CN107293831A - 谐振器及滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种谐振器，包括第一支线、第二支线及连接所述第一支线和所述第二支线的连接部，所述第一支线与所述第二支线之间以空隙间隔，所述第一支线与所述第二支线以所述连接部为起始位置并行延伸，形成未封闭的包围结构，并使所述连接部位于所述包围结构内部。所述谐振器可避免磁场最强的部位直接暴露，可避免不相邻两谐振器之间的耦合，提高滤波器的性能。本发明还公开一种具有所述谐振器的滤波器。

Description

谐振器及滤波器

技术领域

本发明涉及通信领域，尤其涉及一种谐振器及具有该谐振器的滤波器。

背景技术

滤波器具有选频功能，即允许所需频率的信号通过，而抑制不需要的频率的信号通过，是微波通信领域里极为重要的元件，被广泛应用于移动通信、卫星通信、雷达及其它微波通信领域。滤波器通常由谐振器组成，微带线谐振器的级联组合是实现带通滤波器的功能的一种重要形式。其中，有一种常用且结构比较简单的谐振器，请参阅图1，该种类型的谐振器由单一直线型微带线形成，即：以中间部位20′为弯折部位，使微带线形成对折结构，再将对折后的微带线对折，微带线的两端10′为开路状态，形成如图1所示的谐振器结构。将两个此种结构的谐振器进行组合，形成耦合结构，一组或多组谐振器进行组合就能实现一个带通滤波器的功能。

然而，在该结构的谐振器中，微带线的中间部位20′的磁场最强，微带线的两端10′的电场最强，且整条微带线的线宽都相同。在组合成滤波器时，由于磁场最强处的中间部位直接暴露，因此，导致不相邻谐振器之间也存在较强的磁场耦合，致使滤波器出现不必要的交叉耦合，降低滤波器对通带外的干扰信号的抑制能力，导致滤波器的性能下降。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种谐振器，所述谐振器可避免磁场最强的部位直接暴露，可避免不相邻两谐振器之间的耦合，提高滤波器的性能。

为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一方面，本发明提供一种谐振器，包括第一支线、第二支线及连接所述第一支线和所述第二支线的连接部，所述第一支线与所述第二支线之间以空隙间隔，所述第一支线与所述第二支线以所述连接部为起始位置并行延伸，形成未封闭的包围结构，并使所述连接部位于所述包围结构内部。

其中，所述包围结构包括依次连接的第一延伸部、第二延伸部、第三延伸部、第四延伸部及第五延伸部，所述第一延伸部与所述连接部连接，所述第三延伸部与所述第五延伸部之间形成空隙以容纳所述连接部及所述第一延伸部，所述第一延伸部及所述第三延伸部均位于所述第二延伸部与所述第四延伸部之间。

其中，所述第三延伸部包括依次连接的第一子部、第二子部、第三子部、第四子部及第五子部，所述第一子部与所述第二延伸部连接，所述第一子部和所述第五子部位于同一直线上，且平行于所述第五延伸部，所述第二子部垂直于所述第一子部，所述第二子部及所述第四子部相互平行，且并行向所述第五延伸部所在的一侧延伸，与所述第三子部形成相对于所述第一子部和所述第五子部向所述第五延伸部所在的一侧弯曲的凹陷结构。

其中，所述第一延伸部与所述第五延伸部相互平行，所述第二延伸部与所述第四延伸部相互平行，所述第一延伸部与所述第二延伸部相互垂直。

其中，所述第一支线的对应于所述第一延伸部、所述第二子部及所述第四子部的部位的线宽及所述第二支线的对应于所述第五延伸部的部位的线宽与所述谐振器的其余部位的线宽不同。

其中，所述第一支线的对应于所述第一延伸部、所述第二子部及所述第四子部的部位的线宽在0.1mm至0.18mm的范围内，所述第二支线的对应于所述第五延伸部的部位的线宽在0.1mm至0.18mm的范围内，所述谐振器的其余部位的线宽小于或等于0.1mm。

另一方面，本发明提供一种滤波器，包括基片及多个以上任一项所述的谐振器，所述谐振器设置于所述基片上，多个所述谐振器均置于同一直线上，且相邻的两个所述谐振器镜像对称。

其中，所述基片的相对介电常数在22至24的范围内，所述基片的厚度在0.4mm至0.6mm的范围内。

其中，所述基片为LaAlO₃。

其中，所述谐振器的数目在2个至18个的范围内。

与现有技术相比，本发明的技术方案至少具有以下有益效果：

本发明的技术方案中，由于谐振器包括第一支线、第二支线及连接所述第一支线和所述第二支线的连接部，所述第一支线与所述第二支线之间以空隙间隔，所述第一支线与所述第二支线以所述连接部为起始位置并行延伸，形成未封闭的包围结构，并使所述连接部位于所述包围结构内部，从而使所述连接部位于所述谐振器的内部，而不暴露于所述谐振器的外侧，减少磁场最强的所述连接部与不相邻的谐振器之间的耦合，从而避免不必要的交叉耦合，提高所述谐振器对通带外的干扰信号的抑制能力，从而提高所述谐振器的性能；

又由于所述第三延伸部的第二子部及第四子部相互平行，且均向所述第五延伸部所在的一侧延伸，与所述第三子部形成相对于所述第一子部和所述第五子部向所述第五延伸部所在的一侧弯曲的凹陷结构，由此可以缩小第三延伸部的外形尺寸，因此，所述谐振器相对于现有技术中谐振器的尺寸更小，有利于滤波器的小型化；

此外，由于所述第一支线的对应于所述第一延伸部、所述第二子部及所述第四子部的部位的线宽及所述第二支线的对应于所述第五延伸部的部位的线宽与所述谐振器的其余部位的线宽不同，因此，所述谐振器的各部位的阻抗不相同，可形成阶梯阻抗，从而可使滤波器的阻带变宽。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的变形形式。

图1是现有技术中谐振器的结构示意图；

图2是本发明的实施例中谐振器的结构示意图；

图3是本发明的实施例中相邻两个谐振器之间形成电场耦合的耦合结构示意图；

图4是本发明的实施例中相邻两个谐振器之间形成磁场耦合的耦合结构示意图；

图5是本发明的实施例中滤波器的谐振器的拓扑结构示意图；及

图6是根据表1给出的耦合系数进行仿真所得的仿真结果图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本发明，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。若本说明书中出现“工序”的用语，其不仅是指独立的工序，在与其它工序无法明确区别时，只要能实现该工序所预期的作用则也包括在本用语中。另外，本说明书中用“ˉ”表示的数值范围是指将“ˉ”前后记载的数值分别作为最小值及最大值包括在内的范围。在附图中，结构相似或相同的单元用相同的标号表示。

请参阅图2，图2是本发明的实施例中谐振器的结构示意图。本发明的实施例中，所述谐振器1包括第一支线10、第二支线20及连接所述第一支线10和所述第二支线20的连接部30，所述第一支线10、所述第二支线20及所述连接部30形成一条微带线，所述连接部30位于所述微带线的中间位置，可以理解的是，根据设计需要，所述连接部30还可以位于靠近所述微带线的中间位置的部位。具体地，所述第一支线10与所述第二支线20之间以空隙间隔，所述第一支线10与所述第二支线20以所述连接部30为起始位置并行延伸，形成未封闭的包围结构，并使所述连接部30位于所述包围结构内部。所述第一支线10位于所述包围结构的内边缘，所述第二支线20位于所述包围结构的外边缘。

所述谐振器可以由超导薄膜制备而得。

具体地，所述第一支线10与所述第二支线20均以所述连接部30为起始位置并行延伸，即所述第一支线10的延伸方向与所述第一支线10的延伸方向相同，并形成依次连接的第一延伸部100、第二延伸部200、第三延伸部300、第四延伸部400及第五延伸部500，以使所述第三延伸部300与所述第五延伸部500之间形成空隙以容纳所述连接部30及所述第一延伸部100，即：所述第一延伸部100及所述连接部30收容于所述第三延伸部300与所述第五延伸部500之间。所述第一延伸部100与所述连接部30相连。所述连接部30、第一延伸部100及所述第三延伸部200均位于所述第二延伸部200与所述第四延伸部400之间，换句话说，所述连接部30被所述第三延伸部300、所述第五延伸部500及所述第二延伸部200所包围，从而使磁场最强的所述连接部30不直接暴露于所述谐振器1外侧，从而防止避免或减小其与不相邻谐振器之间的耦合，避免不必要的交叉耦合，提高由所述谐振器1组合而成的滤波器对通带外的信号干扰的抑制能力。

显然，第一延伸部100、第二延伸部200、第三延伸部300、第四延伸部400及第五延伸部500中均包括第一支线10的其中一部分及第二支线20的其中一部分。

所述第二延伸部200所在的直线与所述第一延伸部100所在的直线成一夹角，即所述第二延伸部200与所述第一延伸部100不在同一直线上，可以形成锐角、钝角或直角。优选地，所述第二延伸部200与所述第一延伸部100之间形成直角。

优选地，所述第一延伸部100、所述第三延伸部300及所述第五延伸部500相互平行，所述第二延伸部200与所述第四延伸部400相互平行，所述第一延伸部100与所述第二延伸部200相互垂直。

所述第五延伸部500为直线段，其末端处于开路状态，使用过程中，所述第五延伸部500的开路端的电场最强。

进一步地，仍然请参阅图2，所述第三延伸部300包括依次连接的第一子部310、第二子部320、第三子部330、第四子部340及第五子部350，所述第一子部310与所述第二延伸部200连接，所述第五子部350与所述第四延伸部400连接，所述第一子部310和所述第五子部350位于同一直线上，并且平行于所述第五延伸部500。所述第二子部320及所述第四子部340相互平行且垂直于所述第一子部310。所述第二子部320从所述第一子部310向所述第五延伸部500所在的一侧延伸，与连接于所述第二子部320和所述第四子部340之间的所述第三子部330一起，形成相对于所述第一子部310和所述第五子部350向所述第五延伸部500所在的一侧弯曲的凹陷结构，即：所述谐振器1的一部分弯折到整个谐振器1的内部，从而使一部分线长隐藏于所述谐振器1内，使所述谐振器的外形尺寸变小，有利于滤波器的小型化。例如，在谐振器的总长相同的情况下，现有技术中的谐振器的外形尺寸为0.8mm×4.3mm，而通过采用本实施例中的谐振器的结构可以使得外形尺寸变为1.1mm×2.7mm。所述第三子部330平行于所述第五延伸部，并垂直于所述第二子部320和所述第四子部340。

图2中的虚线表示第一延伸部100、第二延伸部200、第三延伸部300、第四延伸部400、第五延伸部500之间以及第三延伸部300的第一子部310、第二子部320、第三子部330、第四子部340及第五子部350之间的界线。

所述第一支线10的对应于所述第一延伸部100、所述第二子部320及所述第四子部340的部位的线宽，以及所述第二支线20的对应于所述第五延伸部500的部位的线宽，与所述谐振器1的其余部位的线宽不同。例如，所述第一支线10的对应于所述第一延伸部100、所述第二子部320及所述第四子部340的部位的线宽在0.1mm至0.18mm的范围内，所述第二支线20的对应于所述第五延伸部500的部位的线宽在0.1mm至0.18mm的范围内，所谐振器1的其余部位的线宽小于或等于0.1mm。具体地，所述第一支线10的对应于所述第一延伸部100、所述第二子部320及所述第四子部340的部位的线宽可以是0.1mm至0.18mm的范围内的某一数值，例如，所述第一支线10的对应于所述第一延伸部100、所述第二子部320及所述第四子部340的部位的线宽为0.15mm；也可以是，所述第一支线10的对应于所述第一延伸部100、所述第二子部320及所述第四子部340的部位的线宽均由0.1mm逐渐变大为0.18mm。如此，使得所述谐振器1的各个部位的阻抗不同，形成不同的阻抗比，从而形成阶梯阻抗，实现滤波器的宽阻带。

将所述谐振器1在仿真软件中进行电流仿真可验证，所述第五延伸部500的电流最弱，利用两个所述谐振器1的电流最弱的部位可实现强电场耦合；所述连接部30是所述谐振器1中电路最强的部位，电流最强的部位(即连接部30)已经被弯曲进谐振器1内部，即所述连接部30被所述第三延伸部300、所述第五延伸部500及所述第二延伸部200所包围，从而使谐振器1外侧的磁场耦合减弱，因而可以较好的避免不相邻谐振器之间不必要的交叉耦合。采用全波电池仿真软件仿真得到的结果显示，将不相邻的两个谐振器间的耦合缝宽(即两谐振器之间的距离)设定为一个谐振器的宽度时，现有技术中所述不相邻的两个谐振器之间的耦合系数为0.0098，而采用本实施中谐振器的结构时，所述不相邻的两个谐振器之间的耦合系数为0.0022，可见，本实施例中所述谐振器的结构可以避免或减小不相邻两个谐振器之间的耦合。

请参阅图3，图3是本发明的实施例中相邻两个谐振器之间形成电场耦合的耦合结构示意图。若要采用所述谐振器1设计强的电场耦合，则相邻两个所述谐振器1的第五延伸部500相对设置，即一个谐振器1的第五延伸部500靠近且正对着另一谐振器1的第五延伸部500，且两者之间有一定的距离s₁。由于所述第五延伸部500的电场强度最大，相邻两个所述谐振器1的第五延伸部500相对设置且相互靠近，因此，可以形成强的电场耦合，并且，通过调节相邻两个所述谐振器1之间的距离s₁，可以得到不同的耦合系数k₁。例如，s₁＝0.1mm时，耦合系数k₁＝0.03821；s₁＝0.6mm时，耦合系数k₁＝0.00329。由仿真结果来看，耦合系数k₁相邻两个所述谐振器1之间的距离s₁的增大而减小。

请参阅图4，图4是本发明的实施例中相邻两个谐振器之间形成磁场耦合的耦合结构示意图。若以图4的方式放置两个相邻的所述谐振器1，可以使相邻两个所述谐振器1之间形成磁场耦合，即：将其中一个所述谐振器1的第三延伸部300正对另一个所述谐振器1的第三延伸部300，可以使相邻两个所述谐振器1之间形成磁场耦合。通过调节相邻两个所述谐振器1之间的距离s₂，可以得到不同的耦合系数k₂。由仿真结果来看，耦合系数k₂相邻两个所述谐振器1之间的距离s₂的增大而减小。

综上所述，在本实施例中，由于谐振器包括第一支线、第二支线及连接所述第一支线和所述第二支线的连接部，所述第一支线与所述第二支线之间以空隙间隔，所述第一支线与所述第二支线以所述连接部为起始位置并行延伸，形成未封闭的包围结构，并使所述连接部位于所述包围结构内部，即所述连接部位于所述谐振器的内部，而不暴露于所述谐振器的外侧，避免磁场最强的所述连接部与不相邻的谐振器之间的耦合，从而避免不必要的交叉耦合，提高所述谐振器对通带外的干扰信号的抑制能力，从而提高所述谐振器的性能；

又由于所述第三延伸部的第二子部及第四子部相互平行，且均向所述第五延伸部所在的一侧延伸，与连接于所述第二子部和所述第四子部之间的所述第三子部，形成相对于所述第一子部和所述第五子部向所述第五延伸部所在的一侧弯曲的凹陷结构，由此可以缩小第三延伸部的高度，因此，所述第三延伸部相对于现有技术中谐振器的尺寸更小，有利于滤波器的小型化；

此外，由于所述第一支线的对应于所述第一延伸部、所述第二子部及所述第四子部的部位的线宽及所述第二支线的对应于所述第五延伸部的部位的线宽与所述谐振器的其余部位的线宽不同，因此，所述谐振器的各部位的阻抗不相同，可形成阶梯阻抗，从而可使滤波器的阻带变宽。

本发明的实施例还提供一种滤波器，请参阅图5，图5是本发明的实施例中滤波器的谐振器的拓扑结构示意图。所述滤波器包括基片510及设置于所述基片510上的如以上实施例中所述的谐振器1，多个所述谐振器1均置于同一直线上，形成所述谐振器1的拓扑结构，且相邻的两个所述谐振器1的第三延伸部的朝向相反，即相邻的两个所述谐振器1呈镜像对称。每两个所述谐振器形成一组，每一组内的两个所述谐振器的所述第五延伸部相对设置。优选地，所述谐振器的数目可以在2个至18个的范围内。每两个所述谐振器1形成一组，每一组内的两个所述谐振器1的所述第五延伸部500相对设置。

通过调整相邻两个所述谐振器1之间的距离可以调整所述滤波器的通带带宽。

请一并参阅图2和图5，在一个实施方式中，所述滤波器包括12个所述谐振器1，形成12级滤波器。为了便于叙述，对12个所述谐振器1进行编号，例如，第一个所述谐振器的编号为101，第二个所述谐振器的编号为102，依此类推，第十二个所述谐振器的编号为1012。所述滤波器还包括输入端520和输出端540，所述输入端520通过输入馈线530连接到第一个所述谐振器101的第三延伸部300上，第二个所述谐振器102与第一个所述谐振器101并排设置，并使第二个所述谐振器102的第五延伸部500与第一个所述谐振器101的第五延伸部500相对，且相互之间具有一定的距离，所述距离根据设计时所需耦合强度而确定，而耦合强度以耦合系数表示。第三个所述谐振器103与第二个所述谐振器102并排，并使第三个所述谐振器103的第三延伸部300与第二个所述谐振器102的第三延伸部300相对，且两者之间具有一定距离，所述距离由设计时所需要的耦合系数确定。第三个所述谐振器103的朝向与第一个所述谐振器101的朝向相同。第四个所述谐振器104与第三个所述谐振器103并排设置，并使第四个所述谐振器104的第五延伸部500与第三个所述谐振器103的第五延伸部500相对，即第四个所述谐振器104的朝向与第二个所述谐振器102的朝向相同，依此类推，相邻的两个所述谐振器1的朝向相反，最后一个谐振器即第十二个所述谐振器1012与第十一个所述谐振器1011并排，并使第十二个所述谐振器1012的第五延伸部500与第十一个所述谐振器1011的第五延伸部500相对，且两者之间有一定的距离。第十二个所述谐振器1012通过输出馈线550与所述输出端540连接。在本实施例中，排序为奇数的谐振器的各自的朝向相同，排序为偶数的谐振器各自的朝向相同，从而使相邻两个谐振器之间的电场耦合强，同时避免不相邻两个谐振器之间形成不必要的交叉耦合，从而提高所述滤波器的性能。

所述基片的相对介电常数在22至24的范围内，所述基片的厚度在0.4mm至0.6mm的范围内。所述基片可以是LaAlO3。

对于采用相对介电常数为24的基片，基片厚度为0.5mm，导体导电率4.9×10¹²，损耗角正切1×10^-5。利用仿真软件初步综合出满足设计指标的滤波器的阶数(即谐振器的数目)、相应的耦合系数及外部品质因素Q_e。表1中给出了12级滤波器的耦合系数及外部品质因素Q_e。相应的仿真结果如图6所示。

表1 12级滤波器的耦合系数

图6所示的仿真结果显示所述12滤波器的通带带宽为80MHz，中心频率为3GHz(S波段)，通带内反射S(1,1)＜-20dB，S(2,1)＜0.1dB，带外抑制在2.8～2.94GHz及3.06～3.2GHz，均大于70dB。以上仿真结果表明本实施例的滤波器可实现宽阻带要求，滤波器性能理想。

本实施例中，由于多个所述谐振器均置于同一直线上，且相邻的两个所述谐振器的朝向相反，从而使相邻两个谐振器之间的电场耦合强，同时避免不相邻两个谐振器之间形成不必要的交叉耦合，从而提高所述滤波器的性能。

由于所述滤波器采用了前面所述的谐振器，而所述谐振器的外形尺寸比现有技术中的谐振器的外形尺寸小，从而缩小了所述滤波器的尺寸。

由于所述谐振器的所述第一支线的对应于所述第一延伸部、所述第二子部及所述第四子部的部位的线宽及所述第二支线的对应于所述第五延伸部的部位的线宽与所述谐振器的其余部位的线宽不同，因此，所述谐振器的各部位的阻抗不相同，可形成阶梯阻抗，从而使所述滤波器的阻带变宽，即实现了滤波器的宽阻带。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种谐振器，其特征在于，包括第一支线、第二支线及连接所述第一支线和所述第二支线的连接部，所述第一支线与所述第二支线之间以空隙间隔，所述第一支线与所述第二支线以所述连接部为起始位置并行延伸，形成未封闭的包围结构，并使所述连接部位于所述包围结构内部。

2.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述包围结构包括依次连接的第一延伸部、第二延伸部、第三延伸部、第四延伸部及第五延伸部，所述第一延伸部与所述连接部连接，所述第三延伸部与所述第五延伸部之间形成空隙以容纳所述连接部及所述第一延伸部，所述第一延伸部及所述第三延伸部均位于所述第二延伸部与所述第四延伸部之间。

3.如权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述第三延伸部包括依次连接的第一子部、第二子部、第三子部、第四子部及第五子部，所述第一子部与所述第二延伸部连接，所述第一子部和所述第五子部位于同一直线上，且平行于所述第五延伸部，所述第二子部垂直于所述第一子部，所述第二子部及所述第四子部相互平行，且并行向所述第五延伸部所在的一侧延伸，与所述第三子部形成相对于所述第一子部和所述第五子部向所述第五延伸部所在的一侧弯曲的凹陷结构。

4.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，所述第一延伸部与所述第五延伸部相互平行，所述第二延伸部与所述第四延伸部相互平行，所述第一延伸部与所述第二延伸部相互垂直。

5.如权利要求3述的谐振器，其特征在于，所述第一支线的对应于所述第一延伸部、所述第二子部及所述第四子部的部位的线宽及所述第二支线的对应于所述第五延伸部的部位的线宽与所述谐振器的其余部位的线宽不同。

6.如权利要求4述的谐振器，其特征在于，所述第一支线的对应于所述第一延伸部、所述第二子部及所述第四子部的部位的线宽在0.1mm至0.18mm的范围内，所述第二支线的对应于所述第五延伸部的部位的线宽在0.1mm至0.18mm的范围内，所述谐振器的其余部位的线宽小于或等于0.1mm。

7.一种滤波器，其特征在于，包括基片及多个如权利要求1至6任一项所述的谐振器，所述谐振器设置于所述基片上，多个所述谐振器均置于同一直线上，且相邻的两个所述谐振器镜像对称。

8.如权利要求7所述的滤波器，其特征在于，所述基片的相对介电常数在22至24的范围内，所述基片的厚度在0.4mm至0.6mm的范围内。

9.如权利要求8所述的滤波器，其特征在于，所述基片为LaAlO₃。

10.如权利要求7至9任一项所述的滤波器，其特征在于，所述谐振器的数目在2个至18个的范围内。