，指条之间x方向的中心间距l7为λ，λ为沿声波传播方向的声波波长。

9.根据权利要求1或7所述的基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器，其特征在于，所述点阵磁致伸缩薄膜(27)包括若干个均匀分布的点阵元，每个点阵元的x方向宽度l₁₀为λ，y方向宽度l₉为λ_y；点阵元之间x方向的中心间距l₈为λ，y方向的中心间距l₁₁为λ_y；其中，λ为沿声波传播方向的声波波长，λ_y为垂直于声波传播方向的声波波长。

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