CN106997788A - 一种砷化镓光伏同位素电池 - Google Patents
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 15
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 claims 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 halogen calcium phosphate Chemical class 0.000 claims 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005255 beta decay Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000000747 cardiac effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种砷化镓光伏同位素电池，其包括：密封壳体(1)，其中填充有弥散性β放射源(2)；位于密封壳体内的砷化镓光伏半导体薄膜卷(3)，卷间空隙中填充有荧光粉(4)。本发明的砷化镓光伏同位素自带光源，可在没有外界光照的条件下工作，且电池体积紧凑，对外输出电流可达数十微安，能够满足一般的微机电系统的供电要求。
Description
技术领域
本发明属于同位素电池或光伏电池的交叉领域，具体涉及一种砷化镓光伏同位素电池。
背景技术
传统的光伏电池通过光伏效应将光能转化为电能，但其必须在外界光源的照射下才能工作，这限制了光伏电池的应用范围，因为在夜晚或一些密闭场合下是无法被外界光源照射到的。另外，传统光伏电池并不适合于在微机电系统(MEMS)中使用，因为在微机电系统例如微型管道机器人、植入式微系统、无线传感器、人工心脏起搏器、便携式移动电子产品领域、太空或深海无人探测器等微型仪器设备中，一般要求电源微型化，但传统光伏电池为了充分扩大其受光面积，其光伏组件一般做得面积很大，且半导体层为刚性的无法卷曲，故传统光伏电池无法直接用于上述微机电系统中。
已经有人提出了荧光同位素电池的概念来解决上述问题，其为三层堆叠式器件，第一层为同位素金属层，其能通过β衰变而发射出β粒子，例如63Ni，其发出的β射线的平均能量为17.42KeV；147Pm，其发出的β射线的平均能量为61.93KeV；137Ce，其发出的β射线的平均能量为187.1KeV；90Sr，其发出的β射线的平均能量为195.8KeV，上述这些同位素金属通常用气相沉积法或溅射法沉积在同种的非放射性金属层上，例如63Ni以数十微米的厚度沉积在普通镍片上；第二层膜为荧光材料层，其能在上述同位素层发射出的β粒子的照射下而发出荧光；第三层为光伏半导体层，其通常为多晶硅层、单晶硅层、碳化硅、氮化镓等半导体层，用于将荧光转化为电能。但这样的荧光同位素电池在实践中遇到很多问题：主要问题是单位面积产生的电流非常微弱，例如为1-4nA/cm2，如此微弱的电流几乎没有工业实用性，理论上讲虽然可以通过扩大电池面积来提高总对外输出电流，但由于至少其中的同位素金属层和光伏半导体层是刚性层，无法以卷曲的方式来扩大面积，故面积扩大势必导致该荧光同位素电池体积过大，无法满足微型化的设计目标。
本发明旨在解决上述所有问题。
发明内容
本发明提供了一种砷化镓光伏同位素电池，其包括：
密封壳体1，其中填充有弥散性β放射源2；
位于密封壳体内的砷化镓光伏半导体薄膜卷3，卷间空隙中填充有荧光粉4。
优选地，所述荧光粉为ZnS:Cu荧光粉、Y2O2S:Eu荧光粉、稀土荧光粉或卤磷酸钙荧光粉。
优选地，所述弥散性β放射源2是氚气或63Ni粉体。它们都是发生纯β衰变的放射源，即只产生β射线一种射线。它们产生的β射线的能量小于20keV。使用低能β射线的好处是确保安全性以及尽量少损害或不损害半导体薄膜材料。之所以称之为“弥散性”β放射源是因为它们能够自由流动式地弥散或弥漫在该密闭壳体中的任何一处，无处不在，无处不有。
优选地，所述砷化镓光伏半导体薄膜为砷化镓单结半导体薄膜、双结半导体薄膜或三结半导体薄膜。
优选地，砷化镓光伏半导体薄膜为柔性薄膜，其厚度为5-10微米。
上述荧光粉的组成表示方法是A:B是本领域通常表示方法，表示在A的晶体中掺杂了少量的B原子。以ZnS:Cu为例，其表示在ZnS晶体中掺杂了少量的Cu，即用一部分Cu原子取代了ZnS晶体中的Zn原子，所掺杂的原子通常作为激活剂来提高荧光产生效率。
本发明的有益效果：
1、本发明利用弥散性β放射源例如氚气或63Ni粉末放射出的β粒子照射荧光粉，产生荧光，进而用该荧光去照射砷化镓光伏半导体薄膜去实现光能向电脑的转换。这相当于在光伏电池中自备了光源，因此完全消除了对外界光源的依赖，故本发明的砷化镓光伏同位素电池可以在夜晚使用也能在密闭场合下使用。
2、本发明的砷化镓光伏同位素电池能够很容易地微型化。因为本发明中将β射线源由刚性的同位素金属层改变为弥散性放射源氚气或63Ni粉末，且将传统的荧光材料层改变成荧光粉，并选用柔性的砷化镓光伏半导体薄膜，气体和粉体都不影响卷曲，而柔性半导体膜又很容易卷曲，故与普通薄膜式光伏电池或传统的三层堆叠式荧光核电池中原本需要展开设置的很大面积的刚性半导体层不同，本发明可以将柔性半导体薄膜卷曲起来以高度体积紧凑的方式放到很小的密闭壳中，实现了微型化。
3、传统的三层堆叠式荧光核电池中，荧光产生效率低下。因为荧光材料层只有直接面向同位素金属层的那一面才能被β粒子照射而产生荧光，而面向光伏半导体层的那一面(即背离同位素金属层的那一面)并不能受到β粒子照射，因此，至少有一半的荧光材料层的外表面积被浪费了。同理，荧光材料层产生的全部荧光中，也只有射向光伏半导体的那一半荧光被用来产生电能，而射向同位素金属层那另一半荧光则被浪费掉了。如上所述的多重效率损失使得传统的三层堆叠式荧光核电池由β粒子向电能的总转换效率十分低下，体现在单位面积产生的电流非常微弱，例如为1-4nA/cm2，如此微弱的电流几乎没有工业实用性。而本发明则通过巧妙的结构设计大大提高了转换效率：本发明中并非将砷化镓光伏半导体薄膜一圈贴着一圈地完全卷紧，而是在各圈之间留有空隙，并在这些空隙中填充荧光粉，而本发明中的密闭壳体中是充满弥散性β放射源例如氚气或63Ni粉末的，因β放射源气的弥散性，其完全能够存在于各荧光粉颗粒之间的间隙处，故氚气或63Ni粉末发生衰变所产生的β粒子是在该密闭壳体中是无处不在的，因此，所有的荧光粉的所有外表面都能收到这些β粒子的辐射产生荧光，即100％的荧光粉外表面积都得到了利用，没有任何浪费的荧光粉外表面积。而荧光粉又填充在砷化镓半导体薄膜的各圈之中，其发射的荧光也几乎100％都照射到砷化镓半导体薄膜上得到利用，几乎没有荧光损失。因此，本发明的砷化镓光伏同位素电池在荧光产生效率和荧光利用效率上，都比传统的三层堆叠式荧光核电池大大提高。再加上本发明中可将柔性的砷化镓半导体膜制成长条状，例如长宽厚尺寸为1000mm*10mm*0.005mm，在使用时卷成一卷，既使得成品电池结构紧凑，总体积很小，又有效放大了工作面积，使得总对外输出电流可达几十微安级别，已经具备了为微机电器件供电的工业实用性。
附图说明
图1是本发明的砷化镓光伏同位素电池的结构示意图；其中各附图标记含义如下：
1、密闭壳体；2、弥散性β放射源；3、砷化镓光伏半导体薄膜；4、荧光粉。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明的内容作进一步的说明，但并不因此而限制本发明。
实施例1
结构如图1所示。密闭壳体为直径为10mm高度为为10mm的密闭玻璃管，其中容纳有由长宽厚为1000mm*10mm*0.005mm的长条状的砷化镓半导体薄膜卷成的一卷薄膜，卷间间隙为0.003-0.03mm，间隙中填充有粒径为2μm左右的ZnS:Cu荧光粉颗粒，密闭玻璃管的其余空间被氚气或63Ni粉末所充满。半导体薄膜的两面分别引出金属导线并在不破坏所述密闭玻璃管的前提下被引出来作为正极和负极。该砷化镓光伏同位素电池整体对外输出电流可达10-30μA，能够满足一般的MEMS器件或心脏起搏器的电流要求。
以上实施例描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，而不是以任何方式限制本发明的范围，在不脱离本发明范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的范围内。
Claims (5)
1.一种砷化镓光伏同位素电池，其特征在于，其包括：
密封壳体(1)，其中填充有弥散性β放射源(2)；
位于密封壳体内的砷化镓光伏半导体薄膜卷(3)，卷间空隙中填充有荧光粉(4)。
2.根据权利要求1所述的砷化镓光伏同位素电池，其特征在于，所述荧光粉为ZnS:Cu荧光粉、Y2O2S:Eu荧光粉、稀土荧光粉或卤磷酸钙荧光粉。
3.根据权利要求1所述的砷化镓光伏同位素电池，其特征在于，所述弥散性β放射源(2)是氚气或63Ni粉体。
4.根据权利要求1所述的砷化镓光伏同位素电池，其特征在于，其中所述砷化镓光伏半导体薄膜为砷化镓单结半导体薄膜、双结半导体薄膜或三结半导体薄膜。
5.根据权利要求1所述的砷化镓光伏同位素电池，其特征在于，其中砷化镓光伏半导体薄膜为柔性薄膜，其厚度为5-10微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710347708.8A CN106997788A (zh) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | 一种砷化镓光伏同位素电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710347708.8A CN106997788A (zh) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | 一种砷化镓光伏同位素电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106997788A true CN106997788A (zh) | 2017-08-01 |
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ID=59435318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710347708.8A Pending CN106997788A (zh) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | 一种砷化镓光伏同位素电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
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|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
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|
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