CN107068699B - 一种图像传感器的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 113
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Abstract
本发明提供了一种图像传感器的制备方法，包括：在衬底表面依次形成底部隔离层、第一层金属互连线、第一层隔离层和第一层隔离层中的第一层金属接触孔；再重复循环上述过程，直至形成N层隔离层以及相应层的金属互连线和金属接触孔；在第N层隔离层和第N层金属接触孔上依次形成第N+1层金属互连线和第N+1层隔离层；在对应于焊盘结构区域的第N+1层隔离层中刻蚀出初始焊盘结构，在对应于相邻像素分界处的第N+1层隔离层中刻蚀出隔离结构；在暴露的第N+1层金属互连线顶部形成金属电极；在初始焊盘结构中刻蚀出焊盘开口；在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖一层量子点薄膜。本发明的方法与CMOS工艺兼容，节约了成本。
Description
技术领域
本发明涉及图像传感器技术领域，具体涉及一种图像传感器的制备方法。
背景技术
图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置。目前广泛应用的主要有CCD图像传感器和CMOS图像传感器。
量子点(quantum dot)是准零维的纳米晶体，由少量的原子构成，形态上一般为球形或类球形，是由半导体材料(通常由II B～ⅥB或IIIB～VB元素组成)制成的、稳定直径在2～20nm的纳米粒子。它能在特定的波长下发光，采用量子点技术的屏幕在生产时更容易校准，拥有更准确的色彩表现，并且在色彩饱和度方面拥有明显的优势。因此，将量子点应用于传感器中所制备的量子薄膜传感器有着更轻薄的体积，更强的光线敏感度，更大的动态范围、和优化的成像稳定。
由于传统的传感器通过令像素变得更小来提高分辨率，这意味着每个像素对光线的敏感度更低，从而降低了图像质量，而相比之下，量子点薄膜是涂在凸镜下面的，更接近镜头的特性使其能更充分地捕捉光线，从而能够有效改善镜头性能。这种新技术打造的传感器能够收集传统传感器芯片两倍的光线，并以两倍的效率将其转变为电信号，同时其生产成本很低。使用量子点薄膜后，一方面可以降低摄像头的厚度和体积，另一方面可以大大提高图像传感器低光拍摄性能和图像的动态范围等。
发明内容
为了克服以上问题，本发明旨在提供一种采用量子点薄膜进行光电转换的图像传感器的制备方法，从而提高图像传感器的性能。
为了达到上述目的，一种图像传感器的制备方法，包括：
步骤01：提供一衬底；并且，在衬底表面形成底部隔离层；
步骤02：在底部隔离层上形成第一层金属铝，并且，图案化第一层金属铝，从而形成第一层金属互连线；
步骤03：在第一层金属互连线和暴露的底部隔离层上形成第一层隔离层；第一层隔离层的顶部高出所述第一层金属互连线的顶部；
步骤04：在对应于第一层金属互连线上的第一层隔离层中刻蚀出第一层接触孔；
步骤05：在第一层接触孔中填充金属钨，从而形成第一层金属接触孔；
步骤06：在第一层金属接触孔顶部和第一层隔离层表面形成第二层金属铝，并且再重复循环步骤02至步骤05K次，直至形成N层隔离层以及相应层的金属互连线和金属接触孔；其中，K为整数且K≥0；N为整数且N≥1；且K+1＝N；
步骤07：在第N层隔离层和第N层金属接触孔上形成第N+1层金属铝，并且，图案化第N+1层金属铝，从而形成第N+1层金属互连线；
步骤08：在第N+1层金属互连线和第N层隔离层表面覆盖一层第N+1层隔离层，并且，平坦化第N+1层隔离层顶部；
步骤09：在第N+1层隔离层中定义焊盘结构区域和非焊盘结构区域；并且，对应于焊盘结构区域的第N+1层金属互连线上的第N+1层隔离层中刻蚀出初始焊盘结构，在对应于相邻像素分界处的第N+1层隔离层中刻蚀出隔离结构；
步骤10：在暴露的第N+1层金属互连线顶部形成金属电极；
步骤11：在初始焊盘结构中刻蚀出焊盘开口，将底部对应的第N+1层金属互连线暴露出来，从而形成目标焊盘结构；
步骤12：在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖一层量子点薄膜；平坦化后的第N+1层隔离层顶部仍高于第N+1层金属互连线顶部。
优选地，所述步骤07中，在形成第N+1层金属互连线之后，在第N+1层金属互连线表面和第一层隔离层暴露的表面还覆盖一层氮化硅层。
优选地，所述步骤03中，设置所述第一层隔离层的顶部高出所述第一层金属互连线的顶部的高度等于所述第一接触孔的高度。
优选地，所述步骤08中，设置平坦化后的第N+1层隔离层顶部高出第N+1层金属互连线顶部的高度等于所述初始焊盘结构的高度。
优选地，所述步骤01中，所述底部隔离层采用热生长方式或化学气相沉积方法制备。
优选地，所述步骤05中，在第一层接触孔中填充金属钨之前，还包括：在第一层接触孔中沉积缓冲层。
优选地，所述步骤05中，采用物理气相沉积法在第一层接触孔中生长缓冲层，然后，在缓冲层上采用化学气相沉积方法来沉积金属钨。
优选地，所述步骤12中，采用旋涂法在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖一层量子点薄膜。
优选地，所述步骤10中，所采用的金属电极为氮化钛。
优选地，所采用的第一层隔离层至第N+1层隔离层的材料均为二氧化硅，第一层隔离层至第N层隔离层中每一层所采用的厚度为0.5～1微米，第N+1层隔离层所采用的厚度为0.8～1微米。
本发明的量子薄膜传感器的制备方法，将量子点薄膜应用于图像传感器中，相比同等像素大小的CMOS图像传感器，量子薄膜传感器有更强的光线敏感度，更大的动态范围和更优化的成像稳定性。并且，本发明的制备方法与传统的CMOS工艺相兼容，简化了工艺步骤，节约了成本。
附图说明
图1为本发明的一个较佳实施例的图像传感器的制备方法的流程示意图
图2～15为本发明的一个较佳实施例的图像传感器的制备方法的各个制备步骤示意图
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
以下结合附图1-15和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。
请参阅图1，本实施例的一种图像传感器的制备方法，其包括：
步骤01：请参阅图2，提供一衬底1；并且，在衬底1表面形成底部隔离层2；
具体的，这里的衬底1可以但不限于为N型或P型双面抛光硅片。底部隔离层2的材料可以为氧化硅，底部隔离层2的氧化硅的生长可以但不限于采用热生长方式，也可以通过化学气相沉积方法生长，底部隔离层2的氧化硅的厚度可以但不限于为0.5～1微米。
步骤02：请参阅图3，在底部隔离层2上形成第一层金属铝，并且，图案化第一层金属铝，从而形成第一层金属互连线3；
具体的，可以但不限于采用物理气相沉积方法来沉积第一层金属铝。然后，可以但不限于采用光刻和各向异性干法刻蚀工艺来刻蚀第一层金属铝，并去除残留光刻胶后，形成第一层铝互连线3。
步骤03：请参阅图4，在第一层金属互连线3和暴露的底部隔离层2上形成第一层隔离层4；
具体的，可以但不限于采用化学气相沉积法来沉积第一层隔离层4，第一层隔离层4的材料可以为二氧化硅，第一层隔离层4的厚度可以为0.5～1微米，并且，采用化学机械抛光工艺来平坦化第一层隔离层4顶部。这里，第一层隔离层4的顶部高出第一层铝互连线的顶部；设置第一层隔离层4的顶部高出第一层铝互连线3的顶部的高度等于后续形成的第一接触孔的高度。
步骤04：请参阅图5，在对应于第一层金属互连线3上的第一层隔离层4中刻蚀出第一层接触孔；
具体的，可以但不限于采用光刻和各向异性干法刻蚀工艺来刻蚀第一层隔离层4，从而在第一层隔离层4中且对应于每根第一层铝互连线3上刻蚀出第一层接触孔。
步骤05：请参阅图6～7，在第一层接触孔中填充金属钨，从而形成第一层金属接触孔；
具体的，首先，请参阅图6，可以但不限于采用物理气相沉积工艺在第一层接触孔的底部和侧壁以及第一层隔离层4表面沉积缓冲层5，然后，请参阅图7，可以但不限于采用化学气相沉积方法在缓冲,5上沉积金属钨6，金属钨6填充满第一层接触孔；最后，可以但不限于采用化学机械抛光工艺研磨掉第一层隔离层4表面的缓冲层5和金属钨6，从而形成第一层钨接触孔。
步骤06：在第一层金属接触孔顶部和第一层隔离层表面形成第二层金属铝，并且再重复循环步骤02至步骤05K次，直至形成N层隔离层以及相应层的金属互连线和金属接触孔；其中，K为整数且K≥0；N为整数且N≥1；且K+1＝N；
具体的，由于本实施例的上述图像传感器中只具有两层隔离层，因此，这里的K为0，N为1，也就是无需再循环重复步骤02～05了。
步骤07：在第N层隔离层和第N层金属接触孔上形成第N+1层金属铝，并且，图案化第N+1层金属铝，从而形成第N+1层金属互连线；
具体的，请参阅图8，可以但不限于采用物理气相沉积法在第一层钨接触孔顶部和第一层隔离层4表面沉积第二层金属铝7'。这里，第二层金属铝7'的高度略高于第一层金属铝4的高度。然后，请参阅图9，可以但不限于采用光刻和各向异性干法刻蚀工艺来刻蚀第二层金属铝7'，并去除残留光刻胶后，形成第二层铝互连线7。
本实施例中，在形成第二层铝互连线7之后，可以但不限于采用化学气相沉积方法在第二层铝互连线7表面和第一层隔离层4暴露的表面还覆盖一层氮化硅层(未示出)。氮化硅层的厚度可以为0.05～0.1微米。
步骤08：在第N+1层金属互连线和第N层隔离层表面覆盖一层第N+1层隔离层，并且，平坦化第N+1层隔离层顶部；
具体的，请参阅图10，可以但不限于采用化学气相沉积方法在氮化硅层表面沉积第二层隔离层8'，第二层隔离层8'的材料可以为二氧化硅，第二层隔离层8'的厚度可以为0.8～1微米。
这里，平坦化后的第二层隔离层8'顶部高于第二层铝互连线7顶部，用于设置平坦化后的第二层隔离层8'顶部高出第二层铝互连线7顶部的高度等于初始焊盘结构的高度。
步骤09：在第N+1层隔离层中定义焊盘结构区域和非焊盘结构区域；并且，对应于焊盘结构区域的第N+1层金属互连线上的第N+1层隔离层中刻蚀出初始焊盘结构，在对应于相邻像素分界处的第N+1层隔离层中刻蚀出隔离结构；
具体的，请参阅图11，在定义的焊接结构区域中，第二层铝互连线7上的第二层隔离层8'中可以但不限于采用光刻和各向异性干法刻蚀工艺来刻蚀出初始焊盘结构8，在刻蚀初始焊盘结构8的同时，保留对应于相邻像素分界处的第二层隔离层8'，从而形成像素间隔离结构11。
步骤10：在暴露的第N+1层金属互连线顶部形成金属电极；
具体的，请参阅图12，在第二层铝互连线7顶部、第二层隔离层8'表面、初始焊盘结构8的表面和侧壁、以及隔离结构11暴露的表面和侧壁上形成金属电极9，金属电极9的材料可以是氮化钛。可以但不限于采用物理气相沉积方法来沉积金属电极9，金属电极9的厚度可以为0.05～0.2微米，较佳的为0.1微米。然后，请参阅图13，可以但不限于采用光刻和各向异性干法刻蚀工艺来刻蚀去除第二层铝互连线7顶部之外的金属电极9，保留第二层铝互连线7顶部的金属电极9，并且去除光刻胶残留。
步骤11：在初始焊盘结构中刻蚀出焊盘开口，将底部对应的第N+1层金属互连线暴露出来，从而形成目标焊盘结构；
具体的，请参阅图14，可以但不限于采用光刻和各向异性干法刻蚀工艺来刻蚀出初始焊盘结构8的开口，从而形成目标焊盘结构；
步骤12：在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖一层量子点薄膜；平坦化后的第N+1层隔离层顶部仍高于第N+1层金属互连线顶部。
具体的，请参阅图15，可以但不限于采用旋涂法在金属电极9表面和暴露的第二层隔离层8'表面覆盖一层量子点薄膜10。
需要说明的是，本实施例中以制备两层隔离层的方法进行描述，然在本发明的其它实施例中，针对三层或以上隔离层的图像传感器中，可以采用重复循环步骤02至步骤05的方法来制备，这里不再赘述。其中，所采用的第一层隔离层至第N+1层隔离层的材料均为二氧化硅，第一层隔离层至第N层隔离层中每一层所采用的厚度可以为0.5～1微米，第N+1层隔离层所采用的厚度可以为0.8～1微米。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：
步骤01：提供一衬底；并且，在衬底表面形成底部隔离层；
步骤02：在底部隔离层上形成第一层金属铝，并且，图案化第一层金属铝，从而形成第一层金属互连线；
步骤03：在第一层金属互连线和暴露的底部隔离层上形成第一层隔离层；第一层隔离层的顶部高出所述第一层金属互连线的顶部；
步骤04：在对应于第一层金属互连线上的第一层隔离层中刻蚀出第一层接触孔；
步骤05：在第一层接触孔中填充金属钨，从而形成第一层金属接触孔；
步骤06：在第一层金属接触孔顶部和第一层隔离层表面形成第二层金属铝，并且再重复循环步骤02至步骤05K次，直至形成N层隔离层以及相应层的金属互连线和金属接触孔；其中，K为整数且K≥0；N为整数且N≥1；且K+1＝N；
步骤07：在第N层隔离层和第N层金属接触孔上形成第N+1层金属铝，并且，图案化第N+1层金属铝，从而形成第N+1层金属互连线；
步骤08：在第N+1层金属互连线和第N层隔离层表面覆盖一层第N+1层隔离层，并且，平坦化第N+1层隔离层顶部；
步骤09：在第N+1层隔离层中定义焊盘结构区域和非焊盘结构区域；并且，对应于焊盘结构区域的第N+1层金属互连线上的第N+1层隔离层中刻蚀出初始焊盘结构，在对应于相邻像素分界处的第N+1层隔离层中刻蚀出隔离结构；
步骤10：在暴露的第N+1层金属互连线顶部形成金属电极；
步骤11：在初始焊盘结构中刻蚀出焊盘开口，将底部对应的第N+1层金属互连线暴露出来，从而形成目标焊盘结构；
步骤12：在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖一层量子点薄膜；平坦化后的第N+1层隔离层顶部仍高于第N+1层金属互连线顶部。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤07中，在形成第N+1层金属互连线之后，在第N+1层金属互连线表面和第一层隔离层暴露的表面还覆盖一层氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，设置所述第一层隔离层的顶部高出所述第一层金属互连线的顶部的高度等于所述第一层接触孔的高度。
4.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤08中，设置平坦化后的第N+1层隔离层顶部高出第N+1层金属互连线顶部的高度等于所述初始焊盘结构的高度。
5.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤01中，所述底部隔离层采用热生长方式或化学气相沉积方法制备。
6.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤05中，在第一层接触孔中填充金属钨之前，还包括：在第一层接触孔中沉积缓冲层。
7.根据权利要求6所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤05中，采用物理气相沉积法在第一层接触孔中生长缓冲层，然后，在缓冲层上采用化学气相沉积方法来沉积金属钨。
8.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤12中，采用旋涂法在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖一层量子点薄膜。
9.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤10中，所采用的金属电极为氮化钛。
10.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所采用的第一层隔离层至第N+1层隔离层的材料均为二氧化硅，第一层隔离层至第N层隔离层中每一层所采用的厚度为0.5～1微米，第N+1层隔离层所采用的厚度为0.8～1微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611224806.4A CN107068699B (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种图像传感器的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611224806.4A CN107068699B (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种图像传感器的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107068699A CN107068699A (zh) | 2017-08-18 |
| CN107068699B true CN107068699B (zh) | 2020-05-15 |
Family
ID=59623754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611224806.4A Active CN107068699B (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种图像传感器的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107068699B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110819341A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-21 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硫化铅量子点的制作方法、光电探测器及其制作方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US9703056B2 (en) * | 2014-01-23 | 2017-07-11 | Nxp Usa, Inc. | Copper tube interconnect |
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- 2016-12-27 CN CN201611224806.4A patent/CN107068699B/zh active Active
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