CN107195564A - 光伏焊带内反射系数的测定方法及测定不同焊带组件的isc差异的方法 - Google Patents

光伏焊带内反射系数的测定方法及测定不同焊带组件的isc差异的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种光伏焊带内反射系数的测定方法及测定不同焊带组件的ISC差异的方法,涉及太阳能电池领域,该光伏焊带内反射系数的测定方法,包括以下步骤:选用n片电池片,在电池片的正面放置待测焊带,第m片电池片的正面放置m‑1条所述待测焊带;将放置好待测焊带的电池片分别用封装材料封装形成组件,测试每个组件的ISC;ISC1为第一片不放待测焊带的组件的短路电流;以电池片上放置的待测焊带的数量为横坐标,以ISC为纵坐标做离散图,经拟合后得到直线,所得直线的拟合斜率为k;待测焊带的内反射系数T=1+(k×电池片扣除主栅后的面积)/(ISC1×待测焊带宽度×电池片长度)。

Description

光伏焊带内反射系数的测定方法及测定不同焊带组件的ISC差 异的方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其是涉及一种光伏焊带内反射系数的测定方法及测定不同焊带组件的ISC差异的方法。
背景技术
对于太阳能电池组件,光照射在焊带上之后有三部分的去向。其中第一部分是被焊带吸收的部分,第二部分是被焊带反射到空气中的部分,第三部分是被焊带直接反射到电池片上或者反射到玻璃和空气的界面后被再次反射回电池片的部分。第三部分所占的比例即焊带的内反射系数。不同的焊带的内反射系数是不同的。焊带的内反射系数直接影响到组件的功率。但焊带的内反射系数还不能通过检测设备直接测量得到,如何设计一种方法以准确地测量出内反射系数仍然是一个技术难题。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种光伏焊带内反射系数的测定方法,以缓解现有技术中的无法测定焊带内反射系数的技术问题。
本发明的第二目的在于提供一种测定不同焊带组件的ISC差异的方法,利用该方法可以测定不同焊带对光伏组件电性能的影响。
为了实现本发明的上述目的,特采用以下技术方案:
一种光伏焊带内反射系数的测定方法,包括以下步骤:
步骤a):选用n片电池片,并用导电材料对所述n片电池片分别做正极汇流和负极汇流,其中,n≥2;
步骤b):在步骤a)得到的电池片的正面放置待测焊带,第m片电池片的正面放置m-1根所述待测焊带;所述待测焊带与所述电池片的主栅平行;所述待测焊带的长度大于等于所述电池片的长度;
步骤c):将放置好待测焊带的电池片分别用封装材料封装形成组件,测试每个组件的短路电流ISC
步骤d):以电池片上放置的待测焊带的根数为横坐标,以ISC为纵坐标做离散图,经拟合后得到直线,所得直线的拟合斜率为k;
待测焊带的内反射系数T=1+(k×电池片扣除主栅后的面积)/(ISC1×待测焊带宽度×电池片长度),其中,ISC1为第一片不放待测焊带的组件的短路电流。
进一步的,所述步骤a)中,n的取值范围为2-10。
进一步的,所述步骤a)中,所述n片电池片之间的短路电流差异≤20mA。
进一步的,所述步骤a)中,所述n片电池片之间的反射率差异≤2%。
进一步的,所述步骤a)中,所述n片电池片之间的氮化硅折射率差异≤0.05。
进一步的,所述步骤a)中,用导电材料对所述n片电池片分别做正极汇流和负极汇流包括以下步骤:所述电池片的正面与背面分别焊接常规焊带后,再将常规焊带分别焊接于汇流条。
进一步的,所述步骤a)中,所述电池片的主栅数量为2-5根。
进一步的,所述步骤b)中,所述待测焊带之间和所述待测焊带与所述电池片的主栅之间的距离均大于1cm。
进一步的,所述步骤c)中,所述封装材料包括玻璃、EVA和背板。
一种测定不同焊带组件的ISC差异的方法,包括以下步骤:
步骤a):根据权利要求1-9任一项所述光伏焊带内反射系数的测定方法测定焊带一的内反射系数T1和焊带二的内反射系数T2
步骤b):用焊带二制作光伏组件,并测试光伏组件的ISC2
焊带一与焊带二引起的组件的ISC差异=(ISC2/(电池片面积-主栅数量×焊带宽度×电池片长度×(1-T2)))×(主栅数量×焊带宽度×电池片长度×(T1-T2));
其中,焊带一的宽度等于焊带二的宽度。
与已有技术相比,本发明具有如下有益效果:
1)当前行业中,还没有人对焊带内反射系数提出过明确的测试方法,本发明提出的测定方法填补了这方面的空白。
2)本发明通过制作不同的组件,并在不同的组件中依次放置不同数量的待测焊带,这样在待测焊带的根数与组件的短路电流Isc之间会产生一定的关联性,通过离散图可以对各组件Isc和待测焊带的数量进行拟合,进而测定待测焊带的内反射系数。
由于焊带的各项性能对组件的功率有重要影响,通过测定焊带的内反射系数,可以在投产前对焊带进行评估,而不用做批量生产试验进行焊带评估,从而简化了原材料的评估过程,也避免由于焊带不合格造成在批量试验过程中组件的功率损失,因此,焊带的内反射系数可以作为评价焊带性能的一个重要指标。
3)焊带的内反射系数与焊带的结构、表面锡层的厚度、平整度、亮度等都有一定的关系,通过测定焊带的内反射系数,焊带生产厂家可以根据测定的焊带的内反射系数调整自身的制造工艺,以产品更具有市场竞争力。
4)利用焊带的内反射系数还可以测定不同焊带组件的ISC差异,从而计算出利用不用焊带制造的光伏组件的性能参数。因此,为了满足不同客户的订单需求,在电池片功率范围一定的情况下,可以通过使用具有不同内反射系数的焊带制备出满足客户需求的组件,使组件的性能参数的预算更准确,更接近于实际测量值,从而避免试做样品造成的不必要的浪费。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述,但是本领域技术人员将会理解,下列实施例仅用于说明本发明,而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
本发明中所称1、2、3、4与一、二以及A、B、C、D仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
本发明的一个方面提供了一种光伏焊带内反射系数的测定方法,包括以下步骤:
步骤a):选用n片电池片,并用导电材料对所述n片电池片分别做正极汇流和负极汇流,其中,n≥2;
步骤b):在步骤a)得到的电池片的正面放置待测焊带,第m片电池片的正面放置m-1根待测焊带;所述待测焊带与所述电池片的主栅平行;所述待测焊带的长度大于等于所述电池片的长度;
步骤c):将放置好待测焊带的电池片分别用封装材料封装成组件,测试每个组件的短路电流ISC
步骤d):以电池片上放置的待测焊带的根数为横坐标,以ISC为纵坐标做离散图,经拟合后得到直线,所得直线的拟合斜率为k;
待测焊带的内反射系数T=1+(k×电池片扣除主栅后的面积)/(ISC1×待测焊带宽度×电池片长度),其中,ISC1为第一片不放待测焊带的组件的短路电流。
本发明中,通过选取2片以上相同规格型号的电池片,其中,电池片的面积、尺寸均相同,并分别对每个电池片进行正极汇流和负极汇流,并在汇流后的电池片的表面放置待测焊带,其中第m片电池片的正面放置m-1根待测焊带,即第一片电池片的正面不放待测焊带,第二片电池片的表面放1根待测焊带,以此类推,第n片电池片的正面放置n-1根待测焊带,之后用封装材料将上述放置好待测焊带的电池片封装成组件,并测试每个组件的短路电流ISC,测得的短路电流按电池片顺序分别记为ISC1、ISC2、…….ISCn;这样,得到的短路电流ISC与放置的待测焊带的根数之间就存在一个对应关系,此时以电池片上放置的待测焊带的根数为横坐标,以ISC为纵坐标做离散图,经拟合后得到直线的拟合斜率k,根据公式待测焊带的内反射系数T=1+(k×电池片扣除主栅后的面积)/(ISC1×待测焊带宽度×电池片长度)即可求得待测焊带的内反射系数。
1)当前行业中,还没有人对焊带内反射系数提出过明确的测试方法,本发明提出的测定方法填补了这方面的空白。
2)本发明通过制作不同的组件,并在不同的组件中依次放置不同数量的待测焊带,这样在待测焊带的根数与组件的短路电流Isc之间会产生一定的关联性,通过离散图可以对各组件Isc和待测焊带的数量进行拟合,进而测定待测焊带的内反射系数。
由于焊带的各项性能对组件的功率有重要影响,通过测定焊带的内反射系数,可以在投产前对焊带进行评估,而不用做批量生产试验进行焊带评估,从而简化了原材料的评估过程,也避免由于焊带不合格造成在批量试验过程中组件的功率损失,因此,焊带的内反射系数可以作为评价焊带性能的一个重要指标。
3)焊带的内反射系数与焊带的结构、表面锡层的厚度、平整度、亮度等都有一定的关系,通过测定焊带的内反射系数,焊带生产厂家可以根据测定的焊带的内反射系数调整自身的制造工艺,以产品更具有市场竞争力。
待测焊带的长度大于等于所述电池片的长度,可以保证待测焊带遮光长度固定为电池片长度。
作为本发明优选的实施方式,所述步骤a)中,n的取值范围为2-10;优选地,n的取值范围为4-8。在上述优选的实施方式中,n的典型但非限制性的例如为:2、3、4、5、6、7、8、9或10。电池片的片数n越多,得到的离散数据越多,从而拟合得到的直线越接近于真实的数据线;但是使用的电池片的数量过多,会使实验成本增加。
作为本发明优选的实施方式,所述步骤a)中,所述n片电池片之间的短路电流差异≤20mA;优选地,所述n片电池片之间的短路电流差异0-15mA。在上述优选的实施方式中,n片电池片之间的短路电流差异典型但非限制性地例如为:0、1mA、2mA、3mA、4mA、5mA、6mA、7mA、8mA、9mA、10mA、11mA、12mA、13mA、14mA、15mA、16mA、17mA、18mA、19mA或20mA。
本发明中,通过在不同电池片表面放置不同数量的待测焊带,并做出组件,其中,制作的组件的Isc差异数据理想情况完全由实验方案即放置的待测焊带的数量不同引起的。如果电池片本身的Isc有较大差异,则利用电池片做成组件后Isc增益会有所不同,为了消除电池片片源的影响,优选地,本发明中n片电池片之间的短路电流差异≤20mA,从而电池片到组件Isc增益差异小,不影响结论的准确性。
作为本发明优选的实施方式,所述步骤a)中,所述n片电池片之间的反射率差异≤2%;优选地,所述n片电池片之间的反射率差异为0-1.5%。在上述优选的实施方式中,n片电池片之间的短路电流差异典型但非限制性地例如为:0、0.1%、0.2%、0.3%、0.4%、0.5%、0.6%、0.7%、0.8%、0.9%、1.0%、1.1%、1.2%、1.3%、1.4%、1.5%、1.6%、1.7%、1.8%、1.9%或2.0%。
具有相同短路电流的电池片采用相同的制作工艺制作组件,电池片的反射率不同,电池片到组件的Isc增益会不同。为了消除电池片片源的影响,优选地,本发明中n片电池片之间的反射率差异≤2%,从而电池片到组件Isc增益差异小,不影响结论的准确性。
作为本发明优选的实施方式,所述步骤a)中,所述n片电池片之间的氮化硅折射率差异≤0.05;优选地,所述n片电池片之间的氮化硅折射率差异为0-0.04。在上述优选的实施方式中,n片电池片之间的氮化硅折射率差异典型但非限制性地例如为:0、0.01、0.02、0.03、0.04或0.05。
具有相同短路电流和相同发射率的电池片采用相同的制作工艺制作组件,氮化硅SiN折射率不同,电池片到组件的Isc增益不同。为了消除电池片片源的影响,优选地,本发明中n片电池片之间的氮化硅折射率差异≤0.05,从而电池片到组件Isc增益差异小,不影响结论的准确性。
作为本发明优选的实施方式,所述步骤a)中,用导电材料对所述n片电池片分别做正极汇流和负极汇流包括以下步骤:所述电池片的正面与背面分别焊接常规焊带后,再将常规焊带分别焊接于汇流条。
常规焊带是指已经导入生产的焊带,即在组件的生产过程中已正常投产的焊带。
制作组件时,由于待测焊带的长度大于等于所述电池片的长度,因此,待测焊带和与电池片背面相连的汇流条要做绝缘处理,否则,待测焊带与电池片背面相连的汇流条搭接后会造成短路。
作为本发明优选的实施方式,所述步骤a)中,所述电池片的主栅数量为2-5根。
作为本发明优选的实施方式,所述步骤b)中,所述待测焊带之间或所述待测焊带与所述电池片的主栅之间的距离大于1cm;优选地,所述待测焊带之间或所述待测焊带与所述电池片的主栅之间的距离为1cm-5cm。在上述优选的实施方式中,待测焊带之间或所述待测焊带与所述电池片的主栅之间的距离典型但非限制性地例如为:1cm、2cm、3cm、4cm或5cm。
待测焊带之间或所述待测焊带与所述电池片的主栅之间的距离不能太小,否则经待测焊带反射的光会被反射至相邻的焊带上,造成光损失,影响测量结果。将待测焊带之间或待测焊带与电池片的主栅之间的距离设置为大于1cm,可以保证经待测焊带内反射的光都能照在电池片活性区域内。
作为本发明优选的实施方式,所述步骤c)中,所述封装材料包括玻璃、EVA和背板。
一种测定不同焊带组件的ISC差异的方法,包括以下步骤:
步骤a):根据权利要求1-9任一项所述光伏焊带内反射系数的测定方法测定焊带一的内反射系数T1和焊带二的内反射系数T2
步骤b):用焊带二制作光伏组件,并测试光伏组件的ISC2
焊带一与焊带二引起的组件的ISC差异=(ISC2/(电池片面积-主栅数量×焊带宽度×电池片长度×(1-T2)))×(主栅数量×焊带宽度×电池片长度×(T1-T2));
其中,焊带一的宽度等于焊带二的宽度。
利用焊带的内反射系数还可以测定不同焊带组件的ISC差异,从而计算出利用不用焊带制造的光伏组件的性能参数。因此,为了满足不同客户的订单需求,在电池片功率范围一定的情况下,可以通过使用具有不同内反射系数的焊带制备出满足客户需求的组件,使组件的性能参数的预算更准确,更接近于实际测量值,从而避免试做样品造成的不必要的浪费。
下面将结合实施例1-3对本发明做进一步详细的说明。
实施例1
本实施例是一种光伏焊带内反射系数的测定方法,包括以下步骤:
步骤a):选用10片5主栅单晶电池片,电池片边长156.75mm,面积244cm2,此10片电池片的Isc分布在9.5A-9.51A范围内,反射率分别在5%-5.5%范围内,SiN折射率分布在2.04-2.07范围内;
将上述10片电池片分为2组,每组5片,依次编号为C1-C5和D1-D5,其中C1-C5为一组,D1-D5为另外一组;
步骤b):将上述10片电池片的正面和背面分别焊上焊带,并焊接上汇流条;
步骤c):在C1-C5的电池片表面放置待测焊带A(宽度0.9mm,长度160mm),在C6-C10的电池片表面放置待测焊带B(宽度0.9mm,长度160mm);
C1电池片不放额外待测焊带A,C2电池片放1根待测焊带A,C3电池片放2根待测焊带A,C4电池片放3根待测焊带A,C5电池片放4根待测焊带A;
D1电池片不放额外待测焊带B,D2电池片放1根待测焊带B,D3电池片放2根待测焊带B,D4电池片放3根待测焊带B,D5电池片放4根待测焊带B;
步骤d):所述步骤c)中待测焊带A和待测焊带B的放置方法为:将待测焊带A和待测焊带B与电池片主栅平行的方向分别放置在电池片相邻两根主栅中间的位置,待测焊带A和待测焊带B与电池片背面相连的汇流条之间放一层背板材料做绝缘处理;
步骤e):将完成步骤d)后的电池片采用封装材料:背板、EVA和玻璃进行封装,制作成组件,并测试每一组件的ISC;分别记为:ISC11、ISC12、ISC13、ISC14、ISC15与ISC21、ISC22、ISC23、ISC24、ISC25
以电池片上放置的待测焊带的数量0-4为横坐标,以ISC为纵坐标做离散图,经拟合后得到两条直线,C1-C5组件Isc随0-4变化拟合斜率为ka,D1-D5组件Isc随0-4变化拟合斜率为kb
待测焊带A的内反射系数Ta=1+(ka×电池片扣除主栅后的面积)/(ISC11×待测焊带A宽度×电池片长度)=0.1237;
待测焊带B的内反射系数Tb=1+(kb×电池片扣除主栅后的面积)/(ISC21×待测焊带B宽度×电池片长度)=0.5113。
上述各步骤中测得的参数列于表1。
表1各组件的Isc、直线拟合斜率表
试验例
1)试验得到不同焊带的电流增益:
使用上述实施例中的待测焊带A制作10件多晶组件,电池片边长156mm,面积243.36cm2,Isc1=9A;另外,使用待测焊带A制作10件单晶组件,电池片边长156.75mm,面积243cm2,ISC2=9.8A。
使用上述实施例中的待测焊带B制作10件多晶组件,Isc3=9.105A;另外,使用待测焊带B制作10件单晶组件Isc4=9.919A。
2)计算得到不同焊带的电流增益:
利用实施例1中测定的待测焊带A和待测焊带B的焊带内反射系数对两种焊带引起的组件的Isc差异进行理论计算,得到:
待测焊带B与待测焊带A的差异引起的Isc差异=(待测焊带A组件Isc1/(电池片面积-主栅数量×焊带宽度×电池片长度×(1-焊带A内反射系数)))×(主栅数量×焊带宽度×电池片长度×(焊带B的内反射系数-焊带A内反射系数))。
其中,焊带一的宽度等于焊带二的宽度。
试验得到不同焊带的电流增益和计算得到不同焊带的电流增益结果列于表2。
表2不同焊带的试验电流增益和计算电流增益
实验电流增益(A) 计算电流增益(A)
多晶组件 0.105 0.103
单晶组件 0.119 0.113
通过表2,可以看出,利用本发明提供的测定方法的得到的计算电流增益与通过试验方法得到的实验电流增益的比较一致,说明我们测定内反射系数的方法是准确的,利用本发明提供的测定方法可以准确预测不同焊带制备组件的Isc差异。
实施例2
本实施例是一种光伏焊带内反射系数的测定方法,包括以下步骤:
步骤a):选用10片5主栅单晶电池片,电池片边长156.75mm,面积244cm2,此10片电池片的Isc分布在9.5A-9.51A范围内,反射率分别在5%-5.5%范围内,SiN折射率分布在2.04-2.07范围内;将上述10片电池片依次编号为C1-C10;
步骤b):将上述10片电池片的正面和背面分别焊上焊带,并焊接上汇流条;
步骤c):在C1-C10的电池片表面放置待测焊带C(宽度0.9mm,长度160mm);
C1电池片不放额外待测焊带C,C2电池片放1根待测焊带C,C3电池片放2根待测焊带C,C4电池片放3根待测焊带C,……,依次类推,C10电池片放9根待测焊带C;
步骤d):所述步骤c)中待测焊带C的放置方法为:将待测焊带C与电池片主栅平行的方向分别放置在电池片相邻两根主栅中间的位置,待测焊带C与电池片背面相连的汇流条之间放一层背板材料做绝缘处理;
步骤e):将完成步骤d)后的电池片采用封装材料:背板、EVA和玻璃进行封装,制作成组件,并测试每一组件的ISC;分别记为:ISC31、ISC32、ISC33、ISC34、ISC35、ISC36、ISC37、ISC38、ISC39、ISC310
以电池片上放置的待测焊带的数量0-9为横坐标,以ISC为纵坐标做离散图,经拟合后得到直线,C1-C10组件ISC随0-9变化拟合斜率为kc
待测焊带C的内反射系数Tc=1+(kc×电池片的面积)/(ISC31×待测焊带C宽度×电池片长度)=0.1654。
上述各步骤中测得的参数列于表3。
表3各组件的Isc、直线拟合斜率表
实施例3
本实施例是一种光伏焊带内反射系数的测定方法,包括以下步骤:
步骤a):选用2片5主栅单晶电池片,电池片边长156.75mm,面积244cm2,此2片电池片的Isc分布在9.5A-9.51A范围内,反射率分别在5%-5.5%范围内,SiN折射率分布在2.04-2.07范围内;将上述10片电池片依次编号为C1-C2;
步骤b):将上述2片电池片的正面和背面分别焊上焊带,并焊接上汇流条;
步骤c):在C1-C2的电池片表面放置待测焊带D(宽度0.9mm,长度160mm);
C1电池片不放额外待测焊带D,C2电池片放1根待测焊带D;
步骤d):所述步骤c)中待测焊带C的放置方法为:将待测焊带D与电池片主栅平行的方向分别放置在电池片相邻两根主栅正中间的位置,待测焊带D与电池片背面相连的汇流条之间放一层背板材料做绝缘处理;
步骤e):将完成步骤d)后的电池片采用封装材料:背板、EVA和玻璃进行封装,制作成组件,并测试每一组件的Isc;分别记为:ISC41、ISC42
以电池片上放置的待测焊带的数量0-1为横坐标,以ISC为纵坐标做离散图,经拟合后得到直线,C1-C2组件Isc随0-1变化拟合斜率为kd
待测焊带D的内反射系数Td=1+(kd×电池片的面积)/(ISC41×待测焊带D宽度×电池片长度)=0.3528。
上述各步骤中测得的参数列于表4。
表4各组件的Isc、直线拟合斜率表
尽管已用具体实施例来说明和描述了本发明,然而应意识到,在不背离本发明的精神和范围的情况下可以作出许多其它的更改和修改。因此,这意味着在所附权利要求中包括属于本发明范围内的所有这些变化和修改。

Claims (10)

1.一种光伏焊带内反射系数的测定方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤a):选用n片电池片,并用导电材料对所述n片电池片分别做正极汇流和负极汇流,其中,n≥2;
步骤b):在步骤a)得到的电池片的正面放置待测焊带,第m片电池片的正面放置m-1根待测焊带;所述待测焊带与所述电池片的主栅平行;所述待测焊带的长度大于等于所述电池片的长度;
步骤c):将放置好待测焊带的电池片分别用封装材料封装成组件,测试每个组件的短路电流ISC
步骤d):以电池片上放置的待测焊带的根数为横坐标,以ISC为纵坐标做离散图,经拟合后得到直线,所得直线的拟合斜率为k;
待测焊带的内反射系数T=1+(k×电池片扣除主栅后的面积)/(ISC1×待测焊带宽度×电池片长度),其中,ISC1为第一片不放待测焊带的组件的短路电流。
2.根据权利要求1所述的光伏焊带内反射系数的测定方法,其特征在于,所述步骤a)中,n的取值范围为2-10。
3.根据权利要求1或2所述的光伏焊带内反射系数的测定方法,其特征在于,所述步骤a)中,所述n片电池片之间的短路电流差异≤20mA。
4.根据权利要求1或2所述的光伏焊带内反射系数的测定方法,其特征在于,所述步骤a)中,所述n片电池片之间的反射率差异≤2%。
5.根据权利要求1或2所述的光伏焊带内反射系数的测定方法,其特征在于,所述步骤a)中,所述n片电池片之间的氮化硅折射率差异≤0.05。
6.根据权利要求1或2所述的光伏焊带内反射系数的测定方法,其特征在于,所述步骤a)中,用导电材料对所述n片电池片分别做正极汇流和负极汇流包括以下步骤:所述电池片的正面与背面分别焊接常规焊带后,再将常规焊带分别焊接于汇流条。
7.根据权利要求1或2所述的光伏焊带内反射系数的测定方法,其特征在于,所述步骤a)中,所述电池片的主栅数量为2-5根。
8.根据权利要求1或2所述的光伏焊带内反射系数的测定方法,其特征在于,所述步骤b)中,所述待测焊带之间和所述待测焊带与所述电池片的主栅之间的距离均大于1cm。
9.根据权利要求1或2所述的光伏焊带内反射系数的测定方法,其特征在于,所述步骤c)中,所述封装材料包括玻璃、EVA和背板。
10.一种测定不同焊带组件的ISC差异的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤a):根据权利要求1-9任一项所述光伏焊带内反射系数的测定方法测定焊带一的内反射系数T1和焊带二的内反射系数T2
步骤b):用焊带二制作光伏组件,并测试光伏组件的ISC2
焊带一与焊带二引起的组件的ISC差异=(ISC2/(电池片面积-主栅数量×焊带宽度×电池片长度×(1-T2)))×(主栅数量×焊带宽度×电池片长度×(T1-T2));
其中,焊带一的宽度等于焊带二的宽度。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102130197A (zh) * 2010-12-31 2011-07-20 常州天合光能有限公司 一种反光与低电阻的晶体硅太阳电池组件及其连接焊带
CN102623537A (zh) * 2012-03-31 2012-08-01 常州大学 一种高效光伏焊带及其用途
CN102709371A (zh) * 2012-05-08 2012-10-03 常州天合光能有限公司 太阳电池组件所用焊带结构
CN102983223A (zh) * 2012-12-07 2013-03-20 天津英利新能源有限公司 光伏组件及其生产工艺和生产设备
CN103985775A (zh) * 2014-05-29 2014-08-13 蒙特集团(香港)有限公司 一种高效光伏异构焊带

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102130197A (zh) * 2010-12-31 2011-07-20 常州天合光能有限公司 一种反光与低电阻的晶体硅太阳电池组件及其连接焊带
CN102623537A (zh) * 2012-03-31 2012-08-01 常州大学 一种高效光伏焊带及其用途
CN102709371A (zh) * 2012-05-08 2012-10-03 常州天合光能有限公司 太阳电池组件所用焊带结构
CN102983223A (zh) * 2012-12-07 2013-03-20 天津英利新能源有限公司 光伏组件及其生产工艺和生产设备
CN103985775A (zh) * 2014-05-29 2014-08-13 蒙特集团(香港)有限公司 一种高效光伏异构焊带

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