CN106896861A - 一种恒流电路和富氢足浴盆 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提出了一种恒流电路和富氢足浴盆，其中所述恒流电路，包括：第一电感、第一电容、第二电感、第一处理器、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二电容、第三电容、第三电阻、第二处理器、第二二极管、第四电容、第三电感、第四电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、变频器；以此通过恒流电路进行制氢操作，保障了制氢的需要，后续在富氢足浴盆中使用该制氢操作所生成的富氢水，通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。

Description

一种恒流电路和富氢足浴盆

技术领域

本发明涉及电路领域，特别涉及一种恒流电路和富氢足浴盆。

背景技术

现在随着人们生活品质的不断提高，对于健康养生的关注度也越来越高，人们越来越注重自身的健康，而目前的足浴盆只能提供简单的加热沐足功能，无法提供更好的健康服务，导致用户的体验不好。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明提出了一种恒流电路和富氢足浴盆，用以通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。

具体的，本发明提出了以下具体的实施例：

本发明实施例提出了一种恒流电路，包括：第一电感、第一电容、第二电感、第一处理器、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二电容、第三电容、第三电阻、第二处理器、第二二极管、第四电容、第三电感、第四电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、变频器；其中；

所述第一电感的一端连接所述第一电容的一端以及所述第二电感的一端，所述第一电容的另一端接地；所述第二电感的另一端连接所述第一二极管的正极；

所述第一处理器包括有5个端口，分别为端口1，端口2，端口3、端口4、端口5；所述第二处理器包括有8个端口，分别为端口1，端口2，端口3、端口4、端口5、端口6、端口7、端口8；

其中，所述第一处理器的端口2接地，所述第一处理器的端口4连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端；所述第一处理器的端口5连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端；

所述第一处理器的端口1连接所述第二电感的另一端与所述第一二极管的正极；

所述第一处理器的端口3连接搜索第一电阻的一端与所述第二电阻的一端；所述第一电阻的一端连接所述第二电阻的一端；所述第一电阻的另一端连接所述第一二极管的负极；所述第二电阻的另一端接地；

所述第一二极管的负极分别连接所述第二电容的一端、所述第三电容的一端、以及所述第二处理器的端口4；所述第二电容的另一端接地；所述第三电容的另一端接地；

所述第二处理器的端口2连接所述第三电阻的一端；

所述第二处理器的端口3连接所述第四电容的一端，所述第四电容的另一端接地；

所述第二处理器的端口1连接所述第四电阻的一端以及所述第八电容的一端和所述变频器；所述第四电阻的另一端接地；

所述第二处理器的端口5和端口6连接所述第二二极管的负极和所述第三电感的一端；所述第二二极管的正极接地；

所述第二处理器的端口7和端口8接地；

所述第三电感的另一端连接所述第五电容的一端，所述第六电容的一端、所述第七电容的一端以及所述第八电容的另一端以及所述变频器；所述第五电容的另一端接地，所述第六电容的另一端接地，所述第七电容的另一端接地。

在一个具体的实施例中，所述第一处理器具体为单片机。

在一个具体的实施例中，所述第二处理器具体为单片机。

在一个具体的实施例中，所述第二电容与所述第三电容相同。

在一个具体的实施例中，所述第一电阻和所述第二电阻相同。

在一个具体的实施例中，所述第五电容与所述第六电容以及所述第七电容相同。

在一个具体的实施例中，所述第一二极管与所述第二二极管具体为硅二极管。

在一个具体的实施例中，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第四电阻具体为可变电阻。

在一个具体的实施例中，所述第八电容具体为钽电容。

本发明实施例还提出了一种制氢设备，包括上述的恒流电路。

以此，本发明实施例提出了一种恒流电路和富氢足浴盆，其中所述恒流电路，包括：第一电感、第一电容、第二电感、第一处理器、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二电容、第三电容、第三电阻、第二处理器、第二二极管、第四电容、第三电感、第四电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、变频器；其中；所述第一电感的一端连接所述第一电容的一端以及所述第二电感的一端，所述第一电容的另一端接地；所述第二电感的另一端连接所述第一二极管的正极；所述第一处理器包括有5个端口，分别为端口1，端口2，端口3、端口4、端口5；所述第二处理器包括有8个端口，分别为端口1，端口2，端口3、端口4、端口5、端口6、端口7、端口8；其中，所述第一处理器的端口2接地，所述第一处理器的端口4连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端；所述第一处理器的端口5连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端；所述第一处理器的端口1连接所述第二电感的另一端与所述第一二极管的正极；所述第一处理器的端口3连接搜索第一电阻的一端与所述第二电阻的一端；所述第一电阻的一端连接所述第二电阻的一端；所述第一电阻的另一端连接所述第一二极管的负极；所述第二电阻的另一端接地；所述第一二极管的负极分别连接所述第二电容的一端、所述第三电容的一端、以及所述第二处理器的端口4；所述第二电容的另一端接地；所述第三电容的另一端接地；所述第二处理器的端口2连接所述第三电阻的一端；所述第二处理器的端口3连接所述第四电容的一端，所述第四电容的另一端接地；所述第二处理器的端口1连接所述第四电阻的一端以及所述第八电容的一端和所述变频器；所述第四电阻的另一端接地；所述第二处理器的端口5和端口6连接所述第二二极管的负极和所述第三电感的一端；所述第二二极管的正极接地；所述第二处理器的端口7和端口8接地；所述第三电感的另一端连接所述第五电容的一端，所述第六电容的一端、所述第七电容的一端以及所述第八电容的另一端以及所述变频器；所述第五电容的另一端接地，所述第六电容的另一端接地，所述第七电容的另一端接地。以此通过恒流电路进行制氢操作，保障了制氢的需要，后续在富氢足浴盆中使用该制氢操作所生成的富氢水，通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提出的一种恒流电路的结构示意图。

图例说明：

第一电感11、第二电感12、第三电感13、

第一电容21、第二电容22、第三电容23、第四电容24、第五电容25、第六电容26、第七电容27、第八电容28、

第一处理器31、第二处理器32、

第一电阻41、第二电阻42、第三电阻43、第四电阻44、

第一二极管51、第二二极管52、

变频器6

具体实施方式

在下文中，将更全面地描述本公开的各种实施例。本公开可具有各种实施例，并且可在其中做出调整和改变。然而，应理解：不存在将本公开的各种实施例限于在此公开的特定实施例的意图，而是应将本公开理解为涵盖落入本公开的各种实施例的精神和范围内的所有调整、等同物和/或可选方案。

在下文中，可在本公开的各种实施例中使用的术语“包括”或“可包括”指示所公开的功能、操作或元件的存在，并且不限制一个或更多个功能、操作或元件的增加。此外，如在本公开的各种实施例中所使用，术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。

在本公开的各种实施例中，表述“或”或“A或/和B中的至少一个”包括同时列出的文字的任何组合或所有组合。例如，表述“A或B”或“A或/和B中的至少一个”可包括A、可包括B或可包括A和B二者。

在本公开的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件，不过可不限制相应组成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如，第一用户装置和第二用户装置指示不同用户装置，尽管二者都是用户装置。例如，在不脱离本公开的各种实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，同样地，第二元件也可被称为第一元件。

应注意到：如果描述将一个组成元件“连接”到另一组成元件，则可将第一组成元件直接连接到第二组成元件，并且可在第一组成元件和第二组成元件之间“连接”第三组成元件。相反地，当将一个组成元件“直接连接”到另一组成元件时，可理解为在第一组成元件和第二组成元件之间不存在第三组成元件。

在本公开的各种实施例中使用的术语“用户”可指示使用电子装置的人或使用电子装置的装置(例如，人工智能电子装置)。

在本公开的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本公开的各种实施例。如在此所使用，单数形式意在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本公开的各种实施例中被清楚地限定。

实施例1

本发明实施例1公开了一种恒流电路，如图1所示，包括：第一电感11、第一电容21、第二电感12、第一处理器31、第一电阻41、第二电阻42、第一二极管51、第二电容22、第三电容23、第三电阻43、第二处理器32、第二二极管52、第四电容24、第三电感13、第四电阻44、第五电容25、第六电容26、第七电容27、第八电容28、变频器6；其中；

所述第一电感(如图1中的L1)的一端连接所述第一电容(如图1中的C3)的一端以及所述第二电感(如图1中的L2)的一端，所述第一电容(如图1中的C3)的另一端接地；所述第二电感(如图1中的L2)的另一端连接所述第一二极管的正极；

所述第一处理器(如图1中的IC2)包括有5个端口，分别为端口1，端口2，端口3、端口4、端口5；所述第二处理器(如图1中的IC3)包括有8个端口，分别为端口1，端口2，端口3、端口4、端口5、端口6、端口7、端口8；

其中，所述第一处理器的端口2接地，所述第一处理器的端口4连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端；所述第一处理器的端口5连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端；

所述第一处理器的端口1连接所述第二电感的另一端与所述第一二极管(如图1中的D1)的正极；

所述第一处理器的端口3连接搜索第一电阻(如图1中的R7)的一端与所述第二电阻(如图1中的R8)的一端；所述第一电阻的一端连接所述第二电阻的一端；所述第一电阻的另一端连接所述第一二极管的负极；所述第二电阻的另一端接地；

所述第一二极管的负极分别连接所述第二电容(如图1中的C4)的一端、所述第三电容(如图1中的C5)的一端、以及所述第二处理器的端口4；所述第二电容的另一端接地；所述第三电容的另一端接地；

所述第二处理器的端口2连接所述第三电阻(如图1中的R9)的一端；

所述第二处理器的端口3连接所述第四电容的一端，所述第四电容(如图1中的C6)的另一端接地；

所述第二处理器的端口1连接所述第四电阻(如图1中的RF1)的一端以及所述第八电容(如图1中的C10)的一端和所述变频器(如图1中的DRV)；所述第四电阻的另一端接地；

所述第二处理器的端口5和端口6连接所述第二二极管(如图1中的D2)的负极和所述第三电感(如图1中的L3)的一端；所述第二二极管的正极接地；

所述第二处理器的端口7和端口8接地；

所述第三电感的另一端连接所述第五电容(如图1中的C7)的一端，所述第六电容(如图1中的C8)的一端、所述第七电容(如图1中的C9)的一端以及所述第八电容(如图1中的C10)的另一端以及所述变频器；所述第五电容的另一端接地，所述第六电容的另一端接地，所述第七电容的另一端接地。

在一个具体的实施例中，所述第一处理器具体为单片机。

在一个具体的实施例中，所述第二处理器具体为单片机。

具体的，单片机(Microcontrollers)是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能(可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路)集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。

在一个具体的实施例中，所述第二电容与所述第三电容相同。

在一个具体的实施例中，所述第一电阻和所述第二电阻相同。

在一个具体的实施例中，所述第五电容与所述第六电容以及所述第七电容相同。

在一个具体的实施例中，所述第一二极管与所述第二二极管具体为硅二极管。

具体的，二极管，(英语：Diode)，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压)，反向时阻断(称为逆向偏压)。

而具体的，现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。在此可以选用硅二极管。

在一个具体的实施例中，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第四电阻具体为可变电阻。

具体的电阻，也即电阻器(Resistor)，在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是由固定的两个引脚决定的，它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电阻器是线性的，即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。

电阻中电压与电流有确定函数关系，体现电能转化为其他形式能力的二端器件，用字母R来表示，单位为欧姆Ω。实际器件如灯泡，电热丝，电阻器等均可表示为电阻器元件。

电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生内能。电阻在电路中通常起分压、分流的作用。对信号来说，交流与直流信号都可以通过电阻。

在一个具体的实施例中，为了能对电路中的电流进行灵活的调整，所述第一电阻和/或所述第二电阻具体为可变电阻。以此，由于电阻值可调，可以实时灵活的对电路进行调整，以使得电路满足各种需要，提高适应性。

在一个具体的实施例中，所述第八电容具体为钽电容。

实施例2

本发明实施例2还公开了一种富氢足浴盆，包括实施例1中任意一项所述的恒流电路。

具体的，富氢足浴盆中除了恒流电路用来制氢以外，还可以根据各自的需要以及具体的使用场景以及产品定位，选取其他的配件，例如还可以选取发光二极管，电源，喷雾喷头，吸水装置，储水盒等等，以此满足各种不同的需要。

以此，本发明实施例提出了一种恒流电路和富氢足浴盆，其中所述恒流电路，包括：第一电感、第一电容、第二电感、第一处理器、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二电容、第三电容、第三电阻、第二处理器、第二二极管、第四电容、第三电感、第四电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、变频器；其中；所述第一电感的一端连接所述第一电容的一端以及所述第二电感的一端，所述第一电容的另一端接地；所述第二电感的另一端连接所述第一二极管的正极；所述第一处理器包括有5个端口，分别为端口1，端口2，端口3、端口4、端口5；所述第二处理器包括有8个端口，分别为端口1，端口2，端口3、端口4、端口5、端口6、端口7、端口8；其中，所述第一处理器的端口2接地，所述第一处理器的端口4连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端；所述第一处理器的端口5连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端；所述第一处理器的端口1连接所述第二电感的另一端与所述第一二极管的正极；所述第一处理器的端口3连接搜索第一电阻的一端与所述第二电阻的一端；所述第一电阻的一端连接所述第二电阻的一端；所述第一电阻的另一端连接所述第一二极管的负极；所述第二电阻的另一端接地；所述第一二极管的负极分别连接所述第二电容的一端、所述第三电容的一端、以及所述第二处理器的端口4；所述第二电容的另一端接地；所述第三电容的另一端接地；所述第二处理器的端口2连接所述第三电阻的一端；所述第二处理器的端口3连接所述第四电容的一端，所述第四电容的另一端接地；所述第二处理器的端口1连接所述第四电阻的一端以及所述第八电容的一端和所述变频器；所述第四电阻的另一端接地；所述第二处理器的端口5和端口6连接所述第二二极管的负极和所述第三电感的一端；所述第二二极管的正极接地；所述第二处理器的端口7和端口8接地；所述第三电感的另一端连接所述第五电容的一端，所述第六电容的一端、所述第七电容的一端以及所述第八电容的另一端以及所述变频器；所述第五电容的另一端接地，所述第六电容的另一端接地，所述第七电容的另一端接地。以此通过恒流电路进行制氢操作，保障了制氢的需要，后续在富氢足浴盆中使用该制氢操作所生成的富氢水，通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。

本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施场景的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本发明所必须的。

本领域技术人员可以理解实施场景中的装置中的模块可以按照实施场景描述进行分布于实施场景的装置中，也可以进行相应变化位于不同于本实施场景的一个或多个装置中。上述实施场景的模块可以合并为一个模块，也可以进一步拆分成多个子模块。

上述本发明序号仅仅为了描述，不代表实施场景的优劣。

以上公开的仅为本发明的几个具体实施场景，但是，本发明并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种恒流电路，其特征在于，包括：第一电感、第一电容、第二电感、第一处理器、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二电容、第三电容、第三电阻、第二处理器、第二二极管、第四电容、第三电感、第四电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、变频器；其中；

所述第一电感的一端连接所述第一电容的一端以及所述第二电感的一端，所述第一电容的另一端接地；所述第二电感的另一端连接所述第一二极管的正极；

所述第一处理器包括有5个端口，分别为端口1，端口2，端口3、端口4、端口5；所述第二处理器包括有8个端口，分别为端口1，端口2，端口3、端口4、端口5、端口6、端口7、端口8；

其中，所述第一处理器的端口2接地，所述第一处理器的端口4连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端；所述第一处理器的端口5连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端；

所述第一处理器的端口1连接所述第二电感的另一端与所述第一二极管的正极；

所述第一处理器的端口3连接搜索第一电阻的一端与所述第二电阻的一端；所述第一电阻的一端连接所述第二电阻的一端；所述第一电阻的另一端连接所述第一二极管的负极；所述第二电阻的另一端接地；

所述第一二极管的负极分别连接所述第二电容的一端、所述第三电容的一端、以及所述第二处理器的端口4；所述第二电容的另一端接地；所述第三电容的另一端接地；

所述第二处理器的端口2连接所述第三电阻的一端；

所述第二处理器的端口3连接所述第四电容的一端，所述第四电容的另一端接地；

所述第二处理器的端口1连接所述第四电阻的一端以及所述第八电容的一端和所述变频器；所述第四电阻的另一端接地；

所述第二处理器的端口5和端口6连接所述第二二极管的负极和所述第三电感的一端；所述第二二极管的正极接地；

所述第二处理器的端口7和端口8接地；

所述第三电感的另一端连接所述第五电容的一端，所述第六电容的一端、所述第七电容的一端以及所述第八电容的另一端以及所述变频器；所述第五电容的另一端接地，所述第六电容的另一端接地，所述第七电容的另一端接地。

2.如权利要求1所述的恒流电路，其特征在于，所述第一处理器具体为单片机。

3.如权利要求1所述的恒流电路，其特征在于，所述第二处理器具体为单片机。

4.如权利要求1所述的恒流电路，其特征在于，所述第二电容与所述第三电容相同。

5.如权利要求1所述的恒流电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻相同。

6.如权利要求1所述的恒流电路，其特征在于，所述第五电容与所述第六电容以及所述第七电容相同。

7.如权利要求1所述的恒流电路，其特征在于，所述第一二极管与所述第二二极管具体为硅二极管。

8.如权利要求1所述的恒流电路，其特征在于，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第四电阻具体为可变电阻。

9.如权利要求1所述的恒流电路，其特征在于，所述第八电容具体为钽电容。

10.一种富氢足浴盆，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的恒流电路。