CN106785877A - 一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法 - Google Patents

一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106785877A
CN106785877A CN201611136588.9A CN201611136588A CN106785877A CN 106785877 A CN106785877 A CN 106785877A CN 201611136588 A CN201611136588 A CN 201611136588A CN 106785877 A CN106785877 A CN 106785877A
Authority
CN
China
Prior art keywords
top layer
packing ratio
undoped
doped layer
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611136588.9A
Other languages
English (en)
Inventor
刘洋
陈露
唐晓军
王超
刘磊
梁兴波
赵鸿
王文涛
王钢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 11 Research Institute
Original Assignee
CETC 11 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 11 Research Institute filed Critical CETC 11 Research Institute
Priority to CN201611136588.9A priority Critical patent/CN106785877A/zh
Publication of CN106785877A publication Critical patent/CN106785877A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1685—Ceramics

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法。本发明的具有高填充比表层增益板条介质包括：复合区，及分别位于复合区左右两端的两个非掺杂区；复合区包括三层，由上到下依次为上掺杂层、非掺杂层及下掺杂层；非掺杂区及非掺杂层均由未掺杂激活离子的基质材料构成；上掺杂层和下掺杂层均由掺杂激活离子的基质材料构成。本发明通过合理设计板条激光介质的掺杂区域及切割角度，使得板条中增益区得到充分的利用，可以实现泵浦激光和振荡激光的有效分离，有效避免了双色镜对激光系统的影响。另外，本发明的高填充比表层增益板条介质具有极强的散热能力，有利于实现高效率、高功率、高光束质量激光输出。

Description

一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法
技术领域
本发明涉及全固态激光器领域，特别涉及一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法。
背景技术
全固态激光器的热效应主要由激光介质、激光二极管及其他光学元件产生，其中激光介质产生的热效应对激光器的影响最为明显。在全固态激光器中，输入激光介质的抽运能量只有部分能量成为激光输出，而其余部分的能量都被转换成为热损耗。产生热损耗的原因主要有以下三个方面：1)全固态激光器中泵浦能带的非辐射跃迁激光介质的泵浦能带与亚稳能级发生非辐射跃迁，将能量传递给激光介质；2)由于存在荧光量子效应和浓度淬灭效应，致使晶体内部产生损耗；3)激光介质吸收非匹配波长上的能量泵浦光与激光介质泵浦能带不相匹配的抽运光被介质吸收，转化为热能。激光介质一方面会吸收抽运能量，能量沉积导致发热，另一方面又因为不均匀冷却使热量发生流动，导致激光介质内部温度出现不均匀的分布，引起激光介质出现不均匀的膨胀，产生热应力，导致激光介质产生热致效应，对激光光束质量有严重的影响，限制激光输出的功率和光束质量。
1969年美国通用电器公司提出板条激光器的概念，他们使用面抽运的板条状几何结构，通过合理设计的“之”字形光路，消除一阶热聚焦、应力双折射和退偏效应，从而得到比棒状工作物质作为固体激光器更高的平均输出功率和更好的光束质量。这种激光器在工作时，温度梯度发生在板条厚度方向上(板条宽度方向上的两侧面被热绝缘)，而光在厚度方向的两侧面(即抽运面)上发生全内反射，呈锯齿形光路在两抽运面之间传播，光传播方向近似与温度梯度方向平行，利用激光介质的对称性和“之”字型光路消除一阶热效应，从而减小激光束的热透镜效应和热光畸变效应，因此得以输出更高的平均输出功率和更好的光束质量的激光。尽管如此，这种激光器在高功率抽运下，由于板条固体激光器工作介质宽、厚度比较大，仍然存在有一定的热透镜效应，在板条宽度方向的光束质量较差。
发明内容
为了减小热透镜效应，提高在板条宽度方向的光束质量，本发明提供了一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法。
本发明提供的具有高填充比表层增益板条介质，包括：复合区，及分别位于所述复合区左右两端的两个非掺杂区；所述复合区包括三层，由上到下依次为上掺杂层、非掺杂层及下掺杂层；
所述非掺杂区及所述非掺杂层均由未掺杂激活离子的基质材料构成；
所述上掺杂层和所述下掺杂层均由掺杂激活离子的基质材料构成，其中，在所述上掺杂层中和在所述下掺杂层中所述掺杂激活离子具有均一的掺杂浓度。
本发明提供了一种具有高填充比表层增益板条介质的制备方法，当所述基质材料为激光晶体时，包括以下步骤：
将掺杂单晶板进行切割和抛光，分别得到上掺杂层和下掺杂层，其中，所述掺杂单晶板为掺杂有激活离子的激光晶体；
选择第一非掺杂单晶板，将所述上掺杂层的水平面与所述第一非掺杂单晶板的水平面进行键合；
将所述第一非掺杂单晶板非键合的水平面进行减薄后精抛光，并与所述下掺杂层的水平面进行键合，得到复合区，将复合区的左右两端进行抛光；
选择两个第二非掺杂单晶板，将两个所述第二非掺杂单晶板分别与所述复合区的左右两端进行端面键合，并进行抛光和切割。
本发明还提供了一种具有高填充比表层增益板条介质的制备方法，当所述基质材料为激光陶瓷时，包括以下步骤：
选择若干个非掺杂陶瓷坯料、及若干个掺杂陶瓷坯料；
将若干个所述非掺杂陶瓷坯料和掺杂陶瓷坯料按照上述的具有高填充比表层增益板条介质的结构压合在一起，进行烧结成型后，切割、减薄和精抛光。
本发明的有益效果如下：
本发明实施例设计了一种具有高填充比表层增益板条介质，包括复合区，及分别位于所述复合区左右两端的两个非掺杂区；所述复合区包括三层，由上到下依次为上掺杂层、非掺杂层及下掺杂层，掺杂层集中在板条激光增益介质的表面，这种增益板条介质不仅使得板条中增益区得到充分的利用，而且可以实现泵浦激光和振荡激光的有效分离，有效避免了双色镜对激光系统的影响。另外，本发明的高填充比表层增益板条介质具有极强的散热能力，有利于实现高效率、高功率、高光束质量激光输出。本发明实施例提供的具有高填充比表层增益板条介质的填充比可以达到98％以上，甚至可以达到100％。
附图说明
图1是本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质的纵剖图；
图2是本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质的激光光路示意图；
图3是本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质的泵浦激光和振荡激光光路分离示意图；
图4是本发明方法实施例一种具有高填充比表层增益板条介质制备方法的流程图；
图5是本发明方法实施例另一种具有高填充比表层增益板条介质制备方法的流程图；
其中：1、上掺杂层；2、非掺杂层；3、下掺杂层；4、非掺杂区。
具体实施方式
为了减小热透镜效应，提高在板条宽度方向的光束质量，本发明提供了一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法，以下结合附图以及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不限定本发明。
根据本发明的装置实施例，提供了一种具有高填充比表层增益板条介质，图1是本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质的纵剖图；如图1所示，根据本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质，包括：复合区，及分别位于所述复合区左右两端的两个非掺杂区；所述复合区包括三层，由上到下依次为上掺杂层、非掺杂层及下掺杂层；
所述非掺杂区及所述非掺杂层均由未掺杂激活离子的基质材料构成；
所述上掺杂层和所述下掺杂层均由掺杂激活离子的基质材料构成，其中，在所述上掺杂层中和在所述下掺杂层中所述掺杂激活离子具有均一的掺杂浓度。
具体地，所述具有高填充比表层增益板条介质为块状结构；所述具有高填充比表层增益板条介质中的所述复合区为立方体结构；其中，所述块状结构的纵剖面为平行四边形。
更加具体的，所述平行四边形中的锐角为布儒斯特角的余角(图1中的θ)，即所述具有高填充比表层增益板条介质的端头采用布儒斯特角切割。
具体的，所述上掺杂层和所述下掺杂层的厚度均小于等于1mm。所述非掺杂层的厚度为大于等于3mm，优选为3～5mm。
具体的，所述基质材料选取激光晶体、激光玻璃或激光陶瓷中的一种。所述激活离子选取Nd3+、Er3+、Yb3+、Tm2+中的任意一种，优选为Nd3+，可以根据设计的需要掺杂各种浓度。
本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质，可以采用传导冷却技术进行冷却，也可以采用冷却液直接冷却，较厚的板条结构在冷却液直接冲刷时不易因震动而变形。
本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质，泵浦耦合设计优先采用端面泵浦，也可以采用侧面泵浦或大面泵浦。
本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质，该种结构板条掺杂区的掺杂浓度依据所设计板条的长度，掺杂区厚度，以及所需的吸收效率确定。
本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质，可以用在谐振腔中，连续运转，脉冲运转，调Q运转；也可以作为放大器使用，采用行波放大、再生放大以及多程放大各种工作方式放大各种运转方式的激光束。
本发明装置实施例的多种掺杂浓度区的复合结构板条激光增益介质按照上述尺寸加工成型后配合适当的泵浦耦合技术、冷却技术、谐振腔技术可以实现大于1KW的激光输出。
图2是本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质的激光光路示意图；图3是本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质的泵浦激光和振荡激光光路分离示意图。由图2和图3可以看出，本发明装置实施例的具有高填充比表层增益板条介质，针对表层增益板条介质的结构特点，通过合理设计板条激光介质的掺杂区域及切割角度，使得板条中增益区得到充分的利用。同时本发明的高填充比表层增益板条介质结构可以实现泵浦激光和振荡激光的有效分离，有效避免了双色镜对激光系统的影响。另外，本发明的高填充比表层增益板条介质具有极强的散热能力，有利于实现高效率、高功率、高光束质量激光输出。本发明实施例提供的具有高填充比表层增益板条介质的填充比可以达到98％以上，甚至可以达到100％。
本发明的多种掺杂浓度区的复合结构板条激光增益介质可以采用晶体的扩散键合、陶瓷的烧结、玻璃的熔接或薄膜的外延生长等方式来实现。
当所述基质材料为激光晶体时，根据本发明的方法实施例，提供了一种具有高填充比表层增益板条介质的制备方法，图4是本发明方法实施例一种具有高填充比表层增益板条介质制备方法的流程图，如图4所示，根据本发明方法实施例具有高填充比表层增益板条介质的制备方法包括如下处理：
步骤401，将掺杂单晶板进行切割和抛光，分别得到上掺杂层和下掺杂层，其中，所述掺杂单晶板为掺杂有激活离子的激光晶体；
步骤402，选择第一非掺杂单晶板，将所述上掺杂层的水平面与所述第一非掺杂单晶板的水平面进行键合；
步骤403，将所述第一非掺杂单晶板非键合的水平面进行减薄后精抛光，并与所述下掺杂层的水平面进行键合，得到复合区，将复合区的左右两端进行抛光；
步骤404，选择两个第二非掺杂单晶板，将两个所述第二非掺杂单晶板分别与所述复合区的左右两端进行端面键合，并进行抛光和切割。
其中，所述第一非掺杂单晶板和所述第二非掺杂单晶板为未掺杂激活离子的激光晶体。
具体的，当所述基质材料为激光晶体时，一种具有高填充比表层增益板条介质的制备方法包括以下步骤：
首先选择厚度适宜精抛光的YAG单晶板一块以及Nd：YAG单晶板(Nd掺杂0.8at％)两块，按照标准的扩散键合工艺，将YAG单晶板与一块Nd：YAG单晶板大面键合在一起，而后将其中的YAG单晶部分剪薄，直至所需厚度，精抛光。然后再将另一块Nd：YAG单晶板与上述键合的YAG—Nd：YAG单晶板大面键合在一起，形成Nd：YAG—YAG—Nd：YAG结构的掺杂板条。然后选择厚度适宜精抛光的YAG单晶板两块，分别和上述的Nd：YAG—YAG—Nd：YAG结构的Nd：YAG单晶板的两端进行端面键合，最后将此Nd：YAG单晶板两面的YAG—Nd：YAG—YAG单晶部分剪薄至所需厚度，精抛光，切割端头为布儒斯特角以及所需的板条长度，精抛光。
当所述基质材料为激光陶瓷时，根据本发明的方法实施例，提供了一种具有高填充比表层增益板条介质的制备方法，图5是本发明方法实施例另一种具有高填充比表层增益板条介质制备方法的流程图，如图5所示，根据本发明方法实施例的具有高填充比表层增益板条介质的制备方法包括如下处理：
步骤501，选择若干个非掺杂陶瓷坯料、及若干个掺杂陶瓷坯料；
步骤502，将若干个所述非掺杂陶瓷坯料和掺杂陶瓷坯料按照上述的具有高填充比表层增益板条介质的结构压合在一起，进行烧结成型后，切割、减薄和精抛光。
具体的，当所述基质材料为激光陶瓷时，一种具有高填充比表层增益板条介质的制备方法包括以下步骤：
采用陶瓷烧结工艺实现高填充比表层增益板条介质的步骤是首先制备尺寸符合要求的YAG陶瓷坯料三块以及Nd：YAG陶瓷坯料(Nd掺杂0.8at％)两块，五块坯料按照如图1所示设计结构依次排列后直接压合在一起，然后按照激光陶瓷烧结工艺对坯料进行烧结，成型后剪薄Nd：YAG陶瓷的大面部分至所需厚度，精抛光，切割端头为布儒斯特角以及所需的板条长度，精抛光。
为了更加详细的说明本发明实施例，给出实例1～实例3。
实例1
以Nd：YAG材料为例，实现高填充比表层增益板条介质的步骤为：采用单晶扩散键合的方法，首先将一块精抛光的尺寸为96mm×26mm×1.2mm的Nd掺杂0.8at％的Nd：YAG单晶板和一块精抛光的尺寸为96mm×26mm×3.5mm的无掺杂YAG单晶板进行96mm×26mm大面键合，获得YAG—Nd：YAG结构掺杂Nd：YAG单晶板1，对Nd：YAG单晶板1的无掺杂YAG单晶部分剪薄至3mm，精抛光。然后再将另一块精抛光的尺寸为96mm×26mm×1.2mm的Nd掺杂0.8at％的Nd：YAG单晶板和Nd：YAG单晶板1的无掺杂YAG单晶面进行96mm×26mm大面键合，获得Nd：YAG—YAG—Nd：YAG结构的Nd：YAG单晶板2。将Nd：YAG单晶板2的两端精抛光后分别和两块精抛光的尺寸为22mm×26mm×5.4mm无掺杂YAG单晶板进行26mm×5.4mm端面键合，最后形成大面中间位置有掺杂的Nd：YAG单晶板3。最后将Nd：YAG单晶板3两大面的YAG—Nd：YAG—YAG单晶部分剪薄至0.8mm，精抛光，切割端头为布儒斯特角及所需的板条长度，精抛光。获得最后的Nd：YAG单晶板尺寸为136mm×26mm×4.6mm。
实例2
采用陶瓷烧结工艺实现高填充比表层增益板条介质的步骤是，首先制备尺寸为22mm×26mm×5.4mm的YAG陶瓷坯料两块、96mm×26mm×3mm的YAG陶瓷坯料一块，96mm×26mm×1.2mm的Nd掺杂1.2at％的Nd：YAG陶瓷坯料两块，五块坯料按照图1所示的顺序排列组合后直接压合在一起，然后按照激光陶瓷烧结工艺对坯料进行烧结，成型后剪薄两面YAG—Nd：YAG—YAG陶瓷部分至0.8mm，精抛光，切割端头为布儒斯特角及所需的板条长度，精抛光。最后的Nd：YAG陶瓷尺寸为136mm×26mm×4.6mm。
本发明创新设计的高填充比表层增益板条介质，针对表层增益板条介质的结构特点，通过合理设计板条激光介质的掺杂区域及切割角度，使得板条中增益区得到充分的利用。同时本发明的高填充比表层增益板条介质结构可以实现泵浦激光和振荡激光的有效分离，有效避免了双色镜对激光系统的影响。另外，本发明的高填充比表层增益板条介质具有极强的散热能力，有利于实现高效率、高功率、高光束质量激光输出。
除特殊说明外，本申请中涉及到的名词作如下解释：
Nd：钕
Yb：镱
Er：铒
Tm：铥
YAG：钇铝石榴石
Nd：YAG：掺钕钇铝石榴石
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种具有高填充比表层增益板条介质，其特征在于，包括：复合区，及分别位于所述复合区左右两端的两个非掺杂区；所述复合区包括三层，由上到下依次为上掺杂层、非掺杂层及下掺杂层；
所述非掺杂区及所述非掺杂层均由未掺杂激活离子的基质材料构成；
所述上掺杂层和所述下掺杂层均由掺杂激活离子的基质材料构成，其中，在所述上掺杂层中和在所述下掺杂层中所述掺杂激活离子具有均一的掺杂浓度。
2.如权利要求1所述的具有高填充比表层增益板条介质，其特征在于，所述具有高填充比表层增益板条介质为块状结构；所述具有高填充比表层增益板条介质中的所述复合区为立方体结构；其中，所述块状结构的纵剖面为平行四边形。
3.如权利要求2所述的具有高填充比表层增益板条介质，其特征在于
所述平行四边形的锐角为布儒斯特角的余角。
4.如权利要求1所述的具有高填充比表层增益板条介质，其特征在于，
所述上掺杂层和所述下掺杂层中基质材料、激活离子、激活离子的掺杂浓度均相同。
5.如权利要求1～4任一项所述的具有高填充比表层增益板条介质，其特征在于，所述上掺杂层和所述下掺杂层的厚度均小于等于1mm。
6.如权利要求1～4任一项所述的具有高填充比表层增益板条介质，其特征在于，所述非掺杂层的厚度大于等于3mm。
7.如权利要求1～4任一项所述的具有高填充比表层增益板条介质，其特征在于，所述未掺杂激活离子的基质材料选取激光晶体、激光玻璃或激光陶瓷中的一种。
8.如权利要求1～4任一项所述的具有高填充比表层增益板条介质，其特征在于，所述掺杂激活离子选取Nd3+、Er3+、Yb3+、Tm2+中的任意一种。
9.一种权利要求1～8任一项所述的具有高填充比表层增益板条介质的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将掺杂单晶板进行切割和抛光，分别得到上掺杂层和下掺杂层，其中，所述掺杂单晶板为掺杂有激活离子的激光晶体；
选择第一非掺杂单晶板，将所述上掺杂层的水平面与所述第一非掺杂单晶板的水平面进行键合；
将所述第一非掺杂单晶板非键合的水平面进行减薄后精抛光，并与所述下掺杂层的水平面进行键合，得到复合区，将复合区的左右两端进行抛光；
选择两个第二非掺杂单晶板，将两个所述第二非掺杂单晶板分别与所述复合区的左右两端进行端面键合，并进行抛光和切割；
其中，所述第一非掺杂单晶板和所述第二非掺杂单晶板为未掺杂激活离子的激光晶体。
10.一种权利要求1～8任一项所述的具有高填充比表层增益板条介质的制备方法，其特征在于，当所述基质材料为激光陶瓷时，包括以下步骤：
选择若干个非掺杂陶瓷坯料、及若干个掺杂陶瓷坯料；
将若干个所述非掺杂陶瓷坯料和掺杂陶瓷坯料按照权利要求1～8任一项所述的具有高填充比表层增益板条介质的结构压合在一起，进行烧结成型后，切割、减薄和精抛光。
CN201611136588.9A 2016-12-12 2016-12-12 一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法 Pending CN106785877A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611136588.9A CN106785877A (zh) 2016-12-12 2016-12-12 一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611136588.9A CN106785877A (zh) 2016-12-12 2016-12-12 一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106785877A true CN106785877A (zh) 2017-05-31

Family

ID=58875627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611136588.9A Pending CN106785877A (zh) 2016-12-12 2016-12-12 一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106785877A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107749559A (zh) * 2017-10-30 2018-03-02 中国电子科技集团公司第十研究所 一种泵浦耦合装置及其制造方法
CN109280972A (zh) * 2018-10-08 2019-01-29 安徽环巢光电科技有限公司 三层结构的环形波导激光晶体的制备方法
CN111129919A (zh) * 2019-12-17 2020-05-08 中国科学院理化技术研究所 一种高功率固体激光增益模块、激光振荡器和激光放大器
CN112436370A (zh) * 2021-01-27 2021-03-02 四川光天下激光科技有限公司 一种端泵板条激光放大器
CN114094428A (zh) * 2021-10-11 2022-02-25 中国电子科技集团公司第十一研究所 板条耦合激光器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101242071A (zh) * 2008-02-22 2008-08-13 中国电子科技集团公司第十一研究所 三明治结构增益介质板条及其制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101242071A (zh) * 2008-02-22 2008-08-13 中国电子科技集团公司第十一研究所 三明治结构增益介质板条及其制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107749559A (zh) * 2017-10-30 2018-03-02 中国电子科技集团公司第十研究所 一种泵浦耦合装置及其制造方法
CN109280972A (zh) * 2018-10-08 2019-01-29 安徽环巢光电科技有限公司 三层结构的环形波导激光晶体的制备方法
CN111129919A (zh) * 2019-12-17 2020-05-08 中国科学院理化技术研究所 一种高功率固体激光增益模块、激光振荡器和激光放大器
CN112436370A (zh) * 2021-01-27 2021-03-02 四川光天下激光科技有限公司 一种端泵板条激光放大器
CN114094428A (zh) * 2021-10-11 2022-02-25 中国电子科技集团公司第十一研究所 板条耦合激光器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106785877A (zh) 一种具有高填充比表层增益板条介质及其制备方法
CN101242071B (zh) 三明治结构增益介质板条及其制备方法
EP1867012B1 (en) Side-pumped tube solid-state laser
EP1354377B1 (en) Side-pumped active mirror solid-state laser
JP3803262B2 (ja) 光増幅器
JP3318540B2 (ja) 端部ポンピングが行われるジグザグスラブレーザーゲイン媒体
US7085304B2 (en) Diode-pumped solid state disk laser and method for producing uniform laser gain
US20020110164A1 (en) High-average power active mirror solid-state laser with multiple subapertures
WO2004045034A1 (en) Diode-pumped solid-state thin slab laser
CN110086070B (zh) 一种高泵浦吸收、高功率输出的新型薄片激光器结构
CN100364188C (zh) 侧面泵浦薄片激光器及其制备方法
AU730093B2 (en) Thermally improved slab laser pump cavity apparatus with integral concentrator
CN105655864A (zh) 稀土离子掺杂钇铝石榴石的三明治陶瓷单晶复合结构激光材料及其制备方法
CN103650261A (zh) 用于被低温冷却的激光放大器的方法和系统
CN107056272A (zh) 一种板条激光陶瓷的制备方法及板条激光陶瓷
CN106410596A (zh) 一种板条激光增益介质及其制备方法
EP1265323B1 (en) Solid-state laser using Ytterbium-YAG composite medium
CN113078534B (zh) 一种基于复合结构增益介质的腔内级联泵浦激光器
EP1391016B1 (en) System and method for pumping a slab laser
CN117856018A (zh) 一种基于梯度掺杂激光陶瓷的单块非平面环形腔激光器
CN105375253B (zh) 一种高效率多空间角度双z型板条结构激光放大装置
CN107508121A (zh) 一种激光增益介质和装置
Taira et al. High-power edge pumped Yb: YAG single crystal/YAG ceramics hybrid microchip laser
CN114725763A (zh) 复合晶体、高功率双端泵浦装置
Lu et al. Highly efficient lasers using polycrystalline Nd: YAG ceramics

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170531

RJ01 Rejection of invention patent application after publication