CN107043900A - 一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法 - Google Patents

一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，其以石墨纤维与碳化硅纳米粉体作为复合增强相，以Al‑W‑Si合金作为基体，具体制备过程为：首先将石墨纤维碱化处理，然后将碱化的石墨纤维和碳化硅纳米粉体超声处理，然后加入粘结剂、润滑剂、增塑剂和水混合，最后加入Al‑W‑Si合金熔体，在1130℃下搅拌混合1‑5h，冷却至室温，得到的物料装入模具内压制成型，然后压制后的坯体在100‑270MPa、400‑600℃下烧结0.5‑3.5h，随炉冷却制得高导热低膨胀电子封装材料。该制备方法简单，成本低，制得的电子封装材料导热系数高、膨胀系数低，抗辐射性能好。

Description

一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法
技术领域：
本发明涉及电子封装材料领域，具体的涉及一种高导热低低膨胀电子封装材料的制备方法。
背景技术：
电子封装材料是指用作基片、底板、外壳等来支撑和保护半导体芯片和电子电路等，同时又起到散热和/或导电的作用的一类材料的总称。其主要功能包括机械支撑、散热、信号传递以及元件保护等，目前，对电子封装材料的性能要求总体上有以下几点：具有良好的化学稳定性；良好的导热性能；适宜可调的热膨胀系数；比重轻；有较好的机械强度；便于加工；价格低廉；便于自动化生产等等。
铝的热导率很高、密度低、易加工，但铝的线膨胀系数与Si(4.1×10-6/K)和GaAs(5.8×10-6/K)相差很大，器件工作时的热循环常会产生较大的应力，导致失效。可伐合金(Kovar合金)的热膨胀系数低(5.8×10-6/K)，与半导体硅和砷化稼的相近，所以也是一种传统的封装材料。但是，该材料具有消极的一面：低的热导率(热导率仅为15～17W/(m·K))、高密度和较低的刚度。而现代高集成电子封装器件密度高、热量集中，如果热能不能有效地扩散将严重地影响器件的工作性能；在航空航天系统中，重量的增加会造成额外成本的增加。因而无论从有效控制散热的角度考虑还是从重量角度考虑，它都不是最佳的材料。其他的如具有低热膨胀系数和高熔点的W和Mo材料，具有与Si相近的线膨胀系数，且导热性比Kovar合金好得多，故常用于半导体Si片的支撑材料。但由于W，Mo与Si的侵蚀性不好、可焊性差，常需要在其表面镀或涂覆特殊的Ag基合金或Ni，使整个工艺变得复杂且材料的可靠性变差，另外提高了成本，增加了污染。此外，W、Mo密度较大，不适合作航空、航天电子封装材料，而且W、Mo的价格昂贵，生产成本高，不适合大量使用。
中国专利(CN201210165260.5)公开了一种无压浸透法制备SiC/Al电子封装材料的工艺，其以碳化硅作为增强相，以Al-Mg-Si合金作为基体相，首先将碳化硅颗粒、粘结剂、增塑剂、润滑剂和溶剂混匀，压制成型后预热处理并烧结，然后在Al-Mg-Si合金熔体中浸透。该电子封装材料热导率为(140-159)W/mK，热膨胀系数为(7.92-9.71)×10-6/K但是该电子封装材料切削加工性能较差，而且碳化硅的高熔点使得电子封装材料的焊接性能差，且其热膨胀系数和热导率还需进一步完善。
中国专利(201610418417.9)公开了一种制备三维互穿结构3D-SiC/Al复合材料的方法，包括3D-SiC预制件制备及后续无压熔渗制备3D-SiC/Al复合材料过程。其中，3D-SiC预制件应用在后续的无压熔渗3D-SiC/Al复合材料时。根据所用的铝合金成分可对其进行或不进行氧化预处理。其热导率达到232W/m℃，复合材料的密度可达2.9-3.1g/cm2，抗弯强度可达330MPa。但是其制备过程较繁琐，有机溶剂使用量大，对环境有一定的污染。
北京科技大学博士论文“短石墨纤维/铝电子封装材料的制备与性能研究”P8-P42；作者：刘婷婷；其通过化学镀和盐浴镀对纤维表面改性，采用真空热压烧结和真空压力熔渗技术制备短石墨纤维/铝复合材料。虽然其可以有效解决短石墨纤维与铝的界面作用，但是方法复杂，制备成本高，且制得的材料抗辐射性能较差。
发明内容：
针对上述问题，本发明的目的是提供一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，其以Al-W-Si合金作为基体相，以碳化硅晶须作为增强体，制得的封装材料具有较低的膨胀系数和较高的热导率。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石墨纤维与5-10％氢氧化钠溶液搅拌混合3-6h，过滤，沉淀用去离子水洗涤至中性，干燥，得到碱化的石墨纤维；
(2)将碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体和丙三醇混合，并在1000W的功率下超声2-10h，然后过滤，沉淀用去离子水洗涤2-3次，干燥研磨，得到碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物；
(3)将碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物与粘结剂、润滑剂、增塑剂和水混合研磨均匀，得到混合物料A；
(4)将Al-W-Si合金熔化成熔体，并加入步骤(3)得到的混合物料，在1130℃下搅拌混合1-5h，冷却至室温，得到混合物料B；将该物料装入模具内压制成型，然后压制后的坯体在100-270MPa、400-600℃下烧结0.5-3.5h，随炉冷却制得高导热低膨胀电子封装材料；
其中，Al-W-Si合金中，W的质量分数为20-40％，Si的质量分数为10-60％，其余为Al。
作为上述技术方案的优选，步骤(1)中，所述石墨纤维的长径比为(50-80)：1。
作为上述技术方案的优选，步骤(1)中，所述石墨纤维与氢氧化钠溶液的用量比为(3-10)mg：100mL。
作为上述技术方案的优选，步骤(2)中，碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体的质量比为1：(1.5-4)。
作为上述技术方案的优选，步骤(3)中，所述粘结剂为聚乙烯醇、甲基丙烯酸乙酯中的一种。
作为上述技术方案的优选，步骤(3)中，所述润滑剂为硅油、蓖麻油中的一种。
作为上述技术方案的优选，步骤(3)中，所述增塑剂为液体石蜡、聚乙二醇、甘油、棕榈油、桐油中的一种。
作为上述技术方案的优选，步骤(3)中，所述粘结剂、润滑剂、增塑剂、水的添加量分别为碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物重量的17％、3％、2.5％、36％。
碳化硅晶须为立方晶须，和金刚石同属于一种晶型，是目前已经合成出的晶须中硬度最高，模量最大，抗拉伸强度最大，耐热温度最高的晶须产品，分为α型和β型两种形式，其中β型性能优于α型并具有更高的硬度(莫氏硬度达9.5以上)，更好的韧性和导电性能，抗磨、耐高温，特别耐地震、耐腐蚀、耐辐射，已经在飞机、导弹的外壳上以及发动机、高温涡轮转子、特种部件上得到应用。碳化硅纳米材料具有高的禁带宽度，高的临界击穿电场和热导率，小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，以及抗辐射能力强，机械性能好等特性，成为制作高频、大功率、低能耗、耐高温和抗辐射器件的电子和光电子器件的理想材料。其比表面积大，高表面活性，松装密度低，具有极好的力学，热学，电学和化学性能，即具有高硬度，高耐磨性和良好的自润滑，高热传导率。
石墨纤维具有较低的热膨胀系数，在轴向方向上拥有很高的热导率，是一种理想的金属基电子封装材料的增强。本发明首先对石墨纤维进行预处理，然后与碳化硅纳米材料进行作用，使得碳化硅纳米颗粒可以附着于石墨纤维表面，得到的材料与基体相具有很好的结合性能。
基体是金属基电子封装材料的主要组成之一，它起着固结增强体、传递和承受各种载荷的作用。基体的选择对能否充分组合和发挥基体金属和增强体的性能特点，获得预期的、满足使用要求的综合性能有着十分重要的作用。在结构用复合材料中，基体材料的品种很多，包括有铝及铝合金、铜及铜合金、镁及镁合金、钛合金、镍合金、锌合金、铁基耐热合金等，甚至金属间化合物也可作为基体材料使用，对使用性能的要求是选择基体的最重要依据；而对于电子封装用金属基电子封装材料的基体上仍以A1，Cu，Mg及工程中常用的铝合金、铜合金及镁合金为主，这主要是由它们良好的导热、导电及优良的综合力学性能所决定的。
改变或调整基体成分将在以下两个方面影响材料的性能：首先表现在对基体材料本身热物性的影响；其次是对基体与增强体界面结合状况的影响。一方面，本发明合理调节基体Al-W-Si合金中各成分的含量，使得基体的密度为3.9-4g/cm-3，热导率为130-200W/mK，热膨胀系数为8-19×10-6/K；另一方面，本发明采用碱化的石墨纤维与碳化硅纳米粉体进行作用然后与Al-W-Si合金混合，既有效改善了石墨纤维与基体的结合性能，有提高了电子封装材料的切削加工性能。
本发明具有以下有益效果：
(1)本发明合理调节基体Al-W-Si合金中各成分的含量，使得基体的密度为3.9-4g/cm-3，热导率为130-200W/mK，热膨胀系数为8-19×10-6/K，抗辐射性能优异；
(2)碳化硅纳米粉体比表面积大，化学活性高，表面有许多羟基、羧基等官能团，本发明首先对石墨纤维进行碱化处理，使得石墨纤维具有羧基等活性基团，然后将碱化的石墨纤维与碳化硅粉体混合，在超声的条件下，通过超声波瞬间的高温高压作用下使得石墨纤维表面的羟基与碳化硅纳米粉体表面活性基团发生作用，使得碳化硅纳米粉体附着在石墨纤维表面，有效改善了石墨纤维与基体材料的结合性能，使得制得的材料热导率高，热膨胀系数低，化学稳定性好，且石墨纤维的柔韧性有效改善了单一碳化硅增强金属基复合材料切削加工性能差的问题。
具体实施方式：
为了更好的理解本发明，下面通过实施例对本发明采用以下实施例对本发明进一步说明，实施例只用于解释本发明，不会对本发明构成任何的限定。
实施例1
一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石墨纤维与5％氢氧化钠溶液搅拌混合3h，过滤，沉淀用去离子水洗涤至中性，干燥，得到碱化的石墨纤维；石墨纤维的长径比为50：1，所述石墨纤维与氢氧化钠溶液的用量比为3mg：100mL；
(2)将碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体和丙三醇混合，并在1000W的功率下超声2h，然后过滤，沉淀用去离子水洗涤2-3次，干燥研磨，得到碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物；其中，碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体的质量比为1：1.5；
(3)将碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物与聚乙烯醇、硅油、液体石蜡和水混合研磨均匀，得到混合物料A；其中，聚乙烯醇、硅油、液体石蜡、水的添加量分别为碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物重量的17％、3％、2.5％、36％；
(4)将Al-W-Si合金熔化成熔体，并加入步骤(3)得到的混合物料，在1130℃下搅拌混合1h，冷却至室温，得到混合物料B；将该物料装入模具内压制成型，然后压制后的坯体在100MPa、400℃下烧结0.5h，随炉冷却制得高导热低膨胀电子封装材料；Al-W-Si合金中，W的质量分数为20％，Si的质量分数为10％，其余为Al。
实施例2
一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石墨纤维与10％氢氧化钠溶液搅拌混合6h，过滤，沉淀用去离子水洗涤至中性，干燥，得到碱化的石墨纤维；石墨纤维的长径比为80：1，所述石墨纤维与氢氧化钠溶液的用量比为10mg：100mL；
(2)将碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体和丙三醇混合，并在1000W的功率下超声10h，然后过滤，沉淀用去离子水洗涤2-3次，干燥研磨，得到碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物；其中，碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体的质量比为1：4；
(3)将碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物与甲基丙烯酸乙酯、蓖麻油、聚乙二醇和水混合研磨均匀，得到混合物料A；其中，甲基丙烯酸乙酯、蓖麻油、聚乙二醇、水的添加量分别为碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物重量的17％、3％、2.5％、36％；
(4)将Al-W-Si合金熔化成熔体，并加入步骤(3)得到的混合物料，在1130℃下搅拌混合5h，冷却至室温，得到混合物料B；将该物料装入模具内压制成型，然后压制后的坯体在270MPa、600℃下烧结3.5h，随炉冷却制得高导热低膨胀电子封装材料；Al-W-Si合金中，W的质量分数为40％，Si的质量分数为10％，其余为Al。
实施例3
一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石墨纤维与6％氢氧化钠溶液搅拌混合3.5h，过滤，沉淀用去离子水洗涤至中性，干燥，得到碱化的石墨纤维；石墨纤维的长径比为55：1，所述石墨纤维与氢氧化钠溶液的用量比为5mg：100mL；
(2)将碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体和丙三醇混合，并在1000W的功率下超声4h，然后过滤，沉淀用去离子水洗涤2-3次，干燥研磨，得到碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物；其中，碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体的质量比为1：2；
(3)将碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物与聚乙烯醇、蓖麻油、甘油和水混合研磨均匀，得到混合物料A；其中，聚乙烯醇、蓖麻油、甘油、水的添加量分别为碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物重量的17％、3％、2.5％、36％；
(4)将Al-W-Si合金熔化成熔体，并加入步骤(3)得到的混合物料，在1130℃下搅拌混合2h，冷却至室温，得到混合物料B；将该物料装入模具内压制成型，然后压制后的坯体在130MPa、450℃下烧结1h，随炉冷却制得高导热低膨胀电子封装材料；Al-W-Si合金中，W的质量分数为25％，Si的质量分数为15％，其余为Al。
实施例4
一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石墨纤维与7％氢氧化钠溶液搅拌混合4h，过滤，沉淀用去离子水洗涤至中性，干燥，得到碱化的石墨纤维；石墨纤维的长径比为60：1，所述石墨纤维与氢氧化钠溶液的用量比为5mg：100mL；
(2)将碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体和丙三醇混合，并在1000W的功率下超声5h，然后过滤，沉淀用去离子水洗涤2-3次，干燥研磨，得到碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物；其中，碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体的质量比为1：2.5；
(3)将碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物与甲基丙烯酸乙酯、硅油、棕榈油和水混合研磨均匀，得到混合物料A；其中，甲基丙烯酸乙酯、硅油、棕榈油、水的添加量分别为碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物重量的17％、3％、2.5％、36％；
(4)将Al-W-Si合金熔化成熔体，并加入步骤(3)得到的混合物料，在1130℃下搅拌混合3h，冷却至室温，得到混合物料B；将该物料装入模具内压制成型，然后压制后的坯体在150MPa、500℃下烧结1h，随炉冷却制得高导热低膨胀电子封装材料；Al-W-Si合金中，W的质量分数为30％，Si的质量分数为20％，其余为Al。
实施例5
一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石墨纤维与7％氢氧化钠溶液搅拌混合5h，过滤，沉淀用去离子水洗涤至中性，干燥，得到碱化的石墨纤维；石墨纤维的长径比为65：1，所述石墨纤维与氢氧化钠溶液的用量比为8mg：100mL；
(2)将碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体和丙三醇混合，并在1000W的功率下超声7h，然后过滤，沉淀用去离子水洗涤2-3次，干燥研磨，得到碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物；其中，碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体的质量比为1：3；
(3)将碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物与聚乙烯醇、硅油、桐油和水混合研磨均匀，得到混合物料A；其中，聚乙烯醇、硅油、桐油、水的添加量分别为碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物重量的17％、3％、2.5％、36％；
(4)将Al-W-Si合金熔化成熔体，并加入步骤(3)得到的混合物料，在1130℃下搅拌混合4.5h，冷却至室温，得到混合物料B；将该物料装入模具内压制成型，然后压制后的坯体在240MPa、500℃下烧结3h，随炉冷却制得高导热低膨胀电子封装材料；Al-W-Si合金中，W的质量分数为35％，Si的质量分数为40％，其余为Al。
实施例6
一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石墨纤维与8％氢氧化钠溶液搅拌混合5h，过滤，沉淀用去离子水洗涤至中性，干燥，得到碱化的石墨纤维；石墨纤维的长径比为75：1，所述石墨纤维与氢氧化钠溶液的用量比为8mg：100mL；
(2)将碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体和丙三醇混合，并在1000W的功率下超声9h，然后过滤，沉淀用去离子水洗涤2-3次，干燥研磨，得到碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物；其中，碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体的质量比为1：3.5；
(3)将碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物与甲基丙烯酸乙酯、硅油、桐油和水混合研磨均匀，得到混合物料A；其中，甲基丙烯酸乙酯、硅油、桐油、水的添加量分别为碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物重量的17％、3％、2.5％、36％；
(4)将Al-W-Si合金熔化成熔体，并加入步骤(3)得到的混合物料，在1130℃下搅拌混合4.5h，冷却至室温，得到混合物料B；将该物料装入模具内压制成型，然后压制后的坯体在260MPa、550℃下烧结3.5h，随炉冷却制得高导热低膨胀电子封装材料；Al-W-Si合金中，W的质量分数为30％，Si的质量分数为30％，其余为Al。
对比例1
制备方法与实施例6相同，Al-W-Si合金中，W的质量分数为50％，Si的质量分数为10％，其余为Al。
对比例2
制备方法与实施例6相同，Al-W-Si合金中，W的质量分数为10％，Si的质量分数为30％，其余为Al。
对比例3
制备方法与实施例6相同，Al-W-Si合金中，W的质量分数为10％，Si的质量分数为5％，其余为Al。
对比例4
制备方法与实施例6相同，石墨纤维的长径比为100:1。
对比例5
制备方法与实施例6相同，碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体的质量比为1：1。
对比例6
制备方法与实施例6相同，碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体的质量比为1：6。
下面对上面所制备的电子封装材料进行性能测试。
1、热导率测试
根据国家标准GB11108-89，采用德产耐驰NETZSCH JR3热导率测试仪测定电子封装材料的热导率。测试原理是动态法中的瞬时热流法，具体为：当试样正面接收激光发出的瞬时脉冲之后，在无热损的条件下，脉冲激光能量转化为热能并迅速向试样背面扩散，实验背面的温度T将随时间t的增长而增大，并达到最大值Tmax，根据经验公式：
α＝1.37L2/(π2t0.5)
λ＝α·ρ·Cp
即可测得试样热导率。上述公式中，ɑ为热扩散系数，mm2/s，L为试样长度，m；t0.5表示试样背面达到最大值一半时所需时间，s；公式2-5中，λ为试样热导率W·m-1·K-1，ρ为试样密度g·cm-3，Cp为比热容J·g·K-1。
本实验在常温下测试电子封装材料的热导率，试样制备过程如下：将制备的电子封装材料切割成10mm×10mm×2mm的长方块体，打磨使上面表面平整且平行；依次放入丙酮和酒精中超声清洗，晾干后即完成热导率试样的制备。
2、热膨胀系数
采用德产耐驰DIL402PC热膨胀仪测试。本实验在20～500℃的范围内测试电子封装材料热膨胀系数，试样尺寸为5×5×20mm，升温速率为10℃/min。为保证测试时温度均匀并防止试样氧化，实验在氮气气氛保护下进行，氮气流量为20ml/min。
测试结果如表1所示：
表1
从上述表格来看，由实施例6与对比例1-3可以看出，Al-W-Si合金基体的成分与电子封装材料的热导率和热膨胀系数有很大的关系。
3、密度测定
采用阿基米德排水法对电子封装材料的实际密度进行测量。利用精度为0.001g的分析天平，先测量样品在空气中的干重m干，再测量在水中的浮重m水，样品实际密度的计算公式为：
ρ实＝m干/(m干-m水)。
测试结果如表2所示
表2
密度，g/cm3
实施例1 2.3
实施例2 2.4
实施例3 2.2
实施例4 2.3
实施例5 2.3
实施例6 2.7
对比例1
对比例2
对比例3
对比例4
对比例5
对比例6
从上述数据来看，本发明制得的电子封装材料比重小，更可以满足某些特殊应用环境下对器件小型化、轻量化的要求。

Claims (8)

1.一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将石墨纤维与5-10％氢氧化钠溶液搅拌混合3-6h，过滤，沉淀用去离子水洗涤至中性，干燥，得到碱化的石墨纤维；
(2)将碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体和丙三醇混合，并在1000W的功率下超声2-10h，然后过滤，沉淀用去离子水洗涤2-3次，干燥研磨，得到碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物；
(3)将碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物与粘结剂、润滑剂、增塑剂和水混合研磨均匀，得到混合物料A；
(4)将Al-W-Si合金熔化成熔体，并加入步骤(3)得到的混合物料，在1130℃下搅拌混合1-5h，冷却至室温，得到混合物料B；将该物料装入模具内压制成型，然后压制后的坯体在100-270MPa、400-600℃下烧结0.5-3.5h，随炉冷却制得高导热低膨胀电子封装材料；
其中，Al-W-Si合金中，W的质量分数为20-40％，Si的质量分数为10-60％，其余为Al。
2.如权利要求1所述的一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述石墨纤维的长径比为(50-80)：1。
3.如权利要求1所述的一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述石墨纤维与氢氧化钠溶液的用量比为(3-10)mg：100mL。
4.如权利要求1所述的一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，碱化的石墨纤维、碳化硅纳米粉体的质量比为1：(1.5-4)。
5.如权利要求1所述的一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述粘结剂为聚乙烯醇、甲基丙烯酸乙酯中的一种。
6.如权利要求1所述的一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述润滑剂为硅油、蓖麻油中的一种。
7.如权利要求1所述的一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述增塑剂为液体石蜡、聚乙二醇、甘油、棕榈油、桐油中的一种。
8.如权利要求1所述的一种高导热低膨胀电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述粘结剂、润滑剂、增塑剂、水的添加量分别为碳化硅纳米粉体与石墨纤维的混合物重量的17％、3％、2.5％、36％。
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