CN106793250B - 恒流电路及恒流控制器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种恒流控制器，用于产生控制信号以控制包含电感的外围电路生成恒流信号，所述恒流控制器集成功率管和供电电路，根据过压保护管脚提供的过压保护信号和所述浮置电压源提供的参考电压共同生成标准计时，功率管检测电感消磁时间，当所述电感消磁时间小于所述标准计时时，触发过压保护。本发明还涉及一种包含上述恒流控制器的恒流电路。上述恒流电路及其恒流控制器，由于芯片内部的标准计时不再受复用管脚的影响，从而可以实现高精度，可编程的输出过压保护。

Description

恒流电路及恒流控制器
技术领域
本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种恒流电路及恒流控制器。
背景技术
由于LED的工作特性，现今LED电源主要采用恒流方式驱动。在结构上主要分为隔离和非隔离两种，隔离方案和非隔离方案各有优缺点，所以市场上都有存在。
目前无功率因子要求的小功率LED领域，三条腿的控制芯片已经成为主流。三条腿LED控制芯片只有三个管脚，一个是功率管漏端管脚，一个是电源管脚，一个是电流检测脚和芯片地复用脚。三条腿LED控制芯片单芯片集成功率管、高压启动、供电电路、恒流控制、各种保护(过温度保护、LED短路/开路保护)于一体，是目前外围最精简的LED芯片架构。三条腿芯片的核心技术是电流检测脚与芯片地复用。三条腿芯片无需辅助绕组供电，系统外围极其简单。
三条腿LED芯片有一个弊端,就是无法实现输出过压保护(Over VoltageProtection,OVP)功能。过压保护对于LED系统是很重要的，因为系统开路时，如果没有输出过压保护，系统期间可能由于超出耐压会损坏。在客户实际需求中，都需要过压保护值可以调整，目前很多双芯片封装(LED控制芯片和MOS芯片合封在一个芯片中)的LED芯片都有专门的过压保护管脚，通过该脚对地接一个电阻，客户可以灵活地根据需要编程输出过压保护的触发值。所以为了克服三条腿芯片的无法实现过压保护的弊端，需要增加一个专门的过压保护管脚。
传统的过压保护方法，由于芯片电流检测脚和芯片地复用，导致标准计时很容易受到干扰，因为芯片复用管脚电压在功率管开通和关断时一直在变化，从而导致芯片的电源电压与复用管脚的电压差一直在变化，所以芯片内部干扰严重，从而导致过压保护容易受到干扰，因而导致输出过压保护不准或者实效。
发明内容
基于此，有必要针对电流检测脚与芯片地复用导致的过压保护容易受到干扰，输出过压保护不准或者失效的问题，提供一种恒流电路及其恒流控制器。
一种恒流控制器，用于产生控制信号以控制包含电感的外围电路生成恒流信号，所述恒流控制器集成功率管和供电电路，包括自内部功率管的漏极引出并输出所述控制信号的漏端管脚、用于外接工作电源并连接内部供电电路的电源管脚、芯片地和电流检测复用管脚以及过压保护管脚，所述恒流控制器内部还包括：
浮置电压源，所述浮置电压源的正极与所述电源管脚连接；
标准计时模块，所述标准计时模块分别与所述浮置电压源负极以及所述过压保护管脚连接，用于根据过压保护管脚提供的过压保护信号和所述浮置电压源提供的参考电压共同生成标准计时；
电感消磁时间检测模块，用于通过功率管检测电感消磁时间；及
过压保护触发模块，所述过压保护触发模块分别与所述标准计时模块以及所述电感消磁时间检测模块连接，用于当所述电感消磁时间小于所述标准计时时，触发过压保护。
在其中一个实施例中，所述标准计时模块包括：
电压转电流电路，所述电压转电流电路与所述浮置电压源连接，用于将所述浮置电压源提供的参考电压转换为过压保护电流；
计时产生电路，所述计时产生电路与所述电压转电流电路相连，用于根据所述电压转电流电路输出的过压保护电流对所述恒流控制器内部电容充电产生计时。
在其中一个实施例中，所述电压转电流电路包括：运算放大器、NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管，
所述运算放大器同相输入端与所述浮置电压源连接、反相输入端分别与所述过压保护管脚和所述NMOS管的源极连接、输出端与所述NMOS管的栅极连接，实现电压到电流的转换；
所述第一PMOS管的漏极与所述NMOS管漏极连接、所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接并连接至所述NMOS管的漏极、所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极连接并连接至电源电压，形成电流镜，所述电流镜用于通过第一PMOS管将转换得到的电流镜像到所述第二PMOS管，从而输出所述过压保护电流。
在其中一个实施例中，所述电压转电流电路包括：第三PMOS管以及第四PMOS管，所述第三PMOS管的漏极与所述过压保护管脚连接、所述第三PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极连接并连接至所述过压保护管脚、所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的源极连接并连接至电源管脚，形成电流镜，所述电流镜用于通过第三PMOS管产生电流并将所述电流镜像到所述第四PMOS管，从而输出所述过压保护电流。
在其中一个实施例中，所述过压保护管脚外接第一电阻到系统地以提供所述过压保护信号。
一种恒流电路，包括上述的恒流控制器以及
二极管，所述二极管阳极与所述漏端管脚相连；
电感，所述电感分别与所述二极管阳极和所述漏端管脚相连；
第一电容，所述第一电容一端与所述二极管阴极连接，另一端与所述电感连接；
整流电路，所述整流电路与所述二极管阴极连接并通过第二电容连接到地。
在其中一个实施例中，所述电源管脚外接第三电容到系统地以起到滤波作用。
在其中一个实施例中，所述电流检测复用管脚外接第二电阻到地。
上述恒流电路及其恒流控制器，通过恒流控制器集成功率管和供电电路，根据过压保护管脚提供的过压保护信号和所述浮置电压源提供的参考电压共同生成标准计时，功率管检测电感消磁时间，当所述电感消磁时间小于所述标准计时时，触发过压保护。解决了传统方法中由于芯片电流检测脚和芯片地复用，导致标准计时很容易受到干扰，因为芯片复用管脚电压在功率管开通和关断时一直在变化，从而导致芯片的电源电压与复用管脚的电压差一直在变化，所以芯片内部干扰严重，从而导致过压保护容易受到干扰，因而导致输出过压保护不准或者实效的问题。
附图说明
图1为一个实施例中恒流控制器的原理图；
图2为图1所示实施例中标准计时模块的原理图；
图3为图2所示实施例中电压转电流电路原理图；
图4为图2所示实施例中电压转电流电路另一个原理图；
图5为另一个实施例中恒流控制器的原理图；
图6为一个实施例中恒流电路的原理图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，为一个实施例中恒流控制器的原理图，该恒流控制器10包括漏端管脚100、芯片地和电流检测复用管脚200、过压保护管脚300、电源管脚400、浮置电压源500、标准计时模块600、电感消磁时间检测模块700以及过压保护触发模块800。
恒流控制器10集成功率管和供电电路，用于产生控制信号以控制包含电感的外围电路生成恒流信号，其漏端管脚100自内部功率管的漏极引出并输出控制信号，电源管脚400用于外接工作电源并连接内部供电电路。
浮置电压源500的正极与电源管脚400连接；标准计时模块600分别与浮置电压源500的负极以及过压保护管脚300连接，用于根据过压保护管脚300提供的过压保护信号和浮置电压源500提供的参考电压共同生成标准计时；电感消磁时间检测模块700用于通过功率管检测电感消磁时间；过压保护触发模块800分别与标准计时模块600以及电感消磁时间检测模块700连接，用于当电感消磁时间小于标准计时时，触发过压保护。
由于芯片内部浮置电压源500的存在，芯片内部的标准计时Tovp是通过外部过压保护管脚300和浮置电压源500共同产生的，同时，芯片通过电感消磁时间检测模块700检测电感消磁时间Tdem，然后比较电感消磁时间Tdem以及标准计时Tovp的大小。如果Tdem小于Tovp，则触发过压保护，反之则不触发。本发明的好处是，芯片内部产生的标准计时Tovp不再受芯片地和电流检测复用管脚的影响，从而可以实现高精度，可编程的输出过压保护。
在一个实施例中，如图2所示，标准计时模块600包括电压转电流电路610以及计时产生电路630。
电压转电流电路610与浮置电压源500连接，用于将浮置电压源500提供的参考电压转换为过压保护电流；计时产生电路630与电压转电流电路610相连，用于根据电压转电流电路610输出的过压保护电流对控制器内部电容充电产生计时。
芯片内部利用参考电源电压的浮置电压源500和外部电压保护管脚300外接电阻通过电压转电流(V-to-I,Voltage to Current)电路610来产生一个Iovp电流，然后通过Iovp电流对芯片内部电容充电产生计时。
在一个实施例中，如图3所示，电压转电流电路610包括运算放大器612、NMOS管614、第一PMOS管616以及第二PMOS管618。
运算放大器612同相输入端与浮置电压源500连接、反相输入端分别与过压保护管脚300以及NMOS管614的源极连接、输出端与NMOS管614的栅极连接，实现电压到电流的转换；
第一PMOS管616的漏极与NMOS管614的漏极连接、第一PMOS管616的栅极与第二PMOS管618的栅极连接并连接至所述NMOS管614的漏极、第一PMOS管616的源极与第二PMOS管618的源极连接并连接至电源电压，形成电流镜，电流镜用于通过第一PMOS管616将转换得到的电流镜像到第二PMOS管618，从而输出所述过压保护电流。
在一个实施例中，如图4所示，电压转电流电路610包括第三PMOS管613以及第四PMOS管615。
第三PMOS管613的漏极与过压保护管脚300连接、第三PMOS管613的栅极与第四PMOS管615的栅极连接并连接至过压保护管脚300、第三PMOS管613的源极与第四PMOS管615的源极连接并连接至电源管脚400，形成电流镜，所述电流镜用于通过第三PMOS管613产生电流并将电流镜像到第四PMOS管615，从而输出所述过压保护电流。
本实施例中，浮置电压源500和电流镜合二为一，也就是说第三PMOS管613既作为“浮置电流源”参与电压转换电流，同时又作为镜像电流源给第四PMOS管615提供电流控制，第四PMOS管615输出为过压保护电压Iovp。
如图5所示，在一个实施例中，恒流控制器10的过压保护管脚300外接第一电阻900到系统地以提供所述过压保护信号。通过外接电阻到系统地而不是到芯片地，可有效降低芯片地和电流检测管脚复用带来的影响。
如图6所示，为一个实施例中恒流电路原理图。该恒流电路包括恒流控制器10、二极管20、电感30、第一电容40、整流电路50以及第二电容60。
二极管20阳极与恒流控制器10的漏端管脚相连；电感30分别与二极管20阳极以及恒流控制器10的漏端管脚相连；第一电容40一端与二极管20阴极连接，另一端与电感30连接；整流电路50与二极管20阴极连接并通过第二电容60连接到地。
在一个实施例中，恒流控制器10的电源管脚外接第三电容到系统地以起到滤波作用，恒流控制器10的电流检测复用管脚外接第二电阻到地。
上述恒流电路及其恒流控制器，通过恒流控制器集成功率管和供电电路，根据过压保护管脚提供的过压保护信号和所述浮置电压源提供的参考电压共同生成标准计时，功率管检测电感消磁时间，当所述电感消磁时间小于所述标准计时时，触发过压保护。解决了传统方法中由于芯片电流检测脚和芯片地复用，导致标准计时很容易受到干扰，因为芯片复用管脚电压在功率管开通和关断时一直在变化，从而导致芯片的电源电压与复用管脚的电压差一直在变化，所以芯片内部干扰严重，从而导致过压保护容易受到干扰，因而导致输出过压保护不准或者实效的问题。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种恒流控制器，用于产生控制信号以控制包含电感的外围电路生成恒流信号，所述恒流控制器集成功率管和供电电路，包括自内部功率管的漏极引出并输出所述控制信号的漏端管脚、用于外接工作电源并连接内部供电电路的电源管脚、芯片地和电流检测复用管脚以及过压保护管脚，其特征在于，所述恒流控制器内部还包括：
浮置电压源，所述浮置电压源的正极与所述电源管脚连接；
标准计时模块，所述标准计时模块分别与所述浮置电压源负极以及所述过压保护管脚连接，用于根据过压保护管脚提供的过压保护信号和所述浮置电压源提供的参考电压共同生成标准计时；
电感消磁时间检测模块，用于通过功率管检测电感消磁时间；及
过压保护触发模块，所述过压保护触发模块分别与所述标准计时模块以及所述电感消磁时间检测模块连接，用于当所述电感消磁时间小于所述标准计时时，触发过压保护。
2.根据权利要求1所述的恒流控制器，其特征在于，所述标准计时模块包括：
电压转电流电路，所述电压转电流电路与所述浮置电压源连接，用于将所述浮置电压源提供的参考电压转换为过压保护电流；
计时产生电路，所述计时产生电路与所述电压转电流电路相连，用于根据所述电压转电流电路输出的过压保护电流对所述恒流控制器内部电容充电产生计时。
3.根据权利要求2所述的恒流控制器，其特征在于，所述电压转电流电路包括：运算放大器、NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管，
所述运算放大器同相输入端与所述浮置电压源连接、反相输入端分别与所述过压保护管脚和所述NMOS管的源极连接、输出端与所述NMOS管的栅极连接，实现电压到电流的转换；
所述第一PMOS管的漏极与所述NMOS管漏极连接、所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接并连接至所述NMOS管的漏极、所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极连接并连接至电源电压，形成电流镜，所述电流镜用于通过第一PMOS管将转换得到的电流镜像到所述第二PMOS管，从而输出所述过压保护电流。
4.根据权利要求2所述的恒流控制器，其特征在于，所述电压转电流电路包括：第三PMOS管以及第四PMOS管，
所述第三PMOS管的漏极与所述过压保护管脚连接、所述第三PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极连接并连接至所述过压保护管脚、所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的源极连接并连接至电源管脚，形成电流镜，所述电流镜用于通过所述第三PMOS管产生电流并将所述电流镜像到所述第四PMOS管，从而输出所述过压保护电流；
所述第三PMOS管既作为所述浮置电流源参与电压转换电流，同时又作为镜像电流源给所述第四PMOS管提供电流控制。
5.根据权利要求1或2所述的恒流控制器，其特征在于，所述过压保护管脚外接第一电阻到系统地以提供所述过压保护信号。
6.一种恒流电路，包括权利要求1～5任一项所述的恒流控制器，还包括：
二极管，所述二极管阳极与所述漏端管脚相连；
电感，所述电感一端分别与所述二极管的阳极和所述漏端管脚相连；
第一电容，所述第一电容一端与所述二极管阴极连接，另一端与所述电感的除了连接所述二极管阳极和所述漏端管脚的另外一端连接；
整流电路，所述整流电路的一输出端分别与所述二极管阴极、第二电容的一端连接，且所述第二电容的另一端连接到地。
7.根据权利要求6所述的恒流电路，其特征在于：所述电源管脚外接第三电容到系统地以起到滤波作用。
8.根据权利要求7所述的恒流电路，其特征在于：所述芯片地和电流检测复用管脚外接第二电阻到地。
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