CN107291293A - 触摸屏的触摸扫描方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开触摸屏的触摸扫描方法，触摸屏包含呈阵列分布的多个自容式电极，每个自容式电极与至少一条触控信号线电连接，触摸扫描包括多个触控扫描周期，各触控扫描周期至少包括第一触控阶段和第二触控阶段，扫描方法包括：在第一触控阶段，通过触控信号线对至多一半数量的自容式电极进行触控检测，获取电容变化量最大的自容式电极，电容变化量最大的自容式电极为第一自容式电极；在第二触控阶段，通过触控信号线对第一自容式电极及第一自容式电极周围的多个自容式电极进行触控检测。如此，对自容式电极进行检测的过程中被检测的自容式电极的数量大大减小，因此有利于降低触摸屏在触控过程中的功耗，进而有利于降低触摸屏的整体功耗。

Description

触摸屏的触摸扫描方法
技术领域
本申请涉及触摸屏技术领域，具体地说，涉及一种触摸屏的触摸扫描方法。
背景技术
近年来，数字信息和无线移动通信的技术快速发展，为达到携带便利、体积轻巧化以及操作人性化的目的，许多电子信息产品，如移动电话等的输入方式已由采用传统的键盘或鼠标等装置进行输入转变为使用触控面板作为输入设备，以提升操作的便利性。
触摸屏按照组成结构可以分为：外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，内嵌式触摸屏是将触摸屏的触控电极设置在液晶显示屏的内部，可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到消费者和面板厂商的青睐。触摸屏按照工作原理可分为：电阻式触摸屏和电容式触摸屏等。其中，电容式触摸屏支持多点触控功能，拥有较高的透光率和较低的整体功耗，其接触面硬度高，使用寿命较长。
图1所示为现有技术中包含触控电极阵列的显示面板一种结构示意图，目前，现有的一种电容式内嵌触摸屏是将现有的显示面板300上的公共电极在竖直方向上划分成多块，构成触控电极302阵列，每个触控电极302均通过信号引线303与控制芯片301电连接，通常，触摸检测的过程是控制芯片301向触控电极302发出检测脉冲，然后控制芯片301通过检测信号引线303上的电流变化来计算电容的变化，再判断触控电极302是否发生了触控。通常，在触摸检测的过程中，一帧时间内，每半帧预留8段触控时间，分别为T1～T8，在T1～T3的触控时间段内，对所有触控电极进行触控检测，T4～T8为空闲的预留时间。也就是说，在一帧时间内的6个触控时间段要对所有触控电极进行触控检测，如此造成了触控额外增加的功耗变大，增加了面板的整体功耗。
发明内容
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种触摸屏的触摸扫描方法，有利于降低触摸屏的整体功耗。
为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：
一种触摸屏的触摸扫描方法，所述触摸屏包含呈阵列分布的多个自容式电极，每个所述自容式电极与至少一条触控信号线电连接，触摸扫描包括多个触控扫描周期，各所述触控扫描周期至少包括第一触控阶段和第二触控阶段，所述扫描方法包括：
在所述第一触控阶段，通过所述触控信号线对至多一半数量的所述自容式电极进行触控检测，获取电容变化量最大的自容式电极，所述电容变化量最大的自容式电极为第一自容式电极；
在所述第二触控阶段，通过所述触控信号线对所述第一自容式电极及所述第一自容式电极周围的多个自容式电极进行触控检测。
可选地，其中：
所述第二触控阶段包括多个第二触控子阶段。
可选地，其中：
一个所述触控扫描周期对应1帧显示，其中前半帧显示包括所述第一触控阶段和所述第二触控阶段，后半帧包括第三触控阶段和第四触控阶段。
可选地，其中：
将每帧显示分为8个连续的1/8帧，所述第一触控阶段对应第1个1/8帧，所述第二触控阶段对应第2至4个1/8帧，所述第三触控阶段对应第5个1/8帧，所述第四触控阶段对应第6至8个1/8帧。
可选地，其中：
所述第三触控阶段与所述第一触控阶段相同，所述第四触控阶段与所述第二触控阶段相同。
可选地，其中：
在所述第一触控阶段，对一半数量的所述自容式电极进行触控检测，所述一半数量的所述自容式电极均匀排布在所述触摸屏上。
可选地，其中：
在所述第一触控阶段，对1/3数量的所述自容式电极进行触控检测，所述1/3数量的所述自容式电极均匀排布在所述触摸屏上。
可选地，其中：
所述在所述第一触控阶段，通过所述触控信号线对至多一半数量的所述自容式电极进行触控检测为：通过所述触控信号线向至多一半数量的所述自容式电极发送触控检测信号，并接收所述自容式电极的反馈信号，根据所述反馈信号获取电容变化量最大的自容式电极。
可选地，其中：
述在所述第二触控阶段，通过所述触控信号线对以所述第一自容式电极为中心的多个自容式电极进行触控检测为：通过所述触控信号线对以所述第一自容式电极为中心的m*m个自容式电极发送触控检测信号，并接收m*m个自容式电极的反馈信号，根据所述反馈信号获取精确的触控位置，其中，m为整数，3≤m≤5。
可选地，其中：
所述通过所述触控信号线对以所述第一自容式电极为中心的m*m个自容式电极发送触控检测信号，并接收m*m个自容式电极的反馈信号，根据所述反馈信号获取精确的触控位置为：根据m*m个自容式电极的反馈信号，判断m*m个自容式电极所在区域中电容变化量最大的区域，所述电容变化量最大的区域为所述精确的触控位置。
与现有技术相比，本申请所述的触摸屏的触摸扫描方法，达到了如下效果：
本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中，在检测到触控时，先进行粗略检测，即通过触控信号线对至多一半数量的自容式电极进行触控检测，获得第一自容式电极，该第一自容式电极为所检测的至多一半数量的自容式电极中电容量最大的电极，然后再进行精确检测，即对第一自容式电极及第一自容式电极周围的多个自容式电极进行触控检测，从而得到最终的触控位置。与现有技术中对全部电极进行触摸检测的方法相比，本申请中对自容式电极进行触摸检测时，在粗略检测的过程中仅对至多一半数量的自容式电极进行触控检测，在精确检测的过程中，仅对第一自容式电极及第一自容式电极周围的多个自容式电极进行触控检测，因此，在发生触摸时，对自容式电极进行检测的过程中被检测的自容式电极的数量大大减小，因此有利于降低触摸屏在触控过程中的功耗，进而有利于降低触摸屏的整体功耗。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1所示为现有技术中包含触控电极阵列的显示面板一种结构示意图；
图2所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法的一种流程图；
图3所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中触摸屏的第一种俯视图；
图4所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中触摸屏的第二种俯视图；
图5所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中触控扫描周期的构成示意图；
图6所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中触摸屏的第三种俯视图；
图7所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中触摸屏的第四种俯视图。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
图2所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法的一种流程图，图3所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中触摸屏的第一种俯视图，图4所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中触摸屏的第二种俯视图，图5所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中触控扫描周期的构成示意图。结合图2-图5，本申请提供一种触摸屏的触摸扫描方法，该触摸屏100包含呈阵列分布的多个自容式电极10，每个自容式电极10与至少一条触控信号线30电连接(需要说明的是，图3和图4中仅示意性地示出了几个自容式电极10与触控信号线30的连接关系，并未示出与所有自容式电极10连接的触控信号线30)，其中，触摸扫描包括多个触控扫描周期，各触控扫描周期至少包括第一触控阶段和第二触控阶段，扫描方法包括：
在第一触控阶段，通过触控信号线30对至多一半数量的自容式电极10进行触控检测，获取电容变化量最大的自容式电极，电容变化量最大的自容式电极为第一自容式电极11；
在第二触控阶段，通过触控信号线30对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测。
具体地，本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中，在检测到触控时，先进行粗略检测，即通过触控信号线30对至多一半数量的自容式电极10(图4中标注A的自容式电极10)进行触控检测，获得第一自容式电极11，该第一自容式电极11为所检测的至多一半数量的自容式电极10中电容量最大的电极，然后再进行精确检测，即对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10(图4中标注B的自容式电极10)进行触控检测，从而计算得到最终的触控位置。与现有技术中对全部电极进行触摸检测的方法相比，本申请中对自容式电极10进行触摸检测时，在粗略检测的过程中仅对至多一半数量的自容式电极10进行触控检测，在精确检测的过程中，仅对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测，因此，在发生触摸时，对自容式电极10进行检测的过程中被检测的自容式电极10的数量大大减小，因此有利于降低触摸屏100在触控过程中的功耗，进而有利于降低触摸屏100的整体功耗。需要说明的是，在粗略检测的过程中，检测的至多一半数量的自容式电极10所在的区域包括触摸位置。
可选地，参见图5，本申请中的第二触控阶段包括多个第二触控子阶段。
具体地，请参见图5，本申请通过第二触控阶段对第一触控阶段得到的第一自容式电极11以及该第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测，本申请将第二触控阶段分为多个第二触控子阶段，即T2-T4，通过第二触控子阶段对第一自容式电极11以及该第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行多次触控检测，通过多个第二触控子阶段进行多次触控检测，综合多次触控检测的结果得到的最终触摸位置更加准确，而且多次第二触控子阶段仅对第一自容式电极11以及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测，并不对所有自容式电极10进行触控检测，此种方式有利于降低触摸屏100在触控过程中的功耗，进而有利于降低触摸屏100的整体功耗。
可选地，请继续参见图5，一个触控扫描周期对应1帧显示，其中前半帧显示包括第一触控阶段和第二触控阶段，后半帧包括第三触控阶段和第四触控阶段。
具体地，本申请在1帧显示时间内的前半帧时间包括第一触控阶段，进行粗略检测，对至多一半数量的自容式电极10进行触控检测，获得第一自容式电极11，还包括第二触控阶段，进行精确检测，对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测。如此，在半帧时间内就完成了对触摸屏100的粗略检测和精确检测，相比现有技术中在一帧时间内完成触控检测的方式，本申请的方式更有利于提高触摸检测效率。
可选地，请继续参见图5，将每帧显示分为8个连续的1/8帧，第一触控阶段对应第1个1/8帧(即T1)，第二触控阶段对应第2至4个1/8帧(即T2-T4)，第三触控阶段对应第5个1/8帧(即T5)，第四触控阶段对应第6至8个1/8帧(即T6-T8)。
具体地，本申请在第1个1/8帧的时间内，即T1对应的时间内，进行粗略检测，对至多一半数量的自容式电极10进行触控检测，获得第一自容式电极11；在第2至4个1/8帧的时间内，即T2-T4对应的时间内，进行精确检测，对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测。也就是说，第一触控阶段对应第1个1/8帧的时间，第二触控阶段对应接下来的3个1/8帧的时间，相当于第二触控阶段包括3个第二触控子阶段，即T2-T4，通过3个第二触控子阶段对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行三次触控检测，通过多个第二触控子阶段进行三次触控检测，综合三次触控检测的结果得到的最终触摸位置更加准确。
可选地，图5所示实施例中，第三触控阶段与第一触控阶段相同，第四触控阶段与第二触控阶段相同。
具体地，本申请将一帧时间内的第三触控阶段设计的与第一触控阶段相同，在第三触控阶段再次进行粗略检测，对至多一半数量的自容式电极10进行触控检测，获得第一自容式电极11；将第四触控阶段与第二触控阶段设计的相同，在第四触控阶段再次进行精确检测，对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测。也就是说，在一帧时间内，本申请通过第一触控阶段和第三触控阶段进行了两次粗略检测，通过第二触控阶段和第四触控阶段进行了两次精确检测，相比现有技术中在一帧时间内仅进行一次粗略检测和一次精确检测的方式相比，本申请的方式更加有利于提高触摸检测效率。此外，本申请中对自容式电极10进行触摸检测时，在第一触控阶段和第三触控阶段仅对至多一半数量的自容式电极10进行触控检测，在第二触控阶段和第四触控阶段，仅对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测，因此，在发生触摸时，相比现有技术对所有自容式电极10进行检测的方式相比，本申请对自容式电极10进行检测的过程中被检测的自容式电极10的数量大大减小，因此有利于降低触摸屏100在触控过程中的功耗，进而有利于降低触摸屏100的整体功耗。
可选地，参见图3，在第一触控阶段，对一半数量的自容式电极10进行触控检测，一半数量的自容式电极10均匀排布在触摸屏100上。
具体地，参见图3，本申请在粗略检测的过程中，也就是在第一触控阶段和第三触控阶段，仅对一半数量的自容式电极10(即图3中标注A的自容式电极10)进行触控检测，从该一半数量的自容式电极10中获取电容变化量最大的自容式电极，该电容变化量最大的自容式电极为第一自容式电极11；在第二触控阶段和第四触控阶段，对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测。与现有技术中对全部电极进行触摸检测的方法相比，本申请中对自容式电极10进行触摸检测时，在第一触控该阶段和第三触控阶段仅对一半数量的自容式电极10进行触控检测，在第二触控阶段和第四触控阶段，仅对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测，因此，在发生触摸时，对自容式电极10进行检测的过程中被检测的自容式电极10的数量大大减小，因此有利于降低触摸屏100在触控过程中的功耗，进而有利于降低触摸屏100的整体功耗。需要说明的是，在对一半数量的自容式电极10进行检测时，图3仅示出了一半数量的自容式电极10的一种排布方式，除此种方式外，该一半数量的自容式电极10还可采用其他排布方式，本申请对此不作具体限定。
可选地，图6所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中触摸屏的第三种俯视图，图7所示为本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中触摸屏的第四种俯视图，参见图5-图7，在第一触控阶段，对1/3数量的自容式电极10进行触控检测，1/3数量的自容式电极10均匀排布在触摸屏100上。
具体地，本申请在粗略检测的过程中，也就是在第一触控阶段和第三触控阶段，仅对1/3数量的自容式电极10进行触控检测，从该1/3数量的自容式电极10(即图6中标注A的自容式电极10)中获取电容变化量最大的自容式电极，该电容变化量最大的自容式电极为第一自容式电极11；在第二触控阶段和第四触控阶段，对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10(即图6中标注B的自容式电极10)进行触控检测。与现有技术中对全部电极进行触摸检测的方法相比，本申请中对自容式电极10进行触摸检测时，在第一触控该阶段和第三触控阶段仅对1/3数量的自容式电极10进行触控检测，在第二触控阶段和第四触控阶段，仅对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测，因此，在发生触摸时，对自容式电极10进行检测的过程中被检测的自容式电极10的数量大大减小，因此有利于降低触摸屏100在触控过程中的功耗，进而有利于降低触摸屏100的整体功耗。需要说明的是，在对1/3数量的自容式电极10进行检测时，图6仅示出了一半数量的自容式电极10的一种排布方式，除此种方式外，该1/3数量的自容式电极10还可采用其他排布方式，本申请对此不作具体限定。
可选地，在第一触控阶段，通过触控信号线30对至多一半数量的自容式电极10进行触控检测为：通过触控信号线30向至多一半数量的自容式电极10发送触控检测信号，并接收自容式电极10的反馈信号，根据反馈信号获取电容变化量最大的自容式电极10。
具体地，本申请在第一触控阶段对至多一半数量的自容式电极10进行触控检测时，通过与自容式电极10连接的触控信号线30向对应的自容式电极10发送触控检测信号，自容式电极10在接收到触控检测信号后会进行信号反馈；在接收到自容式电极10的反馈信号后，根据反馈信号能够计算到至多一半数量的自容式电极10中各自容式电极10的电容量，获取至多一半数量的自容式电极10中电容变化量最大的自容式电极，该电容变化量最大的自容式电极为第一自容式电极11，作为后续第二触控阶段中用于计算触控位置的基础。
可选地，在第二触控阶段，通过触控信号线30对以第一自容式电极11为中心的多个自容式电极10进行触控检测为：通过触控信号线30对以第一自容式电极11为中心的m*m个自容式电极10发送触控检测信号，并接收m*m个自容式电极10的反馈信号，根据反馈信号获取精确的触控位置，其中，m为整数，3≤m≤5。图7所示实施例中对第一自容式电极11和以第一自容式电极11为中心的3*3个自容式电极10进行检测，除此种方式外，还可对4*4或5*5个自容式电极10进行检测，当然也可对其他数量的自容式电极10进行检测，本申请对此不进行具体限定。
具体地，本申请在第二触控阶段通过触控信号线30对第一自容式电极11为中心的m*m个自容式电极10发送触控检测信号，m*m个自容式电极10在接收到触控检测信号后会进行信号反馈；在接收到m*m个自容式电极10的反馈信号后，根据反馈信号能够计算到这些自容式电极10中各自容式电极10的电容量，通过判断这些自容式电极10的电容量来确定电容量变化最大的自容式电极10，该自容式电极10所在区域即为精确的触控位置。当将本申请的第二触控阶段分成3个第二触控子阶段时，这3个第二触控子阶段可分别对第一自容式电极11为中心的m*m个自容式电极10发送触控检测信号，通过每个第二触控子阶段获得一个触控位置，综合得到的三个触控位置计算出的最终的精确的触控位置更加准确。当然，除了上述方式中3个第二触控子阶段执行相同的检测流程外，还可在第1个第二触控子阶段对m*m个自容式电极10进行触控检测，根据检测结果，逐渐缩小检测范围，在第2个触控子阶段可对(m-1)*(m-1)个自容式电极10进行触控检测，在第3个触控子阶段在对(m-2)*(m-2)个自容式电极10进行触控检测，最终得到精确的触控位置，通过此种方式同样能够或得到精确的触控位置。
可选地，通过触控信号线30对以第一自容式电极11为中心的m*m个自容式电极10发送触控检测信号，并接收m*m个自容式电极10的反馈信号，根据反馈信号获取精确的触控位置为：根据m*m个自容式电极10的反馈信号，判断m*m个自容式电极10所在区域中电容变化量最大的区域，电容变化量最大的区域为精确的触控位置。
具体地，本申请在第二触控阶段对以第一自容式电极11为中心的m*m个自容式电极10进行触控检测时，通过与自容式电极10连接的触控信号线30向对应的自容式电极10发送触控检测信号，自容式电极10在接收到触控检测信号后会进行信号反馈；在接收到自容式电极10的反馈信号后，根据反馈信号能够计算出对应的自容式电极10的电容量，获取该m*m个自容式电极10中电容变化量最大的自容式电极10，电容变化量最大的自容式电极10所在区域即为精确的触控位置。
需要说明的是，本申请中的触摸屏100还包括控制芯片20，参见图3、图4、图6和图7，在第一触控阶段和第三触控阶段，控制芯片20通过触控信号线30向至多一半数量的自容式电极10进行触控检测，获取电容变化量最大的自容式电极，该电容变化量最大的自容式电极为第一自容式电极11；在第二触控阶段和第四触控阶段，控制芯片20通过触控信号线30对第一自容式电极11及第一自容式电极11周围的多个自容式电极10进行触控检测。此外，图3、图4、图6和图7中，仅示意性地示出了与几个自容式电极10连接的触控信号线30的情形，并未示出与所有自容式电极10连接的所有触控信号线30。
通过以上各实施例可知，本申请存在的有益效果是：
本申请所提供的触摸屏的触摸扫描方法中，在检测到触控时，先进行粗略检测，即通过触控信号线对至多一半数量的自容式电极进行触控检测，获得第一自容式电极，该第一自容式电极为所检测的至多一半数量的自容式电极中电容量最大的电极，然后再进行精确检测，即对第一自容式电极及第一自容式电极周围的多个自容式电极进行触控检测，从而得到最终的触控位置。与现有技术中对全部电极进行触摸检测的方法相比，本申请中对自容式电极进行触摸检测时，在粗略检测的过程中仅对至多一半数量的自容式电极10进行触控检测，在精确检测的过程中，仅对第一自容式电极及第一自容式电极周围的多个自容式电极进行触控检测，因此，在发生触摸时，对自容式电极进行检测的过程中被检测的自容式电极的数量大大减小，因此有利于降低触摸屏在触控过程中的功耗，进而有利于降低触摸屏的整体功耗。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种触摸屏的触摸扫描方法，所述触摸屏包含呈阵列分布的多个自容式电极，每个所述自容式电极与至少一条触控信号线电连接，其特征在于，触摸扫描包括多个触控扫描周期，各所述触控扫描周期至少包括第一触控阶段和第二触控阶段，所述扫描方法包括：
在所述第一触控阶段，通过所述触控信号线对至多一半数量的所述自容式电极进行触控检测，获取电容变化量最大的自容式电极，所述电容变化量最大的自容式电极为第一自容式电极；
在所述第二触控阶段，通过所述触控信号线对所述第一自容式电极及所述第一自容式电极周围的多个自容式电极进行触控检测。
2.根据权利要求1所述的触摸屏的触摸扫描方法，其特征在于：所述第二触控阶段包括多个第二触控子阶段。
3.根据权利要求2所述的触摸屏的触摸扫描方法，其特征在于：一个所述触控扫描周期对应1帧显示，其中前半帧显示包括所述第一触控阶段和所述第二触控阶段，后半帧包括第三触控阶段和第四触控阶段。
4.根据权利要求3所述的触摸屏的触摸扫描方法，其特征在于：将每帧显示分为8个连续的1/8帧，所述第一触控阶段对应第1个1/8帧，所述第二触控阶段对应第2至4个1/8帧，所述第三触控阶段对应第5个1/8帧，所述第四触控阶段对应第6至8个1/8帧。
5.根据权利要求3所述的触摸屏的触摸扫描方法，其特征在于：所述第三触控阶段与所述第一触控阶段相同，所述第四触控阶段与所述第二触控阶段相同。
6.根据权利要求1所述的触摸屏的触摸扫描方法，其特征在于：在所述第一触控阶段，对一半数量的所述自容式电极进行触控检测，所述一半数量的所述自容式电极均匀排布在所述触摸屏上。
7.根据权利要求1所述的触摸屏的触摸扫描方法，其特征在于：在所述第一触控阶段，对1/3数量的所述自容式电极进行触控检测，所述1/3数量的所述自容式电极均匀排布在所述触摸屏上。
8.根据权利要求1所述的触摸屏的触摸扫描方法，其特征在于：所述在所述第一触控阶段，通过所述触控信号线对至多一半数量的所述自容式电极进行触控检测为：通过所述触控信号线向至多一半数量的所述自容式电极发送触控检测信号，并接收所述自容式电极的反馈信号，根据所述反馈信号获取电容变化量最大的自容式电极。
9.根据权利要求1所述的触摸屏的触摸扫描方法，其特征在于：所述在所述第二触控阶段，通过所述触控信号线对以所述第一自容式电极为中心的多个自容式电极进行触控检测为：通过所述触控信号线对以所述第一自容式电极为中心的m*m个自容式电极发送触控检测信号，并接收m*m个自容式电极的反馈信号，根据所述反馈信号获取精确的触控位置，其中，m为整数，3≤m≤5。
10.根据权利要求9所述的触摸屏的触摸扫描方法，其特征在于：所述通过所述触控信号线对以所述第一自容式电极为中心的m*m个自容式电极发送触控检测信号，并接收m*m个自容式电极的反馈信号，根据所述反馈信号获取精确的触控位置为：根据m*m个自容式电极的反馈信号，判断m*m个自容式电极所在区域中电容变化量最大的区域，所述电容变化量最大的区域为所述精确的触控位置。
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