CN106784048A - 一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池 - Google Patents
一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106784048A CN106784048A CN201611256324.7A CN201611256324A CN106784048A CN 106784048 A CN106784048 A CN 106784048A CN 201611256324 A CN201611256324 A CN 201611256324A CN 106784048 A CN106784048 A CN 106784048A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- slurry
- doping
- deposition
- conductive layer
- backside
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 127
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 127
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 130
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 109
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000011267 electrode slurry Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 24
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 15
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 15
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 14
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 claims description 4
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007613 slurry method Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 4
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 10
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 10
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池，所述方法包括以下步骤：在晶体硅片背面沉积钝化层、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃。本发明通过对导电层浆料进行低温固化制备局部掺杂晶体硅太阳能电池，可有效避免高温下经过掺杂的硅和背面金属电极浆料的剧烈反应，进而使大部分第三主族元素或第五主族元素留在硅中，显著增加电池背表面场强度，减少局部区域复合速率，进而大幅度提高开路电压和填充因子，最终大幅度提升电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池领域，涉及一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池，尤其涉及一种通过对导电层浆料进行低温固化制备局部掺杂晶体硅太阳能电池的方法及所述方法制备得到局部掺杂晶体硅太阳能电池。
背景技术
随着科技的发展，出现了局部背接触背钝化(PERC)太阳能电池，这是新开发出来的一种高效太阳能电池，得到了业界的广泛关注。其核心是在硅片的背光面用氧化铝或者氧化硅薄膜(5～100纳米)覆盖，以起到钝化表面，提高长波响应的作用，从而提升电池的转换效率。
现有的PERC太阳能电池结构主要包括具有PN结的硅片层，以及依次设于硅片层背面的钝化层、氮化硅薄膜层和铝金属层，如CN 104882498A、CN 106057920A和CN105470349A中均公开了一种PERC太阳能电池。所述PERC太阳能电池的制备方法主要包括如下步骤：制绒、扩散、背抛光、刻蚀和去杂质玻璃、背面沉积钝化层(如氧化铝、氧化硅薄膜或氮化硅)、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝网印刷背面银浆料、丝网印刷背面铝浆料、丝网印刷正面银浆料和烧结，通过所述方法制得的太阳能电池。
通过铝原子在硅中的替位掺杂，在硅片背部局部形成了P/P+的结构，但由于铝原子在硅中固溶度限制，P+浓度峰值仅能达到3×1018cm-3，其限制了太阳能电池的电池转换效率。
为了得到更高的电池转换效率，新南威尔士州立大学提出了PERL结构，其特点是用在硅中有高固溶度的硼原子替代铝形成掺杂，其掺杂浓度可以达到1×1019cm-3～5×1019cm-3。由于P+浓度提高，局部有更强的背表面场钝化，可得到更高的开路电压和填充因子。
CN 103996746A和CN 104638033A均公开了一种PERL太阳能电池及其制备方法，在高温或激光处理过程中硼向硅片内部扩散，在钝化膜的开口处形成P+区，由于P+区硼浓度远高于P型硅片的硼浓度，产生化学位差，形成局部硼背场，进而提升太阳能电池的电池转换效率。
现有制备PERL的工艺流程是：制绒、扩散、背刻蚀、背部掩膜、局部开口、硼扩散、去掩膜、背面沉积钝化层、正面沉积氮化硅减反射层、丝网印刷硼浆、背面激光同时完成开膜与掺硼、丝网印刷背面银浆料、丝网印刷背面铝浆料、丝网印刷正面银浆料和烧结。
然而，现有制备PERL的方法存在如下缺点：现有制备PERL的工艺中激光开口并完成掺杂硼，其深度只有6μm～8μm；而铝浆烧结时，由于硅和铝的剧烈反应，铝进入硅的深度多达20μm，远远深于硼掺杂的深度。因此，大部分硼被稀释留在了硅铝合金中，少量留在硅中，硼含量只有1018cm-3，形成的硼铝背场强度只比PERC略有增加，效率提升一般在0.1％以内，其同样无法有效提高太阳能电池的电池转换效率。
发明内容
针对现有PERC太阳能电池存在的掺杂浓度低导致的太阳能电池的电池性能无法进一步提升的问题，以及现有PERL太阳能电池的制备工艺繁琐，成本高，不利于工业化生产等问题，本发明提供了一种通过对导电层浆料进行低温固化制备局部掺杂晶体硅太阳能电池的方法及所述方法制备得到局部掺杂晶体硅太阳能电池。本发明通过对导电层浆料进行低温固化制备局部掺杂晶体硅太阳能电池，可有效避免高温下经过掺杂的硅和背面金属电极浆料的剧烈反应，进而使大部分第三主族元素或第五主族元素留在硅中，显著增加电池背表面场强度，减少局部区域复合速率，进而大幅度提高开路电压和填充因子，最终大幅度提升电池的转换效率。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下步骤：
在晶体硅片背面沉积钝化层、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
或，在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃，例如100℃、130℃、150℃、170℃、200℃、230℃、250℃、270℃、300℃、330℃、350℃、370℃或400℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
第二方面，本发明提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下步骤：
在晶体硅片背面沉积钝化层、背面沉积掺杂浆料、背面开口的同时进行背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
或，
在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面沉积掺杂浆料、背面开口的同时进行背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃，例如100℃、130℃、150℃、170℃、200℃、230℃、250℃、270℃、300℃、330℃、350℃、370℃或400℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明所述方法先完成与硅片掺杂同导电类型掺杂浆料的掺杂和烧结电极浆料，最后进行导电层浆料低温固化，以固化后的导电层浆料作为与局部高掺杂元素实现金属接触的金属浆料，这样避免了高温下经过掺杂的硅和导电层浆料的剧烈反应，导电层浆料进入硅的深度不超过2μm，远远低于掺杂的深度，可使大部分掺杂元素留在硅中。
本发明中，导电层浆料固化的温度需在低温条件下进行，若温度过高，会使硅和电极浆料在高温下剧烈反应，使铝进入硅的深度多达20μm，远远深于掺杂元素掺杂的深度，进而影响太阳能电池的电池转换效率。
以下作为本发明优选的技术方案，但不作为本发明提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好的达到和实现本发明的技术目的和有益效果。
作为本发明优选的技术方案，所述背面开口的方式为激光开口或腐蚀开口。
优选地，所述腐蚀开口为溶液和/或浆料腐蚀开口。
优选地，所述背面掺杂的掺杂方法为激光诱导、热推进或离子注入中任意一种或至少两种的组合。
作为本发明优选的技术方案，所述背面开口的同时进行背面掺杂的方法为：使用激光在钝化层上形成开口，同时进行激光掺杂。
作为本发明优选的技术方案，所述晶体硅片在背面沉积钝化层前进行预处理。
优选地，所述预处理依次包括制绒、扩散、背刻蚀、去杂质玻璃处理和正面沉积减反射层。
优选地，所述晶体硅片为P型硅片或N型硅片。
优选地，所述正面沉积减反射层中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合。
优选地，所述减反射层为氮化硅减反射层。
本发明所述预处理为制备晶体硅太阳能电池中的常规操作，典型但非限制性的，制绒的操作可采用干法刻蚀或者湿法刻蚀，以在硅片表面形成纳米级绒面，减少光反射；扩散操作可采用旋涂法，在晶体硅片的正面进行扩散形成磷硅玻璃或硼硅玻璃，以形成PN结；背刻蚀处理可采用硝酸、氢氟酸混合溶液，去除晶体硅片背面和边缘的寄生PN结；去除杂质玻璃可采用湿法刻蚀去除表面磷硅玻璃或硼硅玻璃。由于，上述预处理过程均为本领域的常规操作，故具体操作步骤以及参数此处不再赘述。
优选地，所述背面沉积钝化层中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合。
优选地，所述背面沉积钝化层中的钝化层为氧化铝、氮化硅或氧化硅薄膜中任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：氧化铝和氮化硅的组合，氮化硅和氧化硅薄膜的组合，氧化铝和氧化硅薄膜的组合，氧化铝、氮化硅和氧化硅薄膜的组合等。
作为本发明优选的技术方案，所述沉积掺杂浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷。
优选地，所述背面沉积掺杂浆料中掺杂浆料为与硅片掺杂同导电类型掺杂浆料。
优选地，当所述晶体硅片为N型硅片时，沉积掺杂浆料为第五主族任一元素或至少两种元素，所述元素组合典型但非限制性实例有：氮元素和磷元素的组合，磷元素和砷元素的组合，氮元素和砷元素的组合，磷元素和碲元素的组合等，优选为磷浆料。
优选地，当所述晶体硅片为P型硅片时，沉积掺杂浆料为第三主族任一元素或者至少两种元素，所述元素组合典型但限制性实例有：硼元素和铝元素的组合，铝元素和镓元素的组合，硼元素和铟元素的组合等，优选为硼浆料。
作为本发明优选的技术方案，所述沉积电极浆料包括正面沉积金属浆料和背面沉积金属浆料，
或，
所述沉积电极浆料包括背面沉积金属浆料和正面沉积金属浆料。
优选地，所述沉积电极电极浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷。
优选地，所述沉积电极电极浆料中的金属电极浆料为银浆料。
作为本发明优选的技术方案，所述背面沉积导电层浆料的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷。
优选地，所述背面沉积导电层浆料所用的浆料为铝浆料。
作为本发明优选的技术方案，所述导电层浆料固化的固化方式为热烘干或红外线烤干。
优选地，所述红外线烤干的红外辐射波长范围为950nm～4500nm，例如950nm、1000nm、1500nm、2000nm、2500nm、3000nm、3500nm、4000nm或4500nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为1000nm～3000nm。
优选地，所述红外线烤干的辐射功率为3000W/m2～9000W/m2，例如3000W/m2、3500W/m2、4000W/m2、4500W/m2、5000W/m2、5500W/m2、6000W/m2、6500W/m2、7000W/m2、7500W/m2、8000W/m2、8500W/m2或9000W/m2等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为4000W/m2～9000W/m2。
优选地，所述红外线烤干的的处理时间为5min～20min，例如5min、7min、9min、10min、13min、15min、17min、19min或20min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，红外线烤干的辐射波长范围和辐射功率也是影响电池效率的关键因素之一，所述红外辐射波长过低，会使导电层浆料的固化不彻底，降低电池转换效率；波长过高，会使导电层浆料固化后与硅片的粘附力降低，减少电池的使用寿命。同时，若红外辐射的功率过低，会使导电层浆料的固化不彻底，降低电池转换效率；功率过高，会使导电层浆料固化后与硅片的粘附力降低，减少电池的使用寿命。
优选地，所述热烘干的温度范围为100℃～400℃，例如100℃、130℃、150℃、170℃、200℃、230℃、250℃、270℃、300℃、330℃、350℃、370℃或400℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为200℃～300℃。
优选地，所述热烘干的处理时间为5min～20min，例如5min、7min、9min、10min、13min、15min、17min、19min或20min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
第三方面，本发明提供了上述任意一种方法制备方法制备得到的局部掺杂晶体硅太阳能电池，所述电池包括晶体硅片层以及依次设于晶体硅片层背面的钝化层和导电层，所述钝化层上具有多个开口，所述开口内部填充导电层，所述晶体硅片层中沿开口向晶体硅片层里掺杂形成合金层和第一掺杂背场。
作为本发明优选的技术方案，所述晶体硅片层为P型硅片层或N型硅片层。
优选地，当晶体硅片层为P型硅片层时，所述电池在合金层和第一掺杂背场之间还包括形成的第二掺杂背场。
优选地，所述第二掺杂背场为铝元素掺杂形成的背场。
优选地，所述第一掺杂背场为与硅片掺杂同导电类型的掺杂浆料掺杂形成的背场，优选为磷背场或硼背场。
优选地，所述第一掺杂背场中与硅片掺杂同导电类型的掺杂浆料中掺杂元素的掺杂浓度为6×1019cm-3～9×1020cm-3，例如6×1019cm-3、8×1019cm-3、1×1020cm-3、1.5×1020cm-3、2×1020cm-3、2.5×1020cm-3、3×1020cm-3、3.5×1020cm-3、4×1020cm-3、4.5×1020cm-3、5×1020cm-3、5.5×1020cm-3、6×1020cm-3、6.5×1020cm-3、7×1020cm-3、8×1020cm-3或9×1020cm-3等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明通过对导电层浆料进行低温固化背制备局部掺杂晶体硅太阳能电池，可有效避高温下经过掺杂的硅和背面导电层浆料的剧烈反应，进而使大部分第三主族或第五主族元素留在硅中，使背场中第三主族或第五主族元素的局部掺杂浓度峰值由现有PERC太阳能电池中的3×1018cm-3提高至6×1019cm-3～9×1020cm-3，可显著增加电池背表面场强度，减少局部区域复合速率，进而大幅度提高开路电压和填充因子，最终大幅度提升电池的转换效率。
同时，本发明所述的局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法较现有PERL太阳能电池更为简单，成本更低，与产业现有设备兼容性更高，有利于工业化生产。
附图说明
图1本发明实施例1中所述局部掺杂晶体硅太阳能电池结构的背面俯视图；
图2是本发明实施例1中所述局部掺杂晶体硅太阳能电池结构的背面俯视图中A部分的局部放大俯视图；
图3是本发明实施例1中所述局部掺杂晶体硅太阳能电池结构的背面俯视图中A部分的局部放大俯视图中沿a-a’截面的侧视图；
其中，1-晶体硅片层，2-钝化层，3-导电层，4-硅铝合金，5-铝背场，6-硼背场，7-制绒面扩散层，8-制绒面减反射层，9-制绒面银电极，10-背银电极。
具体实施方式
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，下面对本发明进一步详细说明。但下述的实施例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明保护范围以权利要求书为准。
本发明具体实施例部分提供了两种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，
其一，所述方法包括以下步骤：
在晶体硅片背面沉积钝化层、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
或，在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃。
其二，所述方法包括以下步骤：
在晶体硅片背面沉积钝化层、背面沉积掺杂浆料、背面开口的同时进行背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
或，
在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面沉积掺杂浆料、背面开口的同时进行背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃。
本发明具体实施例还提供了上述局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法制备得到的局部掺杂晶体硅太阳能电池，所述电池包括晶体硅片层1以及依次设于晶体硅片层1背面的钝化层2和导电层3，所述钝化层2上具有多个开口，所述开口内部填充导电层，所述晶体硅片层1中沿开口向晶体硅片层里掺杂形成合金层4和第一掺杂背场6。
以下为本发明典型但非限制性实施例：
实施例1：
本实施例提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下步骤：
在P型晶体硅片背面沉积钝化层、背面开口、背面沉积硼浆料、背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
其中，导电层浆料为铝浆料，导电层浆料固化的温度为200℃，电极浆料为银浆料；
所述导电层浆料固化采用红外线烤干，其红外辐射固化的红外辐射波长为1450nm，辐射功率为4000W/m2，处理时间为5min。
所述方法制得的局部掺杂晶体硅太阳能电池，如图1-3所示，包括P型晶体硅片层1以及依次设于晶体硅片层1背面的钝化层2和导电层3，所述钝化层2上具有多个开口，所述开口内部填充导电层，所述晶体硅片层1中沿开口向晶体硅片层里依次掺杂形成硅铝合金4、铝背场5和硼背场6。
所述晶体硅片层1正面依次设有制绒面扩散层7、制绒面减反射层8和制绒面银电极9；所述晶体硅片层1背面分布设置背银电极10。
实施例2：
本实施例提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下步骤：
在P型晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面开口、背面沉积硼浆料、背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
其中，导电层浆料为铝浆料，电极浆料为银浆料，导电层浆料固化的温度为300℃，所述导电层浆料固化采用红外线烤干，其红外辐射固化的红外辐射波长为1450nm，辐射功率为6000W/m2，处理时间为8min。
所述方法制得的局部掺杂晶体硅太阳能电池的结构与实施例1中相同。
实施例3：
本实施例提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下步骤：
在P型晶体硅片背面沉积钝化层、背面沉积硼浆料、背面开口的同时进行背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
其中，导电层浆料为铝浆料，导电层浆料固化的温度为400℃，电极浆料为银浆料；
所述导电层浆料固化采用红外线烤干，其红外辐射固化的红外辐射波长范围为3000nm，辐射功率为6000W/m2，处理时间为10min。
所述方法制得的局部掺杂晶体硅太阳能电池的结构与实施例1中相同。
实施例4
本实施例提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下步骤：
在N型晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面沉积磷浆料、背面开口的同时进行背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
其中，导电层浆料为铝浆料，电极浆料为银浆料，导电层浆料固化的温度为200℃；
所述导电层浆料固化的固化方式为热烘干，所述热烘干的处理时间为5min。
所述方法制得的局部掺杂晶体硅太阳能电池，包括N型晶体硅片层1以及依次设于晶体硅片层1背面的钝化层2和导电层3，所述钝化层2上具有多个开口，所述开口内部填充导电层，所述晶体硅片层1中沿开口向晶体硅片层里依次掺杂形成硅铝合金4和磷背场6。
所述晶体硅片层1正面依次设有制绒面扩散层7、制绒面减反射层8和制绒面银电极9；所述晶体硅片层1背面分布设置背银电极10。
对比例1：
本对比例提供了一种PERC太阳能电池的制备方法，其制备方法为：将晶体硅片依次进行制绒、扩散、背刻蚀、去杂质玻璃处理、正面化学气相沉积减反射层、背面化学气相沉积钝化层、背面局部开口、背面沉积银浆料、背面沉积铝浆料、正面沉积银浆料和烧结处理，得到PERC太阳能电池。对比例2：
本对比例提供了一种PERL太阳能电池的制备方法，所述制备方法为：制绒、扩散、背刻蚀、背面沉积钝化层(如氧化铝、氧化硅薄膜或氮化硅)、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝网印刷正面金属浆料、烧结、背面物理气相沉积生长铝金属和退火。
性能测试：将实施例1-4和对比例1-2中所述的太阳能电池进行性能测试，25℃下测定Voc(开路电压)、Isc(短路电流)、FF(填充因子)、Efficiency(光电转化效率)和背表面场P+峰值掺杂浓度测试结果如表1所示。
表1：实施例1-5和对比例1-4中太阳能电池的性能测试表
综合实施例1-4和对比例1-2的结果可以看出，本发明通过对导电层浆料进行低温固化制备局部掺杂晶体硅太阳能电池，可有效避免高温下经过掺杂的硅和背面金属导电层浆料的剧烈反应，进而使大部分第三主族元素或第五主族元素留在硅中，使背场P+浓度峰值由现有PERC太阳能电池中的3×1018cm-3提高至6×1019cm-3～9×1020cm-3，可显著增加电池背表面场强度，减少局部区域复合速率，进而大幅度提高开路电压和填充因子，最终大幅度提升电池的转换效率。
同时，本发明所述的局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法较现有PERL太阳能电池更为简单，成本更低，与产业现有设备兼容性更高，有利于工业化生产。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在晶体硅片背面沉积钝化层、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
或，在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面开口、背面沉积掺杂浆料、背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃。
2.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在晶体硅片背面沉积钝化层、背面沉积掺杂浆料、背面开口的同时进行背面掺杂、沉积电极浆料、烧结、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
或，
在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面沉积掺杂浆料、背面开口的同时进行背面掺杂、背面沉积导电层浆料和导电层浆料固化，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；
其中，导电层浆料固化的固化温度为100℃～400℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述背面开口的方式为激光开口或腐蚀开口；
优选地，所述腐蚀开口为溶液和/或浆料腐蚀开口；
优选地，所述背面掺杂的掺杂方法为激光诱导、热推进或离子注入中任意一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述背面开口的同时进行背面掺杂的方法为：使用激光在钝化层上形成开口，同时进行激光掺杂。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述晶体硅片在背面沉积钝化层前进行预处理；
优选地，所述预处理依次包括制绒、扩散、背刻蚀、去杂质玻璃处理和正面沉积减反射层；
优选地，所述晶体硅片为P型硅片或N型硅片；
优选地，所述正面沉积减反射层中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述减反射层为氮化硅减反射层；
优选地，所述背面沉积钝化层中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述背面沉积钝化层中的钝化层为氧化铝、氮化硅或氧化硅薄膜中任意一种或至少两种的组合。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积掺杂浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷；
优选地，所述掺杂浆料为与硅片掺杂同导电类型的掺杂浆料；
优选地，当所述晶体硅片为N型硅片时，沉积掺杂浆料为第五主族任一元素或至少两种元素，优选为磷浆料；
优选地，当所述晶体硅片为P型硅片时，沉积掺杂浆料为第三主族任一元素或者至少两种元素，优选为硼浆料。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积电极浆料包括正面沉积电极浆料和背面沉积电极浆料，
或，
所述沉积电极浆料包括背面沉积电极浆料和正面沉积电极浆料；
优选地，所述沉积电极浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷；
优选地，所述沉积电极浆料中的电极浆料为银浆料；
优选地，所述背面沉积导电层浆料中的沉积方法为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合，优选为丝网印刷；
优选地，所述背面沉积导电层浆料所用的浆料为铝浆料。
8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述导电层浆料固化的固化方式为热烘干或红外线烤干；
优选地，所述红外线烤干的红外辐射波长范围为950nm～4500nm，优选为1000nm～3000nm；
优选地，所述红外线烤干的辐射功率为3000W/m2～9000W/m2，优选为4000W/m2～9000W/m2；
优选地，所述红外线烤干的处理时间为5min～20min；
优选地，所述热烘干的温度范围为100℃～400℃，优选为200℃～300℃；
优选地，所述热烘干的处理时间为5min～20min。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到的局部掺杂晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述电池包括晶体硅片层(1)以及依次设于晶体硅片层(1)背面的钝化层(2)和导电层(3)，所述钝化层(2)上具有多个开口，所述开口内部填充导电层(3)，所述晶体硅片层(1)中沿开口向晶体硅片层里掺杂形成合金层(4)和第一掺杂背场(6)。
10.根据权利要求9所述的局部掺杂晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅片层(1)为P型硅片层或N型硅片层；
优选地，当晶体硅片层(1)为P型硅片层时，所述电池在合金层(4)和第一掺杂背场(6)之间还包括形成的第二掺杂背场(5)；
优选地，所述第二掺杂背场(5)为铝元素掺杂形成的背场；
优选地，所述第一掺杂背场(6)为与硅片掺杂同导电类型的掺杂浆料掺杂形成的背场，优选为磷背场或硼背场；
优选地，所述第一掺杂背场(6)中与硅片掺杂同导电类型的掺杂浆料中掺杂元素的掺杂浓度为6×1019cm-3～9×1020cm-3。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611256324.7A CN106784048A (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611256324.7A CN106784048A (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106784048A true CN106784048A (zh) | 2017-05-31 |
Family
ID=58954200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611256324.7A Pending CN106784048A (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106784048A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114649424A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-21 | 常州时创能源股份有限公司 | 晶硅太阳能电池的电极结构 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102473476A (zh) * | 2009-07-28 | 2012-05-23 | 株式会社东进世美肯 | 低温烧成用热固性电极糊剂 |
| CN102573312A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-11 | 三星电机株式会社 | 利用金属纳米膏用于形成配线和电极的方法 |
| CN202363468U (zh) * | 2011-12-08 | 2012-08-01 | 常州天合光能有限公司 | 点接触背发射极异质结太阳电池 |
| CN103219416A (zh) * | 2013-03-22 | 2013-07-24 | 中山大学 | 一种晶体硅太阳电池局域背表面场的制备方法 |
| CN103996746A (zh) * | 2014-05-23 | 2014-08-20 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种可量产的perl晶体硅太阳电池的制作方法 |
| CN104752562A (zh) * | 2015-03-17 | 2015-07-01 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种局部硼背场背钝化太阳能电池的制备方法 |
| CN106158999A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-11-23 | 兰宏昌 | 一种使用纳米材料制备的高效太阳能电池及其制备方法 |
| CN106252425A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-12-21 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种全背接触光伏电池的金属化方法及电池、组件和系统 |
-
2016
- 2016-12-30 CN CN201611256324.7A patent/CN106784048A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102473476A (zh) * | 2009-07-28 | 2012-05-23 | 株式会社东进世美肯 | 低温烧成用热固性电极糊剂 |
| CN102573312A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-11 | 三星电机株式会社 | 利用金属纳米膏用于形成配线和电极的方法 |
| CN202363468U (zh) * | 2011-12-08 | 2012-08-01 | 常州天合光能有限公司 | 点接触背发射极异质结太阳电池 |
| CN103219416A (zh) * | 2013-03-22 | 2013-07-24 | 中山大学 | 一种晶体硅太阳电池局域背表面场的制备方法 |
| CN103996746A (zh) * | 2014-05-23 | 2014-08-20 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种可量产的perl晶体硅太阳电池的制作方法 |
| CN104752562A (zh) * | 2015-03-17 | 2015-07-01 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种局部硼背场背钝化太阳能电池的制备方法 |
| CN106158999A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-11-23 | 兰宏昌 | 一种使用纳米材料制备的高效太阳能电池及其制备方法 |
| CN106252425A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-12-21 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种全背接触光伏电池的金属化方法及电池、组件和系统 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 戴宝通，郑晃忠: "《太阳能电池技术手册》", 31 May 2012, 人民邮电出版社 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114649424A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-21 | 常州时创能源股份有限公司 | 晶硅太阳能电池的电极结构 |
| CN114649424B (zh) * | 2022-03-28 | 2024-02-13 | 常州时创能源股份有限公司 | 晶硅太阳能电池的电极结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101139458B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| Liu et al. | Improvement of conversion efficiency of multicrystalline silicon solar cells by incorporating reactive ion etching texturing | |
| US20120138135A1 (en) | Method of forming contacts for a back-contact solar cell | |
| CN104733555A (zh) | 一种高效n型双面太阳电池及其制备方法 | |
| JP2010537423A (ja) | 異種接合シリコン太陽電池及びその製造方法 | |
| CN101950779B (zh) | 一种原位制备太阳能电池的方法 | |
| CN105322043A (zh) | 一种可双面进光的晶硅太阳电池及其制备方法 | |
| CN108039374A (zh) | n型双面太阳电池的制备方法 | |
| CN105609594A (zh) | N型双面太阳能电池的制备方法 | |
| CN102800757B (zh) | N型太阳能电池及其制造工艺 | |
| CN110459638A (zh) | 一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法 | |
| CN110137305A (zh) | 一种p型多晶硅选择性发射极双面电池的制备方法 | |
| CN102709389B (zh) | 一种双面背接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN102097527A (zh) | 一种掩膜扩散法制备n型太阳能电池的方法 | |
| CN102263153A (zh) | 一种改进太阳能电池的扩散方法 | |
| Li et al. | Oxidation drive-in to improve industrial emitter performance by POCl3 diffusion | |
| CN108074999A (zh) | 一种选择性发射极黑硅电池及其制作方法 | |
| CN106024933A (zh) | 一种晶体硅太阳电池的背面局部双质杂质掺杂结构及其掺杂方法 | |
| CN111599892B (zh) | 一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺 | |
| CN102723401A (zh) | 选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法 | |
| CN210092098U (zh) | 一种复合介电钝化层结构太阳电池 | |
| CN106784048A (zh) | 一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池 | |
| CN105720114B (zh) | 一种用于晶体硅太阳能电池的量子裁剪透明电极 | |
| CN109545976B (zh) | 绒面均匀空穴或电子传输膜的液膜高温高浓速涂原位速干制备方法 | |
| CN104134706A (zh) | 一种石墨烯硅太阳电池及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170531 |