CN106746697B - 一种tft阵列基板单面蚀刻方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种TFT阵列基板单面蚀刻方法，解决了现有TFT阵列基板单面蚀刻过程中存在通过渗透作用接触到TFT结构单元的酸液，进而造成TFT阵列单元损伤的问题。该方法包括：蚀刻前，在TFT阵列基板上需要保护的表面贴附耐酸膜；在耐酸膜和需要保护的表面之间形成气体隔离带。

Description

一种TFT阵列基板单面蚀刻方法

技术领域

本发明涉及玻璃基板的薄化方法技术领域，具体涉及一种TFT阵列基板单面蚀刻方法。

背景技术

参考图1，为了满足现有OLED显示器轻薄短小的要求，通常会对TFT阵列基板10中的玻璃基底102进行薄化处理。目前常规的薄化方法是采用单面蚀刻技术，即将TFT阵列基板10的上表面B使用耐酸膜保护起来，然后采用浸渍、喷雾或浸渍喷雾技术对TFT阵列基板10的玻璃基底102的下表面A进行蚀刻，从而得到任意目标厚度的TFT阵列基板10。

然而，在进行蚀刻的过程中，由于渗透作用的存在，不可避免的会有微量的蚀刻酸液穿过耐酸膜，进而对TFT结构单元101造成损伤。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种TFT阵列基板单面蚀刻方法，解决了现有TFT阵列基板单面蚀刻过程中存在通过渗透作用接触到TFT结构单元的酸液，进而造成TFT阵列单元损伤的问题。

本发明实施例提供的一种TFT阵列基板单面蚀刻方法，包括：蚀刻前，在TFT阵列基板上需要保护的表面贴附耐酸膜，在耐酸膜和需要保护的表面之间形成气体隔离带。

本发明实施例提供的一种TFT阵列基板单面蚀刻方法，通过在耐酸膜和需要保护的表面之间形成气体隔离带，相比于单纯采用耐酸膜而言，减缓了酸液的渗透速度，提高了对TFT阵列单元的保护力度。

附图说明

图1所示为现有TFT阵列基板结构示意图。

图2所示为本发明一实施例提供的TFT阵列基板单面蚀刻方法流程图。

图3所示为本发明一实施例提供的气体隔离带的形成过程示意图。

图4所示为本发明另一实施例提供的TFT阵列基板单面蚀刻方法流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图2所示为本发明一实施例提供的TFT阵列基板单面蚀刻方法流程图。从图中可以看出，该方法包括：

步骤S101，在TFT阵列基板的上表面贴附耐酸膜。

耐酸膜的选择很重要，需要考虑到耐酸性、黏性、抗静电性、易剥离性。耐酸性不好，会导致TFT阵列基板在蚀刻过程中报废；黏性不好，会导致耐酸膜在蚀刻过程中脱落，进而产品报废；抗静电性不好，将导致在贴膜和后续的脱膜过程中TFT阵列基板产生静电不良而报废；不易剥离，会导致在后续的脱膜过程中将TFT电极图案一起玻璃或者损坏。

优选地，本发明实施例采用的耐酸膜可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚四氟乙烯(PTFE)中的任一种，当然，这里给出的仅是示例性的，并不以此为限。

传统贴附耐酸膜的过程包括：贴膜—固化—化学二次强化，而经过固化后的耐酸膜和贴附表面之间的粘着力太强，导致后续通过充气形成气体隔离带变得十分困难。因此，在本发明的一个实施例中，只对耐酸膜的四周边缘进行固化。使得耐酸膜的四周边缘粘着力强，而中间部位粘着力弱，从而确保在蚀刻过程中，四周边缘不会渗入酸液，同时，中间部位便于形成气体隔离带。

在本发明的另一个实施例中，采用光敏性亚克力胶作为固化胶水，将耐酸膜贴附在需要保护的表面后，采用紫外光照射耐酸膜的中间部位。由于，光敏性亚克力胶具有很强的粘着力，当受到紫外光的照射后，光敏性亚克力胶能够迅速失去粘性，从而，可以保证耐酸膜的四周边缘与需要保护的表面紧密贴合，而耐酸膜的中间部位便于后续充气形成气体隔离带。

本领域技术人员可以理解，上述给出的两种贴膜过程只是示例性的，只要保证贴膜后，耐酸膜的四周边缘粘着力强，而中间部位粘着力弱即可。

步骤S102，在TFT阵列基板的上表面和耐酸膜之间充气，形成气体隔离带。该充气的过程可以是内部充气，例如通过TFT阵列基板的上表面和耐酸膜之间的物质的化学反应充气，也可以是外部充气，例如采用打气筒向TFT阵列基板的上表面和耐酸膜之间打气。在一个实施例中，如图3所示，耐酸膜20上留有充气孔21，该充气孔21优选为单向充气孔。这种情况下，步骤S102的执行过程可以是，采用例如注射器、充气管22等装置向TFT阵列基板的上表面和耐酸膜20之间充气，形成气体隔离带23。

在一个实施例中，气体为惰性气体。例如氦气、氖气等，避免TFT阵列单元的电极发生氧化。

在一个实施例中，气体的压强大于标准大气压。这样，可以增强气体隔离带的阻挡作用，减缓酸液渗透。

步骤S103，对充气处理后的TFT阵列基板进行蚀刻。这里的蚀刻方式可以是浸渍式、顶部喷洒式、浸渍喷洒式中的任一种。

步骤S104，对蚀刻后的TFT阵列基板进行脱膜处理。该脱膜处理过程例如可以是，采用碱液(例如NaOH)加热浸泡方式对蚀刻后的TFT阵列基板进行化学脱膜，然后通过人工将经过碱液软化的耐酸膜手动剥离。

根据本实施方式的TFT阵列基板单面蚀刻方法，通过在耐酸膜和TFT阵列基板的上表面(即需要保护的表面)之间形成气体隔离带，相比于单纯采用耐酸膜而言，减缓了酸液的渗透速度，提高了对TFT阵列单元的保护力度。同时，气体隔离带还可以作为检测耐酸膜是否存在破损的标尺，进一步起到对TFT阵列单元的保护作用。

考虑到，现有的TFT阵列基板10中TFT结构单元层101和玻璃基底102之间通常采用UV胶贴合，这样，在蚀刻过程中常常会有一部分酸液从四周侧壁的贴合缝隙处渗入，进而接触到TFT结构单元，造成损伤。为了解决这一问题，本发明实施例提供了另一种改进方法。

图4所示为本发明另一实施例提供的TFT阵列基板单面蚀刻方法流程图。从图中可以看出，与图2所示方法相比，根据本实施方式的TFT阵列基板单面蚀刻方法，步骤S101进一步包括，在TFT阵列基板的四周侧壁上贴附耐酸膜，即步骤S201；步骤S102进一步包括，在四周侧壁和耐酸膜之间充气，形成气体隔离带，即步骤S202。

在一个实施例中，贴附在TFT阵列基板的上表面的耐酸膜和贴附在四周侧壁上的耐酸膜为一整张耐酸膜。这样，可以形成无接缝的气体隔离带，隔离效果更好，同时便于充气。

根据本实施方式的TFT阵列基板单面蚀刻方法，同时在四周侧壁和TFT阵列基板上表面形成气体隔离带，进一步避免了酸液从四周侧壁上的贴合缝隙中渗入，造成TFT结构单元的损伤，进一步提高保护力度。

本领域技术人员可以理解，上述两个实施例分别将TFT阵列基板的上表面、TFT阵列基板的上表面和四周侧壁的组合作为需要保护的表面，这样的定义只是为了使说明更清楚、易懂，并不以此为限。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种TFT阵列基板单面蚀刻方法，其特征在于，包括：蚀刻前，在TFT阵列基板上需要保护的表面贴耐酸膜，在耐酸膜和需要保护的表面之间形成气体隔离带；气体隔离带中的气体压强大于标准大气压；利用充气的方式在耐酸膜的中间部位形成气体隔离带，以将所述气体隔离带作为检测耐酸膜是否存在破损的标尺。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板单面蚀刻方法，其特征在于，所述在TFT阵列基板上需要保护的表面贴耐酸膜，包括：

只对耐酸膜的四周边缘进行固化。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板单面蚀刻方法，其特征在于，所述在TFT阵列基板上需要保护的表面贴耐酸膜，包括：

采用光敏性亚克力胶作为固化胶水，将耐酸膜贴附在需要保护的表面后，采用紫外光照射耐酸膜的中间部位。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板单面蚀刻方法，其特征在于，气体隔离带中的气体为惰性气体。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板单面蚀刻方法，其特征在于，在所述耐酸膜上设有充气孔，利用充气孔进行充气形成气体隔离带和/或通过TFT阵列基板的上表面和耐酸膜之间的物质的化学反应充气形成气体隔离带。

6.如权利要求1-5中任一所述的TFT阵列基板单面蚀刻方法，其特征在于，所述需要保护的表面包括TFT阵列基板的上表面和/或四周侧壁。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板单面蚀刻方法，其特征在于，贴附在TFT阵列基板的上表面的耐酸膜和贴附在四周侧壁上的耐酸膜为一整张耐酸膜。

8.如权利要求1所述的TFT阵列基板单面蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻方式为浸渍式、顶部喷洒式、浸渍喷洒式中的任一种。