CN107192934B - 一种用于大功率igbt的结壳瞬态热阻抗的测量方法 - Google Patents

一种用于大功率igbt的结壳瞬态热阻抗的测量方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107192934B
CN107192934B CN201710334867.4A CN201710334867A CN107192934B CN 107192934 B CN107192934 B CN 107192934B CN 201710334867 A CN201710334867 A CN 201710334867A CN 107192934 B CN107192934 B CN 107192934B
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
igbt
curve
thermal impedance
junction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201710334867.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107192934A (zh
Inventor
王跃
王璋
尹诗媛
周晖
尹太元
段国朝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Jiaotong University
Original Assignee
Xian Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Jiaotong University filed Critical Xian Jiaotong University
Priority to CN201710334867.4A priority Critical patent/CN107192934B/zh
Publication of CN107192934A publication Critical patent/CN107192934A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107192934B publication Critical patent/CN107192934B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
    • G01R31/2619—Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring thermal properties thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于大功率IGBT的结壳瞬态热阻抗的测量方法，包括获取IGBT温敏参数定标曲线、获取IGBT冷却过程中结温和壳温的降温曲线、降温曲线的偏移校正和拟合降温曲线获取瞬态结壳热阻抗参数四个步骤。本发明利用热敏参数法测量出大功率IGBT在冷却过程中结温的降温曲线，同时利用热电偶法获取IGBT壳温的降温曲线，然后利用曲线拟合获取IGBT的瞬态热阻抗参数。此方案操作方便，使用范围广，同时可以较为直接准确的获取IGBT内部的瞬态热阻抗参数，可以用于大功率IGBT在实际运行中预测结温变化趋势，从而进一步进行热稳定评估。

Description

一种用于大功率IGBT的结壳瞬态热阻抗的测量方法
技术领域
本发明属于半导体器件的热瞬态过程分析技术领域，特别涉及一种大功率IGBT结壳瞬态热阻抗的测量方法，用于大功率IGBT在实际运行中预测结温变化趋势，从而进一步进行热稳定评估。
背景技术
近年来，大功率电力电子装置在电网中的应用越来越广泛(例如MMC，STATCOM等)，同时其电压等级和功率等级也越来越高。因此对应用于此类电力电子装置的IGBT的电压等级和容量的要求也越来越高。目前此类装置在选取IGBT型号时主要依靠经验值，主要目的是为了避免IGBT过电压或者过热失效，因此IGBT的容量会留有较大的裕度。
采取经验值的方式选取IGBT可以使得IGBT的容量留有较大的裕度，能够保证装置运行过程中IGBT稳定安全运行，但是造成了一定程度的浪费，从经济性和节能方面考虑均是不可取的。
因此为了最大程度的减小上述电力电子装置的成本，充分使用IGBT的容量。需要获取IGBT内部完整的瞬态热阻抗数据，并在装置设计时作为选取IGBT型号的参考依据，使IGBT工作在热稳定状态的同时，又能使其的容量得到最大程度的利用。
发明内容
为了解决上述技术问题，提出了一种用于大功率IGBT的结壳瞬态热阻抗的测量方法，利用热敏参数法测量出大功率IGBT在冷却过程中结温的降温曲线，同时利用热电偶法获取IGBT壳温的降温曲线，从而可以获得瞬态热阻抗曲线，然后利用曲线拟合获取IGBT的瞬态热阻抗参数。此方案可以较为直接准确的获取IGBT内部的瞬态热阻抗参数，可以用于大功率IGBT在实际运行中预测结温变化趋势，从而进一步进行热稳定评估。
本发明采用下述技术方案：
一种用于大功率IGBT的结壳瞬态热阻抗的测量方法，包括以下步骤：
步骤一，利用温敏电参数法，获取温敏参数定标曲线及拟合关系式，温敏参数包括结温Tj和饱和压降Vce；
步骤二，对IGBT进行冷却实验，获取IGBT在冷却过程中结温和壳温的降温曲线；
步骤三，对获取的结温的降温曲线进行偏移校正，去除初始阶段的电子干扰，并找出准确的初始结温；
步骤四，对偏移校正后的结温和壳温的降温曲线进行做差，获取瞬态热阻抗曲线，然后通过瞬态热阻抗模型拟合曲线获取瞬态结壳热阻抗参数。
本发明进一步的改进在于，步骤一中的温敏电参数法具体包括：
首先将IGBT置于恒温箱中，则稳定后结温等于恒温箱的温度，并使其通过电流Ic，电流Ic的大小为100mA-1A；然后测量IGBT的饱和压降Vce，改变恒温箱的温度，在20℃-150℃范围内重复上述步骤，最后对获取的数据以结温Tj为应变量，饱和压降Vce自变量为进行线性拟合，得到拟合关系式。
本发明进一步的改进在于，步骤二中的对IGBT进行冷却实验具体包括：
首先让IGBT工作在额定工作状态，稳定后切断IGBT的正常工作状态，并通过电流Ic维持导通，IGBT开始自然冷却降温，测量在冷却过程中结温和壳温的降温曲线。
本发明进一步的改进在于，结温的降温曲线是通过测量IGBT冷却过程中饱和压降Vce的变化曲线，并依照结温Tj-饱和压降Vce的拟合关系式获得的；而壳温的降温曲线则是利用热电偶直接测温获取的。
本发明进一步的改进在于，步骤三中的去除初始阶段的电子干扰是指：测试的初始阶段有电子干扰，需要去掉在切断时间tcut内记录的信号点。
本发明进一步的改进在于，初始结温的确定具体包括：在去掉切断时间tcut内记录的信号点后，这段时间内的结温变化ΔTJ(tcut)与时间的平方根近似成线性关系，并推导出t＝0时的结温TJ0。
本发明进一步的改进在于，IGBT结壳瞬态热阻抗曲线与所述结温和壳温曲线之间的关系式为：
Figure BDA0001293540630000031
其中，ΔP表示IGBT正常工作与冷却两个状态之间的功率差值；Tjc0表示初始结壳之间的温度差；Tjc(t)表示不同时刻结壳之间的温度差；Zjc(t)，表示相应的不同时刻的结壳瞬态阻抗值。
本发明进一步的改进在于，待拟合的瞬态热阻抗模型选取4阶FOSTER模型。
本发明具有以下有益的技术效果：
本发明所提出的方法可以准确的测量出IGBT瞬态热阻抗参数，可以用于预测IGBT实际运行中的结温变化趋势，从而进一步进行热稳定评估。同时在工业生产中，IGBT瞬态热阻抗参数可作为换流阀设计的参考依据，使IGBT工作在热稳定状态的同时，又能使其的容量得到最大程度的利用，最大程度的减小电力电子装置的成本。本发明中通过采用温敏电参数法和热电偶法相结合的方式，进行IGBT的冷却实验，通过拟合降温曲线可以获取IGBT内部完整的瞬态热阻抗参数；IGBT结温的测量是通过测量IGBT在小电流导通条件下的饱和压降间接获取的，不需要破坏IGBT的物理结构，也保证了测量的准确性。
进一步地，本发明对IGBT结温的测量是通过测量IGBT在小电流导通条件下的饱和压降间接获取的，减小了电流发热对测量结果的影响，准确度高。
进一步地，本发明对结温和壳温曲线的测量是测量其冷却过程中的降温曲线，避免了损耗变化对测量结温的影响。
附图说明
图1为本发明实施方案的步骤流程图；
图2为获取温敏参数(结温Tj-饱和压降Vce)定标曲线的实验电路图，其中IGBT部分置于恒温箱中；S为单刀单掷开关；IC为恒流源，其值应大于IGBT维持导通所需的最小电流，参考值范围：100mA-1A，具体值根据IGBT型号选择；
图3为本发明的一个实施例中得到的结温Tj和饱和压降Vce的关系图；
图4为获取IGBT冷却过程中结温和壳温的降温曲线的实验电路图，其中IC的值与图1中的恒流源值保持一致；二极管D1选取快恢复二极管；ILOAD为IGBT在正常工作时流过的负载电流，取值以IGBT的额定稳态工作电流为宜；AD采样的电压范围0-3.3V，采样频率为10kHz；
图5为散热器上埋设热电偶的布局示意图；
图6为本发明的实施例中得到的结温Tj壳温Tc的降温曲线图；
图7为降温曲线的偏移校正示意图；
图8为本发明的实施例中，对结温Tj曲线的偏移校正图；
图9为IGBT瞬态热阻抗的FOSTER模型，图中所示的为4阶FOSTER模型。
图10为本发明的实施例中得到的瞬态热阻抗曲线图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明：
本发明的实施方式分为四个步骤，如图1所示，具体实施步骤如下：
在一定温度范围内(一般指20℃-150℃)IGBT的某些参数与结温之间存在着近似线性的关系。其中IGBT在小电流导通条件下的饱和压降Vce通常作为温敏参数用于间接地测量结温。本发明利用了这种关系，因此首先需要获取温敏参数(结温Tj-饱和压降Vce)定标曲线，其具体步骤为：
1.将待测的大功率IGBT按图2所示电路连接好，并将IGBT部分置于恒温箱中，然后设置恒温箱的温度为20℃。
2.待IGBT内部温度稳定后，闭合开关S，待电压表示数稳定后记录电压表的值，即Vce1；
3.接着分别设置恒温箱的温度为30℃:10:150℃，然后重复第二步操作，记录每个温度对应的饱和压降Vce；
4.最后将获得的数据进行一阶线性拟合，得到Tj-Vce的一阶拟合关系式。
在本发明的一个实施例中，得到的结温Tj和饱和压降Vce的关系如图3所示，其一阶拟合关系式为：
Tj＝620.217-797.101Vce
然后通过实验获取IGBT冷却过程中结温和壳温的降温曲线。其中通过测量在冷却过程中小电流导通条件下的饱和压降变化曲线，并依据上一步获得的Tj-Vce一阶拟合关系式，间接得到结温的降温曲线；壳温的降温曲线则直接利用热电偶测出，具体步骤如下:
1.在散热器上正对IGBT芯片的区域均匀埋设7个热电偶，如图5所示，并保证与IGBT底板良好接触，IGBT的底板与散热器之间加一层均匀的导热硅脂，硅脂的厚度以40μm左右为宜；散热器下方加水冷装置，保持散热器温度衡定,以20℃左右为宜，记录散热器的温度，作为基准温度Ta；在待测器件上方施加一个压力(10N/cm2以内)，保证待测器件与散热器的良好接触；完成上述步骤后，按图4所示实验电路连接好待测主电路，由于在开通或切断大电流负载时存在一定开合时间，图4的测试电路结构可以保证在开通或切断大电流后，小电流能立即通过IGBT维持其导通并使AD采样能立刻测到IGBT的饱和压降Vce。
2.启动变换器使其正常工作(即闭合S1)，测量IGBT饱和压降Vce1，待AD采样电压示数稳定时，可认为IGBT结温已稳定。
3.启动AD采样，1s后切断变换器的正常工作状态(即断开S1)，IGBT将转换为小电流导通状态，这时AD电压采样将会记录下饱和压降Vce的值；从断开S1开始，每隔时间t(t＝0.01s，根据实际的IGBT需要修改时间间隔)选取一个采样点的Vce值，直至Vce值不变；其中t＝0-0.01s期间需要至少均匀选取50个采样点的Vce值。
4.根据AD采样获取的Vce值和已经求得的结温定标曲线拟合关系式，绘出Tj-t曲线。
5.根据热电偶采集到的数据，将其中温度最高的一组作为壳温的降温曲线，绘出Tc-t曲线。
在本发明的实施例中，得到的结温Tj和壳温Tc的降温曲线如图6所示。
由于在测试的初始阶段有电子干扰，需要去掉在一定的切断时间tcut内记录的信号点，即对IGBT冷却过程中的降温曲线进行偏移校正。但是这个时间段内的温度变化ΔTJ(tcut)不可忽略。在这段时间内，ΔTJ(tcut)与时间的平方根近似成线性关系，这样就可推导出t＝0时的结温TJ0，具体步骤如下：
如图4所示，0-t1时间内存在电子干扰，需要舍去这段时间内的数据；可认为0-2t1时间内ΔTJ(tcut)与时间的平方根近似成线性关系，则对时间轴开方后。从
Figure BDA0001293540630000073
处开始反向延长曲线，直至0s，则可得到0s的初始结温TJ0。
在本发明的实施例中，得到的结温Tj曲线在初始阶段同样存在着电子干扰，如图8所示，通过偏移校正后，找出的初始结温约为57.9℃。
最后对偏移校正后的结温和壳温的降温曲线进行做差，进一步通过关系式获取瞬态热阻抗曲线，然后拟合曲线获取瞬态结壳热阻抗参数，具体步骤如下：
将结温曲线Tj(t)和壳温曲线Tc(t)做差，得到结壳降温曲线Tjc(t),根据IGBT结壳瞬态热阻抗曲线与所述结温和壳温曲线之间的关系式为：
Figure BDA0001293540630000071
其中ΔP＝ILOAD×Vce1
从而得到IGBT结壳瞬态热阻抗曲线Zjc(t)，可以用FOSTER模型描述。对于FOSTER模型，其瞬态热阻抗表达式为：
Figure BDA0001293540630000072
一般4阶以上的FOSTER模型可以较为准确的描述瞬态热传导模型，本发明中采用4阶FOSTER模型，如图5所示。以4阶FOSTER模型作为待拟合关系式，对得到IGBT结壳瞬态热阻抗曲线Zjc(t)进行拟合，则可以得到精确的IGBT结壳间的瞬态热网络RC参数。
在本发明的实施例中，得到的瞬态热阻抗曲线如图10所示，对其用四阶FOSTER模型进行拟合，最后得到的拟合关系式为：
Figure BDA0001293540630000081
则对应的瞬态热阻抗参数为：
R1 0.00123 C1 473.984
R2 0.00145 C2 40.689
R3 0.000266 C3 22.556
R4 0.000257 C4 3.891

Claims (4)

1.一种用于大功率IGBT的结壳瞬态热阻抗的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，利用温敏电参数法，获取温敏参数定标曲线及拟合关系式，温敏参数包括结温Tj和饱和压降Vce；具体包括：
首先将IGBT置于恒温箱中，则稳定后结温等于恒温箱的温度，并使其通过电流Ic，电流Ic的大小为100mA-1A；然后测量IGBT的饱和压降Vce，改变恒温箱的温度，在20℃-150℃范围内重复上述步骤，最后对获取的数据以结温Tj为应变量，饱和压降 Vce 为自变量 进行线性拟合，得到拟合关系式；
步骤二，对IGBT进行冷却实验，获取IGBT在冷却过程中结温和壳温的降温曲线；具体包括：
首先让IGBT工作在额定工作状态，稳定后切断IGBT的正常工作状态，并通过电流Ic维持导通，IGBT开始自然冷却降温，测量在冷却过程中结温和壳温的降温曲线；其中，结温的降温曲线是通过测量IGBT冷却过程中饱和压降Vce的变化曲线，并依照结温Tj-饱和压降Vce的拟合关系式获得的；而壳温的降温曲线则是利用热电偶直接测温获取的；
IGBT结壳瞬态热阻抗曲线与所述结温和壳温曲线之间的关系式为：
Figure FDA0002097498740000011
其中，ΔP表示IGBT正常工作与冷却两个状态之间的功率差值；Tjc0表示初始结壳之间的温度差；Tjc(t)表示不同时刻结壳之间的温度差；Zjc(t)，表示相应的不同时刻的结壳瞬态阻抗值；
步骤三，对获取的结温的降温曲线进行偏移校正，去除初始阶段的电子干扰，并找出准确的初始结温；
步骤四，对偏移校正后的结温和壳温的降温曲线进行做差，获取瞬态热阻抗曲线，然后通过瞬态热阻抗模型拟合曲线获取瞬态结壳热阻抗参数。
2.根据权利要求1所述的一种用于大功率IGBT的结壳瞬态热阻抗的测量方法，其特征在于，步骤三中的去除初始阶段的电子干扰是指：测试的初始阶段有电子干扰，需要去掉在切断时间tcut内记录的信号点。
3.根据权利要求1所述的一种用于大功率IGBT的结壳瞬态热阻抗的测量方法，其特征在于，初始结温的确定具体包括：在去掉切断时间tcut内记录的信号点后，这段时间内的结温变化ΔTJ(tcut)与时间的平方根近似成线性关系，并推导出t＝0时的结温TJ0。
4.根据权利要求1所述的一种用于大功率IGBT的结壳瞬态热阻抗的测量方法，其特征在于，待拟合的瞬态热阻抗模型选取4阶FOSTER模型。
CN201710334867.4A 2017-05-12 2017-05-12 一种用于大功率igbt的结壳瞬态热阻抗的测量方法 Expired - Fee Related CN107192934B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710334867.4A CN107192934B (zh) 2017-05-12 2017-05-12 一种用于大功率igbt的结壳瞬态热阻抗的测量方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710334867.4A CN107192934B (zh) 2017-05-12 2017-05-12 一种用于大功率igbt的结壳瞬态热阻抗的测量方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107192934A CN107192934A (zh) 2017-09-22
CN107192934B true CN107192934B (zh) 2020-07-28

Family

ID=59873604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710334867.4A Expired - Fee Related CN107192934B (zh) 2017-05-12 2017-05-12 一种用于大功率igbt的结壳瞬态热阻抗的测量方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107192934B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110907786A (zh) * 2018-09-17 2020-03-24 国网浙江省电力公司 一种晶闸管器件电热耦合特性的测量方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108414909B (zh) * 2018-02-02 2019-11-29 北京航空航天大学 一种基于电学法的达林顿管稳态热阻测量方法
CN109188232B (zh) * 2018-09-06 2021-04-27 河北工业大学 一种igbt模块状态评估与剩余寿命预测模型的构建方法
CN109270381B (zh) * 2018-10-30 2020-12-18 杭州高坤电子科技有限公司 四路独立电子负载控制并测量结温系统及其结温测量方法
CN109597966B (zh) * 2018-11-30 2023-03-24 上海大郡动力控制技术有限公司 电机控制器中功率元件igbt结温的估算方法
CN109581178B (zh) * 2018-12-21 2020-12-15 武汉合康电驱动技术有限公司 确定电压型逆变器igbt模块结温的方法及设备
CN109709141B (zh) * 2019-01-21 2022-10-18 北京工业大学 一种igbt温升和热阻构成测试装置和方法
CN109871591A (zh) 2019-01-24 2019-06-11 武汉大学 一种igbt功率模块在线估算结温的方法
CN110502842B (zh) * 2019-08-26 2023-05-30 阳光电源股份有限公司 功率半导体模块的热模型建模方法及其应用方法和装置
CN111487513B (zh) * 2020-04-16 2022-07-19 西安太乙电子有限公司 一种根据结温实时修正的时控间歇寿命试验方法
CN111781480B (zh) * 2020-05-28 2022-05-20 南方电网科学研究院有限责任公司 一种igbt的结温监测方法、装置和系统
CN112327133A (zh) * 2020-10-20 2021-02-05 南京尚孚电子电路有限公司 一种用于铝基电路板的高温散热测试系统及其测试方法
CN112906330A (zh) * 2021-01-27 2021-06-04 中国电力科学研究院有限公司 一种适用于大功率igbt的宽频建模方法
CN113125927B (zh) * 2021-04-09 2024-02-09 东风汽车动力零部件有限公司 一种用于获取功率模块结温热阻模型的测试电路及方法
CN113514747A (zh) * 2021-04-15 2021-10-19 华电(烟台)功率半导体技术研究院有限公司 一种测量电力电子器件温度分布的电学方法
CN113358995B (zh) * 2021-05-24 2022-05-17 丽水方德智驱应用技术研究院有限公司 一种功率元器件在线结温估算方法
CN113419155B (zh) * 2021-06-11 2022-06-21 合肥工业大学 Igbt模块在线监测系统及在线监测方法
CN114034912B (zh) * 2021-11-08 2022-07-19 湖南大学 基于大电流饱和压降的igbt结壳热阻测量方法
CN114384385A (zh) * 2021-12-03 2022-04-22 南方电网科学研究院有限责任公司 一种压接型功率模块igbt热阻测试方法
CN114354982A (zh) * 2021-12-17 2022-04-15 北京市科通电子继电器总厂有限公司 一种瞬态热阻测试方法、系统及电子设备
CN114441923B (zh) * 2022-04-08 2022-06-28 北京智芯微电子科技有限公司 瞬态热阻的模拟系统与方法
CN116539961B (zh) * 2023-07-07 2023-08-25 北京智芯传感科技有限公司 一种基于热瞬态测试的mems换能元性能检测方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103852483A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 中国科学院微电子研究所 一种igbt结壳热阻的测量方法
CN105699775A (zh) * 2016-03-18 2016-06-22 重庆大学 Igbt耦合热阻抗的离散化方波提取方法及装置
CN105806887A (zh) * 2016-04-22 2016-07-27 全球能源互联网研究院 一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具
CN106443400A (zh) * 2016-09-14 2017-02-22 河北工业大学 一种igbt模块的电‑热‑老化结温计算模型建立方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10156512B2 (en) * 2013-03-01 2018-12-18 Futurewei Technologies, Inc. System and method for measuring thermal reliability of multi-chip modules

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103852483A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 中国科学院微电子研究所 一种igbt结壳热阻的测量方法
CN105699775A (zh) * 2016-03-18 2016-06-22 重庆大学 Igbt耦合热阻抗的离散化方波提取方法及装置
CN105806887A (zh) * 2016-04-22 2016-07-27 全球能源互联网研究院 一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具
CN106443400A (zh) * 2016-09-14 2017-02-22 河北工业大学 一种igbt模块的电‑热‑老化结温计算模型建立方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110907786A (zh) * 2018-09-17 2020-03-24 国网浙江省电力公司 一种晶闸管器件电热耦合特性的测量方法
CN110907786B (zh) * 2018-09-17 2022-03-22 国网浙江省电力公司 一种晶闸管器件电热耦合特性的测量方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107192934A (zh) 2017-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107192934B (zh) 一种用于大功率igbt的结壳瞬态热阻抗的测量方法
CN109597966B (zh) 电机控制器中功率元件igbt结温的估算方法
Wu et al. A temperature-dependent thermal model of IGBT modules suitable for circuit-level simulations
CN105825019B (zh) 一种绝缘栅双极晶体管igbt模块温度求解算法
CN105572558A (zh) 一种功率二极管模块工作结温的在线检测系统及其检测方法
CN103175861B (zh) 结壳热阻测试方法
CN102759544B (zh) 一种大功率碳化硅二极管热阻测试方法
CN104217130A (zh) 一种计算mmc的损耗方法
CN103852483A (zh) 一种igbt结壳热阻的测量方法
CN107315877A (zh) 一种预测功率器件结温的方法及系统
CN108680847A (zh) 基于故障电流下的igbt结温的热计算方法
CN102608511A (zh) 一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法
CN107861040A (zh) 一种基于仿真建模和短时试验的igbt间歇寿命试验方法
Mertens et al. Spray cooling of IGBT devices
Xu et al. Modeling and correlation of two thermal paths in frequency-domain thermal impedance model of power module
CN108572306A (zh) 逆导型igbt的热阻测试电路和方法
CN104601019A (zh) 智能功率模块、功率器件及其温度检测电路和方法
CN115629553A (zh) 一种高时空分辨率igbt模块电热应力计算方法
CN110082660A (zh) 基于卡尔曼滤波器的变流器igbt模块结温估计方法
CN104596658A (zh) 功率器件和智能功率模块
CN103870612A (zh) 一种获得igbt器件热阻的系统和方法
Du et al. Thermal network parameter identification of IGBT module based on the cooling curve of junction temperature
Glitz et al. LLC converters: Beyond datasheets for MOSFET power loss estimation
Ren et al. Finite element model optimization and thermal network parameter extraction of press-pack IGBT
CN103364739B (zh) 一种开关电源中开关管的结点温升测试方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20200728

Termination date: 20210512

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee