CN106775440A - 数据储存装置与数据储存方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种数据储存装置与数据储存方法，用以储存至少一数据。数据储存装置包括一存储器以及一控制器。存储器包括多个区块，并且这些多个区块的每一个分别具有不同的实体地址。控制器耦接存储器，用以分别对应这些实体地址至多个逻辑地址。控制器在接收到一转换要求指令后，依据转换要求指令将一特定逻辑地址从对应一第一实体地址，转换为对应一第二实体地址。

Description

数据储存装置与数据储存方法
技术领域
本发明有关于一种数据储存装置与数据储存方法，特别有关于一种转换逻辑地址与实体地址的对应关系的数据储存装置与数据储存方法。
背景技术
随着数据储存装置的科技在近几年快速地成长，许多手持式数据储存装置，如符合SD/MMC规格、CF规格、MS规格与XD规格的记忆卡、固态硬碟以及内嵌式存储器(embedded Multi Media Card，eMMC)已经广泛地被应用在多种用途上。因此，在这些数据储存装置上，有效的存取控制也变成一个重要的议题。
然而，对于非挥发性数据储存装置而言，使用者可能会频繁的读取位于特定实体地址上的数据，而造成非挥发性数据储存装置的损坏，导致无法正确读取上述特定实体地址上的数据。因此，需要一种有效的数据储存装置与数据储存方法，能够防止因为频繁读取特定实体地址上的数据而造成的损坏，延长数据储存装置的使用年限，并且确保数据存取的正确性。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出一种数据储存装置与数据储存方法，能够记录、统计与分析主机存取数据的存取次数。藉由存取次数是否大于临界值，找出频繁存取的特定数据的逻辑地址，并且将该逻辑地址对应至另一个不同的实体地址。因此，本发明能够有效防止因过度存取同一数据而损害存储器，并且维护数据存取的正确性。
本发明的一实施例提供了一种数据储存装置，用以储存至少一数据。数据储存装置包括一存储器以及一控制器。存储器包括多个区块，并且这些多个区块的每一者分别具有不同的实体地址。控制器耦接存储器，用以分别对应这些实体地址至多个逻辑地址。控制器在接收到一转换要求指令后，依据转换要求指令将一特定逻辑地址从对应一第一实体地址，转换为对应一第二实体地址。
在一实施例中，转换要求指令是由主机所产生。主机分析等数据的存取次数，以决定需要进行转换的特定逻辑地址。主机是以档案、数据大小、及/或丛集(cluster)为单位而记录等数据，并且统计档案、数据大小、及/或丛集的存取次数。当等数据中的至少一数据的存取次数大于一临界值时，主机决定至少一数据所对应的逻辑地址为特定逻辑地址。临界值决定于存储器的种类及/或数据储存装置的使用环境。在特定逻辑地址转换为对应第二实体地址后，控制器传送一转换完成指令至耦接控制器的一主机。
本发明的另一实施例提供了一种数据储存方法，应用于一主机以及储存至少一数据的一数据储存装置。数据储存方法包括分别对应多个实体地址至多个逻辑地址；以及在接收到一转换要求指令后，依据转换要求指令将一特定逻辑地址从对应一第一实体地址，转换为对应一第二实体地址；在转换特定逻辑地址为对应第二实体地址后，传送一转换完成指令至主机。
附图说明
图1显示了根据本发明一实施例所述的数据储存装置与主机的示意图；
图2显示了根据本发明一实施例所述的数据储存方法的流程图；
图3显示了根据本发明一实施例所述的数据储存方法的流程图。
符号说明
100～数据储存装置；
120～控制器；
140～存储器；
14A-14N～区块；
200～主机；
220～处理器；
240～储存模块。
具体实施方式
为让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出本发明的具体实施例，并配合附图，作详细说明如下。目的在于说明本发明的精神而非用以限定本发明的保护范围，应理解下列实施例可经由软件、硬件、固件、或上述任意组合来实现。
图1显示了根据本发明一实施例所述的数据储存装置100与主机200的示意图。在一实施例中，数据储存装置100包括控制器120与存储器140，并且数据储存装置100耦接主机200以传送数据与指令或接收数据与指令。存储器140可以为非挥发性存储器，例如与非门快闪存储器(NAND Flash)。主机200可以为手机、平板电脑、笔记型电脑、导航机或车载系统等。如图1所示，主机200包括一处理器220以及一储存模块240。举例而言，储存模块240是用以记录主机200所存取(亦即写入与读取)的数据，处理器220依据储存模块240所储存的数据来分析主机200的存取次数。
如图1所示，存储器140包括多个区块140A～140N。详细而言，区块140A～140N中的每一者更包括多个页面。控制器120在对存储器140执行写入或储存动作时，是藉由控制存储器140以记忆页为单位来执行写入或程式化的运作。控制器120藉由控制存储器110以丛集(cluster)为单位执行读取运作的方式来对存储器140执行读取运作。此外，控制器120耦接存储器140以相互传送数据与指令或接收数据与指令。进一步而言，控制器120可包括具有固件码的一微控制器以及只读存储器(ROM)，并且微控制器执行固件码以操作或是存取存储器140。
对于存储器140而言，其区块14A～14N的每一者皆具有不同的实体地址。换言之，区块14A～14N的每一者都具有一个实体地址，而区块14A～14N的每一者的实体地址都是不同的。当数据储存装置100执行一写入运作时，控制器120决定存储器140的一实体地址以写入或储存数据。此外，控制器120则分别对应上述多个实体地址至多个逻辑地址。因此，对于主机200而言，主机200是藉由逻辑地址，亦即逻辑区块地址(Logical Block Address，LBA)，来读取或写入数据储存装置100所储存于某个逻辑地址的数据。
举例来说，数据储存装置100是使用于导航系统或是汽车的车载系统。当使用者使用导航系统或车载系统时，可能会频繁载入与读取数据储存装置100所储存的某些特定档案，例如使用者的居住城市的地图。此时，主机200会要求读取特定逻辑地址上的特定档案，然后控制器120在依据逻辑地址与实体地址的对应关系，读取上述特定逻辑地址所对应的实体地址(例如第一实体地址)上的特定档案。换言之，存储器140的第一实体地址会被频繁地读取。
在一实施例中，控制器120在接收到一转换要求指令后，会依据该转换要求指令将一特定逻辑地址从对应第一实体地址，转换为对应不同于上述第一实体地址的第二实体地址。值得注意的是，转换要求指令可由主机200或是数据储存装置100所产生。详细而言，上述转换要求指令是关于一逻辑区块地址LBA，用以指示需要转换的特定逻辑地址。因为存储器140的第一实体地址被频繁地读取，可能导致存储器140受到损害，造成第一实体地址上的特定档案无法被正确读取。藉由本发明所提供的数据储存方法，能够将特定逻辑地址从对应第一实体地址转换为对应另一个第二实体地址，防止过度读取第一实体地址而导致数据的读取错误。
此外，当特定逻辑地址转换为对应第二实体地址后，控制器120传送一转换完成指令至耦接控制器120的主机200。转换完成指令为一种读取类型的指令，让主机200在读取转换完成指令后，获得对于数据储存装置100已转换实体位置的资讯。再者，转换完成指令也可包括转换后的第二实体地址，让主机200能够得知数据储存装置100已将特定逻辑地址对应第二实体地址。因此，当主机200接收转换完成指令后，就能够继续频繁读取上述特定档案。因为特定档案已经储存于不同于原本第一实体地址的另一个第二实体地址，所以主机200能够继续频繁读取特定档案，而不会对存储器140造成损害。
在另一实施例中，主机200记录并且分析数据储存装置100的多笔数据的存取次数，以决定需要进行转换的特定逻辑地址。当上述数据中的至少一数据的存取次数大于一临界值时，主机200决定该至少一数据所对应的逻辑地址为特定逻辑地址。详细而言，主机200的储存模块240可记录主机200所存取的多笔数据，然后处理器220统计储存模块240的数据的存取次数，并且分析是否有数据的存取次数大于临界值。举例而言，处理器220可包含数位信号处理器(digital signal processing,DSP)、微处理器(microcontroller,MCU)、一单一中央处理单元(central-processing unit,CPU)或者是关连于平行运算环境(parallel processing environment)的多平行处理单元，用以执行操作系统、模块以及应用程式。储存模块240可包括随机存取存储器(RandomAccess Memory,RAM)、只读存储器(Read Only Memory,ROM)、快闪存储器(Flash)、或磁性存储器等。如果存取次数大于临界值，表示主机200频繁存取某一特定数据，可能造成数据储存装置100的某一个实体地址的区块发生损毁。藉由统计与分析主机200存取数据的次数，能够进一步主动防止数据储存装置100因过度存取同一数据所造成的损害，能够正确无误地存取数据。
值得注意的是，上述临界值是决定于存储器140的种类及/或数据储存装置100的使用环境。举例来说，存储器140主要可以分成两类，包括单层单元(Single LevelCell，SLC)存储器以及多层单元(Multiple Level Cell，MLC)存储器。驱动MLC存储器的电压大于驱动SLC存储器的电压，并且MLC存储器的储存密度可以达到SLC存储器的储存密度的两倍以上。因此，当存储器140为MLC存储器时的临界值，会大于当存储器140为SLC存储器时的临界值。举例而言，MLC存储器的临界值约为1500～2000次，SLC存储器的临界值约为500～1000次。此外，数据储存装置100的使用环境也是决定临界值的因素之一，上述使用环境包含数据储存装置100的所在位置的温度、湿度、压力的高低大小及其变化程度。举例而言，如果数据储存装置100会使用于热带或是寒带地区等极端温度的环境、或是温度变化较剧烈的环境，则数据储存装置100比较容易因为频繁存取而发生损毁。因此，当数据储存装置100使用于较为极端或是变化剧烈的环境，其临界值会比较低。当数据储存装置100使用于较为温和或是变化和缓的环境，其临界值会比较高。
此外，在另一实施例中，主机200的储存装置240系以档案、数据大小、及/或丛集(cluster)为单位，记录存取数据储存装置100的多笔数据的存取次数。处理器220统计储存装置240所储存的档案、数据大小、及/或丛集的存取次数，并且分析上述存取次数是否大于临界值。当上述数据中的至少一数据的存取次数大于临界值，主机200会产生转换要求指令。详细而言，当主机200需要存取某个特定档案时，主机200可以指定对应该特定档案所需要存取的LBA及其数据大小。藉由纪录并且分析对于所存取的LBA的存取次数，就能够找出频繁存取的特定LBA，然后进行逻辑地址与实体地址的转换等方法来更新(refresh)该特定LBA。
主机200可藉由OS的设定档或是纪录档，以表格化的方式来记录与管理数据储存装置100的数据的存取次数。举例而言，处理器220以档案为记录单位，统计每个档案的存取次数。例如A城市的地图档案读取了10次，B城市的地图档案读取了50次。此外，主机200也能以数据大小为单位而加以记录。举例而言，例如LBA0被存取了150次，LBA100被存取了1000次。主机200也能以cluster为单位而加以记录，例如cluster0被存取了49次，cluster10被存取了80次。由于档案可能具有各种不同的大小，如果只以档案为单位加以记录，可能无法完全统计出每个LBA的存取次数。因此，本发明提供了以数据大小或是cluster作为单位来进行统计，能够更有效率的找出频繁读取的LBA，进而防止数据储存装置100的损坏。
一般而言，主机200除了能够统计LBA的存取次数外，还能够得知未来是否会继续频繁存取某个特定的LBA。因此由主机200来统计并且分析LBA的存取次数，能够有效找出频繁读取的LBA。另一方面，对于数据储存装置100而言，控制器120要管理与监控存储器140的运作，例如逻辑地址与实体地址的对应关系、数据的平均写入、监测抹除次数等。对于控制器120而言，很难统计每个LBA的存取次数并找出频繁存取的特定LBA。此外，数据存取装置100也难以预测主机200未来是否会频繁读取某个特定的LBA。因此，藉由主机200来统计与分析存取次数、找出频繁存取的特定LBA，能够分担控制器120的运作负担，保护数据储存装置100免于损坏并且运行更加顺畅。
图2是显示根据本发明一实施例所述的由主机200传送转换要求指令的数据储存方法的流程图。在步骤S202中，主机200以档案、数据大小、及/或丛集为单位而记录存取数据储存装置100的多笔数据，并且统计档案、数据大小、及/或丛集的存取次数。在步骤S204，主机200判断是否至少一数据的存取次数大于临界值。如果没有数据的存取次数大于临界值，则回到步骤S202。如果至少一数据的存取次数大于临界值，则执行步骤S206，主机200决定该至少一数据所对应的逻辑地址为特定逻辑地址。然后在步骤S208中，主机200传送关于该特定逻辑地址的转换要求指令至数据储存装置100。在步骤S210中，数据储存装置100依据转换要求指令将特定逻辑地址从对应第一实体地址，转换为对应第二实体地址。在步骤S212中，数据储存装置100传送一转换完成指令至主机200。
值得注意的是，当主机200无法统计存取次数以及找出频繁存取的特定LBA时，则由数据储存装置100来进行上述操作。在一实施例中，数据储存装置100的控制器120分析存储器140的实体地址的存取次数。当上述实体地址中的至少一实体地址的存取次数大于临界值时，控制器120决定该至少一实体地址为需要被转换的第一实体地址。然后，数据储存装置100产生转换要求指令，将存取次数大于临界值的特定逻辑地址，从对应第一实体地址转换为对应第二实体地址。换言之，当上述实体地址中的至少一实体地址的存取次数大于临界值时，数据储存装置100会产生转换要求指令。在完成对应第二实体地址之后，数据储存装置100传送一转换完成指令至主机200，通知该特定逻辑地址已完成更新。因此，当主机200侦测到上述特定逻辑地址因为频繁读取而需要更新时，因为主机200已经收到转换完成指令，就不需要发出转换要求指令给数据储存装置100进行再次更新。
图3显示了根据本发明一实施例所述的由数据储存装置100传送转换要求指令的数据储存方法的流程图。在步骤S302中，数据储存装置100记录并分析多个实体地址的存取次数。在步骤S304，数据储存装置100判断是否至少一数据的存取次数大于临界值。如果没有数据的存取次数大于临界值，则回到步骤S302。如果至少一数据的存取次数大于临界值，则执行步骤S306，数据储存装置100决定该至少一实体地址为需要被转换的第一实体地址。然后在步骤S308中，数据储存装置100产生关于该特定逻辑地址的转换要求指令。在步骤S310中，数据储存装置100依据转换要求指令将特定逻辑地址从对应第一实体地址，转换为对应第二实体地址。在步骤S312中，数据储存装置100传送一转换完成指令至主机200。
在本说明书以及申请专利范围中的序数，例如“第一”、“第二”、“第三”等等，彼此之间并没有顺序上的先后关系，其仅用于标示区分两个具有相同名字的不同元件。本发明说明书中“耦接”一词是泛指各种直接或间接的电性连接方式。
本发明虽以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本技术领域者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当由权利要求书界定为准。

Claims (17)

1.一种数据储存装置，用以储存至少一数据，包括：
一存储器，包括多个区块，并且这些多个区块的每一区块分别具有不同的实体地址；以及
一控制器，耦接该存储器，用以分别对应这些实体地址至多个逻辑地址，其中该控制器在接收到一转换要求指令后，依据该转换要求指令将一特定逻辑地址从对应一第一实体地址，转换为对应一第二实体地址。
2.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，在该特定逻辑地址转换为对应该第二实体地址后，该控制器传送一转换完成指令至耦接该控制器的一主机。
3.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于，当该等数据中的至少一数据的存取次数大于一临界值时，该主机产生该转换要求指令。
4.如权利要求3所述的数据储存装置，其特征在于，该主机分析这些数据的存取次数，以决定需要进行转换的该特定逻辑地址。
5.如权利要求4所述的数据储存装置，其特征在于，该主机是以档案、数据大小、及/或丛集为单位而记录这些数据，并且统计该档案、该数据大小、及/或该丛集的存取次数。
6.如权利要求4所述的数据储存装置，其特征在于，当这些数据中的至少一数据的存取次数大于一临界值时，该主机决定该至少一数据所对应的逻辑地址为该特定逻辑地址。
7.如权利要求6所述的数据储存装置，其特征在于，该临界值决定于该存储器的种类及/或该数据储存装置的使用环境。
8.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于，当这些实体地址中的至少一实体地址的存取次数大于一临界值时，该数据储存装置产生该转换要求指令。
9.如权利要求8所述的数据储存装置，其特征在于，该控制器分析这些实体地址的存取次数，当这些实体地址中的至少一实体地址的存取次数大于一临界值时，该控制器决定该至少一实体地址为需要被转换的该第一实体地址。
10.如权利要求9所述的数据储存装置，其特征在于，该临界值决定于该存储器的种类及/或该数据储存装置的使用环境。
11.一种数据储存方法，应用于一主机以及储存至少一数据的一数据储存装置，包括：
分别对应多个实体地址至多个逻辑地址；以及
在接收到一转换要求指令后，依据该转换要求指令将一特定逻辑地址从对应一第一实体地址，转换为对应一第二实体地址。
12.如权利要求11所述的数据储存方法，其特征在于，还包括在转换该特定逻辑地址为对应该第二实体地址后，传送一转换完成指令至该主机。
13.如权利要求12所述的数据储存方法，其特征在于，当这些数据中的至少一数据的存取次数大于一临界值时，藉由该主机产生该转换要求指令。
14.如权利要求13所述的数据储存方法，其特征在于，还包括藉由该主机分析这些数据的存取次数，以决定需要进行转换的该特定逻辑地址。
15.如权利要求14所述的数据储存方法，其特征在于，还包括藉由该主机以档案、数据大小、及/或丛集为单位而记录这些数据，并且统计该档案、该数据大小、及/或该丛集的存取次数。
16.如权利要求14所述的数据储存方法，其特征在于，还包括当该等数据中的至少一数据的存取次数大于一临界值时，藉由该主机决定该至少一数据所对应的逻辑地址为该特定逻辑地址。
17.如权利要求16所述的数据储存方法，其特征在于，该临界值决定于该数据储存装置的种类及/或使用环境。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107025066A (zh) 2016-09-14 2017-08-08 阿里巴巴集团控股有限公司 在基于闪存的存储介质中写入存储数据的方法和装置
JP6779821B2 (ja) * 2017-03-24 2020-11-04 キオクシア株式会社 メモリシステム及びデータの読み出し方法
TWI670595B (zh) * 2017-09-26 2019-09-01 慧榮科技股份有限公司 主動錯誤更正失敗處理方法
CN109558266B (zh) 2017-09-26 2022-06-14 慧荣科技股份有限公司 主动错误更正失败处理方法
KR20200095103A (ko) * 2019-01-31 2020-08-10 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그 동작 방법
US20220318015A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Enforcing data placement requirements via address bit swapping

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101464837A (zh) * 2007-12-17 2009-06-24 株式会社东芝 信息记录装置和信息记录方法
US20090193174A1 (en) * 2008-01-29 2009-07-30 Denali Software, Inc. Read disturbance management in a non-volatile memory system
CN102841852A (zh) * 2011-06-24 2012-12-26 华为技术有限公司 磨损均衡方法、存储装置及信息系统
CN103365786A (zh) * 2012-04-01 2013-10-23 国民技术股份有限公司 数据存储方法、装置和系统

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7321951B2 (en) * 2003-11-17 2008-01-22 Micron Technology, Inc. Method for testing flash memory power loss recovery
JP4965877B2 (ja) * 2005-04-07 2012-07-04 キヤノン株式会社 データ保管装置、データ保管方法及びそのプログラム
US20080201520A1 (en) * 2007-02-03 2008-08-21 Stec, Inc. Flash firmware management
US7895421B2 (en) * 2007-07-12 2011-02-22 Globalfoundries Inc. Mechanism for using performance counters to identify reasons and delay times for instructions that are stalled during retirement
KR101517761B1 (ko) * 2008-07-30 2015-05-06 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 데이터 저장 위치 관리 방법 및 이를 데이터 저장 시스템
US8590037B2 (en) * 2008-12-23 2013-11-19 Sandisk Technologies Inc. Managing host application privileges
TWI427476B (zh) * 2009-02-24 2014-02-21 Silicon Motion Inc 快閃記憶體的存取方法及快閃記憶體裝置
US8806144B2 (en) * 2009-05-12 2014-08-12 Stec, Inc. Flash storage device with read cache
US7818525B1 (en) * 2009-08-12 2010-10-19 Texas Memory Systems, Inc. Efficient reduction of read disturb errors in NAND FLASH memory
TW201305624A (zh) * 2011-07-27 2013-02-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 導光板修復方法
TWI461913B (zh) * 2011-11-30 2014-11-21 Silicon Motion Inc 快閃記憶裝置及其資料讀取方法
TWI563383B (en) * 2012-04-25 2016-12-21 Phison Electronics Corp Memory formatting method, memory controller and memory storage apparatus
US20140189211A1 (en) * 2012-12-31 2014-07-03 Sandisk Enterprise Ip Llc Remapping Blocks in a Storage Device
KR102025180B1 (ko) * 2013-08-08 2019-09-26 삼성전자주식회사 스토리지 시스템 및 그것의 쓰기 방법
CN104679480A (zh) * 2013-11-27 2015-06-03 上海芯豪微电子有限公司 一种指令集转换系统和方法
KR20160027805A (ko) * 2014-09-02 2016-03-10 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치를 위한 가비지 컬렉션 방법
US20160118132A1 (en) * 2014-10-27 2016-04-28 Sandisk Enterprise Ip Llc Low Impact Read Disturb Handling
US11385797B2 (en) * 2015-10-05 2022-07-12 Micron Technology, Inc. Solid state storage device with variable logical capacity based on memory lifecycle

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101464837A (zh) * 2007-12-17 2009-06-24 株式会社东芝 信息记录装置和信息记录方法
US20090193174A1 (en) * 2008-01-29 2009-07-30 Denali Software, Inc. Read disturbance management in a non-volatile memory system
CN102841852A (zh) * 2011-06-24 2012-12-26 华为技术有限公司 磨损均衡方法、存储装置及信息系统
CN103365786A (zh) * 2012-04-01 2013-10-23 国民技术股份有限公司 数据存储方法、装置和系统

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