CN107014896A - 一种集成式电磁电容平面阵列传感器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种集成式电磁电容平面阵列传感器及其制备方法，传感器包括两面均带有导电金属层的基底，基底下表面的导电金属层包括刻蚀形成的主电极和次电极、上表面的导电金属层包括刻蚀形成的涡流检测线圈，主电极为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置，次电极的数量为多个且分别布置于主电极的凹入区域内构成直线型阵列结构，涡流检测线圈和对应的次电极中心重合且在基底的上表面上构成直线型阵列结构；制备方法包括在基底上电镀导电金属层并刻蚀形成主电极、次电极以及涡流检测线圈。本发明能够基于电磁涡流法和平面电容法实现热障涂层的厚度/缺陷/构件金属基底缺陷等全面无损检测，具有结构简单、检测效率高、检测范围全面、通用性好的优点。

Description

一种集成式电磁电容平面阵列传感器及其制备方法
技术领域
本发明涉及无损检测技术，具体涉及一种集成式电磁电容平面阵列传感器及其制备方法。
背景技术
随着科学技术的发展，无损检测技术的应用范围不断拓展，既是现代工业技术的基础，还成为航空航天、国防军事领域中的关键技术，在机械、建筑、冶金、电力、石油、造船、汽车、宇航、核能、铁路等行业中被广泛应用。热障涂层作为先进燃气涡轮发动机热端部件的关键防护涂层，对降低叶片基底的工作温度起着至关重要的作用，并具有抗腐蚀能力、减少冷却空气量、降低耗油率以及简化结构等特点。热障涂层技术已成为先进航空航天发动机研制中的一项关键技术。2003年，美国“哥伦比亚”号航天飞机失事，是由于没有对隔热材料进行定期的检测维护，在发射过程中隔热材料脱落导致航天飞机解体。在这样一种“热障涂层不得不用，用了即存在安全隐患”的局面下，人们逐渐认识到热障涂层无损检测与评估的重要性。美国NASA于1990年明确提出了热障涂层检测评估的需求，并针对热障涂层材料的研究和应用开展了全方位的无损检测技术研究。近年来，各国学者研究出了许多适应热障涂层材料特点的无损检测新技术和新方法。这些无损检测技术在热障涂层材料的性能评估和推广应用中发挥了重要作用，已成为热障涂层在役检测的重要手段。
现有的无损检测技术，如热成像法、超声法、声发射法、微波法、涡流法、平面电容法在原理上都可以应用于热障涂层的检测中，也确实得到了一些应用。但是，这些方法都在着一定的局限性。热成像法所需的热像仪价格昂贵，难以大面积推广；超声法需要耦合剂，测量结果受孔隙的影响较大；声发射法信号具有随机性，很难用于定量检测；微波法无法检测金属内部的裂纹缺陷；涡流法无法检测陶瓷层内部的缺陷；平面电容法无法对粘结层和超合金基底进行检测。
热障涂层是一个非常复杂的涂层系统，它包括非导电的陶瓷层以及起缓冲作用的金属粘结层。电磁涡流无损检测技术主要是针对金属导体的检测，基于边缘电场原理的平面电容法主要是检测非金属介电材料，将两者结合起来，能很好的评估热障涂层系统。
发明内容
本发明要解决的技术问题：针对现有技术的上述问题，提供一种能够基于电磁涡流法和平面电容法相结合的方式实现热障涂层的厚度/缺陷/构件金属基底缺陷等全面无损检测，结构简单、检测效率高、检测范围全面、通用性好的集成式电磁电容平面阵列传感器及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种集成式电磁电容平面阵列传感器，包括两面均带有导电金属层的基底，所述基底下表面的导电金属层包括刻蚀形成的主电极和次电极、上表面的导电金属层包括刻蚀形成的涡流检测线圈，所述主电极为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置，所述次电极的数量为多个且分别布置于主电极的凹入区域内构成直线型阵列结构，所述涡流检测线圈与次电极的数量相同且一一对应，所述涡流检测线圈和对应的次电极中心重合且在基底的上表面上构成直线型阵列结构，所述主电极的两端分别连接有激励端子，所述次电极上连接有次电极端子，所述涡流检测线圈的两端分别连接有涡流输出端子。
优选地，所述涡流检测线圈为多匝螺旋结构线圈。
优选地，所述涡流检测线圈的分布区域比主电极的凹入区域的区域小，且所述涡流检测线圈的分布区域和主电极之间设有预留间隙。
优选地，所述次电极为U形结构，且U形结构的封闭端位于主电极的凹入区域内侧。
优选地，所述基底下表面的导电金属层还包括分别设于主电极两端凹入区域内的辅助电极，所述基底上表面的导电金属层还包括分别设于涡流检测线圈两侧的辅助线圈。
优选地，所述辅助电极的形状与次电极的形状相同，所述辅助线圈的形状与涡流检测线圈的形状相同。
优选地，所述基底为采用聚酰亚胺制成的柔性基底。
优选地，所述基底的表面设有采用有机硅制成的柔性绝缘覆膜。
优选地，所述主电极与次电极的宽度相同，所述主电极的宽度大于涡流检测线圈的宽度的八倍以上。
进一步地，本发明还提供一种本发明前述传感器的制备方法，实施步骤包括：
1）制作基底；
2）在基底的上、下表面分别电镀或溅射形成一层导电金属层；
3）在基底下表面的导电金属层上刻蚀形成的主电极和次电极、上表面的导电金属层上刻蚀形成的涡流检测线圈，所述主电极为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置，所述次电极的数量为多个且分别布置于主电极的凹入区域内构成直线型阵列结构，所述涡流检测线圈与次电极的数量相同且一一对应，所述涡流检测线圈和对应的次电极中心重合且在基底的上表面上构成直线型阵列结构，所述主电极的两端分别连接有激励端子，所述次电极上连接有次电极端子，所述涡流检测线圈的两端分别连接有涡流输出端子。
本发明的集成式电磁电容平面阵列传感器具有下述优点：
1、本发明的集成式电磁电容平面阵列传感器集成了电磁涡流检测和平面电容检测的结构，可用于对热障涂层厚度检测、热障涂层缺陷检测、热障涂层构件金属基底缺陷检测，从而实现对热障涂层构件全面的无损检测；
2、本发明采用双面设计结构，电磁涡流模式与电容模式共用同一个主电极作为激励结构，使得两种模式的检测信号都是来源于被检材料的同一个位置，可以将两者的检测信号进行信息融合，能更好的评估热障涂层的性能指标。
附图说明
图1为本发明实施例传感器的下表面结构示意图。
图2为本发明实施例传感器的上表面结构示意图。
图3为本发明实施例传感器的的透视结构示意图。
图4为本发明实施例中单个周期单元结构的剖视结构示意图。
图5为本发明实施例的电容测量电路原理示意图。
图例说明：1、基底；2、主电极；3、次电极；4、涡流检测线圈；5、辅助电极；6、辅助线圈；7、柔性绝缘覆膜。
具体实施方式
如图1、图2和图3所示，本实施例的集成式电磁电容平面阵列传感器包括两面均带有导电金属层的基底1，基底1下表面的导电金属层包括刻蚀形成的主电极2和次电极3、上表面的导电金属层包括刻蚀形成的涡流检测线圈4，主电极2为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置，次电极3的数量为多个且分别布置于主电极2的凹入区域内构成直线型阵列结构，涡流检测线圈4与次电极3的数量相同且一一对应，涡流检测线圈4和对应的次电极3中心重合且在基底1的上表面上构成直线型阵列结构，主电极2的两端分别连接有激励端子2#1和2#2，次电极3上连接有次电极端子3#1，涡流检测线圈4的两端分别连接有涡流输出端子4#1和4#2。本实施例中次电极3围绕主电极2构成的直线型阵列结构包含6个周期单元结构，涡流检测线圈4构成的直线型阵列结构也包含6个周期单元结构，周期单元结构部分的剖视结构具体如图4所示，毫无疑问，也可以根据实际需求调整周期单元结构的数目。
本实施例中，涡流检测线圈4为多匝螺旋结构线圈，其目的是达到多匝检测的效果，用以增强输出信号强度，使得传感器在提高空间分辨率的同时，能够提高检测微缺陷的能力。本实施例中，涡流检测线圈4匝数为9匝，且一端为半圆形、另一端为矩形，其目标是为了增强输出信号强度，但其结构并不局限于此，且匝数不局限于9匝。
本实施例中，涡流检测线圈4的分布区域比主电极2的凹入区域的区域小，且涡流检测线圈4的分布区域和主电极2之间设有预留间隙。通过上述结构，使得涡流检测线圈4的输出引线之间留有较小的间距且与主电极2保持有一定距离，能够减小主电极2所产生的磁场对涡流检测线圈4的输出引线部分的影响。
本实施例中，次电极3为U形结构，且U形结构的封闭端位于主电极2的凹入区域内侧，其目的是为了增加产生边缘电场的面积，使平面电容增大，用以增强输出信号强度；但是，次电极3的结构并不局限于U型结构。
本实施例中，基底1下表面的导电金属层还包括分别设于主电极2两端凹入区域内的辅助电极5，基底1上表面的导电金属层还包括分别设于涡流检测线圈4两侧的辅助线圈6。设置辅助电极5的目的是平衡电场分布，消除边缘效应，使主电极2中有激励电压时产生的电场更加均匀；设置辅助线圈6的目的是平衡磁场分布，消除边缘效应，使主电极2中有激励电流流过时产生的磁场更加均匀。设于主电极2两端凹入区域内的辅助电极5不接入电路中，目的是为了消除电场边缘效应。
本实施例中，辅助电极5的形状与次电极3的形状相同，辅助线圈6的形状与涡流检测线圈4的形状相同。
本实施例中，基底1为采用聚酰亚胺制成的柔性基底，基于柔性基底制作平面电磁涡流/电容传感器，使的其对受检材料表面、特别是复杂表面的适应性大大提高，减小提离的影响。本实施例中，基底1上、下表面的导电金属层可以根据需要通过电镀或溅射等方式形成，导电金属层的材料可以根据需要采用铜、金等，本实施例中导电金属层具体为导电铜层。
本实施例中，基底1的表面设有柔性绝缘覆膜7，用以保护传感器，提高绝缘性能，增强防潮防污能力，本实施例柔性绝缘覆膜7采用以有机硅为基础的柔性材料制成。
本实施例中，主电极2与次电极3的宽度相同，主电极2的宽度大于涡流检测线圈4的宽度的八倍以上，通过上述结构以便承受较大的激励电流。
本实施例集成式电磁电容平面阵列传感器的制备方法的实施步骤包括：
1）制作基底1；本实施例中，具体是采用聚酰亚胺制作柔性的基底1；
2）在基底1的上、下表面分别电镀或溅射形成一层导电金属层；本实施例中，在柔性基底1上、下表面分别电镀一层导电铜层；
3）在基底1下表面的导电金属层上刻蚀形成的主电极2和次电极3、上表面的导电金属层上刻蚀形成的涡流检测线圈4，主电极2为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置，次电极3的数量为多个且分别布置于主电极2的凹入区域内构成直线型阵列结构，涡流检测线圈4与次电极3的数量相同且一一对应，涡流检测线圈4和对应的次电极3中心重合且在基底1的上表面上构成直线型阵列结构，主电极2的两端分别连接有激励端子，次电极3上连接有次电极端子，涡流检测线圈4的两端分别连接有涡流输出端子；
4）在基底1两个表面上镀一层以有机硅为基础的柔性绝缘覆膜7，用以保护传感器，提高绝缘性能，增强防潮防污能力等。
需要说明的是， 步骤3）在基底1下表面的导电金属层上刻蚀形成的主电极2和次电极3、上表面的导电金属层上刻蚀形成的涡流检测线圈4时，可以根据需要采用光刻或其他刻蚀方法在导电金属层上刻蚀出来。步骤4）为本实施例集成式电磁电容平面阵列传感器的制备方法的优化步骤，其并非为制备本实施例集成式电磁电容平面阵列传感器的必需步骤，基于步骤3）制备得到的不含柔性绝缘覆膜7的产品同样也可以实现基于电磁涡流法或平面电容法实现热障涂层的厚度/缺陷/构件金属基底缺陷等全面无损检测。
本实施例的集成式电磁电容平面阵列传感器能够基于电磁涡流法或平面电容法实现热障涂层的厚度/缺陷/构件金属基底缺陷等全面无损检测，本实施例的集成式电磁电容平面阵列传感器可采用分时工作在两种不同的模式下：涡流模式和电容模式，其检测原理如下：
I）涡流工作模式（基于电磁涡流法检测）下，主电极2作为涡流激励线圈和每一个涡流检测线圈4配合构成一个单独的电磁涡流检测单元。对主电极2施加频率为几百赫兹到几兆赫兹的交流电流，测量涡流检测线圈4上的感应电压。
II）电容模式（基于平面电容法检测）下，主电极2的一个激励端子接入电容测量电路（参见图5）、另一个激励端子悬空（没有接入测量电路），每一个次电极3和主电极2配合构成一个单独的电容检测单元，次电极3产生的电流信号通过电容测量电路转换为交流输出电压信号。参见图1和图5，电容测量电路包含端点#1和端点#2，用于连接本实施例集成式电磁电容平面阵列传感器，电容测量电路的端点#1与本实施例集成式电磁电容平面阵列传感器的主电极2的激励端子2#1相连接、主电极2的激励端子2#2悬空，电容测量电路的端点#2与次电极3的次电极端子3#1相连接，每一个次电极3及其次电极端子3#1都可构成单独的电容检测单元。参见图5，本实施例中的示例电容测量电路包括端点#1和端点#2之间并联的电容Cx，端点#1通过并联的驱动电源U s (t)和电容C S1 接地，端点#2和运算放大器D的负极输入端相连，运算放大器D的正极输入端接地，运算放大器D的输出端通过并联布置的反馈电阻R f 和电容C f 和运算放大器D的负极输入端相连，运算放大器D的输出端将最终的检测信号输出，且端点#2通过电容C S1 接地。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：包括两面均带有导电金属层的基底（1），所述基底（1）下表面的导电金属层包括刻蚀形成的主电极（2）和次电极（3）、上表面的导电金属层包括刻蚀形成的涡流检测线圈（4），所述主电极（2）为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置，所述次电极（3）的数量为多个且分别布置于主电极（2）的凹入区域内构成直线型阵列结构，所述涡流检测线圈（4）与次电极（3）的数量相同且一一对应，所述涡流检测线圈（4）和对应的次电极（3）中心重合且在基底（1）的上表面上构成直线型阵列结构，所述主电极（2）的两端分别连接有激励端子，所述次电极（3）上连接有次电极端子，所述涡流检测线圈（4）的两端分别连接有涡流输出端子。
2.根据权利要求1所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述涡流检测线圈（4）为多匝螺旋结构线圈。
3.根据权利要求2所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述涡流检测线圈（4）的分布区域比主电极（2）的凹入区域的区域小，且所述涡流检测线圈（4）的分布区域和主电极（2）之间设有预留间隙。
4.根据权利要求3所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述次电极（3）为U形结构，且U形结构的封闭端位于主电极（2）的凹入区域内侧。
5.根据权利要求1所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述基底（1）下表面的导电金属层还包括分别设于主电极（2）两端凹入区域内的辅助电极（5），所述基底（1）上表面的导电金属层还包括分别设于涡流检测线圈（4）两侧的辅助线圈（6）。
6.根据权利要求5所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述辅助电极（5）的形状与次电极（3）的形状相同，所述辅助线圈（6）的形状与涡流检测线圈（4）的形状相同。
7.根据权利要求1所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述基底（1）为采用聚酰亚胺制成的柔性基底。
8.根据权利要求1所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述基底（1）的表面设有采用有机硅制成的柔性绝缘覆膜（7）。
9.根据权利要求1所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述主电极（2）与次电极（3）的宽度相同，所述主电极（2）的宽度大于涡流检测线圈（4）的宽度的八倍以上。
10.一种权利要求1～9中任意一项所述集成式电磁电容平面阵列传感器的制备方法，其特征在于实施步骤包括：
1）制作基底（1）；
2）在基底（1）的上、下表面分别电镀或溅射形成一层导电金属层；
3）在基底（1）下表面的导电金属层上刻蚀形成的主电极（2）和次电极（3）、上表面的导电金属层上刻蚀形成的涡流检测线圈（4），所述主电极（2）为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置，所述次电极（3）的数量为多个且分别布置于主电极（2）的凹入区域内构成直线型阵列结构，所述涡流检测线圈（4）与次电极（3）的数量相同且一一对应，所述涡流检测线圈（4）和对应的次电极（3）中心重合且在基底（1）的上表面上构成直线型阵列结构，所述主电极（2）的两端分别连接有激励端子，所述次电极（3）上连接有次电极端子，所述涡流检测线圈（4）的两端分别连接有涡流输出端子。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109557144A (zh) * 2018-12-17 2019-04-02 天津大学 一种集成式电容/电磁双模态层析成像传感器
CN109764800A (zh) * 2019-01-15 2019-05-17 西南石油大学 一种基于涡流热成像阵列的管道腐蚀壁厚检测系统
CN110208367A (zh) * 2019-06-21 2019-09-06 中国石油大学(华东) 平面电容-涡流双模态传感器检测系统及缺陷判定方法
CN110887877A (zh) * 2019-11-22 2020-03-17 中国人民解放军国防科技大学 一种铁路接触线缺陷检测传感器及检测方法
CN111272063A (zh) * 2020-03-09 2020-06-12 江苏柔世电子科技有限公司 一种电阻式曲率传感器
CN112485326A (zh) * 2020-12-09 2021-03-12 中国石油大学(华东) 一种利用平面螺旋线圈电容效应的双模式检测系统
CN113252743A (zh) * 2021-06-02 2021-08-13 爱德森（厦门）电子有限公司 一种利用电磁原理检测电化学腐蚀防护层的方法及装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4271393A (en) * 1978-12-29 1981-06-02 The Boeing Company Apparatus and method for eddy current detection of subsurface discontinuities in conductive bodies
US20030169036A1 (en) * 2000-10-09 2003-09-11 Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg Sensor arrangement for detecting properties of a target
CN102645486A (zh) * 2012-02-29 2012-08-22 中国人民解放军国防科学技术大学 一种梯形结构的平面阵列式电磁传感器
CN102721738A (zh) * 2012-06-12 2012-10-10 大连理工大学 硅基底多层线圈结构的微型涡流传感器
CN104764481A (zh) * 2015-04-08 2015-07-08 合肥工业大学 一种全柔性电容-电阻双模式接近觉传感器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4271393A (en) * 1978-12-29 1981-06-02 The Boeing Company Apparatus and method for eddy current detection of subsurface discontinuities in conductive bodies
US20030169036A1 (en) * 2000-10-09 2003-09-11 Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg Sensor arrangement for detecting properties of a target
CN102645486A (zh) * 2012-02-29 2012-08-22 中国人民解放军国防科学技术大学 一种梯形结构的平面阵列式电磁传感器
CN102721738A (zh) * 2012-06-12 2012-10-10 大连理工大学 硅基底多层线圈结构的微型涡流传感器
CN104764481A (zh) * 2015-04-08 2015-07-08 合肥工业大学 一种全柔性电容-电阻双模式接近觉传感器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
代守强 等: "平面电容传感器热障涂层缺陷检测系统", 《中国测试》 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109557144A (zh) * 2018-12-17 2019-04-02 天津大学 一种集成式电容/电磁双模态层析成像传感器
CN109764800A (zh) * 2019-01-15 2019-05-17 西南石油大学 一种基于涡流热成像阵列的管道腐蚀壁厚检测系统
CN110208367A (zh) * 2019-06-21 2019-09-06 中国石油大学(华东) 平面电容-涡流双模态传感器检测系统及缺陷判定方法
CN110887877A (zh) * 2019-11-22 2020-03-17 中国人民解放军国防科技大学 一种铁路接触线缺陷检测传感器及检测方法
CN111272063A (zh) * 2020-03-09 2020-06-12 江苏柔世电子科技有限公司 一种电阻式曲率传感器
CN112485326A (zh) * 2020-12-09 2021-03-12 中国石油大学(华东) 一种利用平面螺旋线圈电容效应的双模式检测系统
CN112485326B (zh) * 2020-12-09 2024-01-26 中国石油大学(华东) 一种利用平面螺旋线圈电容效应的双模式检测系统
CN113252743A (zh) * 2021-06-02 2021-08-13 爱德森（厦门）电子有限公司 一种利用电磁原理检测电化学腐蚀防护层的方法及装置
CN113252743B (zh) * 2021-06-02 2024-05-17 爱德森（厦门）电子有限公司 一种利用电磁原理检测电化学腐蚀防护层的方法及装置

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