CN107357100A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107357100A
CN107357100A CN201710235666.9A CN201710235666A CN107357100A CN 107357100 A CN107357100 A CN 107357100A CN 201710235666 A CN201710235666 A CN 201710235666A CN 107357100 A CN107357100 A CN 107357100A
Authority
CN
China
Prior art keywords
opening
public electrode
substrate
display device
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710235666.9A
Other languages
English (en)
Inventor
金璱基
崔昇夏
金贤
韩仑锡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN107357100A publication Critical patent/CN107357100A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13396—Spacers having different sizes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/122—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/02—Materials and properties organic material

Abstract

所提供的是一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：基底；在基底上的第一薄膜晶体管(TFT)和第二TFT，彼此相邻；有机层，覆盖第一TFT和第二TFT，包括分别交叠第一TFT和第二TFT的漏极电极的第一开口和第二开口；公共电极，在有机层上，包括交叠第一开口的公共电极开口以及交叠第二开口的另一个公共电极开口；绝缘层，在公共电极和在公共电极上的凸起间隔物上；第一像素电极和第二像素电极，在绝缘层上，交叠公共电极并分别电连接到第一TFT和第二TFT，其中凸起间隔物和公共电极开口之间的最小距离基本上等于凸起间隔物和所述另一个公共电极开口之间的最小距离。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明构思涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)是可通常包括彼此面对的两个基板和插设在这两个基板之间的液晶层的显示装置。由于液晶层的厚度可以决定穿过液晶层的光的透射率，所以间隔物设置在这两个基板之间以保持这两个基板之间的均匀间隙。
当外力施加到LCD时，间隔物可能由于外力而变形。因此，这两个基板之间的间隙可能改变，进而改变液晶层的光透射率。此外，间隔物可能由于外力而横向地移动。因此，存在这两个基板中的任一个可能被损坏的可能性。
发明内容
本发明构思的各方面提供一种能够保持两个基板之间的均匀间隙并具有改善的可靠性的显示装置以及制造该显示装置的方法。
本发明构思的各方面还提供一种能够保持两个基板之间的均匀间隙并防止制造工艺的数目增加的显示装置以及制造该显示装置的方法。
然而，本发明构思的各方面不限于这里阐述的方面。通过参照下面给出的本发明构思的详细描述，本发明构思的以上和其它的方面对于本发明构思所属的领域内的普通技术人员而言将变得更加明显。
根据本发明构思的一个方面，提供一种显示装置。该显示装置包括：第一基底；第一薄膜晶体管(TFT)和第二TFT，沿着第一方向设置在第一基底上；有机层，覆盖第一TFT和第二TFT并包括交叠第一TFT的第一漏极电极的第一开口和交叠第二TFT的第二漏极电极的第二开口；公共电极，位于有机层上并包括交叠第一开口的第一公共电极开口和交叠第二开口的第二公共电极开口；凸起间隔物(bump spacer)，位于公共电极上；绝缘层，位于公共电极和凸起间隔物上；第一像素电极，设置在绝缘层上以交叠公共电极并电连接到第一TFT；以及第二像素电极，设置在绝缘层上以交叠公共电极并电连接到第二TFT，其中凸起间隔物和第一公共电极开口之间的最小距离基本上等于凸起间隔物和第二公共电极开口之间的最小距离。
第一开口的平面形状可以与第一公共电极开口的平面形状基本上相同，第二开口的平面形状可以与第二公共电极开口的平面形状基本上相同。
第一开口的侧表面和第一公共电极开口的侧表面可以是基本上共线的，第二开口的侧表面和第二公共电极开口的侧表面可以是基本上共线的。
第一公共电极开口在第一方向上的最大宽度可以基本上等于第一开口在第一方向上的最大宽度，第二公共电极开口在第一方向上的最大宽度可以基本上等于第二开口在第一方向的最大宽度。
凸起间隔物可以不交叠第一公共电极开口或第二公共电极开口。
第一公共电极开口和第二公共电极开口之间的最小距离可以等于或大于凸起间隔物在第一方向上的最大宽度。
凸起间隔物和第一开口之间的最小距离可以基本上等于凸起间隔物和第二开口之间的最小距离。
绝缘层可以包括第一接触孔和第二接触孔，该第一接触孔暴露第一漏极电极并交叠第一开口和第一公共电极开口，该第二接触孔暴露第二漏极电极并交叠第二开口和第二公共电极开口，其中第一像素电极通过第一接触孔、第一公共电极开口和第一开口连接到第一TFT的第一漏极电极，其中第二像素电极通过第二接触孔、第二公共电极开口和第二开口连接到第二TFT的第二漏极电极。
显示装置还可以包括：栅线，位于第一基底上并在第一方向上延伸；以及第一数据线和第二数据线，位于第一基底上并与栅线绝缘以在与第一方向相交的第二方向上延伸，第一TFT可以电连接到栅线和第一数据线，并且第二TFT可以电连接到栅线和第二数据线。
显示装置还可以包括：第二基底，面对第一基底；以及间隔物，位于第二基底的面对第一基底的表面上并交叠凸起间隔物。
显示装置还可以包括：第一配向层，位于绝缘层上并覆盖第一像素电极和第二像素电极；以及第二配向层，位于第二基底的面对第一基底的表面上并覆盖间隔物，其中第一配向层和第二配向层在间隔物和凸起间隔物之间彼此接触。
根据本发明构思的另一个方面，提供一种显示装置。该显示装置包括：第一基底；TFT，位于第一基底上；有机层，覆盖TFT并具有交叠TFT的漏极电极的开口；公共电极，位于有机层上并具有交叠所述开口的公共电极开口；凸起间隔物，位于公共电极上；绝缘层，位于公共电极和凸起间隔物上；以及像素电极，设置在绝缘层上以交叠公共电极并电连接到TFT，其中所述开口的平面形状与公共电极开口的平面形状基本上相同。
公共电极开口的侧表面和所述开口的侧表面可以是基本上共线的。
凸起间隔物可以不交叠公共电极开口。
公共电极开口的最大宽度可以基本上等于所述开口的最大宽度。
显示装置还可以包括：第二基底，面对第一基底；以及间隔物，位于第二基底的面对第一基底的表面上并交叠凸起间隔物。
显示装置还可以包括：第一配向层，位于绝缘层上并覆盖像素电极；以及第二配向层，位于第二基底的面对第一基底的表面上并覆盖间隔物，其中第一配向层和第二配向层在间隔物和凸起间隔物之间彼此接触。
根据本发明构思的另一个方面，提供一种制造显示装置的方法，该方法包括：在第一基底上形成TFT；形成覆盖TFT的有机层；在有机层上形成公共电极导电层；在公共电极导电层上形成凸起有机层；在凸起有机层上形成第一光致抗蚀剂图案和比第一光致抗蚀剂图案厚的第二光致抗蚀剂图案；采用第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案作为掩模图案化凸起有机层；通过采用第一光致抗蚀剂图案的剩余部分和第二光致抗蚀剂图案的剩余部分作为掩模图案化公共电极导电层而形成具有公共电极开口的公共电极；通过采用第二光致抗蚀剂图案的剩余部分作为掩模图案化凸起有机层而形成凸起间隔物，并同时通过采用公共电极作为掩模图案化有机层而形成暴露TFT的漏极电极的开口；在凸起间隔物和有机层上形成绝缘层，其中绝缘层具有接触孔；以及在绝缘层上形成电连接到TFT的像素电极。
在凸起有机层上形成第一光致抗蚀剂图案和比第一光致抗蚀剂图案厚的第二光致抗蚀剂图案可以包括：在凸起有机层上形成光致抗蚀剂层；采用半色调掩模使光致抗蚀剂层曝光；以及使曝光的光致抗蚀剂层显影。
形成凸起间隔物还可以包括去除第一光致抗蚀剂图案的剩余部分以及凸起有机层的位于第一光致抗蚀剂图案下面的部分。
其它的特征和方面将从下面的详细描述、附图和权利要求书而变得明显。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的示范性实施方式，本发明构思的以上和其它的方面以及特征将变得更加明显，附图中：
图1是根据本发明构思的实施方式的显示装置中包括的一个像素的布局图；
图2是图1的显示装置中的接触孔周围的区域的放大图；
图3是显示装置沿着图1的线A-A’剖取的截面图；
图4是图3的部分Q的放大截面图；
图5是根据本发明构思的实施方式的显示装置中包括的两个像素的布局图；
图6是图5的显示装置中的第一接触孔和第二接触孔周围的区域的放大图；
图7是显示装置沿着图5的线B-B’剖取的截面图；
图8是图7的部分Qa和Qb的放大截面图；以及
图9至图18是示出制造图7的显示装置的工艺的步骤的截面图。
具体实施方式
通过参照以下对实施方式的详细描述和附图，本发明构思的特征以及实现所述特征的方法可以更易于理解。然而，本发明构思可以以多种不同的形式实施，而不应被解释为限于这里阐述的实施方式。更确切地，提供这些实施方式使得本公开将透彻和完整，并将本发明构思的构思充分地传达给本领域技术人员，本发明构思将仅由权利要求书限定。相同的附图标记在整个说明书中表示相同的元件。
这里使用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的，而不旨在限制本发明构思。如这里所用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。还将理解，术语“包括”、“包含”和/或“含有”当在本说明书中使用时指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
将理解，当一个元件或层被称为“在”另一个元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一个元件或层时，它可以直接在该另一个元件或层上、直接连接或联接到该另一个元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当一个元件被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一个元件或层时，不存在居间的元件或层。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意和所有组合。
将理解，尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而没有脱离本发明构思的教导。
为了便于描述，这里可以使用空间关系术语诸如“在…之下”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等来描述如附图所示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征的关系。将理解，空间关系术语旨在涵盖除了附图所示的取向之外装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下面”或“之下”的元件将会取向在其它元件或特征“之上”。因此，示范性术语“下面”可以涵盖之上和之下两种取向。装置可以另外地取向(旋转90度或处于其它的取向)，这里所用的空间关系描述符被相应地解释。
除非另外地限定，否则这里所用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本申请所属的领域内的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的，术语诸如通用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景和本说明书中的含义相一致的含义，而不应被解释为理想化的或过度形式化的含义，除非这里明确地如此限定。
同样的附图标记在整个说明书中用于指示类似或同样的元件。
在下文，将参照附图描述本发明构思的实施方式。
图1是根据本发明构思的实施方式的显示装置中包括的一个像素的布局图。图2是图1的显示装置中的接触孔CH周围的区域的放大图。图3是显示装置沿着图1的线A-A’剖取的截面图。图4是图3的部分Q的放大截面图。
参照图1至图4，根据当前实施方式的显示装置可以包括第一基板10、第二基板20、液晶层30和间隔物530。
第一基板10可以是其上形成用于驱动液晶层30的液晶分子的开关器件(例如TFT)的薄膜晶体管(TFT)阵列基板。
第二基板20可以是面对第一基板10的基板。
液晶层30可以包括具有介电各向异性的多个液晶分子。当电场施加在第一基板10和第二基板20之间时，液晶分子可以在第一基板10和第二基板20之间在特定方向上旋转，从而透射或阻挡光。这里，当液晶分子旋转时，它们不仅可以实质上旋转，而且液晶分子的排列可以通过电场改变。
第一基板10将在下面描述。
第一基底110可以是绝缘基板。例如，第一基底110可以是玻璃基板、石英基板或透明树脂基板。此外，第一基底110可以包括具有高热阻的聚合物或塑料。
在某些实施方式中，第一基底110可以具有柔性。也就是，第一基板10可以是能够卷曲、折叠或弯曲的可变形基板。
栅线121和栅电极124可以位于第一基底110上。栅线121可以传送栅信号并基本上在第一方向DR1上延伸。栅电极124可以从栅线121突出并可以连接到栅线121。栅线121和栅电极124可以由基于铝(Al)的金属诸如铝或铝合金、基于银(Ag)的金属诸如银或银合金、基于铜(Cu)的金属诸如铜或铜合金、基于钼(Mo)的金属诸如钼或钼合金、铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)制成。此外，栅线121和栅电极124可以具有单层结构或由具有不同物理特性的至少两个导电层构成的多层结构。
栅绝缘层130可以位于栅线121和栅电极124上。栅绝缘层130可以由绝缘材料制成。在示例中，栅绝缘层130可以由硅氮化物、硅氧化物或硅氮氧化物制成。栅绝缘层130可以具有单层结构或由具有不同物理特性的至少两个绝缘层构成的多层结构。
半导体层154可以位于栅绝缘层130上，并且半导体层154的至少部分可以交叠栅电极124。半导体层154可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。
多个欧姆接触构件(163和165)可以位于半导体层154上。欧姆接触构件(163和165)可以包括位于源极电极173下面的源极欧姆接触构件163和位于漏极电极175下面的漏极欧姆接触构件165。欧姆接触构件(163和165)可以由用n型杂质重掺杂的n+氢化非晶硅制成，或者可以由硅化物制成。
源极电极173可以位于源极欧姆接触构件163上，漏极电极175可以位于漏极欧姆接触构件165上，并且数据线171可以位于栅绝缘层130上。
数据线171可以传送数据电压并基本上在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸以与栅线121交叉。在某些实施方式中，数据线171可以通过与栅线121相交而限定像素区域。在某些实施方式中，数据线171可以周期地弯曲以改善显示装置的透射率。在示例中，数据线171可以弯曲成“V”形状以获得显示装置的最大透射率，如图1所示。
在某些实施方式中，当半导体层154是氧化物半导体时，可以省略欧姆接触构件(163和165)。
源极电极173可以连接到数据线171并交叠栅电极124。在某些实施方式中，源极电极173可以不从数据线171突出，而是可以与数据线171是基本上共线的，如图1所示。然而，本发明构思不限于此，源极电极173也可以从数据线171突出到栅电极124上。
漏极电极175可以设置在栅电极124上以与源极电极173分开并面对源极电极173。
数据线171、源极电极173和漏极电极175可以由铝、铜、银、钼、铬、钛、钽或这些金属的合金制成。此外，数据线171、源极电极173和漏极电极175的每个可以具有由下层(未示出)和上层(未示出)构成的多层结构，该下层由难熔金属制成，该上层由具有低电阻率的材料制成。然而，本发明构思不限于此，数据线171、源极电极173和漏极电极175的每个可以由各种导体诸如金属制成。
栅电极124、源极电极173和漏极电极175可以与半导体层154一起形成开关器件，例如TFT TR。
钝化层181可以位于具有TFT TR的第一基底110上。钝化层181可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料诸如硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物。钝化层181可以保护TFT TR并防止有机层80中包含的材料引入到半导体层154中。
有机层80可以位于钝化层181上。在某些实施方式中，有机层80可以平坦化钝化层181的上表面。在某些实施方式中，有机层80可以由光敏有机物质制成。
在某些其它的实施方式中，有机层80还可以包括彩色颜料。例如，有机层80可以包括彩色颜料，每个让特定颜色的波长的光通过。也就是，有机层80可以包括多个滤色器。在示范性实施方式中，滤色器中的任一个可以显示基色(即红色、绿色和蓝色)之一。当有机层80包括彩色颜料时，可以省略将在后面描述的第二基板20的多个滤色器230。然而，本发明构思不限于此。在另一个实施方式中，与有机层80不同的滤色器也可以位于第一基板10上。
有机层80可以包括开口185，开口185交叠TFT TR的漏极电极175。
公共电极270可以位于有机层80上。公共电极270可以具有平面形状并可以形成为在第一基底110上的整个板。此外，公共电极270可以接收特定大小的公共电压Vcom。在某些实施方式中，公共电极270可以由透明导电材料制成。在示例中，透明导电材料可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)或铝掺杂的锌氧化物(AZO)。
公共电极270可以包括交叠漏极电极175的公共电极开口273。
公共电极开口273可以交叠有机层80的开口185。公共电极开口273的平面形状可以与开口185的平面形状基本上相同，如图1和图2所示。此外，当从上方看时(或在俯视图中)，公共电极开口273的面积可以基本上等于开口185的面积。
在某些实施方式中，公共电极开口273的侧表面2731和开口185的侧表面1851可以位于基本上相同的直线L1上。在示例中，开口185可以通过采用具有公共电极开口273的公共电极270作为掩模来图案化有机层80而形成。因此，在某些实施方式中，公共电极开口273的侧表面2731和开口185的侧表面1851可以位于基本上相同的直线L1上。
开口185的最大宽度WB可以基本上等于公共电极开口273的最大宽度WA。例如，假设开口185和公共电极开口273当从上方看时分别具有沿着第一方向DR1的最大宽度WB和WA，则公共电极开口273的最大宽度WA可以基本上等于开口185的最大宽度WB。如上所述，开口185可以通过采用具有公共电极开口273的公共电极270作为掩模图案化有机层80而形成。因此，公共电极开口273的最大宽度WA可以基本上等于开口185的最大宽度WB。
朝向第二基板20突出的凸起间隔物510可以位于公共电极270上。公共电极270可以防止有机层80在形成凸起间隔物510的工艺中被损坏。
凸起间隔物510可以交叠将在后面描述的光阻挡构件220。此外，在某些实施方式中，凸起间隔物510可以交叠TFT TR。
凸起间隔物510可以不交叠开口185和公共电极开口273。
凸起间隔物510和公共电极开口273之间的距离可以基本上等于凸起间隔物510和开口185之间的距离。例如，当从上方看时，凸起间隔物510和公共电极开口273之间的最小距离DA可以基本上等于凸起间隔物510和开口185之间的最小距离DB。
在示范性实施方式中，凸起间隔物510可以由有机物质制成。在某些实施方式中，凸起间隔物510可以由光敏有机物质制成。
由于公共电极270位于有机层80和凸起间隔物510之间，所以有机层80和凸起间隔物510的每个可以容易地形成至期望的厚度。也就是，在有机层80形成至期望的厚度之后，可以形成公共电极270和凸起间隔物510。也就是，形成有机层80的工艺和形成凸起间隔物510的工艺可以彼此独立地进行而不相互影响。因此，即使例如图案化工艺在形成凸起间隔物510的工艺中进行，有机层80也可以不被损坏，并且有机层80的厚度可以保持在期望的水平，因为有机层80被公共电极270保护。此外，由于凸起间隔物510的厚度可以与有机层80的厚度独立地控制，所以凸起间隔物510可以容易地形成至期望的厚度。
绝缘层183可以位于公共电极270和凸起间隔物510上以覆盖公共电极270和凸起间隔物510。绝缘层183可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料诸如硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物制成。
暴露漏极电极175的接触孔CH可以形成在钝化层181和绝缘层183中。接触孔CH可以交叠有机层80的开口185和公共电极270的公共电极开口273，并且漏极电极175可以通过接触孔CH、开口185和公共电极开口273暴露。
像素电极191可以位于绝缘层183上。像素电极191可以通过插设在像素电极191与公共电极270之间的绝缘层183而与公共电极270绝缘。像素电极191可以交叠公共电极270。像素电极191可以包括交叠公共电极270的多个分支电极192，并且狭缝92可以形成在每对相邻的分支电极192之间。
在某些实施方式中，像素电极191的分支电极192可以与数据线171基本上并排地(side by side)延伸。分支电极192可以以相对于竖直方向的倾斜角倾斜，并可以在像素电极191的水平中心线(未示出)处弯曲。因此，像素电极191可以分成其中分支电极192在不同的方向上倾斜的多个域。
像素电极191包括朝向漏极电极175延伸的延伸部分193。像素电极191的延伸部分193可以通过接触孔CH、开口185和公共电极开口273物理连接和电连接到漏极电极175以从漏极电极175接收数据电压。像素电极191可以由透明导电材料诸如ITO、IZO、ITZO或AZO制成。
在某些实施方式中，第一配向层AM1可以进一步位于第一基板10的上侧上，更具体地，在绝缘层183和像素电极191上。第一配向层AM1可以由有机物质诸如聚酰亚胺制成，但是不限于由有机物质诸如聚酰亚胺制成。在某些实施方式中，第一配向层AM1可以是水平配向层并可以在特定的方向上被摩擦。可选地，第一配向层AM1可以包括光反应性材料从而被光致配向。
下面将描述第二基板20和间隔物530。
第二基板20可以包括第二基底210、光阻挡构件220和滤色器230，并且还可以包括外涂层250。
像第一基底110一样，第二基底210可以是透明绝缘基板。此外，第二基底210可以包括具有高热阻的聚合物或塑料。在某些实施方式中，第二基底210可以具有柔性。
光阻挡构件220可以位于第二基底210上。在某些实施方式中，光阻挡构件220可以交叠TFT TR、接触孔CH、开口185、公共电极开口273、栅线121和数据线171。光阻挡构件220可以包括光阻挡颜料诸如炭黑或不透明材料诸如铬(Cr)。
滤色器230可以位于第二基底210上。滤色器230可以交叠像素电极191。每个滤色器230可以由包含用于向光敏有机物质添加颜色的颜料的材料制成。例如，每个滤色器230可以在光敏有机物质中包括红色、绿色和蓝色颜料中的任一种。然而，本发明构思不限于此。在某些其它的实施方式中，如果有机层80包括彩色颜料，则可以省略滤色器230。
外涂层250可以位于滤色器230和光阻挡构件220上。在某些实施方式中，外涂层250可以由有机绝缘材料制成。如果需要，可以省略外涂层250。
间隔物530可以位于第一基板10和第二基板20之间。间隔物530可以朝向第一基板10突出。在某些实施方式中，间隔物530可以位于外涂层250上。然而，本发明构思不限于此。当外涂层250被省略时，间隔物530可以直接位于光阻挡构件220上。在某些实施方式中，间隔物530可以由有机绝缘材料制成并具有光敏性。此外，在某些实施方式中，间隔物530可以包括光阻挡颜料。
间隔物530可以交叠凸起间隔物510和光阻挡构件220。
间隔物530和凸起间隔物510可以保持第一基板10和第二基板20之间的期望的间隙。因此，液晶层30的厚度可以保持在期望的水平。液晶层30的厚度可以影响光透射率。因此，保持液晶层30的厚度在期望的水平可以是用于保持显示质量的重要因素。由于间隔物530和凸起间隔物510如上所述地保持第一基板10第二基板20之间的期望的间隙，所以它们可以有助于保持液晶层30的厚度在期望的均匀水平。
此外，由于公共电极270位于有机层80和凸起间隔物510之间，所以有机层80和凸起间隔物510的每个的厚度可以保持在期望的水平。这可以有助于保持第一基板10和第二基板20之间的期望的间隙，从而防止显示质量的降低。
第二配向层AM2可以进一步位于第二基板20和间隔物530上。在某些实施方式中，第二配向层AM2可以包括有机物质，但不限于包括有机物质。第二配向层AM2可以与上面描述的第一配向层AM1基本上相同或类似。
在某些实施方式中，第一配向层AM1和第二配向层AM2可以在间隔物530和凸起间隔物510之间彼此接触。然而，本发明构思不限于此。根据结构上的变型，第一配向层AM1和第二配向层AM2中的任一个可以位于间隔物530和凸起间隔物510之间。在示例中，如果仅第一配向层AM1位于间隔物530和凸起间隔物510之间，则它可以在间隔物530和凸起间隔物510之间直接接触间隔物530。可选地，根据结构上的变型，第一配向层AM1和第二配向层AM2可以都不存在于间隔物530和凸起间隔物510之间。在此情况下，间隔物530可以直接接触位于凸起间隔物510上的绝缘层183。可选地，如果绝缘层183的位于凸起间隔物510上的部分被去除，则凸起间隔物510和间隔物530可以彼此直接接触。
在根据当前实施方式的显示装置中，凸起间隔物530定位为交叠间隔物510。这提供了防止第一配向层AM1被间隔物510的水平运动损坏的额外优点。
在下面的描述中，将简要地给出或省略对以上已经描述的元件的描述。因此，下面的描述将集中在与上面描述的实施方式的差异上。
图5是根据本发明构思的实施方式的显示装置中包括的两个像素的布局图。图6是图5的显示装置中的第一接触孔CHa和第二接触孔CHb周围的区域的放大图。图7是显示装置沿着图5的线B-B’剖取的截面图。图8是图7的部分Qa和Qb的放大截面图。
参照图5至图8，根据当前实施方式的显示装置可以如上描述地包括第一基板10、第二基板20、液晶层30和间隔物530。
第一基板10将在下面基于两个像素来描述。
栅线121、第一栅电极124a和第二栅电极124b可以位于第一基底110上。栅线121可以基本上在第一方向DR1上延伸。第一栅电极124a和第二栅电极124b可以从栅线121突出并可以连接到栅线121。
栅绝缘层130可以位于栅线121、第一栅电极124a和第二栅电极124b上。
第一半导体层154a和第二半导体层154b可以位于栅绝缘层130上。第一半导体层154a的至少部分可以交叠第一栅电极124a，第二半导体层154b的至少部分可以交叠第二栅电极124b。
多个第一欧姆接触构件(163a和165a)可以位于第一半导体层154a上，多个第二欧姆接触构件(163b和165b)可以位于第二半导体层154b上。第一欧姆接触构件(163a和165a)可以包括第一源极欧姆接触构件163a和第一漏极欧姆接触构件165a，第二欧姆接触构件(163b和165b)可以包括第二源极欧姆接触构件163b和第二漏极欧姆接触构件165b。
第一源极电极173a可以位于第一源极欧姆接触构件163a上，第一漏极电极175a可以位于第一漏极欧姆接触构件165a上。第二源极电极173b可以位于第二源极欧姆接触构件163b上，第二漏极电极175b可以位于第二漏极欧姆接触构件165b上。
第一数据线171a和第二数据线171b可以位于栅绝缘层130上。
第一数据线171a和第二数据线171b可以沿着第一方向DR1彼此并排地设置并在第二方向DR2上延伸以与栅线121交叉。
当第一半导体层154a和第二半导体层154b是氧化物半导体时，可以省略第一欧姆接触构件(163a和165a)以及第二欧姆接触构件(163b和165b)。
第一栅电极124a、第一源极电极173a和第一漏极电极175a可以与第一半导体层154a一起形成第一TFT TRa，第二栅电极124b、第二源极电极173b和第二漏极电极175b可以与第二半导体层154b一起形成第二TFT TRb。第一TFT TRa和第二TFT TRb可以沿着第一方向DR1彼此相邻地设置，如图5所示。
钝化层181可以位于第一TFT TRa和第二TFT TRb上。
有机层80可以位于钝化层181上。
有机层80可以包括交叠第一漏极电极175a的第一开口185a以及交叠第二漏极电极175b的第二开口185b。
公共电极270可以位于有机层80上。位于两个相邻的像素中的公共电极270可以连接为从外部源接收特定大小的公共电压Vcom。
公共电极270可以包括第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b。第一公共电极开口273a可以交叠第一漏极电极175a和第一开口185a，第二公共电极开口273b可以交叠第二漏极电极175b和第二开口185b。
第一公共电极开口273a的平面形状可以与第一开口185a的平面形状基本上相同，如图5和图6所示。当从上方看时(或当在俯视图中看时)，第一公共电极开口273a的面积可以基本上等于第一开口185a的面积。类似地，第二公共电极开口273b的平面形状可以与第二开口185b的平面形状基本上相同，如图5和图6所示。当从上方看时(当在俯视图中看时)，第二公共电极开口273b的面积可以基本上等于第二开口185b的面积。
在某些实施方式中，第一公共电极开口273a的侧表面2731a和第一开口185a的侧表面1851a可以位于基本上相同的直线L1a上，第二公共电极开口273b的侧表面2731b和第二开口185b的侧表面1851b可以位于基本上相同的直线L1b上。
第一开口185a的最大宽度WB1和第一公共电极开口273a的最大宽度WA1可以基本上相等，第二开口185b的最大宽度WB2和第二公共电极开口273b的最大宽度WA2可以基本上相等。例如，假设当从上方看时第一开口185a、第二开口185b、第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b分别具有沿着第一方向DR1的最大宽度WB1、WB2、WA1和WA2，则第一公共电极开口273a的最大宽度WA1可以基本上等于第一开口185a的最大宽度WB1。此外，第二公共电极开口273b的最大宽度WA2可以基本上等于第二开口185b的最大宽度WB2。
朝向第二基板20突出的凸起间隔物510可以位于公共电极270上。
凸起间隔物510可以交叠第一TFT TRa，并可以不交叠第一开口185a、第二开口185b、第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b。
凸起间隔物510、第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b可以通过采用半色调掩模的单个掩模工艺形成。因此，在某些实施方式中，凸起间隔物510和第一公共电极开口273a之间的最小距离DA1可以基本上等于凸起间隔物510和第二公共电极开口273b之间的最小距离DA2。
第一开口185a和第二开口185b可以通过采用具有第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b的公共电极270作为掩模图案化有机层80而形成。也就是，凸起间隔物510、第一公共电极开口273a、第二公共电极开口273b、第一开口185a和第二开口185b可以通过采用半色调掩模的单个掩模工艺形成。因此，在某些实施方式中，凸起间隔物510和第一开口185a之间的最小距离DB1可以基本上等于凸起间隔物510和第二开口185b之间的最小距离DB2。
此外，凸起间隔物510和第一公共电极开口273a之间的最小距离DA1可以基本上等于凸起间隔物510和第一开口185a之间的最小距离DB1。类似地，凸起间隔物510和第二公共电极开口273b之间的最小距离DA2可以基本上等于凸起间隔物510和第二开口185b之间的最小距离DB2。
当第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b之间沿着第一方向DR1测得的最小距离为DA3时，第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b之间的最小距离DA3可以具有等于或大于凸起间隔物510沿着第一方向DR1的最大宽度WBS的值。
类似地，当第一开口185a和第二开口185b之间沿着第一方向DR1测得的最小距离为DB3时，第一开口185a和第二开口185b之间的最小距离DB3可以具有等于或大于凸起间隔物510沿着第一方向DR1的最大宽度WBS的值。
绝缘层183可以位于公共电极270和凸起间隔物510上以覆盖公共电极270和凸起间隔物510。
暴露第一漏极电极175a的第一接触孔CHa和暴露第二漏极电极175b的第二接触孔CHb可以形成在钝化层181和绝缘层183中。第一接触孔CHa可以交叠第一开口185a和第一公共电极开口273a，第二接触孔CHb可以交叠第二开口185b和第二公共电极开口273b。
第一像素电极191a和第二像素电极191b可以位于绝缘层183上。第一像素电极191a和第二像素电极191b可以通过插设在第一像素电极191a和第二像素电极191b与公共电极270之间的绝缘层183而与公共电极270绝缘，并且第一像素电极191a和第二像素电极191b的每个的至少部分可以交叠公共电极270。第一像素电极191a可以包括多个分支电极192a，狭缝92a可以形成在每对相邻的分支电极192a之间。类似地，第二像素电极191b可以包括多个分支电极192b，狭缝92b可以形成在每对相邻的分支电极192b之间。
第一像素电极191a可以包括第一延伸部分193a，第一延伸部分193a可以通过第一接触孔CHa、第一开口185a和第一公共电极开口273a而物理连接和电连接到第一漏极电极175a。类似地，第二像素电极191b可以包括第二延伸部分193b，第二延伸部分193b可以通过第二接触孔CHb、第二开口185b和第二公共电极开口273b物理连接和电连接到第二漏极电极175b。
第一配向层AM1可以进一步位于绝缘层183、第一像素电极191a和第二像素电极191b上。
第二基板20可以包括第二基底210、光阻挡构件220和多个滤色器230，并且还可以包括外涂层250。
间隔物530可以位于第一基板10和第二基板20之间。间隔物530可以交叠凸起间隔物510和光阻挡构件220。
第二基板20和间隔物530与上面描述的第二基板和间隔物相同，因此省略其描述。
也就是，根据当前实施方式的显示装置中包括的第一开口185a、第二开口185b、第一公共电极开口273a、第二公共电极开口273b和凸起间隔物510可以采用单个掩模工艺形成。因此，可以简化制造显示装置的工艺。
图9至图18是示出制造图7的显示装置的工艺的步骤的截面图。
参照图9至图18，第一TFT TRa和第二TFT TRb形成在第一基底110上，钝化层181形成在第一基底110上以覆盖第一TFT TRa和第二TFT TRb，如图9所示。第一TFT TRa和第二TFT TRb的每个的具体部件与上面参照图5至图8描述的那些相同。
参照图10，有机层80形成在钝化层181上至期望的厚度，公共电极导电层270a形成在有机层80上。此外，凸起有机层510a形成在公共电极导电层270a上至期望的厚度。
参照图11，光致抗蚀剂层700形成在凸起有机层510a上。光致抗蚀剂层700可以是负型光致抗蚀剂或正型光致抗蚀剂。为了描述的容易，光致抗蚀剂层700为正型光致抗蚀剂的情形将作为示例在下面描述。
接下来，掩模M被置于光致抗蚀剂层700上，光致抗蚀剂层700通过掩模M选择性地用光照射。掩模M包括透射全部照射光的光透射区域MA1、阻挡全部照射光的光阻挡区域MA2以及透射照射光中的一些并阻挡其余照射光的半透半反区域MA3。也就是，掩模M可以是多色调掩模诸如半色调掩模。这里，光透射区域MA1可以对应于将在后面描述的第一公共电极开口和第二公共电极开口，光阻挡区域MA2可以对应于将在后面描述的凸起间隔物。此外，半透半反区域MA3可以是除了光透射区域MA1和光阻挡区域MA2之外的区域。
接下来，通过掩模M曝光的光致抗蚀剂层700被显影。然后，第一光致抗蚀剂图案710如图12所示形成在对应于半透半反区域MA3的部分中，第二光致抗蚀剂图案730如图12所示形成在对应于光阻挡区域MA2的部分中。此外，光致抗蚀剂层700的对应于光透射区域MA1的部分被去除以部分地暴露凸起有机层510a，如图12所示。这里，形成在对应于光阻挡区域MA2的部分中的光致抗蚀剂图案730比形成在对应于半透半反区域MA3的部分中的第一光致抗蚀剂图案710厚。这是因为正型光致抗蚀剂用作光致抗蚀剂层700。
接下来，采用第一光致抗蚀剂图案710和第二光致抗蚀剂图案730作为掩模来图案化凸起有机层510a。在某些实施方式中，图案化凸起有机层510a的工艺可以通过采用氧等离子体的蚀刻工艺完成。在某些实施方式中，第一光致抗蚀剂图案710和第二光致抗蚀剂图案730可以在图案化凸起有机层510a的工艺中被部分地蚀刻。例如，第一光致抗蚀剂图案710可以如图13所示变为具有减小的厚度和/或宽度的第三光致抗蚀剂图案711，第二光致抗蚀剂图案730可以如图13所示变为具有减小的厚度和/或宽度的第四光致抗蚀剂图案731。此外，通过图案化凸起有机层510a形成的第一凸起有机层图案511a可以设置在第三光致抗蚀剂图案711下面，通过图案化凸起有机层510a形成的第二凸起有机层图案513a可以设置在第四光致抗蚀剂图案731下面。此外，凸起有机层510a的没有被第三光致抗蚀剂图案711和第四光致抗蚀剂图案731覆盖的部分可以被去除，如图13所示。因此，公共电极导电层270a可以在第一凸起有机层图案511a和第二凸起有机层图案513a之间暴露。
接下来，公共电极导电层270a采用第三光致抗蚀剂图案711和第四光致抗蚀剂图案731作为掩模来蚀刻，从而形成具有第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b的公共电极270，如图14所示。有机层80通过第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b部分地暴露。
接下来，有机层80采用公共电极270作为掩模来图案化。这里，有机层80的通过第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b暴露的部分可以被去除，导致在有机层80中形成第一开口185a和第二开口185b，如图15所示。
第一开口185a和第二开口185b基本上采用具有第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b的公共电极270作为掩模来形成。因此，第一公共电极开口273a的平面形状可以与第一开口185a的平面形状基本上相同，并且第二公共电极开口273b的平面形状可以与第二开口185b的平面形状基本上相同。此外，第一公共电极开口273a的最大宽度可以基本上等于第一开口185a的最大宽度，并且第二公共电极开口273b的最大宽度可以基本上等于第二开口185b的最大宽度。此外，如以上参照图5至图8所描述的，第一公共电极开口273a的内侧表面和第一开口185a的内侧表面可以是基本上共线的，并且第二公共电极开口273b的内侧表面和第二开口185b的内侧表面可以是基本上共线的。
图案化有机层80的工艺可以通过灰化工艺完成，并且第三光致抗蚀剂图案711和第一凸起有机层图案511a可以在图案化有机层80的工艺中被去除，如图15所示。也就是，图案化有机层80的工艺和去除第三光致抗蚀剂图案711和第一凸起有机层图案511a的工艺可以被同时进行。
此外，在图案化有机层80的工艺中，第四光致抗蚀剂图案731可以变为具有减小的厚度和宽度的第五光致抗蚀剂图案7311，如图15所示，并且第二凸起有机层图案513a的宽度可以减小以在第五光致抗蚀剂图案7311下面形成凸起间隔物510，如图15所示。
也就是，图案化有机层80的工艺可以与形成凸起间隔物510的工艺以及去除第三光致抗蚀剂图案711和第一凸起有机层图案511a的工艺同时地进行。
接下来，在第五光致抗蚀剂图案7311通过剥离工艺去除之后，绝缘层183形成在具有有机层80、公共电极270和凸起间隔物510的第一基底110的整个表面上，如图16所示。
参照图17，暴露第一漏极电极175a的第一接触孔CHa和暴露第二漏极电极175b的第二接触孔CHb形成在绝缘层183和钝化层181中。
参照图18，连接到第一漏极电极175a的第一像素电极191a和连接到第二漏极电极175b的第二像素电极191b形成在绝缘层183上。
然后，第一配向层AM1形成在具有第一像素电极191a和第二像素电极191b的第一基底110的整个表面上，从而制造第一基板10(见图7)。第二基板20(见图7)和间隔物530(见图7)置于第一基板10(见图7)上，液晶层30被注入在第一基板10(见图7)和第二基板20(见图7)之间以制造图7的显示装置。
根据本发明构思的上述实施方式，有机层80的第一开口185a和第二开口185b、公共电极270的第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b以及凸起间隔物510通过采用半色调掩模的单个掩模工艺形成。因此，可以减少制造显示装置的工艺中使用的掩模的数量。
由于有机层80的第一开口185a和第二开口185b以及公共电极270的第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b通过单个掩模工艺形成，所以不需要考虑第一开口185a与第一公共电极开口273a之间的余量和第二开口185b与第二公共电极开口273b之间的余量。这可以减小显示装置中由第一开口185a和第二开口185b以及第一公共电极开口273a和第二公共电极开口273b占据的面积，并改善显示装置的开口率。此外，由于不需要考虑第一开口185a与第一公共电极开口273a之间的余量和第二开口185b与第二公共电极开口273b之间的余量，所以容易实现高分辨率的显示装置。
此外，根据上述实施方式，凸起间隔物510和有机层80的每个的厚度可以容易调整至期望的厚度。因此，期望的间隙可以形成和保持在第一基板10和第二基板20之间，从而防止显示质量的降低并提供具有改善的可靠性的显示装置。
根据本发明构思的实施方式，可以提供能够保持两个基板之间的均匀间隙的显示装置以及制造该显示装置的方法。
此外，根据本发明构思的实施方式，可以提供能够减少制造工艺的数量的显示装置以及制造该显示装置的方法。
然而，本发明构思的效果不限于这里阐述的效果。本发明构思的以上和其它的效果通过参照权利要求对于本发明构思所属的领域内的普通技术人员来说将变得更加明显。
尽管为了说明的目的已经公开了本发明构思的示范性实施方式，但是实施方式仅是举例说明的，而不限制本发明构思。本领域技术人员将理解，各种变型和应用是可以的，而没有脱离本发明构思的如权利要求书中公开的范围和精神。例如，本发明构思的实施方式中具体说明的每个元件可以被不同地修改和实施。此外，与这样的变型和应用相关的差异应当被解释为包括在本发明构思的由权利要求书限定的范围内。
本申请要求于2016年4月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0052185号的优先权，其公开内容通过引用整体地结合于此。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
第一基底；
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，沿着第一方向设置在所述第一基底上；
有机层，覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管，并包括交叠所述第一薄膜晶体管的第一漏极电极的第一开口和交叠所述第二薄膜晶体管的第二漏极电极的第二开口；
公共电极，位于所述有机层上并包括交叠所述第一开口的第一公共电极开口和交叠所述第二开口的第二公共电极开口；
凸起间隔物，位于所述公共电极上；
绝缘层，位于所述公共电极和所述凸起间隔物上；
第一像素电极，设置在所述绝缘层上以交叠所述公共电极并电连接到所述第一薄膜晶体管；以及
第二像素电极，设置在所述绝缘层上以交叠所述公共电极并电连接到所述第二薄膜晶体管，
其中所述凸起间隔物和所述第一公共电极开口之间的最小距离等于所述凸起间隔物和所述第二公共电极开口之间的最小距离。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一开口的平面形状与所述第一公共电极开口的平面形状基本上相同，并且所述第二开口的平面形状与所述第二公共电极开口的平面形状基本上相同。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中所述第一开口的侧表面和所述第一公共电极开口的侧表面是共线的，并且所述第二开口的侧表面和所述第二公共电极开口的侧表面是共线的。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中所述第一公共电极开口在所述第一方向上的最大宽度基本上等于所述第一开口在所述第一方向上的最大宽度，并且所述第二公共电极开口在所述第一方向上的最大宽度基本上等于所述第二开口在所述第一方向上的最大宽度。
5.如权利要求2所述的显示装置，其中所述凸起间隔物不交叠所述第一公共电极开口或所述第二公共电极开口。
6.如权利要求2所述的显示装置，其中所述第一公共电极开口和所述第二公共电极开口之间的最小距离等于或大于所述凸起间隔物在所述第一方向上的最大宽度。
7.如权利要求2所述的显示装置，其中所述凸起间隔物和所述第一开口之间的最小距离等于所述凸起间隔物和所述第二开口之间的最小距离。
8.如权利要求2所述的显示装置，其中所述绝缘层包括第一接触孔和第二接触孔，该第一接触孔暴露所述第一漏极电极并交叠所述第一开口和所述第一公共电极开口，该第二接触孔暴露所述第二漏极电极并交叠所述第二开口和所述第二公共电极开口，其中所述第一像素电极通过所述第一接触孔、所述第一公共电极开口和所述第一开口连接到所述第一薄膜晶体管的所述第一漏极电极，并且其中所述第二像素电极通过所述第二接触孔、所述第二公共电极开口和所述第二开口连接到所述第二薄膜晶体管的所述第二漏极电极。
9.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
栅线，位于所述第一基底上并在所述第一方向上延伸；以及
第一数据线和第二数据线，位于所述第一基底上并与所述栅线绝缘以在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，
其中所述第一薄膜晶体管电连接到所述栅线和所述第一数据线，并且所述第二薄膜晶体管电连接到所述栅线和所述第二数据线。
10.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
第二基底，面对所述第一基底；和
间隔物，位于所述第二基底的面对所述第一基底的表面上并交叠所述凸起间隔物。
11.如权利要求10所述的显示装置，还包括：
第一配向层，位于所述绝缘层上并覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极；和
第二配向层，位于所述第二基底的面对所述第一基底的所述表面上并覆盖所述间隔物，
其中所述第一配向层和所述第二配向层在所述间隔物和所述凸起间隔物之间彼此接触。
12.一种显示装置，包括：
第一基底；
薄膜晶体管，位于所述第一基底上；
有机层，覆盖所述薄膜晶体管并具有交叠所述薄膜晶体管的漏极电极的开口；
公共电极，位于所述有机层上并具有交叠所述开口的公共电极开口；
凸起间隔物，位于所述公共电极上；
绝缘层，位于所述公共电极和所述凸起间隔物上；以及
像素电极，设置在所述绝缘层上以交叠所述公共电极并电连接到所述薄膜晶体管，
其中所述开口的平面形状与所述公共电极开口的平面形状基本上相同。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中所述公共电极开口的侧表面和所述开口的侧表面是共线的。
14.如权利要求12所述的显示装置，其中所述凸起间隔物不交叠所述公共电极开口。
15.如权利要求12所述的显示装置，其中所述公共电极开口的最大宽度基本上等于所述开口的最大宽度。
16.如权利要求12所述的显示装置，还包括：
第二基底，面对所述第一基底；和
间隔物，位于所述第二基底的面对所述第一基底的表面上并交叠所述凸起间隔物。
17.如权利要求16所述的显示装置，还包括：
第一配向层，位于所述绝缘层上并覆盖所述像素电极；和
第二配向层，位于所述第二基底的面对所述第一基底的所述表面上并覆盖所述间隔物，
其中所述第一配向层和所述第二配向层在所述间隔物和所述凸起间隔物之间彼此接触。
18.一种制造显示装置的方法，该方法包括：
在第一基底上形成薄膜晶体管；
形成覆盖所述薄膜晶体管的有机层；
在所述有机层上形成公共电极导电层；
在所述公共电极导电层上形成凸起有机层；
在所述凸起有机层上形成第一光致抗蚀剂图案和比所述第一光致抗蚀剂图案厚的第二光致抗蚀剂图案；
采用所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案作为掩模图案化所述凸起有机层；
通过采用所述第一光致抗蚀剂图案的剩余部分和所述第二光致抗蚀剂图案的剩余部分作为掩模图案化所述公共电极导电层，形成具有公共电极开口的公共电极；
通过采用所述第二光致抗蚀剂图案的所述剩余部分作为掩模图案化所述凸起有机层而形成凸起间隔物，并同时通过采用所述公共电极作为掩模图案化所述有机层而形成暴露所述薄膜晶体管的漏极电极的开口；
在所述凸起间隔物和所述有机层上形成绝缘层，其中所述绝缘层具有接触孔；以及
在所述绝缘层上形成电连接到所述薄膜晶体管的像素电极。
19.如权利要求18所述的方法，其中在所述凸起有机层上形成所述第一光致抗蚀剂图案和比所述第一光致抗蚀剂图案厚的所述第二光致抗蚀剂图案包括：
在所述凸起有机层上形成光致抗蚀剂层；
采用半色调掩模将所述光致抗蚀剂层曝光；以及
将曝光的光致抗蚀剂层显影。
20.如权利要求19所述的方法，其中形成所述凸起间隔物还包括去除所述第一光致抗蚀剂图案的所述剩余部分以及所述凸起有机层的位于所述第一光致抗蚀剂图案下面的部分。
CN201710235666.9A 2016-04-28 2017-04-12 显示装置及其制造方法 Pending CN107357100A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0052185 2016-04-28
KR1020160052185A KR102547501B1 (ko) 2016-04-28 2016-04-28 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107357100A true CN107357100A (zh) 2017-11-17

Family

ID=60158564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710235666.9A Pending CN107357100A (zh) 2016-04-28 2017-04-12 显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10141348B2 (zh)
KR (1) KR102547501B1 (zh)
CN (1) CN107357100A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108445688A (zh) * 2018-03-05 2018-08-24 友达光电股份有限公司 像素结构
CN110187572A (zh) * 2018-12-19 2019-08-30 友达光电股份有限公司 显示装置
CN111338134A (zh) * 2020-03-13 2020-06-26 Tcl华星光电技术有限公司 一种像素电极结构及液晶显示面板
CN112863329A (zh) * 2019-11-12 2021-05-28 群创光电股份有限公司 显示装置
WO2021147936A1 (zh) * 2020-01-23 2021-07-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示面板

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI590424B (zh) * 2016-03-14 2017-07-01 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN107402485B (zh) * 2017-08-31 2020-09-04 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示设备及其制作方法
JP7415384B2 (ja) * 2019-09-06 2024-01-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN114137771B (zh) * 2021-12-08 2023-08-01 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130140571A1 (en) * 2011-12-02 2013-06-06 Nobuo Imai Array substrate for flat display device and manufacturing the same
CN104102038A (zh) * 2013-04-10 2014-10-15 三星显示有限公司 液晶显示器
CN104280957A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 三星显示有限公司 液晶显示器
US20150253608A1 (en) * 2014-03-10 2015-09-10 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101820533B1 (ko) 2011-08-02 2018-01-22 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR102071008B1 (ko) 2013-04-10 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20150036940A (ko) * 2013-09-30 2015-04-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
KR102178488B1 (ko) * 2014-03-06 2020-11-16 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이 장치
KR102415510B1 (ko) 2015-10-12 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130140571A1 (en) * 2011-12-02 2013-06-06 Nobuo Imai Array substrate for flat display device and manufacturing the same
CN104102038A (zh) * 2013-04-10 2014-10-15 三星显示有限公司 液晶显示器
CN104280957A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 三星显示有限公司 液晶显示器
US20150253608A1 (en) * 2014-03-10 2015-09-10 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108445688A (zh) * 2018-03-05 2018-08-24 友达光电股份有限公司 像素结构
CN110187572A (zh) * 2018-12-19 2019-08-30 友达光电股份有限公司 显示装置
CN110187572B (zh) * 2018-12-19 2022-02-11 友达光电股份有限公司 显示装置
CN112863329A (zh) * 2019-11-12 2021-05-28 群创光电股份有限公司 显示装置
WO2021147936A1 (zh) * 2020-01-23 2021-07-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示面板
CN111338134A (zh) * 2020-03-13 2020-06-26 Tcl华星光电技术有限公司 一种像素电极结构及液晶显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US10141348B2 (en) 2018-11-27
US20170317105A1 (en) 2017-11-02
KR102547501B1 (ko) 2023-06-26
KR20170123385A (ko) 2017-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107357100A (zh) 显示装置及其制造方法
CN102269900B (zh) Tft阵列基板及其制造方法
US7400366B2 (en) Array substrate having color filter on thin film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same
CN100523971C (zh) 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
US8023057B2 (en) Thin film transistor array panel used for liquid crystal display and a manufacturing method thereof
US7196759B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabrication thereof
US7501655B2 (en) Thin film transistor array panel
US7550327B2 (en) Method for fabricating thin film transistor substrate
US8759833B2 (en) Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
CN100381920C (zh) 显示器布线及其制造方法与包含该布线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN102902118A (zh) 面内转换模式液晶显示器件及其制造方法
TWI390317B (zh) 液晶顯示器及其薄膜電晶體陣列面板
US8283220B2 (en) Liquid crystal display device and fabrication method thereof
TWI421603B (zh) 薄膜電晶體陣列面板
US7906782B2 (en) Liquid crystal display device
CN101447491B (zh) 薄膜晶体管阵列面板
KR20060015209A (ko) 어레이 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치
KR101898118B1 (ko) 횡전계형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법
KR20030055125A (ko) 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR101107685B1 (ko) 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
CN107402482A (zh) 具有改善的可制造性的显示基板
CN107591417A (zh) 阵列基板及其制备方法
KR101107994B1 (ko) 컬러필터 기판과, 이를 갖는 액정표시패널
KR20070115372A (ko) 표시 패널
KR20040102519A (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination