CN107188347A

CN107188347A - 全智能前置净水防垢器

Info

Publication number: CN107188347A
Application number: CN201710576345.5A
Authority: CN
Inventors: 刘�东; 孙俊杰
Original assignee: NANJING CHAOXU ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd
Current assignee: NANJING CHAOXU ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date: 2017-07-14
Filing date: 2017-07-14
Publication date: 2017-09-22

Abstract

本发明公开了一种全智能前置净水防垢器，包括壳体、防垢管、管接头以及排水接头，防垢管包括管体、过滤网，管体一端为封闭端，封闭端面向排水接头；管体另一端为开口端，开口端面向管接头；管体内放置防垢体；防垢体的材料为全智能防垢除垢合金，全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：40％‑70％、Ni：5％‑20％、Zn：8％‑35％、Sn：5％‑30％、Ag：0.5％‑20％、Fe：0.1％‑8％、Nb：0.01％‑3％、Mn：0.05％‑5％、V：0.01％‑2％、C：0.01％‑0.5％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。本发明结构简单，采用更合理配方组分的全智能防垢除垢合金，均为无毒的元素，提升了除垢防垢性能。

Description

全智能前置净水防垢器

技术领域

本发明涉及水处理技术领域，特别涉及一种全智能前置净水防垢器。

背景技术

结垢问题在石油、热电及其他工业和民用领域中涉及流体传输和循环的系统中广泛存在。水处理技术领域中一般将析出的非水溶性沉积物成为水垢，其中最常见的是CaCO₃和MgCO₃。碳酸钙的成垢反应主要是由于钙离子与碳酸根离子或碳酸氢根离子结合形成的。如果能够通过一定的技术手段将金属离子的正电荷或酸根离子的负电荷中和掉，会大幅度降低阴阳离子的结合速率，从而显著降低成垢速率。电磁场处理方法，该方法耗电大，且还达不到防垢除垢的要求，应用极少。化学阻垢法是通过添加药剂的方法改变了水体的成分、酸碱度和离子浓度来产生阻垢效果。如前所述，化学法因为需要改变水体的成分，不符合环境保护的要求，其应用正受到越来越多的约束。现有技术虽然有提出不需要加化学药剂的防垢装置，但由于其铜基触媒合金含有毒性的微量金属元素铅或锑，其生产会造成一定的污染，且安全性能欠佳，该成分的合金防垢除垢尚存在提升空间，尤其是用在民用净水器领域，尚需更安全、稳定和效果更好的防垢除垢装置。

发明内容

发明目的：本发明旨在提供一种更安全、更稳定的以及稳态电流释放量更高、电流持续释放性能更强的全智能前置净水防垢器，在不改变溶液系统成分和酸碱度的条件下，通过全智能前置净水防垢器持续释放自由电子，形成更稳定更强的稳态电流，降低溶液系统的阳离子浓度，从而降低成垢指数，来达到安全阻垢的目的，实现水体的防垢以及净化。

技术方案：一种全智能前置净水防垢器，包括上下开口的壳体、放置在壳体内的防垢管、安装在壳体上端的管接头以及安装在壳体下端的排水接头，防垢管包括管体、过滤网，管体一端为封闭端，封闭端面向排水接头；管体另一端为开口端，开口端面向管接头；管体外壁镂空，镂空的管体外壁套有过滤网；管体内放置防垢体；所述防垢体的材料为全智能防垢除垢合金，全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：40％-70％、Ni：5％-20％、Zn：8％-35％、Sn：5％-30％、Ag：0.5％-20％、Fe：0.1％-8％、Nb：0.01％-3％、Mn：0.05％-5％、V：0.01％-2％、C：0.01％-0.5％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

优选的，所述全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：45％-65％、Ni：10％-20％、Zn：10％-20％、Sn：7％-30％、Ag：2％-20％、Fe：2％-8％、Nb：0.01％-2％、Mn：0.05％-5％、V：0.01％-2％、C：0.01％-0.5％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

优选的，所述全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：50％-60％、Ni：12％-18％、Zn：10％-15％、Sn：7％-10％、Ag：2％-8％、Fe：2％-6％、Nb：0.01％-2％、Mn：0.05％-5％、V：0.01％-2％、C：0.01％-0.2％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

更优选的，所述全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：55％、Ni：15％、Zn：10％、Sn：8％、Ag：4％、Fe：3％、Nb：2％、Mn：2.5％、V：0.45％、C：0.05％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

进一步的，所述全智能防垢除垢合金按以下步骤制成：按所述各组分的质量百分比准备原材料，原材料纯度为99.9％以上的块状物，其体积小于或等于2cm³；在加热炉的坩埚内铺入3cm厚的木炭，按重量计将Cu料的一半均匀铺在木炭上，然后在Cu料上均匀铺入全部Ni块，再铺入3cm厚的木炭，开炉升温至1100℃-1500℃，待全部金属熔化后，加入全部Fe、V、Nb、C块体，搅拌至金属全部熔化后再加入全部Mn块体，保温3分钟～8分钟，使熔体金属脱气；然后按照Zn、Sn、Ag和剩余的Cu顺序加入，慢速搅拌，待金属全部熔化后，去浮渣，使熔体温度降低至1230℃～1350℃，将熔体金属注入浇筑型模具中，冷却5分钟～15分钟至金属表面结壳形成金属锭，然后水冷至室温，取出金属锭，得到全智能防垢除垢合金。

进一步的，所述防垢体包括防垢片，所述防垢片为圆形饼状物，在防垢片的中心设有中心孔，在中心孔周围设有滤水孔，中心孔的轴线与防垢片的端面垂直，滤水孔的轴线与防垢片的端面夹角小于或等于90°，所有防垢片通过中心孔套装在螺杆上，相邻两块防垢片之间由隔套隔开，并由螺母旋接固定，所述防垢片放置在管体内，所述防垢片与管体的配合方式为过渡配合或间隙配合。

进一步的，所述防垢体为滤料，所述滤料放置在所述管体内，所述管体开口端内壁固定套置有圆环，圆环外径与管体内径相同；圆环上端开设有环槽，环槽上设有滤网；滤网上设有卡环，卡环与环槽紧配合。

进一步的，所述滤网的目数为40～120目。

进一步的，所述过滤网外侧套有过滤网骨架，所述过滤网骨架下端设有突出部，所述突出部与排水接头间隙配合；排水接头外侧套有旋转部；所述排水接头下端还装有排污阀，排水接头与排污阀之间通过排水接头O型圈密封。

进一步的，所述管接头为“T”形三通管接头；“T”形下端接头与壳体旋接；“T”形左右接头分别为进水口和出水口，进水口与出水口之间设有挡板，挡板下端往出水口方向延伸一圆环状突起，突起内径与所述管体外径相同，且突起与出水口相连通。

反应机理：当流体流经本发明时，在两者之间能够形成65μA左右的稳态电流。此电流的持续作用将使溶液中的溶剂分子产生极化效应，形成溶剂分析的偶极子。极化的偶极子与带电荷的成垢离子重新排列，形成新的成垢离子耦合物，呈悬浮态分布在溶液系统中，进一步降低了成垢反应的可能性。同时可以明显降低垢盐因电荷吸附产生的壁面沉积效应，减少钙镁垢在管路壁面的沉积。

碳酸钙、碳酸镁等不溶性分子的结晶形态在电流作用下也会发生改变。碳酸钙、碳酸镁分子一般有两种结晶形态：一种是“大理石型”结构，质地坚硬，吸附性强，总分子量较大，是正常条件下钙镁垢的常见形态。另一种是“文石型”结构，质地松软，吸附性不强，总分子量较小。一般在弱电场持续作用下形成。由于在工作时能够在全智能防垢除垢合金与流体间形成弱电场，因此可以促进“文石型”垢盐的形成，同时使已有的垢盐发生“大理石型”结构向“文石型”结构的转变，使已经板结的垢层逐渐松软脱落，达到管路系统除垢的目的。

随着垢层的脱落，管壁金属表面逐渐裸露。极化后的偶极子与裸露金属表面将发生壁面效应，使管壁金属表面沉积一定厚度的成垢离子耦合物(厚度约500μm)。这层耦合物将管壁金属与流体系统隔开，在一定程度上起到了管壁防腐的作用。由于耦合物沉积是通过偶极子与壁面金属的静电吸附产生的，与普通垢层的沉积生长过程原理不同，因此，耦合物沉积层的厚度不随时间变化，而只与管路系统的流速有关。

本发明它在不改变流体化学成分前提下，应用先进的弱电复合阻垢机理，阻止水垢的生成，并具有很强的溶解水垢能力。运行过程不需要额外维护，无磁无电，不需要外加电源。当流体中含有过量的自由电子时，成垢阳离子的电荷被自由电子中和，使其难以与酸根结合成垢。过量自由电子的存在增加了流体的离子浓度，成垢指数下降，CO₂分压上升，使得垢盐的溶解度增加，产生一定溶垢效应。同时，弱电场的持续作用会导致垢盐晶体发生“方解石型”向“文石型”转变，垢盐晶体变得疏松，与壁面结合力降低，导致已经板结的垢层逐渐松脱溶解。

使用时，水从进水口进来，由于挡板以及圆环状突起的作用，进水口进入的水不能直接通过出水口排出，而是进入壳体内，壳体内的水将防垢管浸渍，水流经防垢管内的铜基触媒合金表面时能够自动形成稳定电流，通过弱电的作用中和成垢金属离子的正电荷，有效控制垢的形成，同时弱电场的持续作用可以使已板结的垢块逐渐溶解、脱落，实现阻垢、除垢。经防垢管处理后的水受压向上运动，直到达到防垢管上端，经由管体与出水口形成的出水通道排出。水中的杂质污垢等经由过滤网滤出，通过壳体下端的排水接头排出。

有益效果：本发明采用全物理式防垢，无毒无味，安全环保，无需添加任何化学药剂，免维护，且无需外加动力。防止设备管道结垢的同时还能过滤掉水中的泥沙、铁锈等杂质，起到净化的作用。本发明设置的排污结构，无需任何专用工具，只需打开底部阀门，滤出的杂质即可冲出，无需拆卸，使用方便。本发明结构简单，采用更合理配方组分的全智能防垢除垢合金，均为无毒的元素，同时进一步提升了除垢防垢性能，且本发明全智能防垢除垢合金为沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。与现有技术的S100晶轴形成的柱状合金相比，S110晶轴形成的柱状合金结构更先进、更稳定，所形成的合金释放稳态电流由于结构的优化，稳态电流释放量得到了提高；电流更加趋于稳定，不易流失电子。即S110晶轴得到的合金组分电负性配位关系和电流持续释放性能得到明显强化。试验表明，本发明活化电流比现有的铜基触媒合金的防垢装置提高约60％，并且成分更加合理安全，加工成本也更低。

附图说明

图1为本发明管接头、壳体、排水接头的示意图；

图2为本发明防垢管管体、过滤网的示意图；

图3为本发明的整体示意图；

图4为本发明的结构示意图；

图5为本发明实施例一的防垢片示意图；

图6为本发明实施例一的防垢片安装示意图；

图7为本发明实施例二的圆环、滤网、卡环结构示意图；

图8为本发明实施例二的滤网安装示意图；

图9为本发明中的全智能防垢除垢合金与现有铜基触媒合金活化电流效果对比图。

具体实施方式

实施例1：

如图1-4所示，本发明所述的全智能前置净水防垢器，包括管接头1、管接头O型圈2、壳体3、排水接头4、排水接头O型圈5、卡圈6、排污阀O型圈7、排污阀8、管体9、过滤网10、过滤网O型圈11、过滤网骨架12、过滤网骨架O型圈13。

所述管接头1为“T”形三通管接头；“T”形下端接头与壳体3旋接，“T”形下端接头与壳体3之间通过管接头O型圈2实现密封；“T”形左右接头分别为进水口14和出水口15，进水口14与出水口15之间设有挡板，挡板下端往出水口15方向延伸一圆环状突起，突起内径与所述管体9外径相同，且突起与出水口15相连通。安装后，管体9上端套置在圆环状突起内，管体9与出水口15构成出水通道。由于挡板以及圆环状突起的作用，进水口14进入的水不能直接通过出水口15排出，而是进入壳体3内。

所述壳体3为透明壳体，便于使用时，直接观察滤除的杂质污垢的情况，以便及时进行排污清洗。所述壳体3上下开口，上开口端外壁设有外螺纹，与“T”形下端接头旋接配合；下开口端装有排水接头4，排水接头4与壳体3之间通过排水接头O型圈5实现密封；卡圈6将排水接头4在壳体3下开口端位置固定；排水接头4下端装有排污阀8，排污阀8与排水接头4下端之间通过排污阀O型圈7实现密封。

所述管体9放置在壳体3内，所述管体9一端为封闭端，封闭端面向排水接头4；管体9另一端为开口端，开口端面向管接头1；管体9外壁镂空，镂空的管体9外壁套有过滤网10，过滤网10与管体9通过过滤网O型圈11实现密封；过滤网10外侧套有过滤网骨架12，过滤网骨架12与过滤网10通过过滤网骨架O型圈13实现密封；过滤网骨架12下端设有突出部16，突出部16与排水接头4间隙配合；排水接头4外侧套有旋转部17，旋转部17旋转时，带动突出部16，进而带动过滤网骨架12沿过滤网10做相对运动，可将过滤网10上的污垢刮除。

所述管体9内放置防垢体。所述防垢体的材料为全智能防垢除垢合金。全智能防垢除垢合金通过严格控制各种元素的成分配比，并采用特殊的热加工工艺，在全智能防垢除垢合金内部形成了取向一致的柱状晶体结构，从而使全智能防垢除垢合金呈现出极强的向水体介质释放自由电子和使水体介质产生极化效应的独特功能。当水体以一定的流速流经全智能防垢除垢合金后，全智能防垢除垢合金可向水体释放电子，改变流体静电位，使水体产生极化现象，使水体中的阴、阳离子不易结合形成垢。全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：40％-70％、Ni：5％-20％、Zn：8％-35％、Sn：5％-30％、Ag：0.5％-20％、Fe：0.1％-8％、Nb：0.01％-3％、Mn：0.05％-5％、V：0.01％-2％、C：0.01％-0.5％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。它在不改变溶液系统成分和酸碱度的条件下，通过持续释放自由电子，降低溶液系统的阳离子浓度，从而降低成垢指数，来达到阻垢的目的。Cu-Ni二元合金具有优异的化学稳定性，在各种环境中耐腐蚀性能非常出色，冷热加工性能优异，成本适中。Cu-Ni合金系虽然电负性小于溶液，但由于化学稳定性很好，其失电子能力并不强。因此，又在Cu-Ni二元合金基础上，选择Zn和Ag元素作为合金元素进行添加。其中，Zn元素的电负性为1.65，是常见元素中电负性最小的金属元素之一，能够与Cu-Ni合金形成稳定的三元合金。Ag元素的电负性为2.34，是常见元素中处理稀土和放射性元素以外电负性最大的合金元素之一。Ag在Cu-Ni-Zn合金中几乎不溶，主要以游离态出现，通过合理的成分控制和热加工工艺能够获得理想的分布状态，是理想的正极材料。随着Ag含量的增加，活化电流逐渐增大。活化电流越大，释放电子的能力越强，单位流量的全智能阻垢防垢合金用量越少，整体成本更具优势，V和Mn都是良好的脱氧剂，Mn还可以做为脱硫剂对去除合金中的S元素，提高合金的淬性，改善合金的热加工性能，而V可以增加合金的强度和韧性，并且V会和C结合，增强合金在高温高压下抗氢腐蚀的效果，铌能细化晶粒和降低钢的过热敏感性及回火脆性，提高强度，但塑性和韧性有所下降。在合金材料中加Nb，可提高抗大气腐蚀及高温下抗氢、氮、氨腐蚀能力并改善焊接性能。合金材料添加微量的C元素，目的在于提高材料的屈服点、抗拉强度、冷脆性和时效敏感性。实验表明，将Φ40mm全智能防垢除垢合金放置在5000mg/mol浓度碳酸钙溶液中，流速1000mm/s，25℃室温环境下测得的活化电流与时间的关系示于图9。从图9看出，本发明的全智能防垢除垢合金活化电流约为80μA，稳定时间约为150min，不仅完全满足阻垢器工程应用要求，且活化电流比现有的铜基触媒合金提高约60％，并且成分更加合理安全，加工成本也更低，更适合用于民用净水领域。

全智能防垢除垢合金的按如下步骤制备，按所述各组分的质量百分比准备原材料，原材料纯度为99.9％以上的块状物，其体积小于或等于2cm³；在加热炉的坩埚内铺入3cm厚的木炭，按重量计将Cu料的一半均匀铺在木炭上，然后在Cu料上均匀铺入全部Ni块，再铺入3cm厚的木炭，开炉升温至1100℃-1500℃，开炉升温优选为至1380℃，待全部金属熔化后，加入全部Fe、V、Nb、C块体，搅拌至金属全部熔化后再加入全部Mn块体，保温3分钟～8分钟，使熔体金属脱气；然后按照Zn、Sn、Ag和剩余的Cu顺序加入，慢速搅拌，待金属全部熔化后，去浮渣，使熔体温度降低至1230℃～1350℃，将熔体金属注入浇筑型模具中，冷却5分钟～15分钟至金属表面结壳形成金属锭，然后水冷至室温，取出金属锭，即得到全智能防垢除垢合金。为进一步提高全智能防垢除垢合金的质量，增加峰值活化电流与稳定活化电流数值，同时缩短达到稳定电流值的时间，使得全智能防垢除垢合金更安全、更稳定。还可将全智能防垢除垢合金进行均匀化处理，包括将热处理电阻炉的炉膛清理干净，在室温条件下将全智能防垢除垢合金装入热处理炉中，通电开炉加温，以1.8℃/s～3.2℃/s的速度升温至780℃～1100℃，保温50min～100min；再以2℃/s-2.5℃/s的速度升温至1100℃～1380℃，保温300min～360min；然后冷却至300℃～400℃，取出全智能防垢除垢合金锭空冷至室温。优选为，以2.2℃/s的速度升温至1070℃，保温65min；再以2.3℃/s的速度升温至1250℃，保温300min；然后冷却至360℃，取出全智能防垢除垢合金锭空冷至室温。

如图5、6所示，防垢体包括防垢片18，所述防垢片18为圆形饼状物，在防垢片18的中心设有中心孔19，在中心孔19周围设有滤水孔20，中心孔19的轴线与防垢片18的端面垂直，滤水孔20的轴线与防垢片18的端面呈90°夹角，所有防垢片18通过中心孔19套装在螺杆21上，相邻两块防垢片18之间由隔套22隔开，并由螺母23旋接固定，防垢片18放置在管体9内，防垢片18与管体9的间隙配合。

防垢体还可以为颗粒状的滤料，在防垢管管体9开口端内壁固定套有圆环25，圆环25外径与管体9内径相同，如图7、8所示，圆环25面向管体9开口端的端部开设有环槽，环槽上放置滤网24，滤网24上设有卡环26，卡环26与圆环25紧配合，将滤网24固定在圆环25上。滤网24与管体9形成腔室，腔室中放置滤料，滤料均匀散布在管体9内，能够最大面积与水接触，从而更好地起到防垢阻垢的作用。滤网24的目数为100目，能物理过滤去除直径小至50μm的悬浮颗粒物质。滤料颗粒平均尺寸大约为60目，最小的颗粒约115目。

实施例2：

本实施例与实施例1差异仅在于全智能防垢除垢合金组分配比不同，本实施例中的全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：45％-65％、Ni：10％-20％、Zn：10％-20％、Sn：7％-30％、Ag：2％-20％、Fe：2％-8％、Nb：0.01％-2％、Mn：0.05％-5％、V：0.01％-2％、C：0.01％-0.5％，所述各组份(分)经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

实施例3：

本实施例与实施例1差异仅在于全智能防垢除垢合金组分配比不同，本实施例中的全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：50％-60％、Ni：12％-18％、Zn：10％-15％、Sn：7％-10％、Ag：2％-8％、Fe：2％-6％、Nb：0.01％-2％、Mn：0.05％-5％、V：0.01％-2％、C：0.01％-0.2％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

实施例4：

本实施例与实施例1差异仅在于全智能防垢除垢合金组分配比不同，本实施例中的全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：55％、Ni：15％、Zn：10％、Sn：8％、Ag：4％、Fe：3％、Nb：2％、Mn：2.5％、V：0.45％、C：0.05％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

实施例5：

本实施例与实施例1差异仅在于全智能防垢除垢合金组分配比不同，本实施例中的全智能防垢除垢合金按质量百分比为：Cu：45％、Ni：18％、Zn：15％、Sn：10％、Ag：4％、Fe：2.5％、Nb：3.5％、Mn：1.5％、V：0.48％、C：0.02％，各组分经化合成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

实施例6：

本实施例与实施例1差异仅在于全智能防垢除垢合金组分配比不同，本实施例中的全智能防垢除垢合金按质量百分比为：Cu：57％、Ni：13％、Zn：8％、Sn：7％、Ag：6％、Fe：5％、Nb：1％、Mn：2.5％、V：0.45％、C：0.05％，各组分经化合成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

实施例7：

本实施例与实施例1差异仅在于全智能防垢除垢合金组分配比不同，本实施例中的全智能防垢除垢合金按质量百分比为：Cu：60％、Ni：11％、Zn：11％、Sn：9％、Ag：2％、Fe：2％、Nb：2％、Mn：2.5％、V：0.42％、C：0.08％，各组分经化合成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

实施例8：

本实施例与实施例1差异仅在于全智能防垢除垢合金组分配比不同，本实施例中的全智能防垢除垢合金按质量百分比为：Cu：60％、Ni：10％、Zn：8％、Sn：10％、Ag：3％、Fe：4％、Nb：3％、Mn：1.5％、V：0.4％、C：0.1％，各组分经化合成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

实施例9：

本实施例与实施例1差异仅在于全智能防垢除垢合金组分配比不同，本实施例中的全智能防垢除垢合金按质量百分比为：Cu：40％、Ni：6％、Zn：18％、Sn：5％、Ag：19.5％、Fe：8％、Nb：0.15％、Mn：0.35％、V：2％、C：0.5％，各组分经化合成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

使用时，水从进水口14进来，由于挡板以及圆环状突起的作用，进水口14进入的水不能直接通过出水口15排出，而是进入壳体3内，壳体3内的水将防垢管浸渍，水流经防垢管内的铜基触媒合金表面时能够自动形成稳定电流，通过弱电的作用中和成垢金属离子的正电荷，有效控制垢的形成，同时弱电场的持续作用可以使已板结的垢块逐渐溶解、脱落，实现阻垢、除垢。经防垢管处理后的水受压向上运动，直到达到防垢管上端，经由管体9与出水口15形成的出水通道排出。由钢铁材料制成的输水管件腐蚀时，铁氧化形成FeO胶体，FeO与铜基触媒合金接触，也可以发生氧化还原反应，FeO最终形成Fe₂O₃固体沉淀在铜基触媒合金表面，经由过滤网10滤出，通过壳体3下端的排水接头4排出。

Claims

1.一种全智能前置净水防垢器，包括上下开口的壳体、放置在壳体内的防垢管、安装在壳体上端的管接头以及安装在壳体下端的排水接头，其特征在于，防垢管包括管体、过滤网，管体一端为封闭端，封闭端面向排水接头；管体另一端为开口端，开口端面向管接头；管体外壁镂空，镂空的管体外壁套有过滤网；管体内放置防垢体；所述防垢体的材料为全智能防垢除垢合金，全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：40％-70％、Ni：5％-20％、Zn：8％-35％、Sn：5％-30％、Ag：0.5％-20％、Fe：0.1％-8％、Nb：0.01％-3％、Mn：0.05％-5％、V：0.01％-2％、C：0.01％-0.5％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

2.根据权利要求1所述的全智能前置净水防垢器，其特征在于，所述全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：45％-65％、Ni：10％-20％、Zn：10％-20％、Sn：7％-30％、Ag：2％-20％、Fe：2％-8％、Nb：0.01％-2％、Mn：0.05％-5％、V：0.01％-2％、C：0.01％-0.5％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

3.根据权利要求1所述的全智能前置净水防垢器，其特征在于，所述全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：50％-60％、Ni：12％-18％、Zn：10％-15％、Sn：7％-10％、Ag：2％-8％、Fe：2％-6％、Nb：0.01％-2％、Mn：0.05％-5％、V：0.01％-2％、C：0.01％-0.2％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

4.根据权利要求1所述的全智能前置净水防垢器，其特征在于，所述全智能防垢除垢合金按质量百分比包括如下组分：Cu：55％、Ni：15％、Zn：10％、Sn：8％、Ag：4％、Fe：3％、Nb：2％、Mn：2.5％、V：0.45％、C：0.05％，所述各组分经高温熔炼形成一种沿S110晶轴定向生长的柱状晶体合金。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的全智能前置净水防垢器，其特征在于，所述全智能防垢除垢合金按以下步骤制成：按所述各组分的质量百分比准备原材料，原材料纯度为99.9％以上的块状物，其体积小于或等于2cm³；在加热炉的坩埚内铺入3cm厚的木炭，按重量计将Cu料的一半均匀铺在木炭上，然后在Cu料上均匀铺入全部Ni块，再铺入3cm厚的木炭，开炉升温至1100℃-1500℃，待全部金属熔化后，加入全部Fe、V、Nb、C块体，搅拌至金属全部熔化后再加入全部Mn块体，保温3分钟～8分钟，使熔体金属脱气；然后按照Zn、Sn、Ag和剩余的Cu顺序加入，慢速搅拌，待金属全部熔化后，去浮渣，使熔体温度降低至1230℃～1350℃，将熔体金属注入浇筑型模具中，冷却5分钟～15分钟至金属表面结壳形成金属锭，然后水冷至室温，取出金属锭，得到全智能防垢除垢合金。

6.根据权利要求1所述的全智能前置净水防垢器，其特征在于，所述防垢体包括防垢片，所述防垢片为圆形饼状物，在防垢片的中心设有中心孔，在中心孔周围设有滤水孔，中心孔的轴线与防垢片的端面垂直，滤水孔的轴线与防垢片的端面夹角小于或等于90°，所有防垢片通过中心孔套装在螺杆上，相邻两块防垢片之间由隔套隔开，并由螺母旋接固定，所述防垢片放置在管体内，所述防垢片与管体的配合方式为过渡配合或间隙配合。

7.根据权利要求1所述的全智能前置净水防垢器，其特征在于，所述防垢体为滤料，所述滤料放置在所述管体内，所述管体开口端内壁固定套置有圆环，圆环外径与管体内径相同；圆环上端开设有环槽，环槽上设有滤网；滤网上设有卡环，卡环与环槽紧配合。

8.根据权利要求7所述的全智能前置净水防垢器，其特征在于，所述滤网的目数为40～120目。

9.根据权利要求1所述的全智能前置净水防垢器，其特征在于，所述过滤网外侧套有过滤网骨架，所述过滤网骨架下端设有突出部，所述突出部与排水接头间隙配合；排水接头外侧套有旋转部；所述排水接头下端还装有排污阀，排水接头与排污阀之间通过排水接头O型圈密封。

10.根据权利要求1所述的全智能前置净水防垢器，其特征在于，所述管接头为“T”形三通管接头；“T”形下端接头与壳体旋接；“T”形左右接头分别为进水口和出水口，进水口与出水口之间设有挡板，挡板下端往出水口方向延伸一圆环状突起，突起内径与所述管体外径相同，且突起与出水口相连通。