CN107393585B - 脉冲中子辐射条件下sram的中子单粒子翻转甄别方法 - Google Patents
脉冲中子辐射条件下sram的中子单粒子翻转甄别方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107393585B CN107393585B CN201710507737.6A CN201710507737A CN107393585B CN 107393585 B CN107393585 B CN 107393585B CN 201710507737 A CN201710507737 A CN 201710507737A CN 107393585 B CN107393585 B CN 107393585B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mrow
- overturning
- acc
- msub
- digit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明涉及一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，包括分类翻转字节；将不同翻转类型的字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算；统计计算随着翻转位数的累积，不同翻转类型的字节数及不同翻转类型字节包含的翻转位数的变化曲线；提取实验数据，根据模拟计算得到的曲线对实验数据点进行二次翻转效应修正，得到实际不同翻转类型的字节数及其对应的翻转位数及实际累计总翻转位数；将修正后的实验数据点与模拟计算曲线数据点对比，判断脉冲中子辐射效应是否符合单粒子翻转累积规律；解决了高注量率中子、缺乏中间注量点实验数据的条件下，难以确定脉冲中子辐射效应是否由单粒子翻转引起的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法。
背景技术
SRAM(静态随机存储器)等微电子电路对中子引起的软错误或硬损伤很敏感。随着超大规模集成电路制造工艺的持续进步，器件的特征尺寸随之减小，并使得能够引起单粒子翻转的中子能量阈值降低。近年来，针对裂变中子(0.01MeV≤En≤10MeV)开展的理论和实验研究表明，小尺寸器件对裂变中子引入的单粒子翻转十分敏感。然而，目前的研究主要关注反应堆稳态工况下产生的低注量率中子，典型注量率约为109to1010n/cm2·s(1MeV-eq.)。由于单粒子翻转具有随辐照注量累积而线性增加的特点，可以简单地通过验证翻转位数与中子注量的线性度来判断脉冲中子辐射效应是否由单粒子翻转引起。
但是对于反应堆脉冲工况中注量率可达1015n/cm2·s(1MeV-eq.)的脉冲中子，会导致在数个或数十个毫秒内累积大量翻转。由于缺乏中间注量点的数据，翻转位数随中子注量累积的变化曲线无法直接获得，因此，需要新的方法来判断脉冲中子辐射效应是否与稳态条件下的中子辐射效应一致即是否符合单粒子翻转累积规律。
发明内容
为了解决高注量率中子、缺乏中间注量点实验数据的条件下，难以确定脉冲中子辐射效应是否由单粒子翻转引起的问题，本发明提出了一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，在缺乏中间注量点实验数据的条件下，能够判断脉冲中子辐射引起的翻转是否与稳态条件下的翻转累积规律一致。
该方法通过蒙特卡罗数值计算，得到累积不同翻转位数的字节数随单粒子翻转数增大而变化的量化曲线，通过提取脉冲中子辐射效应实验数据中的相关信息，判断其翻转是否符合单粒子翻转累积的变化规律，从而给出脉冲中子辐射效应是否与稳态条件下中子单粒子翻转规律一致的结论。
本发明的技术解决方案是提供一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，包括以下步骤：
1)对SRAM存储器翻转类型进行分类
根据SRAM存储器中每个字节累积的翻转位数不同将SRAM存储器的字节分为0-8位累积翻转位数的9种翻转类型的字节；每种类型的翻转字节数定义为Ni，相应的翻转位数为ni＝i×Ni，其中i＝1,2,…,8。数据分析时，将3位及以上位数翻转的字节统一考虑。
2)对不同翻转类型字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算
将不同翻转类型字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算；存储阵列上每个存储位的翻转概率一致，根据翻转类型对应字节数可得到翻转发生在该翻转类型字节上的概率，根据该字节的已翻转位数可得到新翻转和二次翻转概率；通过蒙特卡罗算法进行随机数抽样，统计计算随着翻转位数的累积，不同翻转类型字节数及其包含翻转位数的变化曲线。
3)对实验数据点进行二次翻转效应修正
当新引入的翻转发生在已翻转位上，导致累积的翻转位数减少，使得SRAM脉冲中子辐射效应实验时观察到的翻转位数小于实际累积的翻转位数。在数据分析时，应对实验结果中观察到的翻转位数进行修正，得到实际不同翻转类型的字节数及其对应的翻转位数及实际累计总翻转位数；
4)将修正后的实验数据点与模拟计算数据对比，判断实验数据是否符合单粒子翻转累积规律，在相同的横坐标下，实验数据纵坐标与计算曲线的对应值相同或接近(设定一个阈值，实验数据在该阈值范围内变化，认为实验数据与模拟曲线对应值相接近)，则该实验的脉冲中子辐射效应符合单粒子翻转累积规律，反之则不符合单粒子翻转累积规律。
上述步骤2)具体为：
2.1)定义SRAM存储器的存储容量为N bit，模拟的最大累积翻转总位数为naccmaxbit，翻转过程中的实际累计翻转总位数为nacc bit，每种翻转类型的字节数为Ni，相应的翻转位数为ni＝i×Ni，其中i＝1,2,…,8；
2.2)初始化9个数组Ni[naccmax](i＝0,1,2，…，8)。当i＝1,2,…,8时，Ni[naccmax]中所有元素初始化为0，当i＝0时，N0[naccmax]所有元素初始化为N/8；
所述Ni[naccmax]表示一个长度为naccmax的数组，用于存储翻转累积过程中不同翻转类型的字节数，数组Ni[naccmax]中的第n个元素代表累积n bit翻转(即nacc＝n)时i位翻转类型的字节数；
2.3)初始化实际累积翻转位数nacc＝0；
2.4)nacc自增1；
2.5)利用计算机产生[0,1]范围内的伪随机数f；
2.6)判断f是否满足：
若满足，则N0(nacc+1)＝N0(nacc)–1，N1(nacc+1)＝N1(nacc)+1，若不满足，则执行步骤2.7)；
2.7)判断f是否满足
若满足，则Ni(nacc+1)＝Ni(nacc)–1，Ni+1(nacc+1)＝Ni+1(nacc)+1，若不满足，则执行步骤2.8)；
2.8)判断f是否满足：
若满足，则Ni(nacc+1)＝Ni(nacc)–1，Ni-1(nacc+1)＝Ni-1(nacc)+1，若不满足，则执行步骤2.9)；
2.9)N8(nacc+1)＝N8(nacc)–1，N7(nacc+1)＝N7(nacc)+1；
2.10)判断是否满足nacc＝naccmax，若不满足，则重新执行步骤2.4)～2.9)。
若满足，则结束计算，输出各类型字节数Ni[naccmax](i＝0,1,…,8)及相应翻转类型字节的翻转位数ni[naccmax]＝i×Ni[naccmax]，i＝1,2,...,8。
其中ni[naccmax]表示一个长度为naccmax的数组，用于存储翻转累积过程中不同翻转类型字节中包含的翻转位数，数组ni[naccmax]中的第n个元素代表累积nbit翻转(即nacc＝n)时i位翻转类型字节中包含的翻转位数。
累积1位和2位翻转字节的翻转位数n1[naccmax]、n2[naccmax]由下式给出：
ni[naccmax]＝i×Ni[naccmax](i＝1,2)
累积3位及以上翻转字节的翻转位数n3+[naccmax]由下式给出：
n1[naccmax]、n2[naccmax]、n3+[naccmax]之和定义为测试得到的累积翻转总位数nobs[naccmax]。
如上所述n1[naccmax]、n2[naccmax]、n3+[naccmax]、nobs[naccmax]除以存储容量N进行归一化处理，得到关系曲线n1/N＝f1(nacc/N)、n2/N＝f2(nacc/N)、n3+/N＝f3+(nacc/N)、nobs/N＝fobs(nacc/N)。
关系曲线上的数据点(nacc/N，nx[nacc]/N)纵坐标中的nx[nacc]为数组nx[naccmax]中第nacc个元素，其中nx代表n1、n2、n3+或nobs。
上述步骤3)具体为：
3.1)提取实验数据
从实验数据中提取归一化的累积总翻转位数nobs/Ncap、累积1位翻转字节的翻转位数n1exp/Ncap、累积2位翻转字节的翻转位数n2exp/Ncap、累积3位及以上翻转字节的翻转位数n3+exp/Ncap，其中nobs为实验测得得到的累计总翻转位数，Ncap为实验器件储存容量。
3.2)二次翻转效应的修正
根据模拟计算得到的nobs/N＝fobs(nacc/N)函数曲线取反函数，代入实验测量得到的nobs/Ncap推得相应的nacc/N。
优选地，上述步骤4)具体为：
将步骤3)处理后的实验数据点(nacc/N，n1exp/Ncap)、(nacc/N，n2exp/Ncap)、(nacc/N，n3+exp/Ncap)直接与蒙特卡罗模拟计算结果比较，分析其差异，判断脉冲中子辐射效应是否符合单粒子翻转累积规律。在相同的横坐标nacc/N下，实验数据纵坐标与计算曲线的对应值相同或接近(设定一个阈值，实验数据在该阈值范围内变化，认为实验数据与模拟曲线对应值相接近)，则该实验的脉冲中子辐射效应符合单粒子翻转累积规律，反之则不符合单粒子翻转累积规律。可采用实验数据与计算曲线对应值之差的绝对值，或该绝对值除以计算曲线对应值所得结果，用以描述实验数据符合或偏离计算曲线的程度。
本发明的有益效果是：
1、在脉冲中子辐射效应实验缺乏中间注量点实验数据、无法获得翻转位数随中子注量累积的变化曲线条件下，能够判断脉冲中子辐射引起的翻转是否与稳态条件下的翻转累积规律一致。
2、通过对二次翻转效应的修正，能够得到脉冲中子辐射效应实验中实际累积的翻转位数，为翻转截面的计算提供条件。
附图说明
图1为本发明蒙特卡罗算法流程图；
图2为典型脉冲中子辐射效应实验数据与模拟计算数据对比图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行进一步描述：
在模拟计算前根据每个字节中累积的翻转位数不同，将SRAM存储器的字节分为0～8位累积翻转位数共9种类型。每种类型翻转的字节数定义为Ni，相应的翻转位数为ni＝i×Ni，其中i＝1,2,…,8。
一、不同翻转类型对应的翻转位数的蒙特卡罗模拟计算方法：
1、定义模拟SRAM存储器的存储容量N(单位为bit)、最大累积翻转位数naccmax(单位为bit)。其中N用于计算结果的归一化处理，便于与不同容量SRAM存储器的实验数据进行直接比对；naccmax定义了蒙特卡罗模拟计算的结束条件。
2、初始化9个数组Ni[naccmax](i＝0,1,…,8)，分别存储累积0～8位翻转的字节数，Ni[naccmax](i＝1,2,…,8)所有数组的所有元素初始化值为0，N0[naccmax]所有元素初始化值为N/8；
3、初始化实际累积翻转位数nacc＝0；
4、nacc自增1；
5、利用计算机产生[0,1]范围内的伪随机数f，如在Matlab中采用f＝random('unif',0,1)；
6、判断f是否满足：
该概率区间代表新增的翻转发生在0位累积翻转字节上，若满足，则执行分支(1)：
N0(nacc+1)＝N0(nacc)–1，N1(nacc+1)＝N1(nacc)+1，
若不满足，则执行步骤7；
7、判断f是否满足：
该概率区间代表新增的翻转发生在i位累积翻转字节上，且发生在字节中的未翻转位上，若满足，则执行分支(2)-a：
Ni(nacc+1)＝Ni(nacc)–1，Ni+1(nacc+1)＝Ni+1(nacc)+1，
若不满足，则执行步骤8；
8、判断f是否满足：
该概率区间代表新增的翻转发生在i位累积翻转字节上，且发生在字节中的已翻转位上(即二次翻转)，若满足，则执行分支(2)-b：
Ni(nacc+1)＝Ni(nacc)–1，Ni-1(nacc+1)＝Ni-1(nacc)+1，
若不满足，则执行步骤9；
9、若以上条件均不满足，则新增的翻转发生在8位累积翻转字节上，为二次翻转，执行分支(3)：
N8(nacc+1)＝N8(nacc)–1，N7(nacc+1)＝N7(nacc)+1；
10、判断是否满足nacc＝naccmax，若不满足，则重新执行步骤4～9。
若满足，则结束计算，输出各类型字节数Ni[naccmax](i＝0,1,…,8)及其他参数：
累积1位和2位翻转字节的翻转位数n1[naccmax]、n2[naccmax]由下式给出：
ni[naccmax]＝i×Ni[naccmax](i＝1,2)
累积3位及以上翻转字节的翻转位数n3+[naccmax]由下式给出：
n1[naccmax]、n2[naccmax]、n3+[naccmax]之和定义为测试得到的累积翻转总位数nobs[naccmax]。
如上所述n1[naccmax]、n2[naccmax]、n3+[naccmax]、nobs[naccmax]除以存储容量N进行归一化处理，得到关系曲线n1/N＝f1(nacc/N)、n2/N＝f2(nacc/N)、n3+/N＝f3+(nacc/N)、nobs/N＝fobs(nacc/N)。
二、实验数据与模拟计算数据的对比分析：
1、提取实验数据
从实验数据中提取归一化的累积总翻转位数nobs/Ncap、累积1位翻转字节的翻转位数n1exp/Ncap、累积2位翻转字节的翻转位数n2exp/Ncap、累积3位及以上翻转字节的翻转位数n3+exp/Ncap。其中nobs为实验测得得到的累计总翻转位数，Ncap为实验器件储存容量。在与模拟计算数据的对比中，这些实验数据作为实验数据点的y值。
2、二次翻转效应的修正
实验提取的累积总翻转位数nobs是脉冲中子注量累积完成后的测量数据，由于二次翻转效应的影响，nobs较实际累积的翻转位数小。根据模拟计算得到的nobs/N＝fobs(nacc/N)函数曲线取反函数，代入实验测量得到的nobs/Ncap推得相应的nacc/N，在与模拟计算数据的对比中，nacc/N作为实验数据点的x值。
3、数据对比
将以上处理后的实验数据点(nacc/N，n1exp/Ncap)、(nacc/N，n2exp/Ncap)、(nacc/N，n3+exp/Ncap)直接与蒙特卡罗模拟计算结果比较，分析其差异，判断脉冲中子辐射效应是否符合单粒子翻转累积规律。在相同的横坐标nacc/N下，实验数据纵坐标与计算曲线的对应值越接近(设定一个阈值，实验数据在该阈值范围内变化，认为实验数据与模拟曲线对应值相接近)，本实验的脉冲中子辐射效应符合单粒子翻转累积规律。可采用实验数据与计算曲线对应值之差的绝对值，或该绝对值除以计算曲线对应值所得结果，用以描述实验数据符合或偏离计算曲线的程度。
该数据分析方法已被用于65nm，130nm，180nm工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验研究，并得到了验证，如附图2所示。
Claims (4)
1.一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)根据SRAM存储器中每个字节中累积的翻转位数不同将SRAM存储器的字节分为0-8位累积翻转位数的9种翻转类型的字节；
2)将不同翻转类型的字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算；统计计算随着翻转位数的累积，不同翻转类型的字节数及不同翻转类型字节包含的翻转位数的变化曲线；
3)提取实验数据，根据步骤2)模拟计算得到的曲线对实验数据点进行二次翻转效应修正，得到实际不同翻转类型的字节数及其对应的翻转位数及实际累计总翻转位数；
4)将修正后的实验数据点与模拟计算曲线数据点对比，判断脉冲中子辐射效应是否符合单粒子翻转累积规律；当在相同的横坐标下，实验数据纵坐标与模拟计算曲线的对应值相同，则该实验的脉冲中子辐射效应符合单粒子翻转累积规律，反之则不符合单粒子翻转累积规律。
2.根据权利要求1所述的脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，其特征在于：步骤2)具体为：
2.1)定义SRAM存储器的存储容量为N bit，模拟的最大累积翻转位数为naccmax bit，翻转过程中实际累积翻转位数为nacc bit，每种翻转类型的字节数为Ni，相应的翻转位数为ni＝i×Ni，其中i＝1,2,…,8；
2.2)初始化Ni[naccmax]，当i＝1,2,…,8时，Ni[naccmax]中所有元素初始化值为0，当i＝0时，N0[naccmax]所有元素初始化值为N/8；
2.3)初始化实际累积翻转位数nacc＝0；
2.4)nacc自增1；
2.5)利用计算机产生[0,1]范围内的伪随机数f；
2.6)判断f是否满足：
<mrow>
<mi>f</mi>
<mo>&Element;</mo>
<mo>&lsqb;</mo>
<mn>0</mn>
<mo>,</mo>
<mfrac>
<mrow>
<msub>
<mi>N</mi>
<mn>0</mn>
</msub>
<mrow>
<mo>(</mo>
<msub>
<mi>n</mi>
<mrow>
<mi>a</mi>
<mi>c</mi>
<mi>c</mi>
</mrow>
</msub>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>&times;</mo>
<mn>8</mn>
</mrow>
<mi>N</mi>
</mfrac>
<mo>&rsqb;</mo>
</mrow>
若满足，则N0(nacc+1)＝N0(nacc)–1，N1(nacc+1)＝N1(nacc)+1，若不满足，则执行步骤2.7)；
2.7)判断f是否满足
<mrow>
<mi>f</mi>
<mo>&Element;</mo>
<mo>&lsqb;</mo>
<msubsup>
<mo>&Sigma;</mo>
<mrow>
<mi>j</mi>
<mo>=</mo>
<mn>0</mn>
</mrow>
<mrow>
<mi>i</mi>
<mo>-</mo>
<mn>1</mn>
</mrow>
</msubsup>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mfrac>
<mrow>
<msub>
<mi>N</mi>
<mi>j</mi>
</msub>
<mrow>
<mo>(</mo>
<msub>
<mi>n</mi>
<mrow>
<mi>a</mi>
<mi>c</mi>
<mi>c</mi>
</mrow>
</msub>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>&times;</mo>
<mn>8</mn>
</mrow>
<mi>N</mi>
</mfrac>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>,</mo>
<msubsup>
<mo>&Sigma;</mo>
<mrow>
<mi>j</mi>
<mo>=</mo>
<mn>0</mn>
</mrow>
<mrow>
<mi>i</mi>
<mo>-</mo>
<mn>1</mn>
</mrow>
</msubsup>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mfrac>
<mrow>
<msub>
<mi>N</mi>
<mi>j</mi>
</msub>
<mrow>
<mo>(</mo>
<msub>
<mi>n</mi>
<mrow>
<mi>a</mi>
<mi>c</mi>
<mi>c</mi>
</mrow>
</msub>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>&times;</mo>
<mn>8</mn>
</mrow>
<mi>N</mi>
</mfrac>
<mo>+</mo>
<mfrac>
<mrow>
<msub>
<mi>N</mi>
<mi>j</mi>
</msub>
<mrow>
<mo>(</mo>
<msub>
<mi>n</mi>
<mrow>
<mi>a</mi>
<mi>c</mi>
<mi>c</mi>
</mrow>
</msub>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>&times;</mo>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mn>8</mn>
<mo>-</mo>
<mi>i</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
</mrow>
<mi>N</mi>
</mfrac>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>&rsqb;</mo>
<mo>,</mo>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>i</mi>
<mo>&Element;</mo>
<mo>&lsqb;</mo>
<mn>1</mn>
<mo>,</mo>
<mn>7</mn>
<mo>&rsqb;</mo>
<mo>)</mo>
</mrow>
</mrow>
若满足，则Ni(nacc+1)＝Ni(nacc)–1，Ni+1(nacc+1)＝Ni+1(nacc)+1，若不满足，则执行步骤2.8)；
2.8)判断f是否满足：
<mrow>
<mi>f</mi>
<mo>&Element;</mo>
<mo>&lsqb;</mo>
<msubsup>
<mo>&Sigma;</mo>
<mrow>
<mi>j</mi>
<mo>=</mo>
<mn>0</mn>
</mrow>
<mrow>
<mi>i</mi>
<mo>-</mo>
<mn>1</mn>
</mrow>
</msubsup>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mfrac>
<mrow>
<msub>
<mi>N</mi>
<mi>j</mi>
</msub>
<mrow>
<mo>(</mo>
<msub>
<mi>n</mi>
<mrow>
<mi>a</mi>
<mi>c</mi>
<mi>c</mi>
</mrow>
</msub>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>&times;</mo>
<mn>8</mn>
</mrow>
<mi>N</mi>
</mfrac>
<mo>+</mo>
<mfrac>
<mrow>
<msub>
<mi>N</mi>
<mi>j</mi>
</msub>
<mrow>
<mo>(</mo>
<msub>
<mi>n</mi>
<mrow>
<mi>a</mi>
<mi>c</mi>
<mi>c</mi>
</mrow>
</msub>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>&times;</mo>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mn>8</mn>
<mo>-</mo>
<mi>i</mi>
<mo>)</mo>
</mrow>
</mrow>
<mi>N</mi>
</mfrac>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>,</mo>
<msubsup>
<mi>&Sigma;</mi>
<mrow>
<mi>j</mi>
<mo>=</mo>
<mn>0</mn>
</mrow>
<mrow>
<mi>i</mi>
<mo>-</mo>
<mn>1</mn>
</mrow>
</msubsup>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mfrac>
<mrow>
<msub>
<mi>N</mi>
<mi>j</mi>
</msub>
<mrow>
<mo>(</mo>
<msub>
<mi>n</mi>
<mrow>
<mi>a</mi>
<mi>c</mi>
<mi>c</mi>
</mrow>
</msub>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>&times;</mo>
<mn>8</mn>
</mrow>
<mi>N</mi>
</mfrac>
<mo>)</mo>
</mrow>
<mo>&rsqb;</mo>
<mo>,</mo>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>i</mi>
<mo>&Element;</mo>
<mo>&lsqb;</mo>
<mn>1</mn>
<mo>,</mo>
<mn>7</mn>
<mo>&rsqb;</mo>
<mo>)</mo>
</mrow>
</mrow>
若满足，则Ni(nacc+1)＝Ni(nacc)–1，Ni-1(nacc+1)＝Ni-1(nacc)+1，若不满足，则执行步骤2.9)；
2.9)N8(nacc+1)＝N8(nacc)–1，N7(nacc+1)＝N7(nacc)+1；
2.10)判断是否满足nacc＝naccmax，若不满足，则重新执行步骤2.4)～2.9)；
若满足，则结束计算，输出各类型字节数Ni[naccmax]，i＝0,1,…,8及相应翻转类型字节的翻转位数ni[naccmax]＝i×Ni[naccmax]，i＝1,2,…,8；
结合翻转位数及存储容量N得到关系曲线n1/N＝f1(nacc/N)、n2/N＝f2(nacc/N)、n3+/N＝f3+(nacc/N)、nobs/N＝fobs(nacc/N)，其中nobs为累计总翻转位数。
3.根据权利要求2所述的脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，其特征在于：
所述步骤3)具体为：
3.1)提取实验数据
从实验数据中提取归一化的累积总翻转位数nobs/Ncap、累积1位翻转字节的翻转位数n1exp/Ncap、累积2位翻转字节的翻转位数n2exp/Ncap、累积3位及以上翻转字节的翻转位数n3+exp/Ncap，其中nobs为累计总翻转位数，Ncap为实验器件储存容量；
3.2)二次翻转效应的修正
根据模拟计算得到的nobs/N＝fobs(nacc/N)函数曲线取反函数，代入实验测量得到的nobs/Ncap推得相应的nacc/N。
4.根据权利要求3所述的脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，其特征在于：所述步骤4)具体为：
将步骤3)处理后的实验数据点(nacc/N，n1exp/Ncap)、(nacc/N，n2exp/Ncap)、(nacc/N，n3+exp/Ncap)直接与蒙特卡罗模拟计算结果比较，分析其差异，判断实验数据是否符合单粒子翻转累积规律。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710507737.6A CN107393585B (zh) | 2017-06-28 | 2017-06-28 | 脉冲中子辐射条件下sram的中子单粒子翻转甄别方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710507737.6A CN107393585B (zh) | 2017-06-28 | 2017-06-28 | 脉冲中子辐射条件下sram的中子单粒子翻转甄别方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107393585A CN107393585A (zh) | 2017-11-24 |
| CN107393585B true CN107393585B (zh) | 2018-05-18 |
Family
ID=60334107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710507737.6A Expired - Fee Related CN107393585B (zh) | 2017-06-28 | 2017-06-28 | 脉冲中子辐射条件下sram的中子单粒子翻转甄别方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107393585B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109545269B (zh) * | 2018-11-26 | 2020-08-25 | 西北工业大学 | 一种针对fpga片上bram资源的辐照试验方法、系统及装置 |
| CN110018514B (zh) * | 2019-04-16 | 2020-10-20 | 东莞中子科学中心 | 一种基于sram的中子能谱探测器及测量中子能谱的反演算法 |
| CN110007335B (zh) * | 2019-04-16 | 2020-09-25 | 东莞中子科学中心 | 一种测量中子能谱的反演算法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103577643A (zh) * | 2013-11-06 | 2014-02-12 | 中国空间技术研究院 | 一种sram型fpga单粒子翻转效应仿真方法 |
| CN104731638A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-06-24 | 苏州珂晶达电子有限公司 | 半导体器件seu翻转概率的数值模拟方法 |
| CN105159281A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-16 | 上海无线电设备研究所 | Fpga单粒子翻转故障模拟测试系统和方法 |
| CN106842282A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-06-13 | 西北核技术研究所 | 一种利用sram存储器进行中子辐射环境监测的方法 |
-
2017
- 2017-06-28 CN CN201710507737.6A patent/CN107393585B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103577643A (zh) * | 2013-11-06 | 2014-02-12 | 中国空间技术研究院 | 一种sram型fpga单粒子翻转效应仿真方法 |
| CN104731638A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-06-24 | 苏州珂晶达电子有限公司 | 半导体器件seu翻转概率的数值模拟方法 |
| CN105159281A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-16 | 上海无线电设备研究所 | Fpga单粒子翻转故障模拟测试系统和方法 |
| CN106842282A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-06-13 | 西北核技术研究所 | 一种利用sram存储器进行中子辐射环境监测的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107393585A (zh) | 2017-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107393585B (zh) | 脉冲中子辐射条件下sram的中子单粒子翻转甄别方法 | |
| US8601416B2 (en) | Method of circuit design yield analysis | |
| CN105022859B (zh) | 一种器件的重离子单粒子多位翻转效应的定量分析方法 | |
| KR100704333B1 (ko) | 반도체 디바이스 평가 지원 방법 및 장치, 컴퓨터 판독가능한 기록 매체 | |
| CN107145638B (zh) | 一种低能质子直接电离导致的单粒子翻转截面获取方法 | |
| EP2660738A1 (en) | Distribution power flow analysis system and method | |
| CN108508351B (zh) | 一种基于双-双指数电流源的单粒子故障注入仿真方法 | |
| US9753895B2 (en) | Method for process variation analysis of an integrated circuit | |
| Weller et al. | General framework for single event effects rate prediction in microelectronics | |
| CN103577646A (zh) | 一种快速估算集成电路良率的计算方法 | |
| CN104598352B (zh) | 一种用于sram型fpga的快速可靠性评估方法 | |
| CN103198198A (zh) | 一种针对高频电路的单粒子瞬态效应注入仿真方法 | |
| CN106528493A (zh) | 一种有效分离深能级瞬态谱测试信号的数值模拟方法 | |
| Luza et al. | Investigating the impact of radiation-induced soft errors on the reliability of approximate computing systems | |
| CN115329880A (zh) | 气象特征提取方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| Vernon et al. | Branching and annihilating Lévy flights | |
| CN106506008A (zh) | 一种基于结构化测量矩阵的块稀疏信号恢复方法 | |
| CN113779926B (zh) | 一种电路的检测方法、装置、电子设备及可读存储介质 | |
| CN105224291B (zh) | 一种数据处理方法及装置 | |
| CN114021699A (zh) | 一种基于梯度的卷积神经网络剪枝方法及装置 | |
| Atman et al. | Scaling exponents of rough surfaces generated by the Domany-Kinzel cellular automaton | |
| Galvez | Kähler moduli inflation in type IIB compactifications: A random tumble through the Calabi-Yau landscape | |
| Mas' ud et al. | Recognition of partial discharges using an Ensemble of Neural Networks | |
| Gratton | Path integral approach to uncertainties in SIR-type systems | |
| US20190067058A1 (en) | Apparatus and method for manufacture of semiconductor devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180518 Termination date: 20200628 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |