CN106712277A - 一种转换装置、方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种转换装置、方法及系统，该转换装置包括：第一开关模块和第二开关模块；第一开关模块，分别与外部的第一电源和外部的上游元件相连，用于当接收到上游元件传输的第一电压时，停止将第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块；第二开关模块，分别与外部的第二电源以及外部的下游元件相连，用于在未接收到第一电源提供的第二电压时，利用第二电源提供的大于第一电压的第三电压为下游元件供电，以对下游元件进行驱动。通过上述过程可知，本方案在上游元件开始传输电压之后，通过第一开关模块和第二开关模块进行电压转换，以得到能够对下游元件进行驱动的电压，因此本方案能够降低元件不能正常工作的可能性。

Description

一种转换装置、方法及系统

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种转换装置、方法及系统。

背景技术

服务器主板是服务器中最重要的部件之一，其内部包括各种元件。

目前，在整个服务器主板中，有部分相连的元件具有一定的供电时序，也就是上游元件的供电电压会作为与其相邻的下游元件的驱动电压。

但是，在这个供电时序中，有部分元件的供电电压较低，不能作为与其相邻的下游元件的驱动电压。比如，元件1的供电电压为1.26V，而与其相邻的下游的元件2的驱动电压为3.3V，可见元件1的供电电压为1.26V是不能作为元件2的驱动电压的。因此，元件不能正常工作的可能性较高。

发明内容

本发明提供了一种转换装置、方法及系统，能够降低元件不能正常工作的可能性。

第一方面，本发明提供了一种转换装置，该装置包括：第一开关模块和第二开关模块；

所述第一开关模块，分别与外部的第一电源和外部的上游元件相连，用于当接收到所述上游元件传输的第一电压时，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块；

所述第二开关模块，分别与外部的第二电源以及外部的下游元件相连，用于在未接收到所述第一电源提供的第二电压时，利用所述第二电源提供的第三电压为所述下游元件供电，以对所述下游元件进行驱动，其中所述第三电压大于所述第一电压。

优选地，所述第一开关模块，包括：第一三极管、第一NMOS管和第一PMOS管中的任意一种；

当所述第一开关模块包括所述第一三极管时，

所述第一三极管的基极与所述上游元件相连，所述第一三极管的集电极分别与所述第一电源和所述第二开关模块相连，所述第一三极管的发射极分别与地线和所述第二开关模块相连；当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一三极管的基极与发射极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块；

当所述第一开关模块包括所述第一NMOS管时，

所述第一NMOS管的栅极与所述上游元件相连，所述第一NMOS管的源极分别与地线和所述第二开关模块相连，所述第一NMOS管的漏极分别与所述第一电源和所述第二开关模块相连；当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一NMOS管的源极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块；

当所述第一开关模块包括所述第一PMOS管时，

所述第一PMOS管的源极与所述上游元件相连，所述第一PMOS管的栅极分别与地线和所述第二开关模块相连，所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一电源和所述第二开关模块相连；当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一PMOS管的栅极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块。

优选地，所述第一开关模块，进一步包括：电阻；

当所述第一开关模块包括所述第一三极管时，

所述电阻的第一端与所述上游元件相连，所述电阻的第二端与所述第一三极管的基极相连；

当所述第一开关模块包括所述第一NMOS管时，

所述电阻的第一端与所述上游元件相连，所述电阻的第二端与所述第一NMOS管的栅极相连；

当所述第一开关模块包括所述第一PMOS管时，

所述电阻的第一端与所述上游元件相连，所述电阻的第二端与所述第一PMOS管的源极相连。

优选地，所述第一开关模块，进一步包括：第一电容；

当所述第一开关模块包括所述第一三极管时，

所述第一电容的一端分别与所述上游元件以及所述电阻的第一端相连，所述第一电容的另一端分别与所述第一三极管的发射极、所述地线以及所述第二开关模块相连；

当所述第一开关模块包括所述第一NMOS管时，

所述第一电容的一端分别与所述上游元件以及所述电阻的第一端相连，所述第一电容的另一端分别与所述第一NMOS管的源极、所述地线以及所述第二开关模块相连；

当所述第一开关模块包括所述第一PMOS管时，

所述第一电容的一端分别与所述上游元件以及所述电阻的第一端相连，所述第一电容的另一端分别与所述第一PMOS管的栅极、所述地线以及所述第二开关模块相连。

优选地，所述第二开关模块，包括：第二三极管、第二NMOS管和第二PMOS管中的任意一种；

当所述第二开关模块包括所述第二三极管时，

所述第二三极管的基极分别与所述第一开关模块和所述第一电源相连，所述第二三极管的集电极分别与所述第二电源和所述下游元件相连，所述第二三极管的发射极分别与所述第一开关模块和所述地线相连；当未接收到所述第一电源提供的第二电压时，所述第二三极管的基极与发射极断开，将所述第二电源提供的第三电压传输给所述下游元件；

当所述第二开关模块包括所述第二NMOS管时，

所述第二NMOS管的栅极分别与所述第一开关模块和所述第一电源相连，所述第二NMOS管的源极分别与所述第一开关模块和所述地线相连，所述第二NMOS管的漏极分别与所述第二电源和所述下游元件相连；当未接收到所述第一电源提供的第二电压时，所述第二NMOS管的源极与漏极断开，将所述第二电源提供的第三电压传输给所述下游元件；

当所述第二开关模块包括所述第二PMOS管时，

所述第二PMOS管的源极分别与所述第一开关模块和所述第一电源相连，所述第二PMOS管的栅极分别与所述第一开关模块和所述地线相连，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第二电源和所述下游元件相连，当未接收到所述第一电源提供的第二电压时，所述第二PMOS管的栅极与漏极断开，将所述第二电源提供的第三电压传输给所述下游元件。

优选地，所述第二开关模块，进一步包括：第二电容；

当所述第二开关模块包括所述第二三极管时，

所述第二电容的一端分别与所述地线、所述第二三极管的发射极以及所述第一开关模块相连，所述第二电容的另一端分别与所述第二三极管的集电极、所述第二电源以及所述下游元件相连；

当所述第二开关模块包括所述第二NMOS管时，

所述第二电容的一端分别与所述地线、所述第二NMOS管的源极以及所述第一开关模块相连，所述第二电容的另一端分别与所述第二NMOS管的漏极、所述第二电源以及所述下游元件相连；

当所述第二开关模块包括所述第二PMOS管时，

所述第二电容的一端分别与所述地线、所述第二PMOS管的栅极以及第一开关模块相连，所述第二电容的另一端分别与所述第二PMOS管的漏极、所述第二电源以及所述下游元件相连。

优选地，进一步包括：独立开关模块；

所述独立开关模块，与所述第一开关模块相连，用于根据外部的触发控制所述第一开关模块停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块。

第二方面，本发明提供了一种上述任一所述转换装置的转换方法，该方法包括：

利用所述第一开关模块，当接收到所述上游元件传输的第一电压时，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块；

当所述第二开关模块未接收到所述第一电源传输的第二电压时，利用所述第二电源提供的第三电压为所述下游元件供电，以对所述下游元件进行驱动，其中所述第三电压大于所述第一电压。

优选地，

所述停止将外部的第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块，包括：

利用所述第一三极管，当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一三极管的基极与发射极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块。

优选地，

利用所述第一NMOS管，当接收到所述上游元件传输的供电电压时，所述第一NMOS管的源极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块。

优选地，

利用所述第一PMOS管，当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一PMOS管的栅极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块。

第三方面，本发明提供了一种转换系统，该系统包括：上游元件、下游元件、第一电源、第二电源以及如上述任一所述的转换装置；其中，

所述上游元件，用于为所述转换装置传输第一电压；

所述转换装置当接收到所述上游元件传输的第一电压时，停止传输所述第一电源提供的第二电压，利用所述第二电源提供的第三电压为所述下游元件供电，以对所述下游元件进行驱动，其中所述第三电压大于所述第一电压；

所述下游元件，用于接收所述转换装置传输的所述第二电源提供的第三电压。

本发明提供了一种转换装置、方法及系统，该转换装置包括：第一开关模块和第二开关模块；第一开关模块，分别与外部的第一电源和外部的上游元件相连，用于当接收到上游元件传输的第一电压时，停止将第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块；第二开关模块，分别与外部的第二电源以及外部的下游元件相连，用于在未接收到第一电源提供的第二电压时，利用第二电源提供的大于第一电压的第三电压为下游元件供电，以对下游元件进行驱动。通过上述过程可知，本方案在上游元件开始传输电压之后，通过第一开关模块和第二开关模块进行电压转换，以得到能够对下游元件进行驱动的电压，因此本发明能够降低元件不能正常工作的可能性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一个实施例提供的一种转换装置的结构示意图；

图2是本发明一个实施例提供的一种第一开关模块包括三极管的转换装置的结构示意图；

图3是本发明一个实施例提供的一种第一开关模块包括NMOS管的转换装置的结构示意图；

图4是本发明一个实施例提供的一种第一开关模块包括PMOS管的转换装置的结构示意图；

图5是本发明一个实施例提供的一种第二开关模块包括三极管的转换装置的结构示意图；

图6是本发明一个实施例提供的一种第二开关模块包括NMOS管的转换装置的结构示意图；

图7是本发明一个实施例提供的一种第二开关模块包括PMOS管的转换装置的结构示意图；

图8是本发明一个实施例提供的一种包括独立开关模块的转换装置的结构示意图；

图9是本发明一个实施例提供的一种转换方法的流程图；

图10是本发明一个实施例提供的一种转换系统的结构示意图；

图11是本发明另一个实施例提供的一种转换系统的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明实施例提供了一种装置，该装置包括：第一开关模块101和第二开关模块102；

所述第一开关模块101，分别与外部的第一电源和外部的上游元件相连，用于当接收到所述上游元件传输的第一电压时，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块102；

所述第二开关模块102，分别与外部的第二电源以及外部的下游元件相连，用于在未接收到所述第一电源提供的第二电压时，利用所述第二电源提供的第三电压为所述下游元件供电，以对所述下游元件进行驱动，其中所述第三电压大于所述第一电压。

根据如图1所示的实施例，该转换装置包括：第一开关模块和第二开关模块；第一开关模块，分别与外部的第一电源和外部的上游元件相连，用于当接收到上游元件传输的第一电压时，停止将第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块；第二开关模块，分别与外部的第二电源以及外部的下游元件相连，用于在未接收到第一电源提供的第二电压时，利用第二电源提供的大于第一电压的第三电压为下游元件供电，以对下游元件进行驱动。通过上述过程可知，本方案在上游元件开始传输电压之后，通过第一开关模块和第二开关模块进行电压转换，以得到能够对下游元件进行驱动的电压，因此本发明实施例能够降低元件不能正常工作的可能性。

在本发明一个实施例中，上述的第一电源提供的第二电压以及第二电源提供的第三电压的大小可以根据业务要求来确定。其中，选用的第一电源提供的第二电压可以大于上游元件传输的第一电压，等于或小于的第二电源提供的第三电压，比如，第二电压为1.26V，第三电压为3.3V，那么可以选用的第一电源提供的第二电压为3.3V。选用的第二电源提供的第三电压的大小要可以对下游元件进行驱动。比如，上游元件传输的电压为1.26V，而下游元件的驱动电压为3.3V，那么就要选取可以提供3.3V电压的第二电源。

在本发明一个实施例中，如图2、图3和图4所示，为了满足多种业务需求，可以灵活选用第一开关模块中包括的元件，所述第一开关模块101可以包括：第一三极管201、第一NMOS管202和第一PMOS管203中的任意一种；

当所述第一开关模块101包括所述第一三极管201时，

所述第一三极管201的基极与所述上游元件相连，所述第一三极管201的集电极分别与所述第一电源和所述第二开关模块102相连，所述第一三极管201的发射极分别与地线和所述第二开关模块102相连；当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一三极管201的基极与发射极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块102；

当所述第一开关模块101包括所述第一NMOS管202时，

所述第一NMOS管202的栅极与所述上游元件相连，所述第一NMOS管202的源极分别与地线和所述第二开关模块102相连，所述第一NMOS管202的漏极分别与所述第一电源和所述第二开关模块102相连；当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一NMOS管202的源极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块102；

当所述第一开关模块101包括所述第一PMOS管203时，

所述第一PMOS管203的源极与所述上游元件相连，所述第一PMOS管203的栅极分别与地线和所述第二开关模块102相连，所述第一PMOS管203的漏极分别与所述第一电源和所述第二开关模块102相连；当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一PMOS管203的栅极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块102。

根据上述可知，第一开关模块中包括的具体元件可以根据业务要求来选取，比如可以选取三极管、NMOS管和PMOS管中的任意一种。其中由于三极管和NMOS管使用方便，且价格低廉，作为优选方案。而PMOS管由于价格相对于三极管和NMOS管来说，价格较高，因此作为次选方案。下面将针对于第一开关模块包括的具体元件进行详细说明：

针对于上述的当第一开关模块包括第一三极管时，如图2所示，第一三极管的基极b与上游元件A相连，第一三极管的集电极c分别与第一电源B和第二开关模块相连，第一三极管的发射极e分别与地线GND和第二开关模块相连；当第一三极管的基极b接收到上游元件A传输的第一电压比如1.26V时，第一三极管的基极b与第一三极管的发射极e导通，当基极b与发射极e导通后，第一三极管相当于导线的作用，直接将第一电源B提供的第二电压比如3.3V传输给地线GND，以使第二电压3.3V无法传输给第二开关模块。另外，上述的第一三极管的具体类型可以根据业务要求来确定，比如选用硅管三极管。

针对于上述的当第一开关模块包括第一NMOS管时，如图3所示(NMOS管内部元件的连接方式只是一种示意，可以根据具体业务要求变动)，第一NMOS管的栅极G与上游元件A相连，第一NMOS管的源极S分别与地线GND和第二开关模块相连，第一NMOS管的漏极D分别与第一电源B和第二开关模块相连；当第一NMOS管的栅极G接收到上游元件A传输的第一电压比如1.26V时，第一NMOS管的源极S与漏极D导通，当第一NMOS管的源极S与漏极D导通后，将第一电源B提供的第二电压比如3.3V传输给了地线GND，以使第二电压3.3V无法传输给第二开关模块。另外，上述的第一NMOS管的具体类型可以根据业务要求来确定。

针对于上述的当所述第一开关模块包括所述第一PMOS管时，如图4所示(PMOS管内部元件的连接方式只是一种示意，可以根据具体业务要求变动)，第一PMOS管的源极S与上游元件A相连，第一PMOS管的栅极G分别与地线GND和第二开关模块相连，第一PMOS管的漏极D分别与第一电源B和第二开关模块相连；当第一PMOS管的源极S接收到上游元件A传输的第一电压比如1.26V时，第一PMOS管的栅极G与漏极D导通，当第一PMOS管的栅极G与漏极D导通后，将第一电源B提供的第二电压比如3.3V传输给地线，以使第二电压3.3V无法传输给第二开关模块。另外，上述的第一PMOS管的具体类型可以根据业务要求来确定。

根据上述实施例，第一开关模块中可以包括第一三极管、第一NMOS管和第一PMOS管中的任意一种，无论选用上述哪种第一开关模块都可以当接收到上游元件传输的第一电压时，停止将第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块。因此，可以灵活选用第一开关模块中包括的元件类型，从而满足多种业务需求。

在本发明一个实施例中，如图2、图3和图4所示，为了保护第一开关模块中的元件，限制进入第一开关模块中的电流大小，所述第一开关模块101，进一步包括：电阻204；

当所述第一开关模块101包括所述第一三极管201时，

所述电阻204的第一端与所述上游元件相连，所述电阻204的第二端与所述第一三极管201的基极相连；

当所述第一开关模块101包括所述第一NMOS管202时，

所述电阻204的第一端与所述上游元件相连，所述电阻204的第二端与所述第一NMOS管202的栅极相连；

当所述第一开关模块101包括所述第一PMOS管203时，

所述电阻204的第一端与所述上游元件相连，所述电阻204的第二端与所述第一PMOS管203的源极相连。

上述电阻的类型可以根据具体的业务要求来确定，比如选用精密电阻。当第一开关模块中包括的元件不同时，电阻与不同的元件间具有下述不同的连接关系。

针对于上述的当所述第一开关模块包括所述第一三极管时，如图2所示，电阻的第一端R1与上游元件A相连，电阻的第二端R2与第一三极管的基极b相连，当上游元件A开始传输第一电压时，电阻起到分压的作用，在其自身消耗部分第一电压，从而限制输入第一三极管中的电流的大小，避免出现由于电流过大损伤第一三极管的现象，比如电流过大击穿第一三极管。

针对于上述的当所述第一开关模块包括所述第一NMOS管时，如图3所示电阻的第一端R1与上游元件A相连，电阻的第二端R2与第一NMOS管的栅极G相连，当上游元件A开始传输第一电压时，电阻起到分压的作用，在其自身消耗部分第一电压，从而限制输入第一NMOS管中的电流的大小，避免出现由于电流过大损伤第一NMOS管的现象，比如电流过大击穿第一NMOS管。

针对于上述的当第一开关模块包括所述第一PMOS管时，如图4所示，电阻的第一端R1与上游元件A相连，电阻的第二端R2与第一PMOS管的源极S相连，当上游元件A开始传输第一电压时，电阻起到分压的作用，在其自身消耗部分第一电压，从而限制输入第一PMOS管中的电流的大小，避免出现由于电流过大损伤第一PMOS管的现象，比如电流过大击穿第一PMOS管。

根据上述实施例，第一开关模块中可以进一步包括电阻，当上游元件开始传输第一电压时，该电阻起到分压的作用，在其自身消耗部分第一电压，从而限制输入第一开关模块中的电流的大小，从而减小第一开关模块中的元件出现损伤的可能性。

在本发明一个实施例中，如图2、图3和图4所示，为了减小当上游元件开始传输第一电压时，第一开关模块中的元件被击穿的可能性，所述第一开关模块101，进一步包括：第一电容205；

当所述第一开关模块101包括所述第一三极管201时，

所述第一电容205的一端分别与所述上游元件以及所述电阻204的第一端相连，所述第一电容205的另一端分别与所述第一三极管201的发射极、所述地线以及所述第二开关模块202相连；

当所述第一开关模块101包括所述第一NMOS管202时，

所述第一电容205的一端分别与所述上游元件以及所述电阻204的第一端相连，所述第一电容205的另一端分别与所述第一NMOS管201的源极、所述地线以及所述第二开关模块202相连；

当所述第一开关模块101包括所述第一PMOS管202时，

所述第一电容205的一端分别与所述上游元件以及所述电阻204的第一端相连，所述第一电容205的另一端分别与所述第一PMOS管201的栅极、所述地线以及所述第二开关模块202相连。

上述第一电容的类型可以根据具体的业务要求来确定，比如选用固定电容器。当第一开关模块中包括的元件不同时，电容与不同的元件间具有下述不同的连接关系。

针对于上述的当所述第一开关模块包括所述第一三极管时，如图2所示，第一电容的一端C1分别与上游元件A以及电阻的第一端R1相连，第一电容的另一端C2分别与第一三极管的发射极e、地线GND以及第二开关模块相连。当上游元件A未开始传输第一电压时，第一电容利用第二开关模块传输的第二电源的第三电压，比如3.3V储能，并利用储能稳定第一三极管中发射极与基极两端的电压。当上游元件A开始传输第一电压时，会产生的瞬间电压可能会击穿第一三极管，但是第一电容利用之前的储能提供电压，来稳定第一三极管中发射极与基极两端的电压，从而减少击穿第一三极管的可能性。

针对于上述的当所述第一开关模块包括所述第一NMOS管时，如图3所示，第一电容的一端C1分别与上游元件A以及电阻的第一端R1相连，第一电容的另一端C2分别与第一NMOS管的源极S、地线GND以及第二开关模块相连。当上游元件A未开始传输第一电压时，第一电容利用第二开关模块传输的第二电源的第三电压比如3.3V储能，并利用储能稳定第一NMOS管中源极与栅极两端的电压。当上游元件A开始传输第一电压时，产生的瞬间电压可能会击穿第一三极管，但是第一电容利用之前的储能稳定了第一NMOS管中源极与栅极两端的电压，从而减少击穿第一NMOS管的可能性。

针对于上述的当所述第一开关模块包括所述第一PMOS管时，如图4所示，第一电容的一端C1分别与上游元件A以及电阻的第一端R1相连，第一电容的另一端C2分别与第一PMOS管的栅极G、地线GND以及第二开关模块相连。当上游元件A未开始传输第一电压时，第一电容利用第二开关模块传输的第二电源的第三电压比如3.3V储能，并利用储能稳定第一PMOS管中源极与栅极两端的电压。当上游元件A开始传输第一电压时，产生的瞬间电压可能会击穿第一三极管，但是第一电容利用之前的储能稳定了第一PMOS管中源极与栅极两端的电压，从而减少击穿第一PMOS管的可能性。

根据上述实施例，第一开关模块中可以进一步包括第一电容，第一电容利用储能稳定第一开关模块中的元件两端的电压，当上游元件开始传输第一电压时，由于第一电容提供电压稳定第一开关模块中的元件两端的电压，因此减少上游元件产生的瞬间电压击穿第一开关模块中元件的可能性。

在本发明一个实施例中，如图5、图6和图7所示，为了满足多种业务需求，可以灵活选用第二开关模块中包括的元件，所述第二开关模块101，包括：第二三极管501、第二NMOS管502和第二PMOS管503中的任意一种；

当所述第二开关模块201包括所述第二三极管501时，

所述第二三极管501的基极分别与所述第一开关模块101和所述第一电源相连，所述第二三极管501的集电极分别与所述第二电源和所述下游元件相连，所述第二三极管501的发射极分别与所述第一开关模块和所述地线相连；当未接收到所述第一电源提供的第二电压时，所述第二三极管的基极与发射极断开，将所述第二电源提供的第三电压传输给所述下游元件；

当所述第二开关模块201包括所述第二NMOS管502时，

所述第二NMOS管502的栅极分别与所述第一开关模块101和所述第一电源相连，所述第二NMOS管502的源极分别与所述第一开关模块和所述地线相连，所述第二NMOS管502的漏极分别与所述第二电源和所述下游元件相连；当未接收到所述第一电源提供的第二电压时，所述第二NMOS管502的源极与漏极断开，将所述第二电源提供的第三电压传输给所述下游元件；

当所述第二开关模块102包括所述第二PMOS管503时，

所述第二PMOS管503的源极分别与所述第一开关模块101和所述第一电源相连，所述第二PMOS管503的栅极分别与所述第一开关模块和所述地线相连，所述第二PMOS管503的漏极分别与所述第二电源和所述下游元件相连，当未接收到所述第一电源提供的第二电压时，所述第二PMOS管503的栅极与漏极断开，将所述第二电源提供的第三电压传输给所述下游元件。

根据上述可知，第二开关模块中包括的具体元件也可以根据业务要求来选取，比如可以选取三极管、NMOS管和PMOS管中的任意一种。其中由于三极管和NMOS管使用方便，且价格低廉，作为优选方案。而PMOS管由于价格相对于三极管和NMOS管来说，价格较高，因此作为次选方案。下面将针对于第二开关模块包括的具体元件进行详细说明：

针对于上述的当所述第二开关模块包括所述第二三极管时，如图5所示，第二三极管的基极b分别与第一开关模块和第一电源B相连，第二三极管的集电极c分别与第二电源C和下游元件E相连，第二三极管的发射极e分别与地线GND以及第一开关模块相连。当第二三极管的基极b未接收到第一电源B提供的第二电压比如3.3V时，第二三极管的基极b与发射极e断开，第二电源提供的第三电压比如3.3V将不能传输至地线GND，而是将第三电压3.3V传输给下游元件E，以对下游元件E利用第三电压3.3V进行驱动。

针对于上述的当第二开关模块包括第二NMOS管时，如图6所示(NMOS管内部元件的连接方式只是一种示意，可以根据具体业务要求变动)，第二NMOS管的栅极G分别与第一开关模块和第一电源A相连，第二NMOS管的源极S分别与地线GND以及第一开关模块相连，第二NMOS管的漏极D分别与第二电源C和下游元件E相连；当第二NMOS管的栅极G未接收到第一电源A提供的第二电压比如3.3V时，第二NMOS管的源极S与漏极D断开，第二电源提供的第三电压比如3.3V将不能传输至地线GND，而是将第三电压3.3V传输给下游元件E，以对下游元件E利用第三电压3.3V进行驱动。

针对于上述的当第二开关模块包括第二PMOS管时，如图7所示(PMOS管内部元件的连接方式只是一种示意，可以根据具体业务要求变动)，第二PMOS管的源极S分别与第一开关模块和第一电源A相连，第二PMOS管的栅极G分别与地线GND以及第一开关模块相连，第二PMOS管的漏极D分别与第二电源C和下游元件E相连，当第二PMOS管的源极S未接收到第一电源A提供的第二电压比如3.3V时，第二PMOS管的栅极G与漏极S断开，第二电源提供的第三电压比如3.3V将不能传输至地线，而是将第三电压3.3V传输给下游元件E，以对下游元件E利用第三电压3.3V进行驱动。

根据上述实施例，第二开关模块中可以包括三极管、NMOS管和PMOS管中的任意一种，无论选用上述哪种第二开关模块都可以当未接收到第一电源提供的第二电压时，第二开关模块都可以将第二电源提供的第三电压传输给下游元件。因此，可以灵活选用第二开关模块中包括的元件类型，从而满足多种业务需求。

在本发明一个实施例中，如图5、图6和图7所示，当第一电源给第二开关模块传输第二电压时，减小第二开关模块中的元件发生损伤的可能性，所述第二开关模块201，进一步包括：第二电容504；

当所述第二开关模块201包括所述第二三极管501时，

所述第二电容504的一端分别与所述地线、所述第二三极管501的发射极以及所述第一开关模块101相连，所述第二电容504的另一端分别与所述第二三极管501的集电极、所述第二电源以及所述下游元件相连；

当所述第二开关模块201包括所述第二NMOS管502时，

所述第二电容504的一端分别与所述地线、所述第二NMOS管502的源极以及第一开关模块101相连，所述第二电容504的另一端分别与所述第二NMOS管502的所述漏极、所述第二电源以及所述下游元件相连；

当所述第二开关模块201包括所述第二PMOS管503时，

所述第二电容504的一端分别与所述地线、所述第二PMOS管503的栅极以及第一开关模块101相连，所述第二电容504的另一端分别与所述第二PMOS管503的所述漏极、所述第二电源以及所述下游元件相连。

上述第二电容的类型可以根据具体的业务要求来确定，比如选用固定电容器。当第二开关模块中包括的元件不同时，第二电容与不同的元件间具有下述不同的连接关系。

针对于上述的当第二开关模块包括第二三极管时，如图5所示，第二电容的一端D1分别与地线、第二三极管的发射极e以及第一开关模块相连，第二电容的另一端D2分别与第二三极管的集电极c、第二电源C以及下游元件E相连。当第一开关模块未接收第一电源B提供的第二电压时，利用第二电源C提供的第三电压进行储能，并为第二三极管的两端提供稳定电压，当第二开关模块未接收第一电源B提供的第二电压时，利用第二电源C提供的第三电压进行储能，并为第二三极管的两端提供稳定电压。从而减少第二三极管被击穿的可能性。

针对于上述的当第二开关模块包括第二NMOS管时，如图6所示，第二电容的一端D1分别与地线、第二NMOS管的源极S以及第一开关模块相连，第二电容的另一端D2分别与第二NMOS管的漏极D、第二电源C以及下游元件E相连。当第一开关模块未接收第一电源B提供的第二电压时，利用第二电源C提供的第三电压进行储能，并为第二三极管的两端提供稳定电压，当第二开关模块未接收第一电源B提供的第二电压时，利用第二电源C提供的第三电压进行储能，并为第二NMOS管的两端提供稳定电压。从而减少第二NMOS管被击穿的可能性。

针对于上述的当第二开关模块包括第二PMOS管时，如图7所示，第二电容的一端D1分别与地线GND、第二PMOS管的栅极G以及第一开关模块相连，第二电容的另一端D2分别与第二PMOS管的漏极D、第二电源C以及下游元件E相连。当第一开关模块未接收第一电源B提供的第二电压时，利用第二电源C提供的第三电压进行储能，并为第二三极管的两端提供稳定电压，当第二开关模块未接收第一电源B提供的第二电压时，利用第二电源C提供的第三电压进行储能，并为第二PMOS管的两端提供稳定电压。从而减少第二PMOS管被击穿的可能性。

根据上述实施例，第二开关模块中可以进一步包括第二电容，用于稳定第二开关模块中的元件，比如三极管、NMOS管、PMOS管两端的电压，从而减少第二开关模块中的元件出现损伤的可能性。

在本发明一个实施例中，如图8所示，所述转换装置中可以进一步包括：独立开关模块801；

所述独立开关模块801，与所述第一开关模块101相连，用于根据外部的触发控制所述第一开关模块101停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块102。

上述独立开关模块的具体形式可以根据具体的业务要求来确定。另外独立开关模块接收的触发可以是通过业务人员手动操作来完成，也可以是软件来控制的。当第一开关模块中包括三极管时，独立开关模块可以与三极管的基极相连，用于触发三极管的基极与发射极导通，从而使第一电源提供的第二电压不能传输给第二开关模块。以使第二开关模块利用第二电源提供的第三电压为下游元件供电；当第一开关模块中包括NMOS管时，独立开关模块可以与NMOS管的栅极相连，用于当栅极接收到触发时，NMOS管的漏极与源极导通，从而使第一电源提供的第二电压不能传输给第二开关模块，以使第二开关模块利用第二电源提供的第三电压为下游元件供电；当第一开关模块中包括PMOS管时，独立开关模块可以与PMOS管的源极相连，用于当源极接收到触发时，PMOS管的漏极与栅极导通，从而使第一电源提供的第二电压不能传输给第二开关模块，以使第二开关模块利用第二电源提供的第三电压为下游元件供电。

根据上述实施例，转换装置中可以进一步包括独立开关模块，独立开关模块可以根据外部的触发控制第一开关模块停止将第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块。从而可以根据业务要求灵活对下游元件进行驱动。

如图9所示，本发明实施例提供了一种基于上述任一所述转换装置的转换方法，该方法包括：

步骤901：利用所述第一开关模块，当接收到所述上游元件传输的第一电压时，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块；

步骤902：当所述第二开关模块未接收到所述第一电源传输的第二电压时，利用所述第二电源提供的第三电压为所述下游元件供电，以对所述下游元件进行驱动，其中所述第三电压大于所述第一电压。

根据如图9所示的实施例，该转换方法包括：利用第一开关模块，当接收到上游元件传输的第一电压时，停止将第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块；当第二开关模块未接收到第一电源传输的第二电压时，利用第二电源提供的大于第一电压的第三电压为下游元件供电，以对下游元件进行驱动。通过上述过程可知，本方案在上游元件开始传输电压之后，通过第一开关模块和第二开关模块进行电压转换，以得到能够对下游元件进行驱动的电压，因此本发明实施例能够降低元件不能正常工作的可能性。

在本发明一个实施例中，所述停止将外部的第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块，包括：

利用所述第一三极管，当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一三极管的基极与发射极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块；

或，

利用所述第一NMOS管，当接收到所述上游元件传输的供电电压时，所述第一NMOS管的源极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块；

或，

利用所述第一PMOS管，当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一PMOS管的栅极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块。

如图10所示，本发明实施例提供了一种转换系统，该系统包括：上游元件1001、下游元件1002、第一电源1003、第二电源1004以及如上述任一所述的转换装置1005；其中，

所述上游元件1001，用于为所述转换装置1005传输第一电压；

所述转换装置1005当接收到所述上游元件1001传输的第一电压时，停止传输所述第一电源1003提供的第二电压，利用所述第二电源1004提供的第三电压为所述下游元件1002供电，以对所述下游元件1002进行驱动，其中所述第三电压大于所述第一电压。

所述下游元件1002，用于接收所述转换装置1005传输的所述第二电源1004提供的第三电压。

根据如图10所示的实施例，该转换系统包括：上游元件、下游元件、第一电源、第二电源以及转换装置；其中，转换装置当接收到上游元件传输的第一电压时，停止传输第一电源提供的第二电压，利用第二电源提供的大于第一电压的第三电压为下游元件供电，以对下游元件进行驱动。通过上述过程可知，本方案在上游元件开始传输电压之后，通过第一开关模块和第二开关模块进行电压转换，以得到能够对下游元件进行驱动的电压，因此本发明实施例能够降低元件不能正常工作的可能性。

下面以可以提供1.26V电压的上游芯片、驱动电压为3.3V的下游芯片、第一开关模块中包括三极管、第二开关模块中包括NMOS管、提供3.3V电压的第二电源和提供3.3V电压的第三电源为例，展开说明转换系统。如图11所示，该转换系统包括：

上游芯片1101、下游芯片1102、3.3V第一电源1103、3.3V第二电源1104、第一电阻1105、第二电阻1106、第一电容1107、三极管1108、第三电阻1109、NMOS管1110、第四电阻1111和第二电容1112。上述的元件间具有如下的连接关系：

第一电阻的第一端R1与上游芯片的第一引脚Y1相连，第一电阻的第二端R2分别与第二电阻的第一端R3以及第一电容的第一端C1相连；

第二电阻的第一端R3分别与上游芯片的第二引脚Y2、第一电阻的第二端R2以及第一电容的第一端C1相连，第二电阻的第二端R4与三极管的基极b相连；

第一电容的第一端C1分别与第一电阻的第二端R2、第二电阻的第一端R3以及上游芯片的第二引脚Y2相连，第一电容的第二端C2分别与三极管的发射极e、NMOS管的源极S、地线GND以及第二电容的第一端C3相连；

三极管的基极b与第二电阻的第二端R4相连，三极管的发射极e分别与第一电容的第二端C2、地线GND、NMOS管的源极S以及第二电容的第一端C3相连，三极管的集电极c分别与第三电阻的第一端R5和NMOS管的栅极G相连；

第三电阻的第一端R5分别与三极管的集电极c和NMOS管的栅极G相连，第三电阻的第二端R6与3.3V第一电源相连；

NMOS管的栅极G分别与第三电阻的第一端R5和三极管的集电极c相连，NMOS管的源极S分别与三极管的发射极e、地线GND、第一电容的第二端C2以及第二电容的第一端C3相连，NMOS管的漏极D分别与第四电阻的第一端R7、上游芯片以及第二电容的第二端C4相连；

第二电容的第一端C3分别与三极管的发射极e、第一电容的第二端C2、地线GND、NMOS管的源极S相连，第二电容的第二端C4分别与第四电阻的第一端R7、NMOS管的漏极D以及下游芯片相连；

第四电阻的第一端R7分别与下游芯片、第二电容的第二端C4以及NMOS管的漏极D相连，第四电阻的第二端R8与3.3V第二电源相连；

当上游芯片未开始传输1.26V电压时，三极管的基极b与发射极e之间断开。NMOS管接收第一电源传输的3.3V电压，NMOS管的漏极与源极导通，3.3V第二电源提供的3.3V电压传输至地线GND，同时与其相连的第一电容和第二电容利用第二电源提供的3.3V电压进行储能。

当上游芯片通过第二引脚开始传输开始供电的信号时，通过第一引脚开始传输1.26V电压。第一电容开始输出其内部的储能，稳定三极管的基极b与发射极c两端的电压，从而减少在上游芯片在传输1.26V电压时，三极管被击穿的可能性。在第一电容在输出其内部储能时，1.26V电压通过具有限流作用的第一电阻和第二电阻传输给三极管的基极b。当三极管的基极b接收到1.26V电压时，三极管的基极b与发射极c导通，第一电源提供的3.3V电压通过具有限流作用的第三电阻通过基极b与发射极c导通的三极管传输至地线，同时与其相连的第一电容和第二电容利用第一电源提供的3.3V电压进行储能。

当第一电源提供的3.3V电压通过基极b与发射极c导通的三极管传输至地线之后，NMOS管的栅极G将不能接收到第二电源传输的3.3V电压，则NMOS管的漏极D与源极S断开。当NMOS管的漏极D与源极S断开后，3.3V第二电源提供的3.3V电压传输至下游芯片，以对下游芯片利用3.3V电压进行驱动。

通过上述过程可知，可将上游芯片传输的1.26V电压转换为驱动下游芯片的3.3V电压，保证了在上游芯片传输电压时，根据芯片间的操作时序性来驱动下游芯片，从而降低下游芯片不能正常工作的可能性。

综上所述，本发明各个实施例至少可以实现如下有益效果：

1、在本发明实施例中，该转换装置包括：第一开关模块和第二开关模块；第一开关模块，分别与外部的第一电源和外部的上游元件相连，用于当接收到上游元件传输的第一电压时，停止将第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块；第二开关模块，分别与外部的第二电源以及外部的下游元件相连，用于在未接收到第一电源提供的第二电压时，利用第二电源提供的大于第一电压的第三电压为下游元件供电，以对下游元件进行驱动。通过上述过程可知，本方案在上游元件开始传输电压之后，通过第一开关模块和第二开关模块进行电压转换，以得到能够对下游元件进行驱动的电压，因此本发明实施例能够降低元件不能正常工作的可能性。

2、在本发明实施例中，第一开关模块中可以包括第一三极管、第一NMOS管和第一PMOS管中的任意一种，无论选用上述哪种第一开关模块都可以当接收到上游元件传输的第一电压时，停止将第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块。因此，可以灵活选用第一开关模块中包括的元件类型，从而满足多种业务需求。

3、在本发明实施例中，第一开关模块中可以进一步包括电阻，当上游元件开始传输第一电压时，该电阻起到分压的作用，在其自身消耗部分第一电压，从而限制输入第一开关模块中的电流的大小，从而减小第一开关模块中的元件出现损伤的可能性。

4、在本发明实施例中，第一开关模块中可以进一步包括第一电容，第一电容利用储能稳定第一开关模块中的元件两端的电压，当上游元件开始传输第一电压时，由于第一电容提供电压稳定第一开关模块中的元件两端的电压，因此减少上游元件产生的瞬间电压击穿第一开关模块中元件的可能性。

5、在本发明实施例中，第二开关模块中可以包括三极管、NMOS管和PMOS管中的任意一种，无论选用上述哪种第二开关模块都可以当未接收到第一电源提供的第二电压时，第二开关模块都可以将第二电源提供的第三电压传输给下游元件。因此，可以灵活选用第二开关模块中包括的元件类型，从而满足多种业务需求。

6、在本发明实施例中，第二开关模块中可以进一步包括第二电容，用于稳定第二开关模块中的元件，比如三极管、NMOS管、PMOS管两端的电压，从而减少第二开关模块中的元件出现损伤的可能性。

7、在本发明实施例中，转换装置中可以进一步包括独立开关模块，独立开关模块可以根据外部的触发控制第一开关模块停止将第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块。从而可以根据业务要求灵活对下游元件进行驱动。

8、在本发明实施例中，该转换方法包括：利用第一开关模块，当接收到上游元件传输的第一电压时，停止将第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块；当第二开关模块未接收到第一电源传输的第二电压时，利用第二电源提供的大于第一电压的第三电压为下游元件供电，以对下游元件进行驱动。通过上述过程可知，本方案在上游元件开始传输电压之后，通过第一开关模块和第二开关模块进行电压转换，以得到能够对下游元件进行驱动的电压，因此本发明实施例能够降低元件不能正常工作的可能性。

9、在本发明实施例中，该转换系统包括：上游元件、下游元件、第一电源、第二电源以及转换装置；其中，转换装置当接收到上游元件传输的第一电压时，停止传输第一电源提供的第二电压，利用第二电源提供的大于第一电压的第三电压为下游元件供电，以对下游元件进行驱动。通过上述过程可知，本方案在上游元件开始传输电压之后，通过第一开关模块和第二开关模块进行电压转换，以得到能够对下游元件进行驱动的电压，因此本发明实施例能够降低元件不能正常工作的可能性。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个······”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同因素。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储在计算机可读取的存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质中。

最后需要说明的是：以上所述仅为本发明的较佳实施例，仅用于说明本发明的技术方案，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种转换装置，其特征在于，包括：第一开关模块和第二开关模块；其中，

所述第一开关模块，分别与外部的第一电源和外部的上游元件相连，用于当接收到所述上游元件传输的第一电压时，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块；

所述第二开关模块，分别与外部的第二电源以及外部的下游元件相连，用于在未接收到所述第一电源提供的第二电压时，利用所述第二电源提供的第三电压为所述下游元件供电，以对所述下游元件进行驱动，其中所述第三电压大于所述第一电压。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一开关模块，包括：第一三极管、第一NMOS管和第一PMOS管中的任意一种；

当所述第一开关模块包括所述第一三极管时，

所述第一三极管的基极与所述上游元件相连，所述第一三极管的集电极分别与所述第一电源和所述第二开关模块相连，所述第一三极管的发射极分别与地线和所述第二开关模块相连；当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一三极管的基极与发射极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块；

当所述第一开关模块包括所述第一NMOS管时，

所述第一NMOS管的栅极与所述上游元件相连，所述第一NMOS管的源极分别与地线和所述第二开关模块相连，所述第一NMOS管的漏极分别与所述第一电源和所述第二开关模块相连；当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一NMOS管的源极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块；

当所述第一开关模块包括所述第一PMOS管时，

所述第一PMOS管的源极与所述上游元件相连，所述第一PMOS管的栅极分别与地线和所述第二开关模块相连，所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一电源和所述第二开关模块相连；当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一PMOS管的栅极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一开关模块，进一步包括：电阻；

当所述第一开关模块包括所述第一三极管时，

所述电阻的第一端与所述上游元件相连，所述电阻的第二端与所述第一三极管的基极相连；

当所述第一开关模块包括所述第一NMOS管时，

所述电阻的第一端与所述上游元件相连，所述电阻的第二端与所述第一NMOS管的栅极相连；

当所述第一开关模块包括所述第一PMOS管时，

所述电阻的第一端与所述上游元件相连，所述电阻的第二端与所述第一PMOS管的源极相连。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一开关模块，进一步包括：第一电容；

当所述第一开关模块包括所述第一三极管时，

所述第一电容的一端分别与所述上游元件以及所述电阻的第一端相连，所述第一电容的另一端分别与所述第一三极管的发射极、所述地线以及所述第二开关模块相连；

当所述第一开关模块包括所述第一NMOS管时，

所述第一电容的一端分别与所述上游元件以及所述电阻的第一端相连，所述第一电容的另一端分别与所述第一NMOS管的源极、所述地线以及所述第二开关模块相连；

当所述第一开关模块包括所述第一PMOS管时，

所述第一电容的一端分别与所述上游元件以及所述电阻的第一端相连，所述第一电容的另一端分别与所述第一PMOS管的栅极、所述地线以及所述第二开关模块相连。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二开关模块，包括：第二三极管、第二NMOS管和第二PMOS管中的任意一种；

当所述第二开关模块包括所述第二三极管时，

所述第二三极管的基极分别与所述第一开关模块和所述第一电源相连，所述第二三极管的集电极分别与所述第二电源和所述下游元件相连，所述第二三极管的发射极分别与所述第一开关模块和所述地线相连；当未接收到所述第一电源提供的第二电压时，所述第二三极管的基极与发射极断开，将所述第二电源提供的第三电压传输给所述下游元件；

当所述第二开关模块包括所述第二NMOS管时，

所述第二NMOS管的栅极分别与所述第一开关模块和所述第一电源相连，所述第二NMOS管的源极分别与所述第一开关模块和所述地线相连，所述第二NMOS管的漏极分别与所述第二电源和所述下游元件相连；当未接收到所述第一电源提供的第二电压时，所述第二NMOS管的源极与漏极断开，将所述第二电源提供的第三电压传输给所述下游元件；

当所述第二开关模块包括所述第二PMOS管时，

所述第二PMOS管的源极分别与所述第一开关模块和所述第一电源相连，所述第二PMOS管的栅极分别与所述第一开关模块和所述地线相连，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第二电源和所述下游元件相连，当未接收到所述第一电源提供的第二电压时，所述第二PMOS管的栅极与漏极断开，将所述第二电源提供的第三电压传输给所述下游元件。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第二开关模块，进一步包括：第二电容；

当所述第二开关模块包括所述第二三极管时，

所述第二电容的一端分别与所述地线、所述第二三极管的发射极以及所述第一开关模块相连，所述第二电容的另一端分别与所述第二三极管的集电极、所述第二电源以及所述下游元件相连；

当所述第二开关模块包括所述第二NMOS管时，

所述第二电容的一端分别与所述地线、所述第二NMOS管的源极以及所述第一开关模块相连，所述第二电容的另一端分别与所述第二NMOS管的漏极、所述第二电源以及所述下游元件相连；

当所述第二开关模块包括所述第二PMOS管时，

所述第二电容的一端分别与所述地线、所述第二PMOS管的栅极以及第一开关模块相连，所述第二电容的另一端分别与所述第二PMOS管的漏极、所述第二电源以及所述下游元件相连。

7.根据权利要求1至6任一所述的装置，其特征在于，进一步包括：独立开关模块；

所述独立开关模块，与所述第一开关模块相连，用于根据外部的触发控制所述第一开关模块停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块。

8.一种基于权利要求1至7中任一所述转换装置的转换方法，其特征在于，包括：

利用所述第一开关模块，当接收到所述上游元件传输的第一电压时，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块；

当所述第二开关模块未接收到所述第一电源传输的第二电压时，利用所述第二电源提供的第三电压为所述下游元件供电，以对所述下游元件进行驱动，其中所述第三电压大于所述第一电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述停止将外部的第一电源提供的第二电压传输给第二开关模块，包括：

利用所述第一三极管，当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一三极管的基极与发射极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块；

或，

利用所述第一NMOS管，当接收到所述上游元件传输的供电电压时，所述第一NMOS管的源极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块；

或，

利用所述第一PMOS管，当接收到所述上游元件传输的第一电压时，所述第一PMOS管的栅极与漏极导通，将所述第一电源提供的第二电压传输给所述地线，停止将所述第一电源提供的第二电压传输给所述第二开关模块。

10.一种转换系统，其特征在于，包括：上游元件、下游元件、第一电源、第二电源以及如权利要求1至7任一所述的转换装置；其中，

所述上游元件，用于为所述转换装置传输第一电压；

所述转换装置当接收到所述上游元件传输的第一电压时，停止传输所述第一电源提供的第二电压，利用所述第二电源提供的第三电压为所述下游元件供电，以对所述下游元件进行驱动，其中所述第三电压大于所述第一电压；

所述下游元件，用于接收所述转换装置传输的所述第二电源提供的第三电压。