CN107066930A - 电子装置、封装结构和其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子装置，其包含光源、光接收器、第一光导结构和第二光导结构。所述第一光导结构面朝所述光源的发光表面且面朝所述光接收器的横向壁。所述第二光导结构安置于所述光接收器上方且耦合到所述第一光导结构。所述光接收器和所述第二光导结构界定所述光接收器与所述第二光导结构之间的空腔。

Description

电子装置、封装结构和其制造方法
相关申请案的交叉参考
本申请案主张2016年1月14日申请的美国临时申请案第62/278,661号的优先权和益处，所述美国临时申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种电子装置、一种封装结构和其制造方法，且更特定来说，涉及经配置为具有高灵敏度对比度的光学传感器的一种电子装置和一种封装结构。
背景技术
例如生物传感器或指纹辨识传感器的光学传感器得到了广泛开发。然而，习知光学传感器遭受低灵敏度对比度。
发明内容
在一或多个实施例中，一种电子装置包含：光源；光接收器；第一光导结构，其面朝所述光源的发光表面且面朝所述光接收器的横向壁；和第二光导结构，其在所述光接收器上方且耦合到所述第一光导结构。所述光接收器和所述第二光导结构界定所述光接收器与所述第二光导结构之间的空腔。
在一或多个实施例中，一种封装结构包含：载体；光接收器，其在所述载体上方；和光导结构，其包覆所述光接收器。所述光导结构界定从所述光导结构的顶部表面凹入的空腔，所述空腔安置于所述光接收器上方且与其对准，且所述光导结构包含围绕所述空腔的横向壁。
在一或多个实施例中，一种用于制造电子装置的方法包含：提供载体；将光源和光接收器安置于所述载体上方；在所述光源上方形成第一光导结构；和将第二光导结构耦合到所述第一光导结构，其中空腔形成于所述光接收器与所述第二光导结构之间。
附图说明
当结合附图阅读时，从以下详细描述最佳地理解本发明的一些实施例的方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述清晰起见任意增大或减小。
图1为根据本发明的一第一实施例的电子装置的一实例的示意图；
图2A为说明当无物体放置于第二光导结构上时根据本发明的一第一实施例的电子装置中的光路的示意图；
图2B为说明当一物体放置于第二光导结构上时根据本发明的一第一实施例的电子装置中的光路的示意图；
图2C为说明光源的外缘和空腔的边缘的距离的根据本发明的一第一实施例的电子装置的示意图；
图3A、3B、3C和3D说明根据本发明的一第一实施例的电子装置的制造方法的一实例；
图4为根据本发明的一第二实施例的电子装置的一实例的示意图；
图5A、5B、5C、5D和5E说明根据本发明的一第二实施例的电子装置的制造方法的一实例；
图6为根据本发明的一第三实施例的电子装置的一实例的示意图；
图7A、7B、7C和7D说明根据本发明的一第三实施例的电子装置的制造方法的一实例；
图8为根据本发明的一第四实施例的封装结构的一实例的示意图；
图9为根据本发明的一第五实施例的封装结构的一实例的示意图；
图10为根据本发明的一第六实施例的封装结构的一实例的示意图；
图11为根据本发明的一第七实施例的封装结构的一实例的示意图；
图11A为说明光源的外缘和空腔的横向壁的距离的根据本发明的一第七实施例的电子装置的示意图。
图12为根据本发明的一第八实施例的封装结构的一实例的示意图；
图13A为说明当无物体放置于盖板上时根据本发明的一第八实施例的封装结构中的光路的示意图；和
图13B为说明当一物体放置于盖板上时根据本发明的一第八实施例的封装结构中的光路的示意图。
具体实施方式
例如生物传感器或指纹辨识传感器的光学传感器可能由于光传输过程的光损耗而遭受低灵敏度对比度。一种制造方法使用射出成型以形成光导结构，所述光导结构难以塑形以形成微米大小的结构。此外，通过射出成型所形成的光导结构可能不能够与光源接触，而在光导结构与光源之间产生气隙，进而产生光耗损。此外，通过射出成型所形成的光导结构可能在表面粘着技术(SMT)处理期间对高温不具有抵抗性，因此光导结构是在高温SMT处理之后形成。因此，在SMT处理期间需使用额外胶带以将光接收器与污染隔离，这增加制造步骤和成本。
本发明提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。组件和配置的特定实例在下文出于解释的目的而加以描述，且不应被理解为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成以使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本发明可在各种实例中重复参考数字和/或字母。此重复是出于清晰的目的，且其自身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
除非另外规定，否则例如“上方”、“下方”、“向上”、“左边”、“右边”、“向下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧”、“较高”、“下部”、“上部”、“上方”、“下面”等空间描述是相对于图中所示的定向加以指示。应理解，本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方式可以任何定向或方式在空间上进行配置，其限制条件为本发明的实施例的优点不因此配置而有偏差。
以下描述是针对一种电子装置。在一些实施例中，电子装置包含光源、光接收器、围绕光接收器的第一光导结构、和在光接收器上方且耦合到第一光导结构的第二光导结构。电子装置进一步包含在光接收器与第二光导结构之间的空腔。以下描述进一步针对一种封装结构。在一些实施例中，封装结构包含载体、光接收器、包覆光接收器的光导结构，且光导结构界定自光导结构的顶部表面凹入的空腔。空腔安置于光接收器上方且与其对准，且光导结构包含围绕空腔的横向壁。以下描述还针对一种制造电子装置的方法，如下文所论述。电子装置和封装结构能够经配置为光学装置，例如(但不限于)光学传感器，包含生物传感器或指纹辨识传感器。
图1为根据本发明的一第一实施例的电子装置1的一实例的示意图。如图1中所展示，电子装置1包含至少一个光源20、光接收器30、第一光导结构42和第二光导结构44。在一或多个实施例中，光源20、光接收器30和第一光导结构42安置于载体10上方。载体10可包含例如半导体衬底的衬底、电路板或类似者。在一或多个实施例中，导电布线(未展示)安置于载体10上方或嵌入于其中。光源20经配置以朝向第一光导结构42发射光。光源20可包含发光二极管(LED)，或能够发射光的其它适合的光源。在一或多个实施例中，光源20通过接合线20X电连接到载体10的导电布线。光源20具有面朝第一光导结构42的发光表面20L，且光从发光表面20L朝向第一光导结构42发射。
光接收器30经配置以感测光。在一或多个实施例中，光接收器30包含光学传感器裸片，且光接收器30的顶部表面30T包含光接收区域30R。由互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器、电荷耦合装置(CCD)传感器或其它适合的传感器形成的光学传感器阵列安置于光接收区域30R中以感测光。在一或多个实施例中，光接收器30通过接合线30X电连接到载体10的导电布线。
第一光导结构42经配置以将从光源20发射的光引导到第二光导结构44。第一光导结构42具有第一折射率。在一或多个实施例中，第一光导结构42与光源20的发光表面20L接触，以便减小由于反射的光耗损。在一或多个实施例中，第一光导结构42完全地包覆光源20，例如：包覆光源的顶面(发光表面20L)与侧面。在一或多个实施例中，第一光导结构42安置于光接收器30的周边周围，面朝、接触且覆盖光接收器30的横向壁30W。在一或多个实施例中，第一光导结构42与光接收器30的顶部表面30T的周边部分接触且覆盖此周边部分，但暴露光接收区域30R。在一或多个实施例中，第一光导结构42围封接合线30X以便保护接合线30X。第一光导结构42的材料包含树脂，例如(但不限于)环氧树脂或硅胶(silicone)。在一或多个实施例中，第一光导结构42包含倾斜侧壁42X，其相对于发光表面20L而倾斜，且经配置以增加光在第一光导结构42中的内部反射。举例来说，倾斜侧壁42X可相对于发光表面20L形成小于90°(例如约80°或更小、约60°或更小、或约45°或更小)的角度。
第二光导结构44安置于光接收器30上方且耦合到第一光导结构42。第二光导结构44具有第三折射率，且第三折射率对第一折射率的比为约1。第二光导结构44的材料可包含树脂或陶瓷，例如(但不限于)环氧树脂、硅胶或玻璃。在一或多个实施例中，空腔50形成于光接收器30与第二光导结构44之间，且由第一光导结构42围绕。在一或多个实施例中，空腔50为气密密封式的，且介质填充于空腔50中。空腔50中的介质具有第二折射率，且第一折射率对第二折射率的比大于1，例如约1.1或更大、约1.3或更大、或约1.5或更大。作为实例，介质为空气、真空或其它适合的介质。
在一或多个实施例中，粘着膜46安置于第一光导结构42与第二光导结构44之间且与这两者接触，以粘着第一光导结构42与第二光导结构44。在一或多个实施例中，粘着膜46包含粘着剂(例如(但不限于)透明环氧树脂粘着剂)或由其形成。粘着膜46具有第四折射率，且第四折射率对第一折射率相近，例如：第四折射率对第一折射率的比为约1。在一或多个实施例中，第一光导结构42与第二光导结构44可以其它适合的方式耦合到彼此。
图2A为说明当无物体放置于第二光导结构44上时根据本发明的一第一实施例的电子装置1中的光路的示意图。参考图2A，第一光导结构42、粘着膜46和第二光导结构44对从光源20发射的光L透射。因为第一光导结构42的第一折射率、第二光导结构44的第三折射率和粘着膜46的第四折射率基本上相等，所以可将第一光导结构42、粘着膜46和第二光导结构44视为同一透射介质，且将在第一光导结构42与粘着膜46之间和在粘着膜46与第二光导结构44之间存在极少或无光学界面。因此，最小化了在通过第一光导结构42、粘着膜46和第二光导结构44透射时由于反射的光耗损。因为第一光导结构42的第一折射率对空腔50中的介质的第二折射率的比大于1，所以内部反射将在第一光导结构42、粘着膜46和第二光导结构44中发生，且大部分光L将不会入射于光接收区域30R上。因此，可缓解光串扰。
图2B为说明当一物体放置于第二光导结构44上时根据本发明的一第一实施例的电子装置1中的光路的示意图。参考图2B，当物体12(例如(但不限于)手指或触笔)放置于第二光导结构44上时，一些光L将朝向光接收区域30R反射，一些光L将散射，且一些光L将被物体12吸收。因此，光接收器30取得光L的强度分布，且可辨识触控输入。借助于第一光导结构42和第二光导结构44，一些光L可到达光接收区域30R的中心部分，借此改进在光接收区域30R的中心部分的辨识。
图2C为说明光源的外缘和空腔的边缘的距离的根据本发明的一第一实施例的电子装置1的示意图。参考图2C，在一实施例中，当第一光导结构42、粘着膜46和第二光导结构44的折射率均为n1且第二光导结构44之外的外界介质(例如空气)的折射率为n2时，根据斯涅尔定律(Snell's law)，光源20所发射的光经过第二光导结构44与外界介质的界面时会满足下列式(1)：
n1sinθ1＝n2sinθ2 (1)
其中
θ1为入射角；且
θ2为折射角。
当折射角为90°时对应的入射角为临界角(critical angle)θc，可由下列式(2)所计算出：
sinθc＝(n2/n1)sin90° (2)
在一实施例中，若n1为1.5且n2为1时，则可计算出临界角θc约为41.8°。如图2C所示，当无物体放置于第二光导结构44上时，在光源20所发射的光L1的入射角θ1小于临界角41.8°时，光L1会射出第二光导结构44不会产生全反射，因此不会产生光串扰。当无物体放置于第二光导结构44上时，光源20所发射的光L2的入射角大于或等于临界角41.8°时，光L2会产生全反射而朝向光接收区域30R前进，但由于光L2会先经过第二光导结构44与空腔50的介质的界面，因此会再度产生全反射而不会进入空腔50内，因此不会产生光串扰。因此，为了确保光L2在第一次全反射后会到达第二光导结构44与空腔50的介质的界面，光源20的外缘(远离空腔50的边缘)20E和面对光源20的空腔50的边缘50E的距离D需满足下列式(3)：
D≦(2H1-H2)*tanθc (3)
其中H1为光源20的发光表面20L与第二光导结构44的外表面的距离；且
H2为光源20的发光表面20L与第二光导结构44的内表面的距离。
举例来说，当H1为0.7毫米(mm)、H2为0.2mm，且θc为41.8°时，光源20的外缘20E和空腔50的边缘50E的距离D应小于或等于1.073mm，以有效减少光串扰。当光源20的外缘20E和空腔50的边缘50E的距离D不满足式(3)时，光L2会在光导结构内传递并进入光接收区域30R，使得光串扰变强。
图3A、3B、3C和3D说明根据本发明的一第一实施例的电子装置1的制造方法的一实例。
参考图3A，提供载体10。载体10可包含例如半导体衬底的衬底、电路板或类似者。在一或多个实施例中，导电布线(未展示)安置于载体10上方或嵌入于其中。至少一个光源20和光接收器30安置于载体10上方。在一或多个实施例中，光源20通过接合线20X电连接到载体10的导电布线。在一或多个实施例中，光接收器30通过接合线30X电连接到载体10的导电布线。
参考图3B和3C，在将光接收器30安置于载体10上方之后，在光源20上形成第一光导结构42。在一或多个实施例中，第一光导结构42通过模制技术形成于光源20上。如图3B中所描绘，提供包含突起部62的模具60。在一或多个实施例中，薄膜64形成于突起部62上或涂覆到突起部62，或形成于模具60的整个表面上。具有薄膜64的模具60接着放置于载体10和光源20上方，且与光接收器30的顶部表面30T的一部分接触。薄膜64由提供缓冲作用的柔性材料制成，且因此光接收器30在模制期间并不被模具60损坏。如图3C中所描绘，将模制材料填充到模具60与载体10之间的空间中，以形成第一光导结构42。模制材料在涂覆时呈液态形式，且接着通过热固化和/或光学固化加以固化以形成第一光导结构42。作为实例，第一光导结构42的材料包含树脂，例如(但不限于)环氧树脂或硅胶。在一或多个实施例中，第一光导结构42包覆光源20和光接收器30的一部分。在一或多个实施例中，第一光导结构42包覆且保护接合线20X和接合线30X。
参考图3D，从第一光导结构42移除模具60和薄膜64，从而形成由第一光导结构42围绕的空腔50。随后，第二光导结构44与第一光导结构42耦合，且空腔50位于光接收器30与第二光导结构44之间。第二光导结构44的材料可包含树脂或陶瓷，例如(但不限于)环氧树脂、硅胶或玻璃。因此，形成如图1中所描绘的电子装置1。在一或多个实施例中，第二光导结构44通过粘着膜46耦合到第一光导结构42。在一或多个实施例中，粘着膜46包含粘着剂(例如(但不限于)透明环氧树脂粘着剂)或由其形成。
图4为根据本发明的一第二实施例的电子装置2的一实例的示意图。如图4中所示，不同于第一实施例的电子装置1，电子装置2的第一光导结构42包覆光源20，但并不覆盖和暴露光接收器30的顶部表面30T和光接收区域30R。
图5A、5B、5C、5D和5E说明根据本发明的一第二实施例的电子装置2的制造方法的一实例。
参考图5A，提供载体10。至少一个光源20安置于载体10上方。在一或多个实施例中，光源20通过接合线20X电连接到载体10的导电布线。
参考图5B，提供包含突起部62的模具60。在一或多个实施例中，薄膜64形成于突起部62上或涂覆到突起部62，或形成于模具60的整个表面上。接着将具有薄膜64的模具60放置于载体10和光源20上方。
参考图5C，将模制材料填充到模具60与载体10之间的空间中，以形成第一光导结构42。模制材料在涂覆时呈液态形式，且接着加以固化以形成第一光导结构42。作为实例，第一光导结构42的材料包含树脂，例如(但不限于)环氧树脂或硅胶。在一或多个实施例中，第一光导结构42包覆光源20且覆盖载体10的一部分。
参考图5D，从第一光导结构42移除模具60和薄膜64，借此形成由第一光导结构42围绕的空腔50。随后，将光接收器30安置于载体10上方。在一或多个实施例中，光接收器30包含光学传感器裸片，且光接收器30的顶部表面30T包含光接收区域30R，且由CMOS传感器、CCD传感器或其它适合的传感器形成的光学传感器阵列安置于光接收区域30R中以感测光。在一或多个实施例中，光接收器30通过接合线30X电连接到载体10的导电布线。光接收器30在形成第一光导结构42之后安置于载体10上方，且因此在第一光导结构42的模制期间并不受损坏。
参考图5E，粘着膜46形成于第一光导结构42上。在一或多个实施例中，粘着膜46包含粘着剂(例如(但不限于)透明环氧树脂粘着剂)或由其形成。随后，第二光导结构44通过粘着膜46与第一光导结构42耦合，且空腔50位于光接收器30与第二光导结构44之间。第二光导结构44的材料可包含树脂或陶瓷，例如(但不限于)环氧树脂、硅胶或玻璃。因此，形成如图4中所描绘的电子装置2。
图6为根据本发明的一第三实施例的电子装置3的一实例的示意图。如图6中所示，不同于前述实施例的电子装置1、2，电子装置3进一步包含围封第一光导结构42的横向壁42W的分隔结构40。
图7A、7B、7C和7D说明根据本发明的一第三实施例的电子装置3的制造方法的一实例。
参考图7A，提供载体10。载体10可包含例如半导体衬底的衬底、电路板或类似者。在一或多个实施例中，导电布线(未展示)安置于载体10上方或嵌入于载体10中。至少一个光源20和光接收器30安置于载体10上方。在一或多个实施例中，光源20通过接合线20X电连接到载体10的导电布线。在一或多个实施例中，光接收器30通过接合线30X电连接到载体10的导电布线。
参考图7B，分隔结构40形成于载体10上方。在一或多个实施例中，分隔结构40围绕光源20，从而形成围绕光源20的挡墙41。
参考图7C，将流体材料施配于挡墙41中。接着热固化和/或光学固化流体材料以形成第一光导结构42。在一或多个实施例中，流体材料包含树脂，例如(但不限于)环氧树脂或硅胶。
参考图7D，粘着膜46形成于第一光导结构42上。在一或多个实施例中，粘着膜46包含粘着剂(例如(但不限于)透明环氧树脂粘着剂)或由其形成。随后，第二光导结构44通过粘着膜46与第一光导结构42耦合，从而在光接收器30与第二光导结构44之间形成空腔50。因此，形成如图6中所描绘的电子装置3。第二光导结构44的材料可包含树脂或陶瓷，例如(但不限于)环氧树脂、硅胶或玻璃。
图8为根据本发明的一第四实施例的封装结构4的一实例的示意图。如图8中所示，封装结构4包含载体10、安置于载体10上方的光接收器30、包覆光接收器30的光导结构48、和由光导结构48界定且从光导结构48的表面(例如，顶部表面)凹入的空腔50。空腔50安置于光接收器30上方且与其对准以便对应于光接收器30，且光导结构48包含围绕空腔50的横向壁50W。空腔50的底部与光接收器30间隔开，且通过光导结构48的材料与光接收器30隔离。在一或多个实施例中，光导结构48的材料包含树脂，例如(但不限于)环氧树脂或硅胶。在一或多个实施例中，光导结构48为一体成型结构或单体结构。
图9为根据本发明的一第五实施例的封装结构5的一实例的示意图。如图9中所示，不同于第四实施例的封装结构4，封装结构5的光导结构48包含第一部分481和耦合到第一部分481的第二部分482。第一部分481安置于载体10上方且包覆光接收器30。在一或多个实施例中，第一部分481包含顶部表面48T，顶部表面48T为基本上平坦或平面的，而非凹入式的。第二部分482耦合到第一部分481的顶部表面48T的一部分。在一或多个实施例中，第二部分482具有环形形状或框架形状，其界定空腔50连同第一部分481。在一或多个实施例中，第二部分482的折射率基本上等于第一部分481的折射率。在一或多个实施例中，第一部分481的材料可包含树脂，例如(但不限于)环氧树脂或硅胶，且第二部分482的材料可包含粘着剂，例如(但不限于)透明环氧树脂粘着剂。在一或多个实施例中，可通过模制形成第一部分481，且可将第二部分482施配、涂布或印刷于第一部分481的顶部表面48T上。
图10为根据本发明的一第六实施例的封装结构6的一实例的示意图。如图10中所示，不同于第四实施例的封装结构4，第六实施例的封装结构6进一步包含安置于载体10上方的至少一个光源20。光源20由光导结构48包覆。在一或多个实施例中，光导结构48与光源20的发光表面20L接触。光导结构48对从光源20发射的光透射。
图11为根据本发明的一第七实施例的封装结构7的一实例的示意图。如图11中所示，不同于第六实施例的封装结构6，第七实施例的封装结构7进一步包含安置于光接收器30上方且耦合到光导结构48的盖板52。在一或多个实施例中，盖板52通过粘着膜49附接至光导结构48，粘着膜49包含粘着剂(例如(但不限于)透明环氧树脂粘着剂)或由其形成。盖板52对从光源20发射的光透射。在一或多个实施例中，盖板52具有基本上等于光导结构48的折射率的折射率。因而，盖板52经配置为第二光导结构，且从光源20发射的光在光导结构48和盖板52中由于内部反射而透射。在一或多个实施例中，空腔50由光导结构48和盖板52围封，且经气密密封。在一或多个实施例中，光导结构48和盖板52的折射率大于空腔50中的介质的折射率。作为实例，光导结构48的材料包含例如环氧树脂或硅胶的树脂，盖板52的材料包含树脂或陶
瓷，例如环氧树脂、硅胶或玻璃，且介质包含空气或真空。图11A为说明光源的外缘和空腔的横向壁的距离的根据本发明的一第七实施例的电子装置7的示意图。参考图11A，在一实施例中，当光导结构48、粘着膜49和盖板52的折射率均为n1且盖板52的外的外界介质(例如空气)的折射率为n2时，根据斯涅尔定律(Snell's law)，光源20所发射的光经过盖板52与外界介质的界面时会满足下列式(1)：
n1sinθ1＝n2sinθ2 (1)
其中
θ1为入射角；且
θ2为折射角。
当折射角为90°时对应的入射角为临界角(critical angle)θc，可由下列式(2)所计算出：
sinθc＝(n2/n1)sin90° (2)
在一实施例中，若n1为1.5且n2为1时，则可计算出临界角θc约为41.8°。如图11A所示，当无物体放置于盖板52上时，在光源20所发射的光L1的入射角θ1小于临界角41.8°时，光L1会射出盖板52不会产生全反射，因此不会产生光串扰。当无物体放置于盖板52上时，光源20所发射的光L2的入射角大于或等于临界角41.8°时，光L2会产生全反射而朝向光接收区域30R前进，但由于光L2会先经过盖板52与空腔50的介质的界面，因此会再度产生全反射而不会进入空腔50内，因此不会产生光串扰。因此，为了确保光L2在第一次全反射后会到达盖板52与空腔50的介质的界面，光源20的外缘(远离空腔50的边缘)20E和面对光源20的空腔50的横向壁50W的距离D需满足下列式(3)：
D≦(2H1-H2)*tanθc (3)
其中H1为光源20的发光表面20L与盖板52的外表面的距离；和
H2为光源20的发光表面20L与盖板52的内表面的距离。
举例来说，当H1为0.7毫米(mm)、H2为0.2mm，且θc为41.8°时，光源20的外缘20E和空腔50的横向壁50W的距离D应小于或等于1.073mm，以有效减少光串扰。当光源20的外缘20E和空腔50的横向壁50W的距离D不满足式(3)时，光L2在通过盖板52反射后会依序通过粘着膜49与光导结构48并进入光接收区域30R，使得光串扰变强。
图12为根据本发明的一第八实施例的封装结构8的一实例的示意图。如图12中所示，不同于第七实施例的封装结构7，第八实施例的封装结构8的光源20面朝盖板52的边缘52E(例如，盖板52的次表面而非主表面)。在一或多个实施例中，盖板52的折射率大于光导结构48的折射率且大于空腔50中的介质的折射率。因而，盖板52为经配置为光导结构，且从光源20发射的光在盖板52中由于内部反射而透射。
图13A为说明当无物体放置于盖板52上时根据本发明的一第八实施例的封装结构8中的光路的示意图。参考图13A，因为盖板52的折射率大于光导结构48的折射率且大于空腔50中的介质的折射率，所以内部反射将在盖板52中发生，且大部分光L将不入射于光接收区域30R上。
图13B为说明当一物体放置于盖板52上时根据本发明的一第八实施例的封装结构8中的光路的示意图。参考图13B，当物体12(例如(但不限于)手指或触笔)放置于盖板52上时，一些光L将朝向光接收区域30R反射，一些光L将散射，且一些光L将被物体12吸收。因此，光接收器30取得光L的强度分布，且可辨识触控输入。借助于盖板52，一些光L可到达光接收区域30R的中心部分，借此改进在光接收区域30R的中心部分的辨识。本发明的一些实施例的电子装置或封装结构包含覆盖光源的发光表面的光导结构，且因此减少了光耗损。光导结构具有大于光接收器上方的空腔中的介质的折射率的折射率。当无物体放置于电子装置或封装结构上时，光可在光导结构内部由于内部反射效应而透射，借此减小光串扰。当一物体放置于电子装置或封装结构上时，内部反射改变，且光通过物体朝向光接收器反射。因而，由光接收器取得的光的强度分布相对均匀，这增加在光接收器的中心部分的辨识。光导结构和盖板增加光使用率，这可节省光源的功率消耗。此外，电子装置或封装结构的光导结构有利于其制造工艺简单化和成本减少。
如本文所用，除非上下文另外明确规定，否则单数形式“一(a/an)”和“所述”包含复数指示物。
如本文所使用，术语“导电(conductive)”、“导电性(electrically conductive)”和“导电率”指代输送电流的能力。导电性材料通常指示展现对于电流流动的极小或零阻力的那些材料。导电率的一个量度为西门子/米(S/m)。通常，导电性材料为具有大于约104S/m(例如至少105S/m或至少106S/m)的导电率的一种材料。材料的导电率有时可随温度变化。除非另外规定，否则材料的导电率是在室温下测量。
如本文中所使用，术语“大约”、“基本上”、“基本的”和“约”用以描述和考虑小变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指事件或情形明确发生的情况和事件或情形极近似于发生的情况。举例来说，当结合数值使用时，所述术语可指小于或等于所述数值的±10％的变化范围，例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或者小于或等于±0.05％的变化范围。举例来说，如果第一值对第二值的的比处于小于或等于1的±10％的变化范围内，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或者小于或等于±0.05％，那么可认为第一数值与第二数值“基本上”相同或相等。
如果两个表面之间的位移不大于5μm、不大于2μm、不大于1μm或不大于0.5μm，那么可认为所述两个表面共面或基本上共面。
另外，有时在本文中按范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，这类范围格式是为便利和简洁起见而使用，且应灵活地理解为不仅包含明确指定为范围限制的数值，且还包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确指定每一数值和子范围一样。
尽管已参考本发明的特定实施例描述并说明本发明，但这些描述和说明并不限制本发明。所属领域的技术人员应理解，在不脱离如由所附权利要求书界定的本发明的真实精神和范围的情况下，可作出各种改变且可取代等效物。说明可不必按比例绘制。归因于制造程序和容限，本发明中的艺术再现与实际装置之间可能存在区别。可能存在本发明的并未特定说明的其它实施例。应将本说明书和式视为说明性而非限制性的。可作出修改，以使特定情形、材料、物质组成、方法或工艺适应于本发明的目标、精神和范围。所有这类修改都意图处于此处所附权利要求书的范围内。尽管已参考按特定次序所执行的特定操作描述本文中所揭示的方法，但应理解，可在不脱离本发明的教示的情况下组合、细分或重新定序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中具体指示，否则操作的次序和分组并非本发明的限制。
符号说明
1 电子装置
2 电子装置
3 电子装置
4 封装结构
5 封装结构
6 封装结构
7 封装结构
8 封装结构
10 载体
12 物体
20 光源
20L 发光表面
20X 接合线
30 光接收器
30R 光接收区域
30T 顶部表面
30W 横向壁
30X 接合线
40 分隔结构
41 挡墙
42 第一光导结构
42W 横向壁
42X 倾斜侧壁
44 第二光导结构
46 粘着膜
48 光导结构
48T 顶部表面
49 粘着膜
50 空腔
50W 横向壁
52 盖板
52E 边缘
60 模具
62 突起部
64 薄膜
481 第一部分
482 第二部分
L 光
L1 光
L2 光
20E 外缘
50E 边缘

Claims (22)

1.一种电子装置，其包括：
光源；
光接收器；
第一光导结构，其面朝所述光源的发光表面且面朝所述光接收器的横向壁；和
第二光导结构，其在所述光接收器上方且耦合到所述第一光导结构，
其中所述光接收器和所述第二光导结构界定所述光接收器与所述第二光导结构之间的空腔。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括载体，其中所述光源、所述光接收器和所述第一光导结构安置于所述载体上方。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述第一光导结构与所述光源的所述发光表面接触。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一光导结构具有第一折射率，所述空腔填充有具有第二折射率的介质，且所述第一折射率对所述第二折射率的比大于1。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述介质为空气或真空。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第二光导结构具有第三折射率，且所述第三折射率对所述第一折射率的比为约1。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其进一步包括粘着膜，所述粘着膜安置于所述第一光导结构与所述第二光导结构之间且与所述光导结构接触，其中所述粘着膜具有第四折射率，且所述第四折射率对所述第一折射率的比为约1。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述光接收器包含包括光接收区域的顶部表面，且所述光接收区域暴露于所述空腔。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述第一光导结构覆盖所述光接收器的所述顶部表面的一部分且暴露所述光接收区域。
10.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述第一光导结构暴露所述光接收器的所述顶部表面。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括围封所述第一光导结构的横向壁的分隔结构。
12.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述光源的外缘和面对所述光源的所述空腔的边缘的距离满足下列关系式：
D≦(2H1-H2)*tanθc
其中
D为所述光源的外缘和面对所述光源的所述空腔的边缘的距离；
H1为所述光源的所述发光表面与所述第二光导结构的外表面的距离；
H2为所述光源的所述发光表面与所述第二光导结构44的内表面的距离；且
θc为所述第二光导结构与其外表面外的外界介质的临界角。
13.一种封装结构，其包括：
载体；
光接收器，其在所述载体上方；和
光导结构，其包覆所述光接收器，
其中所述光导结构界定从所述光导结构的顶部表面凹入的空腔，所述空腔安置于所述光接收器上方且与其对准，且所述光导结构包含围绕所述空腔的横向壁。
14.根据权利要求13所述的封装结构，其进一步包括所述载体上方的光源，其中所述光源包含发光表面，且所述光导结构与所述光源的所述发光表面接触。
15.根据权利要求14所述的封装结构，其进一步包括耦合到所述光导结构且密封所述空腔的盖板，其中所述光源的外缘和面对所述光源的所述空腔的边缘的距离满足下列关系式：
D≦(2H1-H2)*tanθc
其中
D为所述光源的外缘和面对所述光源的所述空腔的边缘的距离；
H1为所述光源的所述发光表面与所述盖板的外表面的距离；
H2为所述光源的所述发光表面与所述盖板的内表面的距离；且
θc为所述第二光导结构与其外表面外的外界介质的临界角。
16.根据权利要求13所述的封装结构，其进一步包括耦合到所述光导结构且密封所述空腔的盖板，以及面朝所述盖板的边缘的光源。
17.根据权利要求13所述的封装结构，其中所述光导结构的折射率大于所述空腔中的介质的折射率。
18.根据权利要求13所述的封装结构，其中所述空腔通过所述光导结构的一部分与所述光接收器间隔开。
19.一种用于制造电子装置的方法，其包括：
提供载体；
将光源和光接收器安置于所述载体上方；
在所述光源上方形成第一光导结构；和
将第二光导结构耦合到所述第一光导结构，其中空腔形成于所述光接收器与所述第二光导结构之间。
20.根据权利要求19所述的方法，其中在将所述光接收器安置于所述载体上方之后在所述光源上方形成所述第一光导结构，且在所述光源上方形成所述第一光导结构包括：
提供包含突起部的模具；
将所述模具放置于所述载体上方，其中所述突起部面朝所述光接收器；
将模制材料填充于所述模具与所述载体之间的空间中，以形成包覆所述光源和所述光接收器的一部分的所述第一光导结构；和
移除所述模具。
21.根据权利要求19所述的方法，其中在将所述光接收器安置于所述载体上方之前在所述光源上方形成所述第一光导结构，且在所述光源上方形成所述第一光导结构包括：
提供包含突起部的模具；
将所述模具放置于所述载体上方，其中所述突起部面朝所述载体；
将模制材料填充于所述模具与所述载体之间的空间中，以形成包覆所述光源的所述第一光导结构；和
移除所述模具。
22.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括：
在所述载体上方形成分隔结构，其中所述分隔结构界定围绕所述光源的挡墙；
在围绕所述光源的所述挡墙中施配流体材料；和
固化所述流体材料以形成所述第一光导结构。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110473868A (zh) * 2018-05-09 2019-11-19 日月光半导体制造股份有限公司 光学系统及其制造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180017741A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
US10659664B2 (en) * 2016-08-01 2020-05-19 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module and molded circuit board assembly and manufacturing method thereof
TW201814321A (zh) * 2016-09-23 2018-04-16 原相科技股份有限公司 光學模組的封裝結構及其封裝方法
TWI649696B (zh) * 2017-01-13 2019-02-01 致伸科技股份有限公司 具有指示功能之指紋辨識模組
JP7079940B2 (ja) * 2017-01-13 2022-06-03 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー ピクセル化ディスプレイ用多層構造体を形成する方法およびピクセル化ディスプレイ用多層構造体
CN109867257A (zh) * 2017-12-04 2019-06-11 讯芯电子科技（中山）有限公司 芯片封装体与制造方法
US20230268453A1 (en) * 2019-10-30 2023-08-24 Kyocera Corporation Mounting board, electronic device, and electronic module

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101889225A (zh) * 2007-12-07 2010-11-17 高通Mems科技公司 具有前方光导及耦合元件的显示器的光照明
CN102194112A (zh) * 2011-06-22 2011-09-21 成都方程式电子有限公司 光学指纹识别模块组件
CN102467660A (zh) * 2010-10-28 2012-05-23 金佶科技股份有限公司 光学指纹辨识系统
CN104303077A (zh) * 2012-04-05 2015-01-21 赫普塔冈微光有限公司 光电模块
CN104919787A (zh) * 2012-12-06 2015-09-16 三菱电机株式会社 图像读取装置
CN105121947A (zh) * 2013-02-01 2015-12-02 夸克星有限责任公司 包括多个发光元件的照明装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2746627B1 (fr) * 1996-03-28 1998-06-12 Sagem Dispositif capteur d'empreintes
JP2003233805A (ja) 2001-12-04 2003-08-22 Canon Inc 画像入力装置
US20060102974A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Chen Neng C Contact image capturing structure
US8976158B2 (en) * 2009-02-15 2015-03-10 Neonode Inc. User interface for white goods and associated multi-channel proximity sensors
TW201629521A (zh) * 2015-02-13 2016-08-16 聯詠科技股份有限公司 光學裝置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101889225A (zh) * 2007-12-07 2010-11-17 高通Mems科技公司 具有前方光导及耦合元件的显示器的光照明
CN102467660A (zh) * 2010-10-28 2012-05-23 金佶科技股份有限公司 光学指纹辨识系统
CN102194112A (zh) * 2011-06-22 2011-09-21 成都方程式电子有限公司 光学指纹识别模块组件
CN104303077A (zh) * 2012-04-05 2015-01-21 赫普塔冈微光有限公司 光电模块
CN104919787A (zh) * 2012-12-06 2015-09-16 三菱电机株式会社 图像读取装置
CN105121947A (zh) * 2013-02-01 2015-12-02 夸克星有限责任公司 包括多个发光元件的照明装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110473868A (zh) * 2018-05-09 2019-11-19 日月光半导体制造股份有限公司 光学系统及其制造方法
US11892346B2 (en) 2018-05-09 2024-02-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical system and method of manufacturing the same

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