CN107017613A - 一种防止电源反接的电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种防止电源反接的电路,它涉及电源保护技术领域。它包括MOS管、第一电阻‑第三电阻、第一电容‑第四电容,MOS管的栅极连接第一电阻至电源Vin端,MOS管的栅极与漏极之间连接第二电阻与第三电容的并联电路,MOS管的栅极与源极之间连接有第一电容与第二电容的并联电路,MOS管的源极接至地端,MOS管的源极与漏极之间连接有第四电容与第三电阻的串联电路。本发明有效实现防电源反接功能,保证电源电路板的安全可靠运行。
Description
技术领域
本发明涉及的是电源保护技术领域,具体涉及一种防止电源反接的电路。
背景技术
通常情况下,如果将电源的极性接反,可能会损坏电源或者烧掉电路板,为了保证电源电路板的安全可靠运行,电源驱动板上需设置有防止直流电源正负极接错的防反接电路,现有技术的防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护,这种接法简单可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的,导致直流电源电能的浪费,另外还可以用二极管桥对输入做整流,这样电路就永远有正确的极性,但这些方案的缺点是,二极管上的压降会消耗能量,基于此,设计一种新型的防止电源反接的电路尤为必要。
发明内容
针对现有技术上存在的不足,本发明目的是在于提供一种防止电源反接的电路,结构设计合理,有效实现防电源反接功能,保证电源电路板的安全可靠运行。
为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种防止电源反接的电路,包括MOS管、第一电阻-第三电阻、第一电容-第四电容,MOS管的栅极连接第一电阻至电源Vin端,MOS管的栅极与漏极之间连接第二电阻与第三电容的并联电路,MOS管的栅极与源极之间连接有第一电容与第二电容的并联电路,MOS管的源极接至地端,MOS管的源极与漏极之间连接有第四电容与第三电阻的串联电路。
作为优选,所述的MOS管采用N沟道MOS管。
本发明的有益效果:能有效实现防电源反接功能,保证电源电路板的安全可靠运行,且该电路方案的成本和性能满足需求,实现低成本化的电源反接保护。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式来详细说明本发明;
图1为本发明电源正接的电路图;
图2为本发明电源反接的电路图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
参照图1-2,本具体实施方式采用以下技术方案:一种防止电源反接的电路,包括MOS管Q1、第一电阻R1-第三电阻R3、第一电容C1-第四电容C4,MOS管Q1的栅极连接第一电阻R1至电源Vin端,MOS管Q1的栅极与漏极之间连接第二电阻R2与第三电容C3的并联电路,MOS管Q1的栅极与源极之间连接有第一电容C1与第二电容C2的并联电路,MOS管Q1的源极接至地端,MOS管Q1的源极与漏极之间连接有第四电容C4与第三电阻R3的串联电路。
本具体实施方式的MOS管可采用N沟道MOS管,当栅源极电压大于门限栅源极电压Vgs(th),MOS管导通,反之如果栅源极电压小于Vgs(th),Mos管关闭。
本具体实施方式当电源输入是正确的时候,即如图1示,在电源刚接通的时候,第四电容C4接近短路,所以此时Vin经过第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电容C4回路,VA处值得计算公式为式(1),
(1)
这里要求VA>Vgs(th),让MOS管Q1导通,这时DC_GND与后级的GND连通,这时VA处的电压公式为式(2),
(2)
这里同样要求VA> Vgs(th),这样只要正确接入电源,MOS管Q1就可以一直处于导通状态,电源就正常使用。
当电源反接了,此时的电路图如下所示:
这里的VA值得计算公式如下:
(3)
当电源刚接上的时候,同样第四电容C4处于短接状态,所以短时间内VA’的电压值如上,这时的VA’小于Vgs(th),MOS管Q1处于关闭状态。当第四电容C4充满电后处于断开状态,所以DC_GND与后级的GND一直无法连通,后面也就没有电源供电了。
本具体实施方式的防电源反接实现对整个电路的保护,易于整个 PCB 板电路的设计布局,制造简单,成本低,同时又能很好的起到防止电路反接的作用,保证电源电路板的安全可靠运行,具有广阔的市场应用前景。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (2)
1.一种防止电源反接的电路,其特征在于,包括MOS管(Q1)、第一电阻(R1)-第三电阻(R3)、第一电容(C1)-第四电容(C4),MOS管(Q1)的栅极连接第一电阻(R1)至电源Vin端,MOS管(Q1)的栅极与漏极之间连接第二电阻(R2)与第三电容(C3)的并联电路,MOS管(Q1)的栅极与源极之间连接有第一电容(C1)与第二电容(C2)的并联电路,MOS管(Q1)的源极接至地端,MOS管(Q1)的源极与漏极之间连接有第四电容(C4)与第三电阻(R3)的串联电路。
2.根据权利要求1所述的一种防止电源反接的电路,其特征在于,所述的MOS管(Q1)为N沟道MOS管。
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