CN107144628B - 一种基于缺陷漏磁场源与主动探测磁源的电磁检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于电磁无损检测领域，并公开了一种基于缺陷漏磁场源与主动探测磁源的电磁检测方法。其包括(a)将待检测构件磁化,使得该待检测构件在其缺陷处形成漏磁场，该漏磁场是以该缺陷为圆心，半径为r1的微磁源空间域；(b)将设置有磁敏元件的探测磁源在缺陷的上方扫掠经过，使得漏磁场与探测磁源自身的磁场进行磁叠加形成磁扰动，其中，探测磁源自身的磁场是以该探测磁源为圆心，半径为r2的探测磁空间域；(c)在距离待检测构件表面r1+r2的提离范围内磁敏元件拾取磁扰动，从而完成缺陷的电磁检测。通过本发明，实现主动式检测，同时增大检测提离距离，避免传感器紧贴检测时的接触磨损及抖动问题，也实现在同一提离检测状态下检测信号的增大。

Description

一种基于缺陷漏磁场源与主动探测磁源的电磁检测方法
技术领域
本发明属于电磁无损检测领域，更具体地，涉及一种基于缺陷漏磁场源与主动探测磁源的电磁检测方法。
背景技术
电磁无损检测技术是以电磁感应为基础的无损检测技术，随着电子技术和计算机技术的发展，电磁无损检测技术在开发应用方面取得突破进展；电磁无损检测是利用材料在电磁场作用下呈现出的电磁特性变化来判断被检测材料组织及有关性能的一类试验方法，在无损检测中，不论方法、方式如何、均可归结为激励+检测的模式，即采用一种或多种激励方式在被测构件中产生出可以检测到的信息，由检测单元拾取这一信息，获得无损检测的信号，在电磁检测中产生出可以探测到的信息，由检测单元拾取这一信息，获得无损检测的信号。在电测检测中，用于激励的是磁场，成为信息载体的是电磁场，检测的则是电磁场信号，因而，激励场和检测方式的变化会形成不同的检测手段。
通常的电磁检测是利用外电磁激励激发出缺陷的电磁泄漏场或者电磁扰动场，然后采用磁敏器件被动的拾取捕获该泄漏/扰动场量最终形成缺陷信号波形，这实属于一种被动式的检测方式；由于缺陷的电磁泄漏/扰动场量通常比较微弱且分布存在于缺陷附近较小的空间域，所以磁敏器件探测必须以较小的提离扫掠经过此空间域内，这样一方面导致磁敏器件的探测提离距离不大通常是探靴紧贴容易带来很多如接触磨损与抖动等问题，另一方面导致在同等提离情况下被动式的捕获到的缺陷电磁泄漏/扰动场量显得很微弱以至于细小缺陷特征难以被检出。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种基于缺陷漏磁场源与主动探测磁源的电磁检测方法，通过激发出缺陷磁场后采用主动探测磁源检测的方式，由此解决探测过程中的接触磨损和抖动，以及细小缺陷难于检测出的技术问题。
为实现上述目的，按照本发明，提供了一种基于缺陷漏磁场源与主动探测磁源的电磁检测方法，其特征在于，该电磁检测方法包括下列步骤：
(a)将待检测构件磁化,使得该待检测构件在其缺陷处形成漏磁场，该漏磁场是以该缺陷为圆心，半径为r1的微磁源空间域；
(b)将设置有磁敏元件的探测磁源在所述缺陷的上方扫掠经过，使得所述漏磁场与所述探测磁源自身的磁场进行磁叠加形成磁扰动，其中，所述探测磁源自身的磁场是以该探测磁源为圆心，半径为r2的探测磁空间域；
(c)在距离所述待检测构件表面r1+r2的提离范围内所述磁敏元件拾取所述磁扰动，从而完成所述缺陷的电磁检测。
进一步优选地，在步骤(a)中，所述待检测构件优选铁磁性材料。
进一步优选地，在步骤(a)，所述磁化优选采用通电线圈或永磁磁化器实施。
进一步优选地，在步骤(b)中，所述探测磁源优选采用通电线圈或永磁源。
进一步优选地，在步骤(b)中，所述磁敏元件优选采用感应线圈或者霍尔元件。
进一步优选地，在步骤(c)中，所述提离范围r1+r2不超过20mm。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：
1、本发明通过对待检构件磁化激发出缺陷漏磁场形成泄漏磁源场，然后采用探测磁源携带的自身探测磁源场与泄漏磁源场形成远距离干涉叠加，最终通过布置在探测磁源附近的磁敏器件捕获叠加扰动变化，从而实现了在探测距离叠加的情况下缺陷存在的检测与判断；
2、本发明通过探测磁源形成探测磁空间域后再利用磁敏器件拾取叠加扰动磁场的方式，与现有的直接利用磁敏器件被动的拾取单一的泄漏/扰动场量的漏磁检测方法相比，实现了主动式的检测；
3、本发明通过采用探测磁源携带的自身探测磁源场与泄漏磁源场的双磁源相互作用，相比于现有漏磁检测、涡流检测或通电测磁检测法的被动式采用磁敏元件在提离范围r1内完成探测，将检测提离距离从r1增加到r1+r2，同时避免了传感器紧贴检测时的磨损及抖动；
4、本发明通过采用探测磁源携带的自身探测磁源场与泄漏磁源场形成远距离干涉叠加，使得缺陷的电磁泄漏/扰动场量增强，且分布范围增加，增大了在同一提离检测状态下的检测信号。
附图说明
图1是按照本发明的优选实施例所构建的检测方法流程图；
图2是按照本发明的优选实施例所构建的缺陷漏磁场源与主动探测磁源相互作用的大提离检测方法示意图；
图3是按照本发明的优选实施例所构建的缺陷漏磁场源与主动探测磁源相互作用的大提离检测原理示意图；
图4a是按照本发明的优选实施例所构建的线圈磁化时检测方法实施装置示意图；
图4b是按照本发明的优选实施例所构建的永磁磁化时检测方法实施装置示意图。
在所有附图中，相同的附图标记用来表示相同的元件或结构，其中：
1-导磁构件 1’-缺陷 2-探测磁源 3-磁敏元件 3’-磁敏元件 4-传感器 5-通电线圈 5’-永磁体磁源
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
图1是按照本发明的优选实施例所构建的检测方法流程图，图2是按照本发明的优选实施例所构建的缺陷漏磁场源与主动探测磁源相互作用的大提离检测方法示意图；如图1和2所示，该方法步骤包括：
第1步、将被检测导磁构件1磁化，导磁构件1内的磁感应场B0在缺陷1’处形成漏磁场B1，也即近似半径为r1的微磁源空间域R1；
第2步、采用另外的探测磁源2携带近似半径为r2的探测磁空间域R2在缺陷1’上空扫掠经过，当碰到缺陷泄漏磁源场域R1也即缺陷漏磁场B1时，两者的磁场发生磁叠加相互作用，在探测磁源2的探测磁空间域R2内形成磁扰动；
第3步、采用磁敏元件3布置于探测磁源2的探测磁空间域R2内(并随探测磁源2一起扫掠经过缺陷1上空)，拾取捕获该磁扰动，完成缺陷1’存在的检测判断。
下面将参照磁作用机理进一步说明本发明，图3是按照本发明的优选实施例所构建的缺陷漏磁场源与主动探测磁源相互作用的大提离检测原理示意图；依据磁作用机理，尝试着借用空间场之间的相互作用作为一种信息传递的中间通道，从而获得一种大的空间磁感应方法与传感器；如图3所示，将缺陷作为一微磁源，其泄漏磁场与用来感应的磁源的磁场发生磁相互作用，最有感应磁源获得了缺陷磁源的磁场信息，其过程为：缺陷磁源—磁场—磁场—感应磁源，感应距离为r1+r2；常规的磁敏感元件直接感应缺陷磁源所散发的缺陷磁场，中间没有增加任何信息传递的通道，其过程为：缺陷磁源—磁场—感应元件，感应距离为r1。
按照本发明的优选实施例的一个方面，图4a是按照本发明的优选实施例所构建的线圈磁化时检测方法实施装置示意图，如图4a所示，首先由通电线圈5对导磁构件1进行磁化，导磁构件内的磁感应场B0在缺陷1’处形成漏磁场B1，也即微磁源空间域R1。当采用包括主动式探测磁源2及磁敏元件3的传感器4在缺陷上空扫掠时，探测磁源2的探测磁空间域R2与泄露磁场域R1也即缺陷漏磁场B1发生磁场叠加及相互作用，在探测磁源2的探测磁空间域R2内形成磁扰动，并被磁敏元件3捕获拾取，从而得到相应的缺陷信号及特征，最终完成对缺陷1’的检测。
按照本发明的优选实施例的一个方面，图4b是按照本发明的优选实施例所构建的永磁磁化时检测方法实施装置示意图，如图4b所示，首先由永磁体磁源5’对导磁构件1进行磁化，导磁构件内的磁感应场B0在缺陷1’处形成漏磁场B1，也即微磁源空间域R1。当采用包括主动式探测磁源2及磁敏元件3的传感器4在缺陷上空扫掠时，探测磁源2的探测磁空间域R2与泄露磁场域R1也即缺陷漏磁场B1发生磁场叠加及相互作用，在探测磁源2的探测磁空间域R2内形成磁扰动，并被磁敏元件3捕获拾取，从而得到相应的缺陷信号及特征，最终完成对缺陷1’的检测。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种基于缺陷漏磁场源与主动探测磁源的电磁检测方法，其特征在于，该电磁检测方法包括下列步骤：
(a)将待检测构件磁化,使得该待检测构件在其缺陷处形成漏磁场，该漏磁场是以该缺陷为圆心，半径为r1的微磁源空间域；
(b)将设置有磁敏元件的探测磁源在所述缺陷的上方扫掠经过，使得所述漏磁场与所述探测磁源自身的磁场进行磁叠加形成磁扰动，其中，所述探测磁源自身的磁场是以该探测磁源为圆心，半径为r2的探测磁空间域；
(c)在距离所述待检测构件 表面r1+r2的提离范围内所述磁敏元件拾取所述磁扰动，从而完成所述缺陷的电磁检测。
2.如权利要求1所述的电磁检测方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述待检测构件铁磁性材料。
3.如权利要求1或2所述的电磁检测方法，其特征在于，在步骤(a)，所述磁化采用通电线圈或永磁磁化器实施。
4.如权利要求1所述的电磁检测方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述探测磁源采用通电线圈或永磁源。
5.如权利要求1所述的电磁检测方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述磁敏元件采用感应线圈或者霍尔元件。
6.如权利要求1所述的电磁检测方法，其特征在于，在步骤(c)中，所述提离范围r1+r2不超过20mm。
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