CN107347510A - 一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法及栽培设施 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法及栽培设施。本发明充分利用日光温室的土质后墙，以水苔为基质栽培铁皮石斛，夏季采用日光温室覆盖黑色遮阳网+对铁皮石斛喷雾的方式，使日光温室内温度、湿度和光照完全可以满足铁皮石斛生长的需要。本发明既充分利用了日光温室后墙温度、湿度适宜，光照相对较弱的特性，也利用并消耗了日光温室产生的对蔬菜种植不利的湿气，夜间主栽蔬菜的暗呼吸释放的二氧化碳可以被铁皮石斛固定，促进了铁皮石斛的生长；同时本发明还充分利用了日光温室平时闲置的后墙，既节省了石斛栽培设施的资金投入，又给日光温室增加了一茬作物，从而达到了蔬菜种植和铁皮石斛栽培共赢的效果。

Description

一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法及栽培设施

技术领域

本发明涉及农业栽培方法及栽培设施技术领域，具体涉及一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法及栽培设施。

背景技术

铁皮石斛为兰科石斛属植物，是传统名贵中药材，目前主要用作中药材和鲜食。近年来随着人们对铁皮石斛的了解越来越多，对铁皮石斛的需求日趋增加。野生铁皮石斛适宜在温暖、湿润少光照，适当透风，根系透气好，排水好的环境中丛生，需要附着树木，芽缝进行爬生或吊挂生长。现有的铁皮石斛的栽培方法，如仿野生挂树种植，森林立体原生态栽培方法，以及崖壁仿野生栽培，产量低，且其产品主要用于药材加工，而利用农业设施栽培铁皮石斛，主要满足铁皮石斛鲜食需要，市场需要量逐年增加，但其生产时需要构建的栽培场地或栽培架等基础设施投入大，导致生产成本高，此外，偌大的栽培场地，仅生产栽培铁皮石斛一种作物，场地利用率低。

铁皮石斛对温度的适应范围很广，对环境湿度要求较高。只要环境湿度大，铁皮石斛可在5℃～50℃范围内正常生长。在仿野生栽培中，夏季三伏天丹霞山石壁表面中午至下午三点温度高达60-70℃，铁皮石斛可以正常生长。5℃是铁皮石斛的防寒警戒线，5℃以上，铁皮石斛越冬苗可以不掉叶。在我国北方地区，空气干燥，选择温室、湿度均适宜的设施即可种植铁皮石斛。然而，铁皮石斛生长较慢，单一设施种植铁皮石斛，造价高，成本回收慢。

目前铁皮石斛的栽培基质多为树皮、水苔、蛭石、石块等混配的复合基质，需要人工混配，且只适宜在南方潮湿多雨环境中栽培，北方气候干燥，需要筛选一种保水性好，又适宜铁皮石斛生长的基质。

因此，如何提供一种能够满足铁皮石斛正常生长的各项条件、能够提高栽培设施的场地利用率、降低铁皮石斛的栽培成本以及提高经济效益的栽培方法、栽培基质及栽培设施是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明克服了上述现有技术的不足，提供了一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法及栽培设施。本发明充分利用日光温室的土质后墙，以水苔为基质栽培石斛，夏季采用日光温室覆盖黑色遮阳网+对铁皮石斛喷雾的方式，使日光温室内周年温度能控制在13℃-40℃之间，湿度保持在65％以上，夜间湿度甚至可达100％，夏季光照控制在1.5万lux以内，完全可以满足铁皮石斛生长的需要。在不影响主栽蔬菜生长的情况下，可以增加农民收入。

本发明提供了一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法，其特征是，选择土质后墙的日光温室，在日光温室后墙上悬挂栽培钵，栽培钵中装有水苔基质，在栽培钵中栽培铁皮石斛。

注意：日光温室后墙必须土质的，因水泥表面后墙温度变化剧烈，不适宜进行石斛栽培，因此，只能是土墙，不能是水泥墙。

进一步的，所述日光温室为冬季种植黄瓜、番茄、西葫芦中的一种或多种的日光温室。

进一步的，所述铁皮石斛选择枝条直立性好的铁皮石斛。

进一步的，在正常进行蔬菜生产时，利用日光温室本身的条件不采用另外的措施(遮阳、保温、喷雾措施)来满足铁皮石斛生长的光照、温度和湿度要求；夏季日光温室主栽培蔬菜收获后至下一季主栽培蔬菜定植前的夏季休闲季时，采用日光温室覆盖黑色遮阳网+对铁皮石斛喷雾的方式来满足铁皮石斛生长的光照、温度和湿度要求。采用本发明的技术，可使铁皮石斛光照控制在1.5万lux以内，温度控制在13-40℃，湿度≥65％，完全满足铁皮石斛生长的光照、温度和湿度要求。

进一步的，在铁皮石斛栽培过程中对水苔基质进行一次浇透水后，只要棚内湿度大，基质可保持较长时间的湿润。只有当环境湿度<65％且基质干透后再浇透基质。由于冬季温室内夜间易形成凝露，一般间隔2个月浇一次水。春秋季由于通风时间较长，当空气湿度不满足要求时，基质干透后再浇透基质，维持基质潮湿即可。夏季喷雾的方式，湿度满足要求，基质本身也处于湿润的状态，不需要对基质另外浇水。因此，采用本发明的技术，大大减少了浇水的工作量。

进一步的，在正常进行蔬菜生产时，日光温室后墙光照强度较低，温度13℃-35℃，满足铁皮石斛的光照和温度要求。在正常进行蔬菜生产时，日光温室内不需要喷雾，主要依靠石斛和水苔吸收日光温室内产生的湿气(春秋通风时间长，基质干透时再浇透基质)，满足铁皮石斛的湿度要求。

进一步的，在夏季日光温室主栽培蔬菜收获后至下一季主栽培蔬菜定植前的夏季休闲季时，日光温室的棚体可去掉塑料棚膜，也可把棚膜从地面掀起至日光温室的下通风口处，距离地面1米左右，保持大通风，同时用黑色遮阳网覆盖棚体，可使后墙光照强度下降到1万lux左右，在炎热的夏季，可以通过降低光照度提高石斛耐高温的能力，避免叶片晒伤。在此时期，通过对铁皮石斛喷雾的方式以满足石斛的湿度要求。通过黑色遮阳网+对铁皮石斛喷雾的方式降温，以满足铁皮石斛的光照、温度和湿度的要求，确保铁皮石斛顺利度过炎热的夏季。

本发明还提供了与上述方法配套使用的栽培设施，它包括日光温室、铁丝、栽培钵、悬挂钩、喷雾装置以及黑色的遮阳网；所述日光温室包括土质的后墙、两个侧墙、后屋面以及塑料棚膜；所述铁丝沿所述后墙的长度方向固定在所述后墙的内墙面上，且在所述后墙的内墙面上从上到下设置有多条铁丝；所述栽培钵用于盛装铁皮石斛以及栽培基质；所述悬挂钩包括铁环以及设置在所述铁环上的挂钩，所述悬挂钩钩挂在所述铁丝上；所述栽培钵嵌设在所述铁环中且所述栽培钵通过所述悬挂钩悬挂在所述铁丝上；所述喷雾装置中的喷雾喷嘴设置在所述后屋面的内侧面上以用于对悬挂在所述后墙的内墙面上的铁皮石斛进行喷雾增湿降温；所述遮阳网可拆卸地设置于所述日光温室上以用于代替塑料棚膜或覆盖塑料棚膜调节光照。

其中喷雾装置和遮阳网是在主栽培蔬菜收获后至下一季主栽培蔬菜定植前的夏季休闲季时使用，在正常进行蔬菜生产季节一般不需要使用。

优选的，所述喷雾装置包括喷雾管、喷雾喷嘴、水箱、水泵，电力电源、温度传感器、湿度传感器以及智能数显温湿度控制器；所述喷雾管设置于所述后屋面的内侧面上，所述喷雾喷嘴设置于所述喷雾管上且朝向所述后墙的内墙面上的铁皮石斛，所述喷雾管通过管道与所述水泵的出水口连通，所述水泵的进水口通过管道与所述水箱的出水口连通；所述温度传感器与所述智能数显温湿度控制器电连接且所述温度传感器设置于所述后墙的内墙面上以用于检测所述后墙的内墙面附近的环境温度；所述湿度传感器与所述智能数显温湿度控制器电连接且所述湿度传感器设置于所述后墙的内墙面上以用于检测所述后墙的内墙面附近的环境湿度；所述水泵与所述智能数显温湿度控制器电连接；所述水泵、温度传感器、湿度传感器以及智能数显温湿度控制器均与电力电源电连接。

优选的，所述后墙的内墙面上的上下相邻两根铁丝之间的竖直间距为20cm～30cm。

优选的，两盆栽培钵的横向间距为15～20cm。

本发明的有益效果是：

1)本发明利用带土墙日光温室后墙种植铁皮石斛，冬季光照相对户外较弱，夏季覆盖黑色遮阳网，就能满足铁皮石斛对光照的要求。日光温室内周年温度在13℃-40℃之间，湿度保持在65％以上，夜间湿度甚至可达100％，夏季采用喷雾的方式，完全可以满足铁皮石斛生长的温度、湿度需要。在不影响主栽蔬菜生长的情况下，可以增加农民收入。

2)北方地区必须在设施内种植铁皮石斛，为种植铁皮石斛构建栽培场地或栽培架等基础设施投入大，必然导致生产成本高。而日光温室后墙由于光照不好，目前后墙都是空着的。本发明利用正常进行蔬菜生产的日光温室后墙种石斛，冬季温度可达13℃以上，夏季覆盖遮阳网，大通风的情况下可以控制在35℃以下，可以进行铁皮石斛栽培，不需额外建造铁皮石斛种植设施。同时相对于通常的日常温室，本发明可以增加一茬作物，做到了闲置资源的合理利用的作用。

3)在正常进行蔬菜生产时，日光温室内湿度较大，蔬菜栽培季节湿度保持在65％以上，冬季夜间湿度可达100％，甚至形成凝露。由于冬季湿度大，气温低，不能通风排湿，因此日光温室蔬菜生产容易产生病害。本发明采用水苔作为基质，水苔保水性好，但是水苔过湿容易烂根，用水苔在日光温室里种植，在冬季生产中，一次浇透水后，由于日光温室内湿度很大，水苔可以几乎不用浇水也不需要喷雾增湿，靠石斛和水苔吸收日光温室内湿气，即可达到石斛的湿度要求。因此，本发明在正常进行蔬菜生产时合理利用了水苔和石斛吸收日光温室内的湿气，不仅可以为石斛提供合适的湿度，节省了单独栽培石斛时需要时常喷雾增湿、对基质浇水的工作。同时还起到了降低日光温室内空气湿度，以减少病害的发生，利于主栽蔬菜的生长，起到减少农药用量的作用。

4)在正常进行蔬菜生产时，日光温室大棚内主栽蔬菜夜间进行呼吸作用，会吸收氧气放出二氧化碳，而铁皮石斛夜间进行景天酸代谢，吸收固定二氧化碳，白天进行利用，因此，铁皮石斛和主栽蔬菜一同种植，即可以促进铁皮石斛的生长，白天也不会和主栽蔬菜争夺二氧化碳，确保主栽蔬菜的正常生长。铁皮石斛一次种植，可连续采收4-5年，不需耗费很多人工。

总之，本发明采用在日光温室的后墙种植石斛结合水苔基质，既充分利用了日光温室温度、湿度适宜，光照相对较弱的特性，也利用并消耗了日光温室产生的对蔬菜种植不利的湿气，夜间主栽蔬菜的暗呼吸释放的二氧化碳可以被铁皮石斛固定，促进了铁皮石斛的生长；同时本发明还充分利用了日光温室平时闲置的后墙，既节省了石斛栽培设施的资金投入，又给日光温室增加了一茬作物，从而达到了蔬菜种植和石斛栽培共赢的效果。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种铁皮石斛的栽培设施的结构示意图。图中：1铁丝，2栽培钵，3铁环，4挂钩，5后墙，6喷雾管，7喷雾喷嘴，8地面，9后屋面。

图2为枝条直立性好的铁皮石斛；

图3为水平枝条较多的铁皮石斛。

具体实施方式

如图1所示，一种铁皮石斛的栽培设施，包括日光温室、铁丝1、栽培钵2、悬挂钩、喷雾装置以及黑色的遮阳网；所述日光温室包括土质的后墙5、两个侧墙、后屋面9以及塑料棚膜；所述铁丝1沿所述后墙5的长度方向固定在所述后墙5的内墙面上，且在所述后墙5的内墙面上从上到下设置有多条铁丝1；所述栽培钵2用于盛装铁皮石斛以及栽培基质；所述悬挂钩包括铁环3以及设置在所述铁环3上的挂钩4，所述悬挂钩钩挂在所述铁丝1上；所述栽培钵2嵌设在所述铁环3中且所述栽培钵2通过所述悬挂钩悬挂在所述铁丝1上；所述喷雾装置中的喷雾喷嘴7设置在所述后屋面9的内侧面上以用于对悬挂在所述后墙5的内墙面上的铁皮石斛进行喷雾增湿降温；所述遮阳网可拆卸地设置于所述日光温室上以用于代替塑料棚膜或覆盖塑料棚膜调节光照。

日光温室中的地面通常比日光温室外的正常地面8低0.8m。

在本申请的一个实施例中，所述后墙5的内墙面上的上下相邻两根铁丝1之间的竖直间距为20cm～30cm。

本申请利用正常进行蔬菜生产的日光温室的后墙5栽培铁皮石斛，可以增加一茬作物。

日光温室内后墙光照相对较弱，满足铁皮石斛的生长需要。夏季日光温室主栽蔬菜收获后，可除去塑料棚膜或将靠近地面的塑料棚膜掀起至日光温室的下通风口处，距离地面约1m左右，然后用黑色的遮阳网覆盖棚体，棚内光照强度可下降到1万lux左右，可以满足铁皮石斛的生长需要，帮助后墙5上的铁皮石斛度过炎热的夏季，待秋季主栽蔬菜定植时撤去遮阳网。

日光温室内由于种植蔬菜，可以保证棚内湿度很大，平时不需要使用喷雾装置，待主栽蔬菜收获后，单独只种铁皮石斛的话(夏季休闲季)，喷雾增湿是必须的，需要使用喷雾装置的。在本申请的一个实施例中，所述喷雾装置包括喷雾管6、喷雾喷嘴7、水箱、水泵，电力电源、温度传感器、湿度传感器以及智能数显温湿度控制器；所述喷雾管6设置于所述后屋面9的内侧面上，所述喷雾喷嘴7设置于所述喷雾管6上且朝向所述后墙5的内墙面上的铁皮石斛，所述喷雾管6通过管道与所述水泵的出水口连通，所述水泵的进水口通过管道与所述水箱的出水口连通；所述温度传感器与所述智能数显温湿度控制器电连接且所述温度传感器设置于所述后墙5的内墙面上以用于检测所述后墙5的内墙面附近的环境温度；所述湿度传感器与所述智能数显温湿度控制器电连接且所述湿度传感器设置于所述后墙5的内墙面上以用于检测所述后墙5的内墙面附近的环境湿度；所述水泵与所述智能数显温湿度控制器电连接；所述水泵、温度传感器、湿度传感器以及智能数显温湿度控制器均与电力电源电连接。

实施例2

1、品种选育

选择枝条直立性好的铁皮石斛类型。由于生产成本所限，目前种植的铁皮石斛多为种子实生苗，后代个体存在差异。选择枝条直立性好的遗传群体(图2)，方便管理采收；尽量不选择水平枝条较多的群体(图3)，个体之间彼此交错较多，容易折断枝条。

2、栽培设施

选择带土墙的日光温室后墙，主要为冬季种植黄瓜、番茄、西葫芦中的至少一种的日光温室，搭建如图1所示的栽培设施。相邻两根铁丝1之间的竖直间距为20cm～30cm，两盆栽培钵的横向间距为15～20cm，设有包括喷雾管、喷雾喷嘴、水箱、水泵，电力电源、温度传感器、湿度传感器以及智能数显温湿度控制器的喷雾装置。一般占地1亩的日光温室后墙为500m²左右，可栽培8000株左右铁皮石斛。

3、栽培基质筛选

现有文献报道的铁皮石斛栽培基质为树皮、石块等，该基质保水性差，浇水频率较高，且常用基质多为混合基质，基质混配和浇水需要耗费大量人工。本申请拟用水苔作为种植铁皮石斛的单一基质，水苔的理化性状如下1。可见水苔的保水性明显好于树皮和树皮石块混合物。除夏季采用喷雾方式保湿外，在蔬菜栽培季节，由于棚内湿度一般较大，浇水次数非常少。当环境湿度小于65％，且基质缓慢干透后再浇透基质。

表1不同栽培基质的保水性及容重

基质类型	保水性(％)	容重(g/cm-3)
			水苔	31.63	0.02
树皮与石块混合	3.92	0.94
			树皮	4.53	0.09

4、石斛栽培

除夏季外，铁皮石斛组培苗长至6-8片叶时可炼苗移栽；将组培苗根部培养基洗净，定植在装满湿润水苔的2.5寸培养钵中，待完全缓苗后，每盆放5克缓释肥(N：P：K＝14：14：14)，待叶片伸长，开始长新叶时转移至日光温室后墙栽培架上。在正常进行蔬菜生产的冬、春、秋季，铁皮石斛依靠水苔吸收的日光温室内湿气及高湿环境，浇水次数很少，当湿度低于65％，且水苔基质干透后，再浇透基质。夏季日光温室主栽蔬菜收获后至下一季主栽培蔬菜定植前，通过喷雾装置喷雾以满足石斛的湿度要求，并起到降温作用。整个生长季每年在每盆培养钵中添加5g缓释肥即可满足铁皮石斛生长的需要。

5、夏季光照控制

在正常进行蔬菜生产的冬、春、秋季，大棚内后墙光照强度较弱，温度13℃-35℃，满足铁皮石斛的光照和温度要求。夏季日光温室主栽蔬菜收获后，可除去塑料布或将靠近地面的塑料布掀起至温室下通风口处，用黑色遮阳网覆盖棚体。棚内光照强度下降到1万lux以内，可以满足铁皮石斛的生长需要，帮助后墙上的铁皮石斛度过炎热的夏季。待秋季主栽蔬菜定植时撤去遮阳网，盖上塑料棚膜或者继续使用上年的塑料棚膜。夏季覆盖遮阳网，避免强光照直射，也可以延长塑料棚膜的使用寿命。

表2 7.15-8.15午后2：00日光温室后墙与户外光照统计平均值

	日光温室后墙平均光强(lux)	户外平均光强(lux)
			7.15-7.25	9620.0	71700.0
7.26-8.5	9680.75	73000.0
			8.6-8.15	9650.45	72300.0

6、铁皮石斛的收获

铁皮石斛种植一年后，二年生枝条长至15cm以上时皆可采收，可连续采收3-4年，一般5年左右的植株生活力下降，需更换新的植株。铁皮石斛在日光温室后墙上可周年生长，且由于铁皮石斛生长速度比较慢，市场价格好时可随时采收。铁皮石斛第二年开始收获，第三年产量最高，第四年、第五年略减，亩产差异很大，一般为250-500kg/亩·年。

日光温室后墙栽培的铁皮石斛的营养成分如表3所示。

表3水苔栽培的铁皮石斛的营养成分表

	总生物碱(％)	总氨基酸(％)	总多糖(％)
				铁皮石斛	0.029	4.822	5.283

因此，采用本发明方法种植铁皮石斛，在铁皮石斛的产量、质量没有影响的情况下，既节省了石斛栽陪设施的资金投入，又给日光温室增加了一茬作物，从而达到了蔬菜种植和铁皮石斛栽培共赢的效果。

Claims (10)

1.一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法，其特征是，选择土质后墙的日光温室，在后墙上悬挂栽培钵，栽培钵中装有水苔基质，在栽培钵中栽培铁皮石斛。

2.如权利要求1所述的一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法，其特征是，在正常进行蔬菜生产时，利用日光温室本身的条件来满足铁皮石斛生长的光照、温度和湿度要求；夏季日光温室主栽培蔬菜收获后至下一季主栽培蔬菜定植前的夏季休闲季时，采用日光温室覆盖黑色遮阳网+对铁皮石斛喷雾的方式来满足铁皮石斛生长的光照、温度和湿度要求。

3.如权利要求2所述的一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法，其特征是，在夏季日光温室主栽培蔬菜收获后至下一季主栽培蔬菜定植前的夏季休闲季时，日光温室的棚体去掉塑料棚膜，或者把塑料棚膜从地面掀起至日光温室的下通风口处，保持大通风，然后采用黑色遮阳网覆盖棚体，同时通过对铁皮石斛喷雾的方式以满足铁皮石斛的湿度要求。

4.如权利要求2所述的一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法，其特征是，在铁皮石斛栽培过程中对水苔基质进行一次浇透水后，当铁皮石斛的生长环境湿度<65％且基质干透后再浇透基质。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法，其特征是，所述日光温室为冬季种植黄瓜、番茄、西葫芦中的一种或多种的日光温室。

6.如权利要求1-4中任意一项所述的一种利用日光温室后墙栽培铁皮石斛的方法，其特征是，所述铁皮石斛为枝条直立性好的铁皮石斛。

7.一种与权利要求2-4的方法配套使用的栽培设施，它包括日光温室、铁丝、栽培钵、悬挂钩、喷雾装置以及黑色的遮阳网；所述日光温室包括土质的后墙、两个侧墙、后屋面以及塑料棚膜；所述铁丝沿所述后墙的长度方向固定在所述后墙的内墙面上，且在所述后墙的内墙面上从上到下设置有多条铁丝；所述栽培钵用于盛装铁皮石斛以及栽培基质；所述悬挂钩包括铁环以及设置在所述铁环上的挂钩，所述悬挂钩钩挂在所述铁丝上；所述栽培钵嵌设在所述铁环中且所述栽培钵通过所述悬挂钩悬挂在所述铁丝上；所述喷雾装置中的喷雾喷嘴设置在所述后屋面的内侧面上以用于对悬挂在所述后墙的内墙面上的铁皮石斛进行喷雾增湿降温；所述遮阳网可拆卸地设置于所述日光温室上以用于代替塑料棚膜或覆盖塑料棚膜调节光照。

8.如权利要求7所述的栽培设施，其特征是，所述喷雾装置包括喷雾管、喷雾喷嘴、水箱、水泵，电力电源、温度传感器、湿度传感器以及智能数显温湿度控制器；所述喷雾管设置于所述后屋面的内侧面上，所述喷雾喷嘴设置于所述喷雾管上且朝向所述后墙的内墙面上的铁皮石斛，所述喷雾管通过管道与所述水泵的出水口连通，所述水泵的进水口通过管道与所述水箱的出水口连通；所述温度传感器与所述智能数显温湿度控制器电连接且所述温度传感器设置于所述后墙的内墙面上以用于检测所述后墙的内墙面附近的环境温度；所述湿度传感器与所述智能数显温湿度控制器电连接且所述湿度传感器设置于所述后墙的内墙面上以用于检测所述后墙的内墙面附近的环境湿度；所述水泵与所述智能数显温湿度控制器电连接；所述水泵、温度传感器、湿度传感器以及智能数显温湿度控制器均与电力电源电连接。

9.如权利要求7所述的栽培设施，其特征是，所述后墙的内墙面上的上下相邻两根铁丝之间的竖直间距为20cm～30cm。

10.如权利要求7所述的栽培设施，其特征是，两盆栽培钵的横向间距为15～20cm。