CN107370462A - 低噪声放大器及射频终端 - Google Patents

低噪声放大器及射频终端 Download PDF

Info

Publication number
CN107370462A
CN107370462A CN201610309554.9A CN201610309554A CN107370462A CN 107370462 A CN107370462 A CN 107370462A CN 201610309554 A CN201610309554 A CN 201610309554A CN 107370462 A CN107370462 A CN 107370462A
Authority
CN
China
Prior art keywords
low
noise amplifier
electric capacity
pass transistor
nmos pass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610309554.9A
Other languages
English (en)
Inventor
朱红卫
南永龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp, Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN201610309554.9A priority Critical patent/CN107370462A/zh
Publication of CN107370462A publication Critical patent/CN107370462A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

一种低噪声放大器及射频终端，所述低噪声放大器包括：低噪声放大单元和输出阻抗调节单元，所述输出阻抗调节单元的第一输入端耦接所述低噪声放大单元的输出端，所述输出阻抗调节单元的第二输入端接收调节电压，所述输出阻抗调节单元的输出端直接或间接地耦接所述低噪声放大器的输出端，所述输出阻抗调节单元适于在所述调节电压的控制下改变所述低噪声放大器的输出阻抗。本专利方案可以调节低噪声放大器的输出阻抗，使得低噪声放大器可以更好地满足对其进行测试的测试设备的匹配要求。

Description

低噪声放大器及射频终端
技术领域
本发明涉及射频终端设计领域，特别涉及一种低噪声放大器及射频终端。
背景技术
射频收发机被广泛地运用在车辆监控、遥控、遥测、小型无线网络、无线抄表、门禁系统、小区传呼、工业数据采集系统、无线标签、小型无线数据终端、安全防火系统、无线遥控系统、生物信号采集、水文气象监控、数据通信、数字音频以及数字图像传输等诸多领域中。在以射频收发机为例的射频终端中，低噪声放大器是一般为终端设备中的第一级电路，其功能为在产生尽可能低的噪声的前提下对射频信号进行放大，以降低噪声对其后端的各级电路产生影响。
专利文献CN1787364A中公开一种具有低噪声和高增益的低噪声放大器。参照图1所示的低噪声放大器的电路图，所公开的低噪声放大器100包括两级放大器，分别为差分放大电路34、前置放大电路32以及阻抗匹配网络36。其中，所述前置放大电路32可以包括晶体管M1、负载Z1和Z2；所述差分放大电路34可以包括晶体管M2和M3、负载Z4和Z5以及负载电流源Is；所述阻抗匹配网络36可以包括负载Z6；所述低噪声放大器100还可以包括输入耦合阻抗Z3和电容C1。由于低噪声放大器100结构简单，相比差分结构噪声系数较小。同时两级的放大器结构能够提高系统增益；同时，两级放大的级联方式需要两路电流，所以功耗较高。并且，一般而言，低噪声放大器100的输出阻抗是固定的，且不等于50欧姆。
专利文献CN102983817A中公开一种高增益的宽带低噪声放大器，如图2所示的低噪声放大器的电路图所示，所公开的低噪声放大器200采用有源跨导增强电路，包括由电感L1组成的高频扼流单元、由电阻R4组成的负载单元、由晶体管M1、电阻R1、电容C1、电阻R2和电容C2组成的第一输入放大单元和由晶体管M2和电阻R3组成的第二输入放大单元；所述低噪声放大器200输入有第一偏置电压Bias_V1和第二偏置电压Bias_V2，适于调节低噪声放大器200的静态工作点。低噪声放大器200也具有较高的增益，但是其输出阻抗也是固定的，且不等于50欧姆。
可以发现，一般的低噪声放大器的输出阻抗不是50欧姆，当采用测试设备对低噪声放大器进行测试时，低噪声放大器的输出阻抗与测试设备的输入阻抗的不匹配将导致测试设备测试出的射频参数不准确。
因此，现有技术中面临着的问题是低噪声放大器的输出阻抗与测试设备的输入阻抗不匹配，导致对低噪声放大器的射频参数测试不准确。
发明内容
本发明解决的技术问题是如何调节低噪声放大器的输出阻抗以适应测试设备的输入阻抗。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种低噪声放大器，低噪声放大器包括：低噪声放大单元；低噪声放大器还包括：输出阻抗调节单元，所述输出阻抗调节单元的第一输入端耦接所述低噪声放大单元的输出端，所述输出阻抗调节单元的第二输入端接收调节电压，所述输出阻抗调节单元的输出端直接或间接地耦接所述低噪声放大器的输出端，所述输出阻抗调节单元适于在所述调节电压的控制下改变所述低噪声放大器的输出阻抗。
可选地，所述输出阻抗调节单元包括：源极跟随器和压控电流源，其中，所述源极跟随器的第一输入端耦接所述输出阻抗调节单元的第一输入端，所述源极跟随器的第二输入端耦接电源，所述源极跟随器的输出端耦接所述输出阻抗调节单元的输出端；所述压控电流源的输出端耦接所述源极跟随器的输出端，所述压控电流源的输入端耦接所述输出阻抗调节单元的第二输入端，所述压控电流源在所述调节电压的控制下在所述输出端提供电流。
可选地，所述源极跟随器包括第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极耦接所述源极跟随器的第一输入端，所述第一NMOS晶体管的漏极耦接所述源极跟随器的第二输入端，所述第一NMOS晶体管的源极耦接所述源极跟随器的输出端。
可选地，所述压控电流源包括第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的栅极耦接所述压控电流源的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极耦接所述压控电流源的输出端，所述第二NMOS晶体管的源极接地。
可选地，所述低噪声放大单元包括：第三NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管的漏极耦接所述低噪声放大单元的输出端；第四NMOS晶体管，所述第四NMOS晶体管的漏极耦接所述第三NMOS晶体管的源极，所述第四NMOS晶体管的栅极直接或间接地耦接所述低噪声放大器的输入端；第一电感，所述第一电感的第一端耦接电源，所述第一电感的第二端耦接所述第三NMOS晶体管的漏极；偏置电路，所述偏置电路耦接所述第三NMOS晶体管的栅极和所述第四NMOS晶体管栅极，所述偏置电路的输入端接收偏置电压，适于为所述低噪声放大单元提供稳定的静态工作点。
可选地，所述低噪声放大器还包括：第二电感，所述第二电感的第一端耦接所述第四NMOS晶体管的源极，所述第二电感的第二端接地。
可选地，所述偏置电路包括：第一电阻，所述第一电阻的第一端耦接所述第三NMOS晶体管的栅极，所述第一电阻的第二端耦接电源；第一电容，所述第一电容的第一端耦接电源，所述第一电容的第二端接地；第二电阻，所述第二电阻的第一端耦接所述第四NMOS晶体管的栅极，所述第二电阻的第二端耦接所述偏置电路的输入端；第二电容，所述第二电容的第一端耦接所述偏置电路的输入端，所述第二电容的第二端接地。
可选地，所述低噪声放大器还包括：输入阻抗调节单元，耦接所述第四NMOS晶体管的栅极，适于调节所述低噪声放大单元的输入阻抗。
可选地，所述输入阻抗调节单元包括：第三电容、第四电容和第三电感，其中，所述第三电容的第二端耦接所述第四电容的第一端，并耦接所述第三电感的第一端；所述第四电容的第二端耦接所述第四NMOS晶体管的栅极；所述第三电感的第二端接地。
可选地，所述低噪声放大器还包括：第五电容，所述第五电容的第一端耦接第三电容的第一端，所述第五电容的第二端耦接所述低噪声放大器的输入端。
可选地，所述低噪声放大器还包括：第六电容，所述第六电容的第一端耦接所述输出阻抗调节单元的输出端，所述第六电容的第二端耦接所述低噪声放大器的输出端。
为解决以上所述技术问题，本发明实施例还提供一种射频终端，包括以上所述的低噪声放大器。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明实施例提供一种低噪声放大器，所述低噪声放大器可以包括：低噪声放大单元和输出阻抗调节单元，所述输出阻抗调节单元接收调节电压，所述输出阻抗调节单元适于在所述调节电压的控制下改变所述低噪声放大器的输出阻抗。本实施例通过改变所述调节电压的电压值，可以改变所述低噪声放大器的输出阻抗，可以将其调节为50欧姆或者测试设备需要的其他数值，使得低噪声放大器可以更好地满足对其进行测试的测试设备的匹配要求。
进一步而言，本实施例采用的偏置电路接收偏置电压，所述偏置点路适于为低噪声放大单元提供稳定的静态工作点，可以通过调节所述偏置电压的电压值，使得本实施例的低噪声放大器的静态工作点可调，灵活性高。
进一步而言，本实施例低噪声放大器的输入端设置有包括第三电容、第四电容和第三电感组成的T型阻抗匹配电路，使得通过设置所述第三电容、第四电容和第三电感的器件值，使得本实施例低噪声放大器的输入阻抗可调，以匹配本实施例的上一级电路。
附图说明
图1是一种现有的低噪声放大器的电路图；
图2是另一种现有的低噪声放大器的电路图；
图3是本发明实施例低噪声放大器的整体电路框图；
图4是本发明实施例低噪声放大器的电路图。
具体实施方式
如背景技术部分所述，现有技术中面临着的问题是低噪声放大器的输出阻抗与测试设备的输入阻抗不匹配，导致对低噪声放大器的射频参数测试不准确。
本发明实施例提供一种带有输出阻抗调节单元的在片可测试的低噪声放大器，以适应测试设备的输入阻抗要求，可以使得测试设备对低噪声放大器的射频参数的测试更加准确。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图3是本发明实施例低噪声放大器的整体电路框图。
如图3所示，本发明实施例提供的低噪声放大器300可以包括低噪声放大单元1；此外，所述低噪声放大器300还可以包括：输出阻抗调节单元2，所述输出阻抗调节单元2的第一输入端耦接所述低噪声放大单元1的输出端，所述输出阻抗调节单元2的第二输入端接收调节电压，所述输出阻抗调节单元2的输出端直接或间接地耦接所述低噪声放大器300的输出端，所述输出阻抗调节单元2适于在所述调节电压Bias_buff的控制下改变所述低噪声放大器300的输出阻抗。其中，低噪声放大单元1可以是现有技术中任何适当的低噪声放大电路。
图4是本发明实施例低噪声放大器300的电路图。
结合图3和图4所示，在具体实施中，所述输出阻抗调节单元2可以包括：源极跟随器21和压控电流源22。
其中，所述源极跟随器21的第一输入端耦接所述输出阻抗调节单元2的第一输入端，所述源极跟随器21的第二输入端耦接电源Vdd，所述源极跟随器21的输出端耦接所述输出阻抗调节单元2的输出端。源极跟随器21的输出电压随与其输入电压同步且同量变化，但具有较强的带负载能力，输出电流增大，实现了阻抗变换，还起到前后级隔离作用。
所述压控电流源22的输出端耦接所述源极跟随器21的输出端，所述压控电流源22的输入端耦接所述输出阻抗调节单元2的第二输入端，所述压控电流源22在所述调节电压Bias_buff的控制下在所述输出端提供电流。
在具体实施中，所述源极跟随器21可以包括第一NMOS晶体管N1，所述第一NMOS晶体管N1的栅极耦接所述源极跟随器21的第一输入端，所述第一NMOS晶体管N1的漏极耦接所述源极跟随器21的第二输入端，所述第一NMOS晶体管N1的源极耦接所述源极跟随器21的输出端。
需要说明的是，所述源极跟随器21可以由所述第一NMOS晶体管N1实现，但并不以此作为限制，所述源极跟随器21还可以采用其他由晶体管和/或运算放大器组成的电路进行实现。
在具体实施中，所述压控电流源22包括第二NMOS晶体管N2，所述第二NMOS晶体管N2的栅极耦接所述压控电流源22的输入端，所述第二NMOS晶体管N2的漏极耦接所述压控电流源22的输出端，所述第二NMOS晶体管N2的源极接地。
需要说明的是，所述压控电流源22可以由所述第二NMOS晶体管N2实现，但并不以此作为限制，所述压控电流源22还可以采用包括晶体管和/或运算放大器的集成电路实现。
在具体实施中，所述低噪声放大单元1可以包括：第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第一电感L1和偏置电路3。
其中，所述第三NMOS晶体管N3的漏极耦接所述低噪声放大单元1的输出端。
所述第四NMOS晶体管N4的漏极耦接所述第三NMOS晶体管N3的源极，所述第四NMOS晶体管N4的栅极直接或间接地耦接所述低噪声放大器300的输入端。
所述第一电感L1作为谐振电感，适于为所述低噪声放大单元1提供负载，所述第一电感L1的第一端耦接电源Vdd，所述第一电感L1的第二端耦接所述第三NMOS晶体管N3的漏极。
所述偏置电路3耦接所述第三NMOS晶体管N3的栅极和所述第四NMOS晶体管N4栅极，所述偏置电路3的输入端接收偏置电压Bias_vgn，适于为所述低噪声放大单元1提供稳定的静态工作点。
在具体实施中，所述低噪声放大器300还可以包括：第二电感L2，所述第二电感L2作为低噪声放大器300的源极简并电感，所述第二电感L2的第一端耦接所述第四NMOS晶体管N4的源极，所述第二电感L2的第二端接地。
在具体实施中，所述偏置电路3可以包括：第一电阻R1、第一电容C1、第二电阻R2以及第二电容C2。
其中，所述第一电阻R1的第一端耦接所述第三NMOS晶体管N3的栅极，所述第一电阻R1的第二端耦接电源Vdd。所述第一电容C1的第一端耦接电源Vdd，所述第一电容C1的第二端接地。所述第二电阻R2的第一端耦接所述第四NMOS晶体管N4的栅极，所述第二电阻R2的第二端耦接所述偏置电路3的输入端。所述第二电容C2的第一端耦接所述偏置电路3的输入端，所述第二电容C2的第二端接地。
进一步而言，本实施例采用的偏置电路3接收偏置电压Bias_vgn，所述偏置点路适于为低噪声放大单元1提供稳定的静态工作点，可以通过调节所述偏置电压Bias_vgn的电压值，使得本实施例的低噪声放大器300的静态工作点可调，灵活性高。
在具体实施中，所述低噪声放大器300还可以包括：输入阻抗调节单元，耦接所述第四NMOS晶体管N4的栅极，适于调节所述低噪声放大单元1的输入阻抗。
在具体实施中，所述输入阻抗调节单元包括：第三电容C3、第四电容C4和第三电感L3。
其中，所述第三电容C3的第二端耦接所述第四电容C4的第一端，并耦接所述第三电感L3的第一端；所述第四电容C4的第二端耦接所述第四NMOS晶体管N4的栅极；所述第三电感L3的第二端接地。
进一步而言，本实施例低噪声放大器300的输入端设置有包括第三电容C3、第四电容C4和第三电感L3组成的T型阻抗匹配电路，使得通过设置所述第三电容C3、第四电容C4和第三电感L3的器件值，使得本实施例低噪声放大器300的输入阻抗可调，以匹配本实施例的上一级电路。
在具体实施中，所述低噪声放大器300还可以包括：用于隔直的第五电容C5，所述第五电容C5的第一端耦接第三电容C3的第一端，所述第五电容C5的第二端耦接所述低噪声放大器300的输入端。
在具体实施中，所述低噪声放大器300还可以包括：用于隔直的第六电容C6，所述第六电容C6的第一端耦接所述输出阻抗调节单元2的输出端，所述第六电容C6的第二端耦接所述低噪声放大器300的输出端。
本申请的发明人对本实施例的低噪声放大器300的S参数进行了仿真。由仿真结果可以得出：在中心频率约为2.5GHz的频带，低噪声放大器300的输入反射参数S11和输出反射参数S22均小于-10dB，可以看出低噪声放大器300的输入端和输出端均实现了较好的阻抗匹配；而S12为-25.64dB，数值较小，正向的开环增益S12为10.47dB，具有一定的增益。而低噪声放大器300的稳定因子，在2GHz至4GHz的整个频段均大于1，表明低噪声放大器300的稳定性较佳。
本发明提出的低噪声放大器300在现有的共源共栅电路结构的基础上做出改进，采用源极跟随器21的方法进行阻抗匹配，并由压控电流源22为所述源极跟随器21提供工作电流，所述低噪声放大器300可以更好地驱动50欧姆输入阻抗的测试设备。
本发明实施例还公开了一种射频终端，包括以上所述的低噪声放大器300。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (12)

1.一种低噪声放大器，包括：低噪声放大单元；
其特征在于，还包括：输出阻抗调节单元，所述输出阻抗调节单元的第一输入端耦接所述低噪声放大单元的输出端，所述输出阻抗调节单元的第二输入端接收调节电压，所述输出阻抗调节单元的输出端直接或间接地耦接所述低噪声放大器的输出端，所述输出阻抗调节单元适于在所述调节电压的控制下改变所述低噪声放大器的输出阻抗。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输出阻抗调节单元包括：源极跟随器和压控电流源，其中，
所述源极跟随器的第一输入端耦接所述输出阻抗调节单元的第一输入端，所述源极跟随器的第二输入端耦接电源，所述源极跟随器的输出端耦接所述输出阻抗调节单元的输出端；
所述压控电流源的输出端耦接所述源极跟随器的输出端，所述压控电流源的输入端耦接所述输出阻抗调节单元的第二输入端，所述压控电流源在所述调节电压的控制下在所述输出端提供电流。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述源极跟随器包括第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极耦接所述源极跟随器的第一输入端，所述第一NMOS晶体管的漏极耦接所述源极跟随器的第二输入端，所述第一NMOS晶体管的源极耦接所述源极跟随器的输出端。
4.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述压控电流源包括第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的栅极耦接所述压控电流源的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极耦接所述压控电流源的输出端，所述第二NMOS晶体管的源极接地。
5.根据权利要求1至4任一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大单元包括：
第三NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管的漏极耦接所述低噪声放大单元的输出端；
第四NMOS晶体管，所述第四NMOS晶体管的漏极耦接所述第三NMOS晶体管的源极，所述第四NMOS晶体管的栅极直接或间接地耦接所述低噪声放大器的输入端；
第一电感，所述第一电感的第一端耦接电源，所述第一电感的第二端耦接所述第三NMOS晶体管的漏极；
偏置电路，所述偏置电路耦接所述第三NMOS晶体管的栅极和所述第四NMOS晶体管栅极，所述偏置电路的输入端接收偏置电压，适于为所述低噪声放大单元提供稳定的静态工作点。
6.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，还包括：第二电感，所述第二电感的第一端耦接所述第四NMOS晶体管的源极，所述第二电感的第二端接地。
7.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，所述偏置电路包括：
第一电阻，所述第一电阻的第一端耦接所述第三NMOS晶体管的栅极，所述第一电阻的第二端耦接电源；
第一电容，所述第一电容的第一端耦接电源，所述第一电容的第二端接地；
第二电阻，所述第二电阻的第一端耦接所述第四NMOS晶体管的栅极，所述第二电阻的第二端耦接所述偏置电路的输入端；
第二电容，所述第二电容的第一端耦接所述偏置电路的输入端，所述第二电容的第二端接地。
8.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，还包括：输入阻抗调节单元，耦接所述第四NMOS晶体管的栅极，适于调节所述低噪声放大单元的输入阻抗。
9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输入阻抗调节单元包括：第三电容、第四电容和第三电感，其中，
所述第三电容的第二端耦接所述第四电容的第一端，并耦接所述第三电感的第一端；
所述第四电容的第二端耦接所述第四NMOS晶体管的栅极；
所述第三电感的第二端接地。
10.根据权利要求9所述的低噪声放大器，其特征在于，还包括：第五电容，所述第五电容的第一端耦接第三电容的第一端，所述第五电容的第二端耦接所述低噪声放大器的输入端。
11.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，还包括：第六电容，所述第六电容的第一端耦接所述输出阻抗调节单元的输出端，所述第六电容的第二端耦接所述低噪声放大器的输出端。
12.一种射频终端，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的低噪声放大器。
CN201610309554.9A 2016-05-11 2016-05-11 低噪声放大器及射频终端 Pending CN107370462A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610309554.9A CN107370462A (zh) 2016-05-11 2016-05-11 低噪声放大器及射频终端

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610309554.9A CN107370462A (zh) 2016-05-11 2016-05-11 低噪声放大器及射频终端

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107370462A true CN107370462A (zh) 2017-11-21

Family

ID=60303801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610309554.9A Pending CN107370462A (zh) 2016-05-11 2016-05-11 低噪声放大器及射频终端

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107370462A (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006270864A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Toshiba Corp 増幅器
CN101741316A (zh) * 2009-12-24 2010-06-16 北京时代民芯科技有限公司 一种增益可变的宽带射频低噪声放大器
US20110025280A1 (en) * 2009-08-02 2011-02-03 Freescale Semiconductor, Inc Regulator having phase compensation circuit
CN101997489A (zh) * 2010-10-15 2011-03-30 中兴通讯股份有限公司 一种放大器及其实现方法
CN103475314A (zh) * 2013-09-13 2013-12-25 上海集成电路研发中心有限公司 低噪声放大器
CN102340288B (zh) * 2010-07-21 2013-12-25 中国科学院微电子研究所 一种具有阻抗匹配的射频集成带通滤波器
CN103633946A (zh) * 2013-12-03 2014-03-12 天津大学 一种实现片上输入输出50欧姆匹配的低噪声放大器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006270864A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Toshiba Corp 増幅器
US20110025280A1 (en) * 2009-08-02 2011-02-03 Freescale Semiconductor, Inc Regulator having phase compensation circuit
CN101741316A (zh) * 2009-12-24 2010-06-16 北京时代民芯科技有限公司 一种增益可变的宽带射频低噪声放大器
CN102340288B (zh) * 2010-07-21 2013-12-25 中国科学院微电子研究所 一种具有阻抗匹配的射频集成带通滤波器
CN101997489A (zh) * 2010-10-15 2011-03-30 中兴通讯股份有限公司 一种放大器及其实现方法
CN103475314A (zh) * 2013-09-13 2013-12-25 上海集成电路研发中心有限公司 低噪声放大器
CN103633946A (zh) * 2013-12-03 2014-03-12 天津大学 一种实现片上输入输出50欧姆匹配的低噪声放大器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李振玉 等: "《高效率放大及功率合成技术》", 30 September 1985, 中国铁道出版社 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102497167B (zh) 一种基于电感补偿的射频超宽带低噪声放大器
US7633344B2 (en) Low noise amplifier and differential amplifier
CN103401514B (zh) 低噪声放大器
CN103248324A (zh) 一种高线性度低噪声放大器
CN102361435B (zh) 一种可变增益宽带低噪声放大器
CN105281682A (zh) 低功耗双向降噪低噪声放大器
US9369091B2 (en) Dual feedback low noise amplifier
CN104779919A (zh) 一种自偏置的超宽带低功耗低噪声放大器
CN111740705A (zh) 一种消除非线性的低噪声放大器
CN204697010U (zh) 宽带低噪声放大器
CN107707203A (zh) 一种采用电感抵消技术的超宽带放大器电路
CN1141787C (zh) 变增益的单端到差分的射频低噪声放大器
Shi et al. A 0.1-3.4 GHz LNA with multiple feedback and current-reuse technique based on 0.13-μm SOI CMOS
CN103633947A (zh) 一种无电感高增益cmos宽带低噪声放大器
CN103973233A (zh) 基于差分结构有源电感的低噪声放大器
CN102122921A (zh) 射频低噪声放大器
KR101590605B1 (ko) 무선 송수신기용 선형 전력증폭기
CN104967411A (zh) 宽带低噪声放大器
US8836430B1 (en) Wideband distributed amplifier with integral bypass
CN107634729A (zh) 一种多倍频程超宽带放大器电路
CN106911313B (zh) 一种低噪声放大器
CN107370462A (zh) 低噪声放大器及射频终端
CN103219960B (zh) 放大器以及收发器装置
CN105680804B (zh) K波段级间失配型低噪声放大器
CN209233794U (zh) 一种低功耗低噪声放大器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171121

RJ01 Rejection of invention patent application after publication