CN107258054A - 用于cmos放大器的静电放电保护 - Google Patents

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Abstract

公开了一种包括静电放电(ESD)保护电路的CMOS放大器(300)。在一个实施例中，该CMOS放大器可以包括PMOS晶体管(P1)、NMOS晶体管(N1)、主保护二极管(301)、以及一个或多个辅保护二极管(304)以限制CMOS放大器的端子之间的电压差。在一些实施例中，辅保护二极管可以限制CMOS放大器的输入端子与供电电压之间、CMOS放大器的输入端子与地面之间、以及CMOS放大器的输入端子与输出端子之间的电压差。

Description

用于CMOS放大器的静电放电保护
技术领域
示例性实施例一般地涉及放大器，并且具体地涉及向互补金属氧化物硅(CMOS)放大器提供静电放电保护。
背景技术
无线通信系统中的无线设备(例如，蜂窝电话或智能电话)可以发射和接收数据用于双向通信。无线设备可以包括用于数据发射的发射器和用于数据接收的接收器。对于数据发射，发射器可以利用数据来调制射频(RF)载波信号以生成经调制的RF信号，放大经调制的RF信号以生成具有恰当输出功率电平的发射RF信号，并且经由天线将发射RF信号发射到另一设备，诸如，例如基站。对于数据接收，接收器可以经由天线获得所接收的RF信号，并且可以放大和处理所接收的RF信号以恢复由另一设备发送的数据。
无线设备可以包括一个或多个放大器来处理模拟信号。例如，一些放大器可以提供用于相对低幅度的信号的处理增益(例如，电压和/或电流增益)、用于相对敏感的信号的隔离、用于将信号驱动到传输线中的增加的电流、以及用于通过通信介质发射信号的信号放大。
一些放大器可能被暴露于允许相对高的电压不合意地耦合到放大器的一个或多个端子的环境。例如，静电放电(ESD)事件可能将相对高的电压暴露于放大器。如果未被保护，则放大器可能被相对高的电压损坏。例如，高电压可能引起PN结失效或氧化物失效并且由此损坏放大器中包括的一个或多个晶体管。此外，随着放大器内设备的设备几何结构(例如，特征尺寸)缩小，放大器内的设备变得易于在较低电压下损坏。例如，与金属氧化物半导体(MOS)晶体管相关联的破裂(rapture)电压(例如，损坏PN结所需的电压)可能随着特征尺寸减小而减小。
因此，需要改进用于放大器的ESD保护。
附图说明
示例性实施例通过示例的方式被说明并且不意图被附图中的图所限制。贯穿附图和说明书，相似的数字参考相似的元件。
图1示出了根据一些示例性实施例的与无线通信系统进行通信的无线设备。
图2示出了图1中的无线设备的示例性设计的框图。
图3描绘了根据一些实施例的CMOS放大器的示例性实施例。
图4描绘了根据一些实施例的CMOS放大器的另一示例性实施例。
图5示出了说明性流程图，其描绘了根据一些实施例的用于保护CMOS放大器的示例性操作。
具体实施方式
在以下描述中，阐述了许多具体细节，诸如具体组件、电路和过程的示例，以提供本公开的透彻理解。如本文使用的术语“耦合”意指直接耦合或通过一个或多个中介组件或电路被耦合。此外，在以下描述中并且为了解释的目的，具体命名法和/或细节被阐述以提供示例性实施例的透彻理解。然而，对本领域的技术人员将明显的是，这些具体细节可能不被要求以实践示例性实施例。在其他实例中，公知的电路和设备以框图形式示出以避免使本公开模糊不清。在本文描述的各种总线上提供的信号中的任何信号可以与其他信号时间复用并且在一个或多个共用总线上被提供。另外，电路元件或软件块之间的互连可以被示出为总线或单一信号线路。这些总线中的每个总线可以替换地是单一信号线路，并且这些单一信号线路中的每个单一信号线路可以替换地是总线，并且单一线路或总线可以表示用于组件之间的通信的大量物理或逻辑机制中的任何一个或多个。示例性实施例将不解释为限于本文描述的具体示例，而是在它们的范围内包括由所附权利要求限定的所有实施例。
另外，下文关于附图阐述的详细描述意图作为本公开的示例性实施例的描述，并且不意图为表示本公开可以被实践在其中的仅有实施例。贯穿这一描述使用的术语“示例性”意指“用作示例、实例或例证”，并且不应当必然被解释为相对于其他实施例是优选的或有利的。
图1示出了根据一些示例性实施例的与无线通信系统120进行通信的无线设备110。无线通信系统120可以是长期演进(LTE)系统、码分多址(CDMA)系统、全球移动通信系统(GSM)系统、无线局域网(WLAN)系统、或某种其他无线系统。CDMA系统可以实施宽带CDMA(WCDMA)、CDMA 1X、演进数据优化(EVDO)、时分同步CDMA(TD-SCDMA)、或某种其他版本的CDMA。对了简单，图1示出了包括两个基站130和132以及一个系统控制器140的无线通信系统120。一般而言，无线系统可以包括任何数目的基站和任何集合的网络实体。
无线设备110也可以称为用户设备(UE)、移动站、终端、接入终端、订户单元、站，等等。无线设备110可以是蜂窝电话、智能电话、平板、无线调制解调器、个人数字助理(PDA)、手持设备、膝上型计算机、智能本、上网本、无绳电话、无线本地环路(WLL)站、蓝牙设备，等等。无线设备110可以与无线通信系统120通信。无线设备110还可以接收来自广播站(例如，广播站134)的信号、来自一个或多个全球导航卫星系统(GNSS)中的卫星(例如，卫星150)的信号，等等。无线设备110可以支持用于无线通信的一种或多种无线电技术，诸如LTE、WCDMA、CDMA 1X、EVDO、TD-SCDMA、GSM、802.11，等等。
图2示出了图1中的无线设备110的示例性设计的框图。在这一示例性设计中，无线设备110包括耦合到主天线210的主收发器220、耦合到次天线212的次收发器222、以及数据处理器/控制器280。主收发器220包括一个数目(K个)的接收器230pa至230pk以及一个数目(K个)的发射器250pa至250pk以支持多个频带、多种无线电技术、载波聚合，等等。次收发器222包括一个数目(L个)的接收器230sa至230sl以及一个数目(L个)的发射器250sa至250sl以支持多个频带、多种无线电技术、载波聚合，接收分集、从多个发射天线到多个接收天线的多输入多输出(MIMO)传输，等等。
在图2中示出的示例性设计中，每个接收器230(例如，230pa-230pk和230sa-230sl)包括低噪声放大器(LNA)240(例如，240pa-240pk和240sa-240sl)和接收电路242(例如，242pa-242pk和242sa-242sl)。对于数据接收，主天线210从基站和/或其他发射器站接收信号并且提供所接收的射频(RF)信号，其通过天线接口电路224a被路由并且作为输入RF信号被呈送给所选择的接收器。天线接口电路224a可以包括开关、双工器、发射滤波器、接收滤波器、匹配电路，等等。在一些实施例中，天线接口电路224b(以点状线示出)可以在主收发器220之外。因此，LNA 240和/或功率放大器(PA)254可以具有从主收发器220外部可访问的输入和输出。下文的描述假设接收器230pa是所选择的接收器。在接收器230pa内，LNA240pa放大该输入RF信号并且提供输出RF信号。接收电路242pa将输出RF信号从RF下变频到基带，对经下变频的信号进行放大和滤波，并且向数据处理器/控制器280提供模拟输入信号。接收电路242pa可以包括混频器、滤波器、放大器、匹配电路、振荡器、本地振荡器(LO)生成器、锁相环(PLL)，等等。主收发器220中的每个剩余的接收器230可以按照与接收器230pa类似的方式操作。次收发器222内的接收器230和相关联的天线接口电路226a(或226b)可以按照与接收器230pa类似的方式操作。
在图2中示出的示例性设计中，每个发射器250(例如，250pa-250pk和250sa-250sl)包括发射电路252(例如，252pa-252pk和252sa-252sl)和功率放大器(PA)254(例如，254pa-254pk和254sa-254sl)。对于数据发射，数据处理器/控制器280处理(例如，编码和调制)将被发射的数据并且将模拟输出信号提供给所选择的发射器。下文的描述假设发射器250pa是所选择的发射器。在发射器250pa内，发射电路252pa对模拟输出信号进行放大、滤波和从基带上变频到RF并且提供经调制的RF信号。发射电路252pa可以包括放大器、滤波器、混频器、匹配电路、振荡器、LO生成器、PLL，等等。PA 254pa接收和放大经调制的RF信号并且提供具有恰当输出功率电平的发射RF信号。发射RF信号通过天线接口电路224a(或天线接口电路224b)被路由并且经由主天线210被发射。主收发器220中的每个剩余的发射器250可以按照与发射器250pa类似的方式操作。次收发器222内的发射器250和相关联的天线接口电路226a(或226b)可以按照与接收器230pa类似的方式操作。
每个接收器230和发射器250还可以包括图2中未示出的其他电路，诸如滤波器、匹配电路，等等。收发器220和222的全部或部分可以被实施在一个或多个模拟集成电路(IC)、RF IC(RFIC)、混合信号IC等上。例如，如下文描述的，收发器220和222内的LNA 240和接收电路242可以被实施在多个IC芯片上。收发器220和222中的电路也可以按照其他方式被实施。
数据处理器/控制器280可以执行用于无线设备110的各种功能。例如，数据处理器/控制器280可以执行针对经由接收器230被接收的数据和经由发射器250被发射的数据的处理。数据处理器/控制器280可以控制收发器220和222内的各种电路的操作。存储器282可以存储用于数据处理器/控制器280的程序代码和数据。数据处理器/控制器280可以被实施在一个或多个专用集成电路(ASIC)和/或其他IC上。
图3描绘了根据一些实施例的CMOS放大器300的示例性实施例。在一些实施例中，CMOS放大器300可以被包括在如上文描述的LNA240、接收电路242、PA 254、和/或发射电路252内。CMOS放大器300可以放大无线设备110内的信号，诸如可以被发射和/或接收的经调制的RF信号。如所示出的，CMOS放大器300包括晶体管P1、晶体管N1、第一退化电感器310、第二退化电感器311、包括保护二极管302-303的主保护电路301、包括保护二极管320-324的辅保护电路304、以及供电钳位器(supply clamp)305。在一些实施例中，晶体管P1可以是PMOS晶体管并且晶体管N1可以是NMOS晶体管。CMOS放大器300还可以包括输入端子340和输出端子341。
晶体管P1和晶体管N1可以耦合在一起以形成用于CMOS放大器300的反相放大器。例如，晶体管P1的栅极端子可以耦合到晶体管N1的栅极端子，并且可以形成用于反相放大器的输入端子(以及用于CMOS放大器300的输入端子340)。晶体管P1的源极端子可以耦合到供电电压，诸如VDD。晶体管N1的源极端子可以耦合到地面。晶体管P1的漏极端子可以耦合到晶体管N1的漏极端子并且可以形成用于反相放大器的输出端子(以及用于CMOS放大器300的输出端子341)。
在一些实施例中，退化电感器310和311可以耦合到晶体管P1和晶体管N1以(除了其他事物之外还)减小CMOS放大器300对晶体管P1和/或晶体管N1的绝对增益的依赖性。例如，由晶体管P1和/或晶体管N1提供的绝对增益可以被退化电感器310和311减小，作为交换而提供用于CMOS放大器300的更加可预测(即使较低)的增益。在一些其他实施例中，退化电感器310和311可以改进与CMOS放大器300相关联的线性度。因此，可以使得由CMOS放大器300提供的输出信号与由退化电感器310和/或退化电感器311提供给CMOS放大器的输入信号更加成比例。在一些实施例中，第一退化电感器310可以将晶体管P1的源极端子耦合到供电电压，并且第二退化电感器311可以将晶体管N1的源极端子耦合到地面。
CMOS放大器300可以由主保护电路301、供电钳位器305和辅保护电路304保护而免于一些ESD事件。ESD事件可能发生在静电通过CMOS放大器300的一个或多个端子被接收时。与ESD事件相关联的电压可能足以损坏晶体管P1和/或晶体管N1。在一些实施例(例如，使用纳米CMOS技术实现的晶体管)中，低至五伏的电压可能足以损坏晶体管(例如，晶体管P1和/或晶体管N1)。与ESD事件相关联的电压可能是125伏或更高。主保护电路301、供电钳位器305和辅保护电路304可以防止晶体管P1和/或晶体管N1暴露于与ESD事件有关的高电压。
主保护电路301可以在相对高的电压通过地面(例如，经由接地端子，为了简单未示出)或通过输入端子340被接收时提供放电路径。主保护电路301可以包括保护二极管302和保护二极管303。在一些实施例中，接收到高电压可以被称为电容性放电模型(CDM)事件。例如，当所接收的高电压关于地面为正时，那么高电压可以被称为负CDM事件。以类似的方式，当所接收的高电压关于地面为负时，那么高电压可以被称为正CDM事件。
在一个实施例中，如果在输入端子340处接收到高的正电压(例如，负CDM事件)，那么保护二极管303可以操作(例如，被正向偏置)并且将高的正电压从输入端子340传导去往供电电压端子(例如，VDD)、通过供电钳位器305、并且去往地面。在一些实施例中，电压供电端子可以是浮置的并且可以不提供放电电流路径。供电钳位器305的操作在下文更详细地描述。因此，当在输入端子340处接收的电压大于或等于与保护二极管303相关联的正向电压时，那么保护二极管303可以将输入端子340处的电压传导到地面。在另一实施例中，如果在输入端子340处接收到高的负电压(例如，正CDM事件)，那么保护二极管302可以操作并且通过输入端子340传导高的负电压。在一些实施例中，与保护二极管302和/或保护二极管303相关联的正向电压可以操作为用于由主保护电路301提供的放电路径的阈值电压。当电压超过该阈值电压时，保护二极管302和/或保护二极管303可以提供放电路径。例如，如果在接地端子处接收到高的正电压(例如，正CDM事件)，那么保护二极管302可以操作并且通过输入端子340传导高电压。在这种情况下，接地端子处的电压可以大于与保护二极管302相关联的正向电压。
供电钳位器305可以操作为钳位电路并且在相对高的电压在供电电压端子处被接收时提供放电路径。在一些实施例中，供电钳位器305可以包括晶体管，诸如NMOS晶体管(为了简单未示出)，其被配置为在电源端子处的电压超过阈值电压时传导(例如，接通)。例如，供电钳位器305可以感测供电电压端子处的电压电平。当该电压电平超过阈值电压时，供电钳位器305可以接通并且将来自供电电压端子的电压传导到接地端子。在一些实施例中，在正常操作条件下，阈值电压可以足够高以允许正常的操作，但是足够低以防止由相对高的电压不合意施加到CMOS放大器300所产生的晶体管损坏。例如，如果CMOS放大器300的正常操作电压是3.3伏，那么供电钳位器305可以被配置为在供电电压端子处的电压达到或超过4伏时接通。
辅保护电路304可以保护晶体管P1和晶体管N1的所选择的结而免于由ESD事件所致的相对高的电压电平。在一些实施例中，辅保护电路304在结合主保护电路301和供电钳位器305一起被使用时可以供给附加的ESD保护。在一些实施例中，附加的ESD保护可以改进具有一个或多个寄生电感器和/或电阻器的电路中的ESD性能。辅保护电路304可以包括保护二极管320-324。在一个实施例中，保护二极管320可以通过限制晶体管P1的栅极端子与源极端子之间的电压差来保护晶体管P1。例如，保护二极管320可以限制晶体管P1的源极端子与栅极端子之间的电压差不大于与保护二极管320相关联的正向电压。因此，如果在输入端子340处接收到来自ESD事件的高的正电压(例如，当输入端子340处的电压处于比供电电压端子高的电压电势时的负CDM事件)，那么保护二极管320可以确保晶体管P1的栅极端子与源极端子之间的电压差被限制于与保护二极管320相关联的正向电压。以这种方式，保护二极管320可以保护晶体管P1的栅/源结。
在一个实施例中，保护二极管321-323可以通过限制晶体管P1和晶体管N1的栅极端子与共同耦合的漏极端子之间的电压差来保护晶体管P1和/或晶体管N1。如果在输入端子340处接收到高的正电压(例如，当输出端子341处于比输入端子340低的电压电势时的负CDM事件)，那么保护二极管323可以限制晶体管P1和晶体管N1的栅极端子与晶体管P1和晶体管N1的漏极端子之间的电压差。因此，如果在输入端子340处接收到来自ESD事件的高的正电压，那么保护二极管323可以确保晶体管P1和晶体管N1的栅极端子与漏极端子之间的电压差被限制于与保护二极管323相关联的正向电压。在一些实施例中，保护二极管323可以确保晶体管N1的栅极端子与源极端子之间的电压差可以被限制于与保护二极管323相关联的正向电压。
以类似的方式，保护二极管321-322还可以保护晶体管P1和/或晶体管N1。例如，如果在输出端子341处接收到高的负电压(例如，当输出端子341处于比输入端子340高的电压电势时的正CDM事件)，那么保护二极管321-322可以限制晶体管P1和晶体管N1的栅极端子与晶体管P1和晶体管N1的共同耦合的漏极端子之间的电压差。在一些实施例中，如所示出的，保护二极管321-322可以串联地耦合在输入端子340与输出端子341之间。因此，输出端子341与输入端子340之间电压差可以被限制于基于与保护二极管321相关联的正向电压和与保护二极管322相关联的正向电压的电压和。以这种方式，保护二极管321-323可以保护晶体管P1和晶体管N1的栅极/漏极结。在其他实施例中，保护二极管321-323可以保护晶体管P1的栅/源结。在一些实施例中，输入端子340可以耦合到晶体管P1和晶体管N1的栅极端子。类似地，输出端子341可以耦合到晶体管P1和晶体管N1的漏极端子。因此，保护二极管321-323还可以限制输入端子340与输出端子341之间的电压差。
在一些实施例中，保护二极管324可以通过限制晶体管N1的栅极端子与源极端子之间的电压差来保护晶体管N1。例如，通过限制晶体管N1的栅极端子与源极端子之间的电压差不大于与保护二极管324相关联的正向电压，保护二极管324可以保护晶体管N1。因此，如果通过接地端子接收到来自ESD事件的高的正电压(例如，正CDM事件)，那么保护二极管324可以确保晶体管N1的栅极端子与源极端子之间的电压差被限制于与保护二极管324相关联的正向电压。以这种方式，保护二极管324可以保护晶体管N1的栅/源结。
在一些实施例中，辅二极管304还可以保护晶体管P1和晶体管N1免于可能跨CMOS放大器300内可能包括的寄生电感器而被感生的电压。例如，CMOS放大器300可能包括寄生电感器360。尽管仅一个寄生电感器360被示出，但是本领域的普通技术人员将认识到CMOS放大器300的其他电路支路内可以包括另外的寄生电感器。如果与ESD事件相关联的相对大的电压耦合到输入端子340，那么相对大的电压可能响应于由ESD事件产生的电流流动的迅速改变而跨寄生电感器360被感生。因为与ESD事件相关联的时间可能相当小，所以跨寄生电感器的被感生的电压可能为大(例如，)。在一些实施例中，跨寄生电感器360感生的电压可能引起晶体管N1的栅极端子与源极端子之间以及晶体管P1的栅极端子与源极端子之间的潜在损坏性电压。在一些情况下，辅二极管304可以限制晶体管P1和晶体管N1的端子之间的电压(包括由CMOS放大器300内的一个或多个寄生电感器引起的电压)的幅度。
图4描绘了根据一些实施例的CMOS放大器400的另一示例性实施例。CMOS放大器400可以类似于CMOS放大器300，但是可以包括一个或多个附加元件。例如，CMOS放大器400可以包括与CMOS放大器300共同的晶体管P1、晶体管N1、第一退化电感器310、第二退化电感器311、主保护电路301、辅保护电路304、以及供电钳位器305。另外，CMOS放大器400可以包括与一个或多个保护二极管串联的一个或多个电阻器402-404。在一个实施例中，电阻器402可以与保护二极管320串联耦合，电阻器403可以与保护二极管323串联耦合，并且电阻器404可以与保护二极管324串联耦合。在一些实施例中，其他数目的电阻器可以与保护二极管320-324和/或保护二极管302和303一起被包括。例如，电阻器可以与保护二极管321串联耦合，和/或第二电阻器可以与电阻器402-404之一耦合(为了简单未示出)。在更其他的实施例中，电阻器402-404中的一个或多个可以被省略。
电阻器402-404可以结合相关联的保护二极管而使得附加电压能够被耗散。例如，保护二极管320和电阻器402可以将晶体管P1的栅极端子与源极端子之间的电压差限制于与保护二极管320相关联的正向电压和跨电阻器402的相关联的电压。以类似的方式，电阻器403和保护二极管323可以限制晶体管P1和晶体管N1的栅极端子与漏极端子之间的电压差，并且电阻器404和保护二极管324可以限制N1晶体管的源极端子与栅极端子之间的电压差。在一些实施例中，用于电阻器402-404的电阻值的范围可以是从1至5欧姆，但是可以使用其他适合的电阻值。
图5示出了说明性流程图，其描绘了根据一些实施例的用于保护CMOS放大器的示例性操作500。一些实施例可以利用附加的操作、较少的操作、按不同顺序的操作、并行的操作、和/或不同地利用一些操作来执行本文描述的操作。还参考图2和图3，第一保护二极管被耦合在CMOS放大器300的PMOS晶体管P1的栅极端子与源极端子之间(502)。在一些实施例中，第一保护二极管可以包括保护二极管320(参见图3)。接着，晶体管P1的栅极端子与源极端子之间的电压差被限制(504)。在一些实施例中，该电压差可以被限制于与第一保护二极管相关联的正向电压。在其他实施例中，例如，当晶体管P1的栅极端子耦合到CMOS放大器300的输入端子、并且晶体管P1的源极端子耦合到供电电压时，第一保护二极管可以限制CMOS放大器300的输入与供电电压之间的电压差。在一些实施例中，退化电感器310可以被耦合在晶体管P1的源极端子与供电电压之间。退化电感器310可以减小CMOS放大器300对晶体管P1的绝对增益的依赖性。
接着，第二保护二极管被耦合在晶体管P1的栅极端子与漏极端子之间(506)。在一些实施例中，第二保护二极管可以包括保护二极管323(参见图3)。在其他实施例中，第二保护二极管可以包括保护二极管321和322。在更其他的实施例中，第二保护二极管可以包括保护二极管321-323。接着，晶体管P1的栅极端子与漏极端子之间的电压差被限制(508)。
在一些实施例中，CMOS放大器300的输入端子与输出端子之间的电压差也可以被限制。例如，当CMOS放大器300的输入端子340耦合到晶体管P1的栅极端子、并且CMOS放大器300的输出端子341耦合到晶体管P1的漏极端子时，那么CMOS放大器300的输入端子340与输出端子341之间的电压差可以被限制。
接着，第三保护二极管被耦合在CMOS放大器300的NMOS晶体管N1的源极端子与栅极端子之间(510)。在一个实施例中，第三保护二极管可以包括保护二极管324。接着，晶体管N1的源极端子与栅极端子之间的电压差被限制(512)。在一些实施例中，该电压差可以被限制于与第三保护二极管相关联的正向电压。在其他实施例中，例如，当晶体管N1的栅极端子耦合到输入端子340、并且晶体管N1的源极端子耦合到地面时，第三保护二极管可以限制地面与CMOS放大器300的输入端子340之间的电压差。在一些实施例中，退化电感器311可以被耦合在晶体管N1的源极端子与地面之间。退化电感器311可以减小CMOS放大器300对晶体管N1的绝对增益的依赖性。
接着，输出信号由CMOS放大器300基于输入信号来生成(514)。例如，输入信号可以在CMOS放大器300的输入端子340处被接收。输入信号可以由晶体管P1和/或晶体管N1放大。晶体管P1和/或晶体管N1可以经由输出端子341生成用于CMOS放大器300的输出信号。
关于本文公开的实施例所描述的各种说明性逻辑块、模块和电路可以利用被设计为执行本文描述的功能的以下各项而被实施或执行：通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、离散门或晶体管逻辑、分立硬件组件、或它们的任何组合。通用处理器可以是微处理器，但是在替换方式中，处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以被实施为计算设备的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、一个或多个微处理器结合DSP核心、或任何其他这样的配置。
在一个或多个示例性实施例中，所描述的功能可以被实施在硬件、软件、固件、或者它们的任何组合中。如果被实施在软件中，则功能可以作为计算机可读介质上的一个或多个指令或代码被存储或被传输。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，通信介质包括促进计算机程序从一个地方传送到另一地方的任何介质。存储介质可以是能够由计算机访问的任何可用介质。通过示例而非限制的方式，这样的计算机可读介质可以包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盘存储装置、磁盘存储装置或其他磁存储设备、或者可以被用来以指令或数据结构的形式承载或存储期望的程序代码并且可以由计算机访问的任何其他介质。此外，任何连接恰当地被称为计算机可读介质。例如，如果软件使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线路(DSL)、或无线技术(诸如红外、无线电和微波)从网站、服务器或其他远程源被传输，则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或无线技术(诸如红外、无线电和微波)被包括在介质的定义中。如本文使用的盘和碟包括紧致碟(CD)、激光碟、光碟、数字多功能碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘通常磁性地再现数据，而碟利用激光而光学地再现数据。上面的组合也应当被包括在计算机可读介质的范围之内。
在前述说明书中，示例性实施例已经参考它们的具体示例性实施例被描述。然而，将明显的是，各种修改和改变可以对其作出而不偏离所附权利要求中阐述的本公开的较宽范围。说明书和附图因此将在说明性意义而不是限制性意义上来看待。

Claims (20)

1.一种装置，包括：
PMOS晶体管，被配置为放大输入信号并且生成放大器的输出信号；
退化电感器，被配置为减小所述放大器的增益；以及
第一保护二极管，被配置为限制所述放大器的输入端子与供电电压之间的电压差。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一保护二极管进一步被配置为限制所述PMOS晶体管的栅极端子与源极端子之间的电压差。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一保护二极管耦合在所述PMOS晶体管的源极端子与所述PMOS晶体管的栅极端子之间。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一保护二极管进一步被配置为保护所述PMOS晶体管的栅/源结。
5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
电阻器，与所述第一保护二极管串联耦合。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述退化电感器耦合在所述PMOS晶体管的源极端子与所述供电电压之间。
7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
第二保护二极管，被配置为限制所述放大器的所述输入端子与所述放大器的输出端子之间的电压差。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二保护二极管进一步被配置为限制所述PMOS晶体管的栅极端子与所述PMOS晶体管的漏极端子之间的电压差。
9.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二保护二极管耦合在所述PMOS晶体管的栅极端子与所述PMOS晶体管的漏极端子之间。
10.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
一个或多个主保护二极管，被配置为在地面与所述供电电压之间的电压差超过第一阈值电压时限制地面与所述供电电压之间的所述电压差；以及
钳位电路，被配置为在所述供电电压与地面之间的电压差超过第二阈值电压时限制所述供电电压与地面之间的所述电压差。
11.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
NMOS晶体管，被配置为基于所述输入信号生成所述放大器的所述输出信号，其中所述放大器是CMOS放大器。
12.根据权利要求11所述的装置，进一步包括：
第三保护二极管，被配置为限制所述放大器的所述输入端子与所述NMOS晶体管的源极端子之间的电压差。
13.一种装置，包括：
用于经由PMOS晶体管放大输入信号并且生成放大器的输出信号的部件；
用于减小所述放大器的增益的部件；以及
用于限制所述放大器的输入端子与供电电压之间的电压差的部件。
14.根据权利要求13所述的装置，其中用于限制所述电压差的所述部件还限制所述PMOS晶体管的栅极端子与源极端子之间的电压差。
15.根据权利要求13所述的装置，进一步包括：
用于限制所述放大器的所述输入端子与所述放大器的输出端子之间的电压差的部件。
16.根据权利要求15所述的装置，其中用于限制所述电压差的所述部件还限制所述PMOS晶体管的栅极端子与漏极端子之间的电压。
17.根据权利要求13所述的装置，进一步包括：
用于在地面与所述供电电压之间的电压差超过第一阈值电压时限制地面与所述供电电压之间的所述电压差的部件；以及
用于在所述供电电压与地面之间的电压差超过第二阈值电压时限制所述供电电压与地面之间的所述电压差的部件。
18.根据权利要求13所述的装置，其中用于放大所述输入信号并且生成所述放大器的所述输出信号的所述部件将限制所述放大器的所述输入端子与NMOS晶体管的源极端子之间的电压差，并且其中所述放大器是CMOS放大器。
19.一种方法，包括：
通过PMOS晶体管放大输入信号并且生成放大器的输出信号；
通过电感器减小所述放大器的增益；以及
通过第一保护二极管限制所述放大器的输入端子与供电电压之间的电压差。
20.根据权利要求19所述的方法，其中限制所述电压差包括：
限制所述PMOS晶体管的栅极端子与源极端子之间的电压差。
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