CN107247563A - 一种nand flash芯片的块信息标识实现方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，基于安装Nand Flash芯片的计算机系统，首先在系统中建立Nand Flash芯片的块信息标识表，用于存储块信息及相应的索引地址信息，这里的块信息包括好块标识及坏块标识；对Nand Flash芯片进行写操作、读操作及擦除操作，当块的信息在块信息标识表中标记为好块时，将其进行相应操作，标记为坏块时则跳过；当出现失败时，将块信息标识表中的对应块标识为坏块标识；当有所有好块使用完后，向系统发送Nand Flash芯片写满信号。本发明的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法与现有技术相比，利用一比特数据完成逻辑地址映射，从而实现使用极低的空间开销完成灵活的逻辑地址映射、坏块管理，实用性强，适用范围广泛，易于推广。

Description

一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法
技术领域
本发明涉及Nand Flash技术领域，具体地说是一种可快速定位问题所在的NANDFLASH芯片的块信息标识实现方法。
背景技术
Nand Flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案，尤其在雷达及航天等领域，对存储设备的容量及读写速率要求非常苛刻。随着计算机技术的不断发展，存储设备的容量和速度都得到很大的提升。新型高速硬盘大多以Nand Flash芯片为存储介质，但是该存储芯片的控制复杂，需要坏块管理和磨损均衡等控制机制。
基于上述现状，本发明提出了一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法。
发明内容
本发明的技术任务是针对以上不足之处，提供一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法。
一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，基于安装Nand Flash芯片的计算机系统，其实现过程为：
首先在系统中建立Nand Flash芯片的块信息标识表，用于存储块信息及相应的索引地址信息，这里的块信息包括好块标识及坏块标识；
对Nand Flash芯片进行写操作、读操作及擦除操作，当块的信息在块信息标识表中标记为好块时，将其进行相应的写操作、读操作及擦除操作，标记为坏块时则跳过；
当写操作、读操作及擦除操作出现失败时，将块信息标识表中的对应块标识为坏块标识；
当有所有好块使用完后，向系统发送Nand Flash芯片写满信号。
所述Nand Flash芯片中配置有若干块，即block，每个块均有逻辑地址和物理地址，每一个逻辑地址对应一个物理块地址，所有块根据位宽分成若干条目，每个条目中存储与位宽等个数的block块信息，存储内容为0时代表该block为好块，存储内容1时代表该block为坏块，每一个block对应1bit。
对Nand Flash芯片进行读写及擦除操作按照其逻辑地址顺序进行，且逻辑地址从0开始累加，每一个逻辑地址和块信息标识表中的一比特数据有唯一关系，块的逻辑地址和索引地址之间的关系为：逻辑地址=索引地址*位宽+block偏移地址，所述索引地址从0开始累加，block偏移地址则指块在所处条目中的具体位信息。
在系统中配置有三组指针寄存器，分别用于存储当前Nand Flash芯片中块的读物理地址、写物理地址、擦除物理地址。
在系统中配置有缓存，该缓存采用1page大小的中转ram存储器，并用于在系统写操作完成后进行热备份操作时，从坏块中读出的1page数据提供临时存储空间。
在写操作过程中，当写入过程中发生写入失败时，首先根据块信息标识表找出下一个好块的物理地址，将写入失败的数据从缓存中取出然后写入到下一个好块相同的页地址，并将写入失败的块对应的块信息标识表位置改成坏块标识。
所述系统中配置写入失败地址表，该写入失败地址表中记录发生写入失败的块物理地址、替换块物理地址、写入失败页地址信息，即：在写操作过程中，当写入失败时，将该写入失败的块物理地址、替换该写入失败块的好块物理地址、写入失败页地址信息写入到写入失败地址表，在继续进行新数据的写入。
当系统完成写入操作后，从写入失败地址表中取出写入失败信息，使用热备份copyback指令在写入失败的块中，写入失败页前的各页数据及下一个好块中对应页数的页中。
当进行读操作时，从块的起始逻辑地址开始读，若该逻辑地址对应的块信息标识为0，则该块为有效块，将该块中的数据读出；若对应的块信息标识为1，则该块为坏块，放弃读取，逻辑地址加1，重复上述过程直至完成文件逻辑地址的数据读取。
当进行擦除操作时，从起始逻辑地址开始擦除，若该逻辑地址对应的块信息标识为0，则该块为有效块，对该块进行擦除操作；若对应的块信息标识为1则该块为坏块，放弃擦除，逻辑地址加1，重复上述过程直至完成本次擦除操作。
本发明的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法和现有技术相比，具有以下有益效果：
本发明的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，通过建立整个芯片的块信息标识表，实现每个block利用一比特数据完成逻辑地址映射，从而实现使用极低的空间开销完成灵活的逻辑地址映射、坏块管理，使用该方法避免了复杂的坏块管理算法和磨损均衡算法的实现，大大降低了Nand Flash控制器的实现难度，同时提高了存储写入速度，实用性强，适用范围广泛，易于推广。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的方案，下面结合具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，基于安装Nand Flash芯片的计算机系统，其实现过程为：
首先在系统中建立Nand Flash芯片的块信息标识表，该表内每一条目的位宽根据使用的存储介质确定，一般为8bit或者16bit，每一个block对应1bit，每个条目可以存储与位宽相等个数的block坏块信息，表内具体存储块信息及相应的索引地址信息，这里的块信息包括好块标识及坏块标识；
对Nand Flash芯片进行写操作、读操作及擦除操作，当块的信息在块信息标识表中标记为好块时，将其进行相应的写操作、读操作及擦除操作，标记为坏块时则跳过；
当写操作、读操作及擦除操作出现失败时，将块信息标识表中的对应块标识为坏块标识；
当有所有好块使用完后，向系统发送Nand Flash芯片写满信号。
所述Nand Flash芯片中配置有若干块，即block，每个块均有逻辑地址和物理地址，每一个逻辑地址对应一个物理块地址，所有块根据位宽分成若干条目，每个条目中存储与位宽等个数的block块信息，存储内容为0时代表该block为好块，存储内容1时代表该block为坏块，每一个block对应1bit。
对Nand Flash芯片进行读写及擦除操作按照其逻辑地址顺序进行，且逻辑地址从0开始累加，每一个逻辑地址和块信息标识表中的一比特数据有唯一关系，块的逻辑地址和索引地址之间的关系为：逻辑地址=索引地址*位宽+block偏移地址，所述索引地址从0开始累加，block偏移地址则指块在所处条目中的具体位信息。
在本发明中，逻辑地址等于物理地址。
所述索引地址是指具体的条目地址，索引地址从0开始累加，比如一个条目位宽是8bit，我们有1024个逻辑地址，每个逻辑地址对应某一个条目的某一个bit。由于地址都是从0开始计数，则逻辑地址10实际上是第11个块，所以存在于条目1，第3个bit。
第0个逻辑地址在块信息标识表中对应第0个条目，偏移地址是0，第一个逻辑地址对应第0个条目偏移地址是1，第9个逻辑地址对应条目1偏移地址是0，第10个逻辑地址对应块信息标识表中条目1偏移地址是2。
在系统中配置有缓存，该缓存根据NandFlash规格建立，在系统中建立1page大小的中转ram，即随机存取存储器，用于在系统写操作完成后进行copyback操作时为从坏块中读出的1page数据提供临时存储空间。
顺序读取Nand Flash存储芯片每个block的块信息，将正常block的物理地址按顺序存储在逻辑地址映射表和对应的空闲块物理地址子表中。
在系统中配置有三组指针寄存器，分别用于存储当前Nand Flash芯片中块的读物理地址、写物理地址、擦除物理地址。
所述系统中配置写入失败地址表，该写入失败地址表中记录发生写入失败的块物理地址、替换块物理地址、写入失败页地址信息，即：在写操作过程中，当写入失败时，将该写入失败的块物理地址、替换该写入失败块的好块物理地址、写入失败页地址信息写入到写入失败地址表，在继续进行新数据的写入。
按逻辑地址顺序对Nand Flash芯片进行读写操作。逻辑地址从0开始累加，每一个逻辑地址对应一个物理块地址，每一个逻辑地址和块信息标识表中的一比特数据有唯一关系，具体转换关系跟存储块信息标识表的存储介质位宽有关。
当写入过程中发生写入失败时，首先根据块信息标识表找出下一个好块的物理地址，将写入失败的数据从缓存中取出然后写入好块中相同的页地址，之后将写入失败的块对应的块信息标识表那一比特置1，之后将写入失败块物理地址，好块物理地址，写入失败页地址等信息存入写入失败地址表，之后继续进行新数据的写入。
所述相同的页地址举例说明：
每个块中有256个页地址，把写入失败的数据从缓存中写入好块中对应的页地址，假如第2页写入失败，那就把数据写入下一个好块的第二页地址。每次写入一页，所以把写入失败的数据写入好块对应页地址。
当系统完成写入操作后，从写入失败地址表取出写入失败信息，使用Copy Back指令将写入失败的块中写入失败页前的各页数据写入好块中对应的页。
当进行读操作时，从块的起始逻辑地址开始读，若该逻辑地址对应的块信息标识为0，则该块为有效块，将该块中的数据读出；若对应的块信息标识为1，则该块为坏块，放弃读取，逻辑地址加1，重复上述过程直至完成文件逻辑地址的数据读取。
当进行擦除操作时，从起始逻辑地址开始擦除，若该逻辑地址对应的块信息标识为0，则该块为有效块，对该块进行擦除操作；若对应的块信息标识为1则该块为坏块，放弃擦除，逻辑地址加1，重复上述过程直至完成本次擦除操作。
当有所有好块使用完后，该映射表将向系统发送Nand Flash芯片写满信号。
下面我们以Macron MT29F512G08CUCABH310ITZ:A芯片为例进行说明。
芯片是152-ball，8个DIE BGA封装，包括4个target，每个target有2个LUN，每个LUN有2个plane。因此，我们一共有32768个block，即32768个逻辑和物理地址。我们以FPGA中得dram存储块信息标识表，数据位宽为8bit，因此，信息表一共有4096个条目，每个条目存储8个block的坏块信息，存储内容为0代表该block为好块，存储内容1代表该block为坏块。
然后，按逻辑地址顺序对芯片进行读写操作，当写入过程中发生写入失败时，首先根据块信息标识表找出下一个好块的物理地址，将写入失败的数据从缓存中取出然后写入好块中相同的页地址，之后将写入失败的块对应的块信息标识表那一比特置1，之后将写入失败块物理地址，好块物理地址，写入失败页地址等信息存入写入失败地址表，之后继续进行新数据的写入。
当系统完成写入操作后，从写入失败地址表取出写入失败信息，使用Copy Back指令将写入失败的块中写入失败页前的各页数据写入好块中对应的页；
当进行读操作时，从文件起始逻辑地址开始读，若该逻辑地址对应的坏块信息标识为0则该块为有效块，将该块中的数据读出，若对应的坏块信息标识为1则该块为坏块，放弃读取，逻辑地址加一，重复上述过程直至完成文件结束逻辑地址的数据读取；
当进行擦除操作时，从起始逻辑地址开始擦除，若该逻辑地址对应的坏块信息标识为0则该块为有效块，对该块进行擦除操作，若对应的坏块信息标识为1则该块为坏块，放弃擦除，逻辑地址加一，重复上述过程直至完成本次擦除操作，
当有所有好块使用完后，该映射表将向系统发送Nand Flash芯片写满信号。
通过上面具体实施方式，所述技术领域的技术人员可容易的实现本发明。但是应当理解，本发明并不限于上述的具体实施方式。在公开的实施方式的基础上，所述技术领域的技术人员可任意组合不同的技术特征，从而实现不同的技术方案。
除说明书所述的技术特征外，均为本专业技术人员的已知技术。

Claims (10)

1.一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，其特征在于，基于安装Nand Flash芯片的计算机系统，其实现过程为：
首先在系统中建立Nand Flash芯片的块信息标识表，用于存储块信息及相应的索引地址信息，这里的块信息包括好块标识及坏块标识；
对Nand Flash芯片进行写操作、读操作及擦除操作，当块的信息在块信息标识表中标记为好块时，将其进行相应的写操作、读操作及擦除操作，标记为坏块时则跳过；
当写操作、读操作及擦除操作出现失败时，将块信息标识表中的对应块标识为坏块标识；
当有所有好块使用完后，向系统发送Nand Flash芯片写满信号。
2.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，其特征在于，所述Nand Flash芯片中配置有若干块，即block，每个块均有逻辑地址和物理地址，每一个逻辑地址对应一个物理块地址，所有块根据位宽分成若干条目，每个条目中存储与位宽等个数的block块信息，存储内容为0时代表该block为好块，存储内容1时代表该block为坏块，每一个block对应1bit。
3.根据权利要求2所述的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，其特征在于，对Nand Flash芯片进行读写及擦除操作按照其逻辑地址顺序进行，且逻辑地址从0开始累加，每一个逻辑地址和块信息标识表中的一比特数据有唯一关系，块的逻辑地址和索引地址之间的关系为：逻辑地址=索引地址*位宽+block偏移地址，所述索引地址从0开始累加，block偏移地址则指块在所处条目中的具体位信息。
4.根据权利要求2或3所述的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，其特征在于，在系统中配置有三组指针寄存器，分别用于存储当前Nand Flash芯片中块的读物理地址、写物理地址、擦除物理地址。
5.根据权利要求2或3所述的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，其特征在于，在系统中配置有缓存，该缓存采用1page大小的中转ram存储器，并用于在系统写操作完成后进行热备份copyback操作时，从坏块中读出的1page数据提供临时存储空间。
6.根据权利要求5所述的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，其特征在于，在写操作过程中，当写入过程中发生写入失败时，首先根据块信息标识表找出下一个好块的物理地址，将写入失败的数据从缓存中取出然后写入到下一个好块相同的页地址，并将写入失败的块对应的块信息标识表位置改成坏块标识。
7.根据权利要求6所述的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，其特征在于，所述系统中配置写入失败地址表，该写入失败地址表中记录发生写入失败的块物理地址、替换块物理地址、写入失败页地址信息，即：在写操作过程中，当写入失败时，将该写入失败的块物理地址、替换该写入失败块的好块物理地址、写入失败页地址信息写入到写入失败地址表，在继续进行新数据的写入。
8.根据权利要求7所述的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，其特征在于，当系统完成写入操作后，从写入失败地址表中取出写入失败信息，使用热备份copyback指令在写入失败的块中，写入失败页前的各页数据及下一个好块中对应页数的页中。
9.根据权利要求2或3所述的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，其特征在于，当进行读操作时，从块的起始逻辑地址开始读，若该逻辑地址对应的块信息标识为0，则该块为有效块，将该块中的数据读出；若对应的块信息标识为1，则该块为坏块，放弃读取，逻辑地址加1，重复上述过程直至完成文件逻辑地址的数据读取。
10.根据权利要求2或3所述的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，其特征在于，当进行擦除操作时，从起始逻辑地址开始擦除，若该逻辑地址对应的块信息标识为0，则该块为有效块，对该块进行擦除操作；若对应的块信息标识为1则该块为坏块，放弃擦除，逻辑地址加1，重复上述过程直至完成本次擦除操作。
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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108829347A (zh) * 2018-05-29 2018-11-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种Nand设备的硬件控制器、控制方法及液晶显示器
CN109002265A (zh) * 2018-07-26 2018-12-14 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种数据处理的方法以及相关装置
CN109491820A (zh) * 2018-11-06 2019-03-19 湖南国科微电子股份有限公司 一种固态硬盘读错误处理方法
CN109637438A (zh) * 2019-02-22 2019-04-16 上海艾为电子技术股份有限公司 一种显示控制参数的更新方法、驱动芯片
CN110262980A (zh) * 2019-06-17 2019-09-20 吉林大学 基于有限寿命存储介质的高速存储系统
CN110287062A (zh) * 2019-06-28 2019-09-27 深圳忆联信息系统有限公司 一种硬件缓存管理数据备份和快速恢复的方法及其系统
CN110633056A (zh) * 2019-09-20 2019-12-31 恒宝股份有限公司 在操作系统层面的Flash芯片的页面管理方法及存储设备
WO2020015127A1 (zh) * 2018-07-19 2020-01-23 江苏华存电子科技有限公司 一种闪存内超级块的类型识别方法
CN110908593A (zh) * 2018-09-17 2020-03-24 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储空间擦除方法、装置、存储设备及存储介质
CN111177091A (zh) * 2020-04-10 2020-05-19 深圳市思拓通信系统有限公司 基于xfs文件系统录像预分配存储方法、系统及存储介质
US10748462B2 (en) 2018-05-29 2020-08-18 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Hardware controller of NAND device, control method and liquid crystal display
CN111949198A (zh) * 2019-05-16 2020-11-17 北京兆易创新科技股份有限公司 一种坏块管理方法、装置和存储设备
CN112558863A (zh) * 2020-11-25 2021-03-26 成都佰维存储科技有限公司 Ssd坏块替换方法、装置、可读存储介质及电子设备
CN112578993A (zh) * 2019-09-27 2021-03-30 北京忆恒创源科技有限公司 多平面nvm处理编程出错的方法与存储设备
CN112764683A (zh) * 2021-01-22 2021-05-07 苏州浪潮智能科技有限公司 存储块管理信息同步记录方法、系统、终端及存储介质
CN112802530A (zh) * 2021-01-12 2021-05-14 成都佰维存储科技有限公司 Nand测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
WO2021196660A1 (zh) * 2020-04-01 2021-10-07 长鑫存储技术有限公司 读写方法及存储器装置
CN114089916A (zh) * 2018-01-12 2022-02-25 珠海极海半导体有限公司 数据采集系统和温湿度传感器系统
CN114816571A (zh) * 2022-04-15 2022-07-29 西安广和通无线通信有限公司 外挂闪存的方法、装置、设备及存储介质
US11527301B2 (en) 2020-04-01 2022-12-13 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for reading and writing and memory device
CN115495024A (zh) * 2022-11-16 2022-12-20 石家庄科林电气股份有限公司 基于NandFlash的录波文件存储方法、装置、终端及存储介质
US11869615B2 (en) 2020-04-01 2024-01-09 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for reading and writing and memory device
US11886287B2 (en) 2020-04-01 2024-01-30 Changxin Memory Technologies, Inc. Read and write methods and memory devices
US11894088B2 (en) 2020-04-01 2024-02-06 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for reading and writing and memory device
US11899971B2 (en) 2020-04-01 2024-02-13 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for reading and writing and memory device
US11914479B2 (en) 2020-04-01 2024-02-27 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for reading and writing and memory device
US11922023B2 (en) 2020-04-01 2024-03-05 Changxin Memory Technologies, Inc. Read/write method and memory device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1470991A (zh) * 2002-07-25 2004-01-28 联想(北京)有限公司 一种采用与非闪存作系统存储器的方法及装置
CN101013397A (zh) * 2007-02-08 2007-08-08 深圳万利达电子工业有限公司 一种nandflash文件系统实现方法
CN102169462A (zh) * 2011-04-27 2011-08-31 中国科学院光电技术研究所 基于NAND Flash的数据记录方法与记录控制器
CN103778065A (zh) * 2012-10-25 2014-05-07 北京兆易创新科技股份有限公司 一种闪速存储器及其进行坏块管理的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1470991A (zh) * 2002-07-25 2004-01-28 联想(北京)有限公司 一种采用与非闪存作系统存储器的方法及装置
CN101013397A (zh) * 2007-02-08 2007-08-08 深圳万利达电子工业有限公司 一种nandflash文件系统实现方法
CN102169462A (zh) * 2011-04-27 2011-08-31 中国科学院光电技术研究所 基于NAND Flash的数据记录方法与记录控制器
CN103778065A (zh) * 2012-10-25 2014-05-07 北京兆易创新科技股份有限公司 一种闪速存储器及其进行坏块管理的方法

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114089916A (zh) * 2018-01-12 2022-02-25 珠海极海半导体有限公司 数据采集系统和温湿度传感器系统
US10748462B2 (en) 2018-05-29 2020-08-18 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Hardware controller of NAND device, control method and liquid crystal display
CN108829347A (zh) * 2018-05-29 2018-11-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种Nand设备的硬件控制器、控制方法及液晶显示器
WO2019227619A1 (zh) * 2018-05-29 2019-12-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种Nand设备的硬件控制器、控制方法及液晶显示器
WO2020015127A1 (zh) * 2018-07-19 2020-01-23 江苏华存电子科技有限公司 一种闪存内超级块的类型识别方法
CN109002265A (zh) * 2018-07-26 2018-12-14 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种数据处理的方法以及相关装置
CN109002265B (zh) * 2018-07-26 2021-12-17 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种数据处理的方法以及相关装置
CN110908593A (zh) * 2018-09-17 2020-03-24 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储空间擦除方法、装置、存储设备及存储介质
CN110908593B (zh) * 2018-09-17 2024-02-20 兆易创新科技集团股份有限公司 一种存储空间擦除方法、装置、存储设备及存储介质
CN109491820A (zh) * 2018-11-06 2019-03-19 湖南国科微电子股份有限公司 一种固态硬盘读错误处理方法
CN109637438A (zh) * 2019-02-22 2019-04-16 上海艾为电子技术股份有限公司 一种显示控制参数的更新方法、驱动芯片
CN111949198A (zh) * 2019-05-16 2020-11-17 北京兆易创新科技股份有限公司 一种坏块管理方法、装置和存储设备
CN110262980A (zh) * 2019-06-17 2019-09-20 吉林大学 基于有限寿命存储介质的高速存储系统
CN110287062A (zh) * 2019-06-28 2019-09-27 深圳忆联信息系统有限公司 一种硬件缓存管理数据备份和快速恢复的方法及其系统
CN110633056B (zh) * 2019-09-20 2023-05-26 恒宝股份有限公司 在操作系统层面的Flash芯片的页面管理方法及存储设备
CN110633056A (zh) * 2019-09-20 2019-12-31 恒宝股份有限公司 在操作系统层面的Flash芯片的页面管理方法及存储设备
CN112578993A (zh) * 2019-09-27 2021-03-30 北京忆恒创源科技有限公司 多平面nvm处理编程出错的方法与存储设备
WO2021196660A1 (zh) * 2020-04-01 2021-10-07 长鑫存储技术有限公司 读写方法及存储器装置
CN113495671B (zh) * 2020-04-01 2023-10-17 长鑫存储技术有限公司 读写方法及存储器装置
CN113495671A (zh) * 2020-04-01 2021-10-12 长鑫存储技术有限公司 读写方法及存储器装置
US11914479B2 (en) 2020-04-01 2024-02-27 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for reading and writing and memory device
US11922023B2 (en) 2020-04-01 2024-03-05 Changxin Memory Technologies, Inc. Read/write method and memory device
US11899971B2 (en) 2020-04-01 2024-02-13 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for reading and writing and memory device
US11527301B2 (en) 2020-04-01 2022-12-13 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for reading and writing and memory device
US11894088B2 (en) 2020-04-01 2024-02-06 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for reading and writing and memory device
US11886287B2 (en) 2020-04-01 2024-01-30 Changxin Memory Technologies, Inc. Read and write methods and memory devices
US11881240B2 (en) 2020-04-01 2024-01-23 Changxin Memory Technologies, Inc. Systems and methods for read/write of memory devices and error correction
US11869615B2 (en) 2020-04-01 2024-01-09 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for reading and writing and memory device
CN111177091B (zh) * 2020-04-10 2020-07-31 深圳市思拓通信系统有限公司 基于xfs文件系统录像预分配存储方法、系统及存储介质
CN111177091A (zh) * 2020-04-10 2020-05-19 深圳市思拓通信系统有限公司 基于xfs文件系统录像预分配存储方法、系统及存储介质
CN112558863A (zh) * 2020-11-25 2021-03-26 成都佰维存储科技有限公司 Ssd坏块替换方法、装置、可读存储介质及电子设备
CN112802530B (zh) * 2021-01-12 2023-11-21 成都佰维存储科技有限公司 Nand测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
CN112802530A (zh) * 2021-01-12 2021-05-14 成都佰维存储科技有限公司 Nand测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
CN112764683B (zh) * 2021-01-22 2023-01-10 苏州浪潮智能科技有限公司 存储块管理信息同步记录方法、系统、终端及存储介质
CN112764683A (zh) * 2021-01-22 2021-05-07 苏州浪潮智能科技有限公司 存储块管理信息同步记录方法、系统、终端及存储介质
CN114816571B (zh) * 2022-04-15 2023-06-16 西安广和通无线通信有限公司 外挂闪存的方法、装置、设备及存储介质
CN114816571A (zh) * 2022-04-15 2022-07-29 西安广和通无线通信有限公司 外挂闪存的方法、装置、设备及存储介质
CN115495024B (zh) * 2022-11-16 2023-03-10 石家庄科林电气股份有限公司 基于NandFlash的录波文件存储方法、装置、终端及存储介质
CN115495024A (zh) * 2022-11-16 2022-12-20 石家庄科林电气股份有限公司 基于NandFlash的录波文件存储方法、装置、终端及存储介质

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