CN106952974B - 一种p型黑硅双面电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种P型黑硅双面电池的制备方法，包括在硅片的双面制绒；进行正面黑硅制绒、正面P型扩散并制作正面掩膜；去除所述硅片背面的PSG，并进行背面黑硅制绒；在所述硅片的背面制作背场及减反射膜，并制作正面减反射膜；在所述硅片的双面印刷电极。本申请提供的上述P型黑硅双面电池的制备方法，能够提高电池短波响应和光电流，增加电池转换效率，且能够提高电池良品率。
Description
技术领域
本发明属于光伏电池技术领域，特别是涉及一种P型黑硅双面电池的制备方法。
背景技术
目前，硅基太阳能电池依然是世界上产量及安装量最高的太阳能电池，规模占所有光伏电池的90％以上，并且在未来很长一段时间内依然是主要形式，因此，如何继续降低制作成本并提高制作效率仍是一个重要的问题。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种P型黑硅双面电池的制备方法，能够提高电池短波响应和光电流，增加电池转换效率，且能够提高电池良品率。
本发明提供的一种P型黑硅双面电池的制备方法，包括：
在硅片的双面制绒；
进行正面黑硅制绒、正面P型扩散并制作正面掩膜；
去除所述硅片背面的PSG，并进行背面黑硅制绒；
在所述硅片的背面制作背场及减反射膜，并制作正面减反射膜；
在所述硅片的双面印刷电极。
优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，
所述进行正面黑硅制绒之后，还包括第一次清洗。
优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，
所述正面P型扩散为：设置温度为780℃至790℃，扩散16分钟至20分钟，并设定推进温度为820℃至830℃，推进20分钟至30分钟。
优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，
所述去除所述硅片背面的PSG为：利用浓度为1％的氢氟酸浸泡所述硅片3分钟，去除所述硅片背面的PSG。
优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，
所述去除所述硅片背面的PSG之后，还包括：
对所述硅片进行第二次清洗。
优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，
所述进行背面黑硅制绒包括：
利用反应离子刻蚀方式进行背面黑硅制绒持续130秒至150秒，得到反射率为3％至6％的黑硅。
优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，
所述去除所述硅片背面的PSG为：
利用浓度为10％至15％的氢氟酸作用5分钟至10分钟。
通过上述描述可知，本发明提供的上述P型黑硅双面电池的制备方法，由于包括在硅片的双面制绒；进行正面黑硅制绒、正面P型扩散并制作正面掩膜；去除所述硅片背面的PSG，并进行背面黑硅制绒；在所述硅片的背面制作背场及减反射膜，并制作正面减反射膜；在所述硅片的双面印刷电极，因此能够提高电池短波响应和光电流，增加电池转换效率，且能够提高电池良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的第一种P型黑硅双面电池的制备方法的示意图。
具体实施方式
本发明的核心思想在于提供一种P型黑硅双面电池的制备方法，能够提高电池短波响应和光电流，增加电池转换效率，且能够提高电池良品率。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本申请实施例提供的第一种P型黑硅双面电池的制备方法如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种P型黑硅双面电池的制备方法的示意图，该方法包括如下步骤：
S1：在硅片的双面制绒；
S2：进行正面黑硅制绒、正面P型扩散并制作正面掩膜；
需要说明的是，黑硅绒面具有极好的陷光效果，能够增加对光波的利用率，可提高电池的短波响应，提高光电流，增加电池转换效率，并且黑硅绒面电池外观呈深色，可提高镀膜颜色的一致性，提升产品品质，提高电池良品率。而且需要强调的是，先正面扩散，然后在PSG保护下镀掩膜，就可以避免掩膜及镀掩膜过程中对硅片造成的污染。
S3：去除所述硅片背面的PSG，并进行背面黑硅制绒；
需要说明的是，正面扩散掩膜后直接进行背面黑硅制绒，就能够一步完成刻边及背面黑硅制绒。
S4：在所述硅片的背面制作背场及减反射膜，并制作正面减反射膜；
S5：在所述硅片的双面印刷电极。
需要说明的是，所制得的双面电池的正面和背面均可接受光照产生光生电流和电压。针对多晶硅片，双面黑硅制绒可彻底消除金刚线线切多晶硅片高反射率及明显线痕等外观缺陷等问题。
通过上述描述可知，本申请实施例提供的上述第一种P型黑硅双面电池的制备方法，由于包括在硅片的双面制绒；进行正面黑硅制绒、正面P型扩散并制作正面掩膜；去除所述硅片背面的PSG，并进行背面黑硅制绒；在所述硅片的背面制作背场及减反射膜，并制作正面减反射膜；在所述硅片的双面印刷电极，因此能够提高电池短波响应和光电流，增加电池转换效率，且能够提高电池良品率。
本申请实施例提供的第二种P型黑硅双面电池的制备方法，是在上述第一种P型黑硅双面电池的制备方法的基础上，还包括如下技术特征：
所述进行正面黑硅制绒之后，还包括第一次清洗。
需要说明的是，所述第一次清洗可以是但不限于DRE清洗。
本申请实施例提供的第三种P型黑硅双面电池的制备方法，是在上述第二种P型黑硅双面电池的制备方法的基础上，还包括如下技术特征：
所述正面P型扩散为：设置温度为780℃至790℃，扩散16分钟至20分钟，并设定推进温度为820℃至830℃，推进20分钟至30分钟。
需要说明的是，可以采用的气体参数可以是但不限于：大氮8slm、小氮700sccm以及小氧300sccm。
本申请实施例提供的第四种P型黑硅双面电池的制备方法，是在上述第三种P型黑硅双面电池的制备方法的基础上，还包括如下技术特征：
所述去除所述硅片背面的PSG为：利用浓度为1％的氢氟酸浸泡所述硅片3分钟，去除所述硅片背面的PSG。
需要说明的是，利用这种方式可以更完全的去除硅片背面的PSG。
本申请实施例提供的第五种P型黑硅双面电池的制备方法，是在上述第四种P型黑硅双面电池的制备方法的基础上，还包括如下技术特征：
所述去除所述硅片背面的PSG之后，还包括：
对所述硅片进行第二次清洗。
需要说明的是，这里采用的第二次清洗过程可以是但不限于RCA清洗，能够更好的去除杂质离子。
本申请实施例提供的第六种P型黑硅双面电池的制备方法，是在上述第五种P型黑硅双面电池的制备方法的基础上，还包括如下技术特征：
所述进行背面黑硅制绒包括：
利用反应离子刻蚀方式进行背面黑硅制绒持续130秒至150秒，得到反射率为3％至6％的黑硅。
需要说明的是，采用这种参数范围的工艺，能够使得到的黑硅对光的利用率更高，提高电池效率。
本申请实施例提供的第七种P型黑硅双面电池的制备方法，是在上述第一种至第六种P型黑硅双面电池的制备方法中任一种的基础上，还包括如下技术特征：
所述去除所述硅片背面的PSG为：
利用浓度为10％至15％的氢氟酸作用5分钟至10分钟。
需要说明的是，利用这种工艺参数能够更彻底的去除硅片背面的PSG，避免对电池导电造成不利影响。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (6)
1.一种P型黑硅双面电池的制备方法，其特征在于，包括：
在硅片的双面制绒；
进行正面黑硅制绒、正面P扩散并制作正面掩膜；
去除所述硅片背面的PSG，并进行背面黑硅制绒；
在所述硅片的背面制作背场及减反射膜，并制作正面减反射膜；
在所述硅片的双面印刷电极。
2.根据权利要求1所述的P型黑硅双面电池的制备方法，其特征在于，
所述进行正面黑硅制绒之后，还包括第一次清洗。
3.根据权利要求2所述的P型黑硅双面电池的制备方法，其特征在于，
所述正面P扩散为：设置温度为780℃至790℃，扩散16分钟至20分钟，并设定推进温度为820℃至830℃，推进20分钟至30分钟。
4.根据权利要求3所述的P型黑硅双面电池的制备方法，其特征在于，
所述去除所述硅片背面的PSG为：利用浓度为1％的氢氟酸浸泡所述硅片3分钟，去除所述硅片背面的PSG。
5.根据权利要求4所述的P型黑硅双面电池的制备方法，其特征在于，
所述去除所述硅片背面的PSG之后，还包括：
对所述硅片进行第二次清洗。
6.根据权利要求5所述的P型黑硅双面电池的制备方法，其特征在于，
所述进行背面黑硅制绒包括：
利用反应离子刻蚀方式进行背面黑硅制绒持续130秒至150秒，得到反射率为3％至6％的黑硅。
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| CN105576081A (zh) * | 2016-03-02 | 2016-05-11 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 一种黑硅双面电池的制作方法 |
| CN105826405A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-08-03 | 常州天合光能有限公司 | 一种单晶硅双面太阳电池及其制备方法 |
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