CN106813564A - 一种lvdt位移传感器数字化处理方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LVDT位移传感器数字化处理方法及装置,包括LVDT位移传感器方波激励源处理电路、传感器输出信号差分放大电路、峰值捕捉采样电路、微处理器控制显示电路和隔离通讯接口电路。其特征在于:采用极少的常用分离元器件实现无需加入精密整流电路、滤波电路、峰值保持电路等,具有响应更快、温漂极小和成本低的效果;采用方波激励,使得响应峰值存续时间长,对输出信号进行差分放大,减少干扰,提高精度;无需复杂处理即可捕获峰值;无整流电路,直接对原始信号放大后进行采样,因而在电气零点附近线性度更好;采用隔离串口传输,使电路具有较强的抗干扰能力。应用本发明产品已经取代进口产品应用一年多时间,运行稳定可靠,取得良好效益。
Description
技术领域
本发明属于一种LVDT位移传感器数字化处理电路,极大的简化了LVDT信号处理的同时,大幅提升LVDT适应性,可直接转化为数字量的电路。
背景技术
LVDT(Linear Variable Differential Transformer)位移传感器基本部件由一个磁芯、一个初级线圈和两个次级线圈组成。其工作原理是如图1a所示:当磁芯在线圈中移动时,初级线圈与两个次级线圈的电磁互感发生变化,两个次级线圈感应的电压也发生变化。当磁芯处于中心位置时,两组次级线圈电压相等,电压差为零;当磁芯偏离中心,一组次级电压增大,而另一组电压减小,电压差增大。电压差的幅值与磁芯的位移量在一定的范围内成线性比例关系。图1b所以为半桥式LVDT位移传感器电气图,其原理类似。
目前现有的方法是对LVDT传感器信号处理方法常采用正弦波驱动,对输出信号进行放大,再经过精密整流电路,滤波电路,峰值保持电路等调理电路,将输出转换为直流电压后再进行数模转换(ADC)数字化。目前有分离原件实现方式和集成芯片实现方式,如AD698专用芯片。
还有一种信号检测方法是:采用FPGA生成方波,经滤波电路变为正弦激励信号,对输出信号直接进行采样,判断极性后进行相位粗调,然后再进行细调,得到理论上峰值相位,对峰值进行采样。
第一种方法如果采用集成芯片,结构简单,但是由于采用很多二次处理电路,芯片自身或周围温度发生变化,对每部分电路影响累计,导致输出有一定的温漂;芯片内部恒流源个体有差异,经大电阻后,输出差异被放大,导致同样的位移的LVDT传感器,经不同的AD698测量,结果差异大;同时AD698专用芯片成本非常高。如采用分离器件,成本低但温漂、精度和可靠性降低。
第二种方法是信号处理方法,以激励源和输出信号为理想信号为前提,实际工程中,LVDT输出信号畸变,峰值相位偏离理论峰值相位,无法采用该方法准确捕获峰值;在零点附近,由于LVDT位移传感器自身固有的磁滞特性影响,波形相移严重,畸变厉害,且幅值几乎为0,如果不进行放大,直接采样峰值,此时该方法几乎失效。
发明内容
为了克服上述不足,本发明提出了一种LVDT位移传感器数字化处理电路,采用模拟和数字混合的技术方式实现。本发明的作用主要是以下几个方面 :一是产生 LVDT位移传感器所需的激励为方波,取代正弦波激励信号;二是将传感器输出的信号进行放大后,微处理器采用简单算法捕捉峰值,即进行数模转换,无需复杂调理电路或者运算判别;三是采用隔离接口电路,使本系统与其他设备或者主机电气隔离,提高该电路抗干扰能力。
为实现上述发明目的,本发明包含以下发明内容:一种LVDT位移传感器数字化处理电路,包括LVDT位移传感器方波激励源产生电路、传感器输出信号差分放大电路、峰值捕捉采样电路、微处理器控制显示电路和隔离通讯接口电路。其特征在于:
A、采用方波作为激励源,与普遍采用单一频率正弦波信号作为LVDT激励信号不同;根据傅里叶变换,方波可看成是多种频率的正弦波叠加,且正弦波幅值随频率增大而减小,而LVDT位移传感器有较宽的频率范围和感性效应,相当于一个低通滤波器,方波激励响应是经LVDT位移传感器滤波后,由占多种频率的正弦波叠加的结果,根据LVDT传感器磁芯材质,方波频率范围为12-24KHz比较合适;
B、传感器输出的响应信号用差分放大电路放大,采用差分放大减少共模干扰;
C、经放大处理后的信号进入差分数模转换芯片,该采样电路由微处理器控制启动采样时刻和采样次数,根据激励源相位和输出信号相位差得到位移的方向,根据采样次数和滤波计算得到位移量;
D、微处理器电路作为核心计算单元,一方面控制方波激励源的产生,得到激励源的相位;另一方面控制采样电路,输出采样脉冲P,捕捉输出信号的峰值;在此期间还需进行数值计算处理、显示和上位机通讯;
E、微处理器处理完数据后得到的是带方向的位移量,该位移量通过隔离串口电路上传到上位机,采用隔离接口电路可避免上位机和本发明电路相互干扰,增强系统稳定性。
所述A中,其特征在于:方波信号可由微处理器产生,经驱动能力强的运放后接入到LVDT传感器输入端,该方波信号频率不能太高,也不能太低,频率过高,导致传感器响应不及时,输出信号峰值的延续时间过短,不便于捕捉;频率过低,容易导致峰值衰减明显,波形三角化,传感器经受峰值直流电压时间过长易发热损坏,频率通常情况在12-24KHz之间比较合适;
所述B中,传感器输出信号放大电路采用差分方式进行放大,提高抗共模干扰能力;且根据位移测量范围进行放大倍数调整,使输出信号幅度匹配数模转换芯片最大量程,提高分辨率。
所述C中峰值捕捉处理方法,只需以激励源相位为基准,延迟(N/16)*T和(N/16+1/2)*T采样即可。其中T表示激励源的周期,N表示0到15中的某一个数,其得到步骤如下:
C1、微处理器以激励源相位为基准,T/16为时间间隔采样16次,其中有8次采样值大小一致,另8次采样值大小一致,但方向相反;
C2、从两个方向分界线开始,从0数到第3个与激励源同相采样点,记下该采样点的序号为N;
C3、为增加采样数量,在(N/16+1/2)*T也进行采样,需要记住,此时采样结果的方向与(N/16)*T采样结果方向相反,需要改正方向;
C4、存储N到EEPROM存储器中,以后每次使用只需从EEPROM存储器读取即可。
在获得N以后,以后每次捕捉峰值,微处理器只需以激励源为基准,延迟(N/16)*T和(N/16+1/2)*T时间启动采样脉冲P即可捕获峰峰值。经过换算处理即可得到含方向的位移量。同时多次采样结果可用于滤波算法,提高采样精度。
与上位机接口采用ADM3251E磁耦合隔离电路,有助于提高抗干扰能力。
本发明的有益效果是:本发明是一种LVDT位移传感器数字化处理电路;该电路采用特定频率方波激励LVDT位移传感器,利用响应峰值的平坦效果拓宽峰值存续时间,便于峰值捕捉;对输出信号进行差分放大,减少干扰,提高精度;采用简单计算即可捕捉峰值直接采样,因此不需要通过对输出信号进行精密整流处理、滤波处理和峰值保持处理后才能得到峰值信号;与上位机通讯采用隔离串口,使内部电路与外部电路隔离,提高抗干扰能力。本发明具有精度高、信号处理简洁、温漂小、成本低、抗干扰强的优点。
附图说明
图 1 为LVDT传感器电气原理图;
图 2 为本发明的系统理框图;
图 3 为本发明的部分电原理框图;
图 4为本发明峰值捕捉算法波形图;
图 5为图3中相关节点波形图;
图 6为本发明隔离串口电路图 。
具体实施方式
如图 2 所示,本发明是一种LVDT位移传感器数字化处理电路,包括LVDT位移传感器方波激励源产生电路、传感器输出信号差分放大电路、峰值捕捉采样电路、微处理器控制显示电路和隔离通讯接口电路。微处理控制LVDT激励源产生,输出到驱动放大电路 AMP1中,该电路将单端信号转换成差分信号Ui,该信号直接驱动LVDT传感器的原边。LVDT位移传感器根据磁芯的位置输出响应的信号Uo,由于LVDT自身固有特性,Uo相对Ui有相位偏移;Uo接入到差分放大器OP1,此放大采用的是反向输入,信号经放大后为U,由于放大器和电路板的影响,U相对于Uo也有相位偏移;假设U=-AUo, A为放大倍数,放大倍数根据实际应用选定,然后用精密电阻匹配出最接近的放大倍数,既要使LVDT位移传感器量程满足要求,又要使放大后的信号幅值正好与差分采样芯片的输入电压匹配。放大后的信号由微处理器控制转换时刻,使得所采样的值为信号峰值。
下面以单个周期的激励响应为例说明,如何确定捕捉峰值的时刻N,如图4所示:
1、微处理器得到激励源的初始相位后,马上触发采样脉冲P,采样时间间隔为(1/16)*T;
2、经过一个周期T后,微处理器对U=-A*Uo进行了16次采样;
3、采样结果为一个完整周期激励信号的响应,其中有8次数值大小一致(并非完全一样),另外8次数字大小一致,但方向相反。以图4为例,第0、1、2、B、C、D、E和F次采样结果大小一致、方向相同;第3、4、5、6、7、8、9和A次样结果大小一致、方向与前一组相反,分界点为3、4和A、B;
4、以两个方向的分界点3开始,第4个同相采样点为6号采样点;以B开始,第4个同相采样点为E号采样点;根据传感器位置确定与激励源同相的数字即可,这里假设为N=E;
5、延迟(14/16)*T和(14/16+1/2)*T时刻采样,即可捕获峰值,但需要注意,延迟(14/16+1/2)*T时刻采样值为相反方向,实际使用时需将方向改变。
记住了峰值捕获时刻后,以后只需要从存储器中调出来即可,无需重复计算,除非改变了LVDT传感器信号,或者电路参数。以后每个周期只需差分数模转换电路两次捕捉到峰峰值即可,电路各处波形如图5所示。
微处理器捕获了峰值后,根据采样结果计算出对应的位移量和方向,显示到LCD屏上,同时经隔离接口传输给上位机。隔离串口ADM3251E电路路如图6所示。
Claims (6)
1.一种LVDT位移传感器数字化处理电路,包括LVDT位移传感器方波激励源产生电路、传感器输出信号差分放大电路、峰值捕捉采样电路、微处理器控制显示电路和隔离通讯接口电路,其特征在于:
A、采用方波作为激励源,与普遍采用单一频率正弦波信号作为LVDT激励信号不同,根据傅里叶变换,方波可看成是多种频率的正弦波叠加,且正弦波幅值随频率增大而减小,而LVDT位移传感器有较宽的频率范围和感性效应,相当于一个低通滤波器,方波激励响应是经LVDT位移传感器滤波后,由占多种频率的正弦波叠加的结果,根据LVDT传感器磁芯材质,方波频率范围为12-24KHz比较合适;
B、传感器输出的响应信号用差分放大电路放大,采用差分放大减少共模干扰;
C、经放大处理后的信号进入差分数模转换芯片,该采样电路由微处理器控制启动采样时刻和采样次数,根据激励源相位和输出信号相位差得到位移的方向,根据采样次数和滤波计算得到位移量;
D、微处理器电路作为核心计算单元,一方面控制方波激励源的产生,得到激励源的相位;另一方面控制采样电路,输出采样脉冲P,捕捉输出信号的峰值;在此期间还需进行数值计算处理、显示和上位机通讯;
E、微处理器处理完数据后得到的是带方向的位移量,该位移量通过隔离串口电路上传到上位机,采用隔离接口电路可避免上位机和本发明电路相互干扰,增强系统稳定性。
2.根据权利要求1所述A中,其特征在于:方波信号可由微处理器产生,经驱动能力强的运放后接入到LVDT传感器输入端,该方波信号频率不能太高,也不能太低,频率过高,导致传感器响应不及时,输出信号峰值的延续时间过短,不便于捕捉;频率过低,容易导致峰值衰减明显,波形三角化,传感器经受峰值直流电压时间过长易发热损坏,频率通常情况在12-24KHz之间比较合适。
3.根据权利要求1所述B中,传感器输出信号放大电路采用差分方式进行放大,提高抗共模干扰能力;且根据位移测量范围进行放大倍数调整,使输出信号幅度匹配数模转换芯片最大量程,提高分辨率。
4.根据权利要求1所述C中峰值捕捉处理方法,只需以激励源相位为基准,延迟(N/16)*T和(N/16+1/2)*T采样即可,其中T表示激励源的周期,N表示0到15中的某一个数,其得到步骤如下:
C1、微处理器以激励源相位为基准,T/16为时间间隔采样16次,其中有8次采样值大小一致,另8次采样值大小一致,但方向相反;
C2、从两个方向分界线开始,从0数到第3个与激励源同相采样点,记下该采样点的序号为N;
C3、为增加采样数量,在(N/16+1/2)*T也进行采样,需要记住,此时采样结果的方向与(N/16)*T采样结果方向相反,需要改正方向;
C4、存储N到EEPROM存储器中,以后每次使用只需从EEPROM存储器读取即可。
5.根据权利要求4所述;在获得N以后,以后每次捕捉峰值,微处理器只需以激励源为基准,延迟(N/16)*T和(N/16+1/2)*T时间启动采样脉冲P即可捕获峰峰值,经过换算处理即可得到含方向的位移量,同时多次采样结果可用于滤波算法,提高采样精度。
6.与上位机接口采用ADM3251E磁耦合隔离电路,有助于提高抗干扰能力。
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