CN106920865A - 量子点膜层结构的制作方法 - Google Patents
量子点膜层结构的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106920865A CN106920865A CN201611221391.5A CN201611221391A CN106920865A CN 106920865 A CN106920865 A CN 106920865A CN 201611221391 A CN201611221391 A CN 201611221391A CN 106920865 A CN106920865 A CN 106920865A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- layer
- film layer
- parylene
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 claims description 5
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 claims description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 210000005239 tubule Anatomy 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种量子点膜层结构的制作方法,将量子点层制作于两层派瑞林功能膜层之间,使QD与外界环境隔离。派瑞林(parylene)层具有优异的电绝缘性和防护性,是有效的防潮、防腐保护性涂覆材料。该膜层可将量子点密封在两层功能膜层之间,一方面使其可以在空气中使用,减少环境的限制,另一方面便于提高后续Q‑LED模组的封装效率。
Description
(一)技术领域
本发明属于LED封装技术领域,具体涉及一种在量子点膜层结构的制作方法。
(二)背景技术
量子点(Quantum Dot,简称QD)是一种纳米材料,是由锌、镉、硒、硫等元素化合成的半导体材料制成,直径2~10nm的纳米粒子,具有发光效率高,使用寿命长,颜色纯度好的特点。量子点一般为球形,不同形状和尺寸的量子点其光学和电子特性也会不同。通过改变量子点材料的尺寸和化学组成可以使其荧光发射波长覆盖整个可见光区。
现存的量子点技术主要有两种──光致发光(PL)和电致发光(EL),现在商用的都是PL技术的量子点,而PL技术的量子点有两种产品——管状和薄膜状的。QLED就是以量子点材料代替传统LED中的荧光粉发光层制成的LED即QLED。由于QD极易氧化,一点空气或水都会彻底毁掉量子点。因此,若要在空气中使用,必须将量子点进行隔绝空气和水的处理。
目前QD应用的时候通常采用的方式:1)将QD灌注在玻璃细管内,两边做封装处理;2)用高端双层防潮和抗氧化膜双层封装保护。这两种方式完全依赖进口,成本高。另外,尺寸必须根据产品定制,无法在成品后根据尺寸任意切割,进而无法实现标准化,。以上两种方式均实现工业化生产与普及。
目前,国内在量子点显示技术的研发和产业还无法和外国企业相比,随着量子点显示技术日益受到关注,本土企业开始关注该显示技术在产业化方面的进程。
(三)发明内容
本发明的目的是提供一种量子点膜层结构的制作方法,该膜层可将量子点密封在两层功能膜层之间,一方面使其可以在空气中使用,减少环境的限制,另一方面便于提高后续Q-LED模组的封装效率。
本发明的目的是这样实现的:派瑞林(parylene)层具有优异的电绝缘性和防护性,是有效的防潮、防腐保护性涂覆材料。将量子点层制作于两层派瑞林功能膜层之间,使QD与外界环境隔离。具体步骤为:基板清洗、烘干、沉积派瑞林层、涂量子点层、固化、沉积派瑞林层、量子点膜层结构与基板之间进行剥离、防水性检测。
该发明具体方法步骤为:
(1)将玻璃基板或PET膜进行清洗并烘干;
(2)用真空气相沉积的方法将派瑞林均匀沉积在基板表面,沉积厚度2~100µm左右;
(3)量子点阵列排布要求依次在基板上涂上量子点后进行固化;
(4)用真空气相沉积的方法再次沉积派瑞林膜层;
(5)将量子点膜层从玻璃基板或PET膜上剥离开来,成为量子点膜层成品;
(6)做膜层防水性检测。
本发明还有这有一些技术特征:
1、所述的基板可以采用玻璃、PET薄膜等材料。
2、所述的量子点膜层可采用相关载体,如AB胶或其他相类似胶水与量子点混合的形式,精密涂覆在基板上。
本发明的有益效果是:1)派瑞林层具有非常优异的电绝缘性和防护性,将量子点层制作于两层派瑞林功能膜层之间,使QD与外界环境完全隔离,可以避免QD与空气和水接触,使其可以在120℃下够长时间使用不受水和空气的影响,减少环境条件的限制;2)将量子点制成软膜结构,可根据需要产品尺寸灵活的进行切割,进行后续QLED模组的制备,提高封装效率。
(四)附图说明
图1为量子点膜层结构制作流程;
图2为量子点膜层结构侧视图。
(五)具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
结合图1-2,本实施例首先将玻璃基板1进行清洗并烘干,以驱除水分子;用真空气相沉积的方法将派瑞林2均匀沉积在玻璃基板表面,沉积厚度80µm左右;按量子点阵列排布要求依次在派瑞林膜层上涂量子点3后进行固化;再次在玻璃基板1有量子点的一面沉积派瑞林层4,将量子点封闭在两层派瑞林之间;将量子点膜层从玻璃基板上剥离开来。最后,做防水性检测。
采用两层派瑞林膜层包覆量子点可以起到更好的防护作用,但基于派瑞林膜层优异的渗透性能,涂上量子点固化后,涂层能够渗透到量子点层,因此,仅沉积一层派瑞林层也可以实现防护功能,即只沉积派瑞林2层。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所做的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只限于这些说明。对于具有本发明所属领域基础知识的人员来讲,可以很容易对本发明进行变更和修改,这些变更和修改都应当视为属于本发明所提交的权利要求书确定的专利保护范围。
Claims (2)
1.一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于将量子点层制作于两层派瑞林功能膜层之间,包括基板清洗、烘干、沉积派瑞林层、涂量子点层、固化、沉积派瑞林层、量子点膜层结构与基板之间进行剥离、防水性检测;具体方法步骤为:
(1)将玻璃基板或PET膜进行清洗并烘干;
(2)用真空气相沉积的方法将派瑞林均匀沉积在基板表面,沉积厚度2~100µm左右;
(3)量子点阵列排布要求依次在基板上涂上量子点后进行固化;
(4)用真空气相沉积的方法再次沉积派瑞林膜层;
(5)将量子点膜层从玻璃基板或PET膜上剥离开来,成为量子点膜层成品;
(6)做膜层防水性检测。
2.根据权利要求1所述的一种量子点膜层结构的制作方法,其特征在于所述的量子点膜层为AB胶或其他相类似胶水与量子点混合的形式,精密涂覆在基板上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611221391.5A CN106920865A (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 量子点膜层结构的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611221391.5A CN106920865A (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 量子点膜层结构的制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106920865A true CN106920865A (zh) | 2017-07-04 |
Family
ID=59453441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611221391.5A Pending CN106920865A (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 量子点膜层结构的制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106920865A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108023011A (zh) * | 2017-12-24 | 2018-05-11 | 左洪波 | 一种量子点膜层结构的制作方法 |
CN108873472A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-23 | 北京中科纳通电子技术有限公司 | 量子点膜及安装其的液晶显示器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160035919A1 (en) * | 2013-11-06 | 2016-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dot solar cell performance with a metal salt treatment |
CN105425463A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-23 | 青岛海信电器股份有限公司 | 显示装置、背光模组、量子点光学膜片及其制备方法 |
CN205564809U (zh) * | 2016-02-19 | 2016-09-07 | 天津市中环量子科技有限公司 | 一种使用镀膜技术封装的量子点模块、发光模块与灯具 |
CN106054450A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-10-26 | 深圳英伦科技股份有限公司 | 量子点膜及其制备方法、背光模组及商用量子点显示器 |
-
2016
- 2016-12-27 CN CN201611221391.5A patent/CN106920865A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160035919A1 (en) * | 2013-11-06 | 2016-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dot solar cell performance with a metal salt treatment |
CN105425463A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-23 | 青岛海信电器股份有限公司 | 显示装置、背光模组、量子点光学膜片及其制备方法 |
CN205564809U (zh) * | 2016-02-19 | 2016-09-07 | 天津市中环量子科技有限公司 | 一种使用镀膜技术封装的量子点模块、发光模块与灯具 |
CN106054450A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-10-26 | 深圳英伦科技股份有限公司 | 量子点膜及其制备方法、背光模组及商用量子点显示器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108023011A (zh) * | 2017-12-24 | 2018-05-11 | 左洪波 | 一种量子点膜层结构的制作方法 |
CN108873472A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-23 | 北京中科纳通电子技术有限公司 | 量子点膜及安装其的液晶显示器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102437288A (zh) | 有机电致发光器件的封装结构 | |
CN107565052B (zh) | 封装结构及其制造方法、显示装置 | |
CN101518151B (zh) | 纳米粒子封装阻障叠层 | |
CN100483782C (zh) | 用于显示装置的密封结构 | |
CN100433403C (zh) | 有机电致发光器件和其制造方法 | |
CN103490019A (zh) | 有机电致发光器件的封装结构及封装方法、显示装置 | |
US20110198627A1 (en) | Organic Optoelectronic Device And A Method For Encapsulating Said Device | |
CN103972422B (zh) | 有机电致发光器件的封装结构及封装方法、显示装置 | |
TW200924185A (en) | Thin film encapsulation containing zinc oxide | |
JP2007042616A (ja) | 発光素子及び表示デバイス並びにそれらの製造方法 | |
CN105161585B (zh) | 一种纤维状量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN106664754B (zh) | 有机电致发光元件 | |
CN107359254A (zh) | 印刷显示器件及其制备方法和应用 | |
CA2505014A1 (en) | Hermetic encapsulation of organic electro-optical elements | |
CN106920865A (zh) | 量子点膜层结构的制作方法 | |
CN100587998C (zh) | 具有疏水层的有机发光面板 | |
CN203466226U (zh) | 有机电致发光器件的封装结构、显示装置 | |
CN108666439A (zh) | 一种oled的封装结构及封装方法 | |
WO2018095027A1 (zh) | 有机电致发光器件的封装结构、封装方法及显示装置 | |
CN108630818A (zh) | 具有新型阳极结构的量子点发光二极管器件及其制备方法 | |
WO2015009059A1 (ko) | 초박형 유기발광소자 제조방법 | |
CN102842683A (zh) | 有机电致发光器件及其制作方法 | |
KR102013730B1 (ko) | Oled 조명 애플리케이션을 위한 엔캡슐레이션 방법 | |
WO2020134244A1 (zh) | 封装薄膜及其制备方法和发光显示装置 | |
CN206271764U (zh) | 薄膜封装件及有机发光显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170704 |